JPH1130863A - レジスト材料およびそれを用いたレジストパターン形成方法 - Google Patents
レジスト材料およびそれを用いたレジストパターン形成方法Info
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- JPH1130863A JPH1130863A JP9183999A JP18399997A JPH1130863A JP H1130863 A JPH1130863 A JP H1130863A JP 9183999 A JP9183999 A JP 9183999A JP 18399997 A JP18399997 A JP 18399997A JP H1130863 A JPH1130863 A JP H1130863A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来用いられてきた高分子レジスト材料と同
様にプロセスが容易であって、かつサブミクロンオーダ
ーの加工が実現できるレジスト材料を提供する。 【解決手段】 α−メチルスチレンオリゴマーをバイン
ダ成分として含むレジスト材料を用いる。α−メチルス
チレンオリゴマーの重量平均分子量は、例えば３００以
上２００００以下とする。
様にプロセスが容易であって、かつサブミクロンオーダ
ーの加工が実現できるレジスト材料を提供する。 【解決手段】 α−メチルスチレンオリゴマーをバイン
ダ成分として含むレジスト材料を用いる。α−メチルス
チレンオリゴマーの重量平均分子量は、例えば３００以
上２００００以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の微細加
工工程等において使用されるレジスト材料およびそれを
用いたレジストパターン形成方法、微細加工方法に関す
る。
工工程等において使用されるレジスト材料およびそれを
用いたレジストパターン形成方法、微細加工方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路の製造において、
微細加工を行うにあたっては基板にレジスト材料を塗布
し、これに高エネルギー線、または紫外線を選択的に照
射して潜像を形成し、現像によって所望のパタンを得
て、これをレジストとして加工を行うのが通例であっ
た。レジスト材料としては、高分子、あるいは、高分子
に反応性の材料を加えた組成物が広く用いられてきた。
例えば電子線用のネガティブレジストとして、ＳＡＬ
（化学増幅型レジスト、シプレー社）やＣＭＳ（クロロ
メチルスチレン）の高分子が知られている。
微細加工を行うにあたっては基板にレジスト材料を塗布
し、これに高エネルギー線、または紫外線を選択的に照
射して潜像を形成し、現像によって所望のパタンを得
て、これをレジストとして加工を行うのが通例であっ
た。レジスト材料としては、高分子、あるいは、高分子
に反応性の材料を加えた組成物が広く用いられてきた。
例えば電子線用のネガティブレジストとして、ＳＡＬ
（化学増幅型レジスト、シプレー社）やＣＭＳ（クロロ
メチルスチレン）の高分子が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体装置の
製造等において要求されるサブミクロン領域の微細加工
においては、従来の高分子レジスト材料を用いた加工技
術では十分に要求に応えることは困難であった。例えば
上述の電子線用のネガティブレジストとして、ＳＡＬや
ＣＭＳは、電子線感度については数マイクロＣ／ｃｍ2
程度と高い感度を示すが、１０ｎｍ程度の超微細パター
ンを形成することは困難であった。
製造等において要求されるサブミクロン領域の微細加工
においては、従来の高分子レジスト材料を用いた加工技
術では十分に要求に応えることは困難であった。例えば
上述の電子線用のネガティブレジストとして、ＳＡＬや
ＣＭＳは、電子線感度については数マイクロＣ／ｃｍ2
程度と高い感度を示すが、１０ｎｍ程度の超微細パター
ンを形成することは困難であった。
【０００４】したがって、従来用いられてきた高分子レ
ジスト同様にプロセスが容易であってかつサブミクロン
オーダーの加工が実現できるレジスト材料が強く望まれ
ていた。
ジスト同様にプロセスが容易であってかつサブミクロン
オーダーの加工が実現できるレジスト材料が強く望まれ
ていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題に対し、本発明
者らは、α−メチルスチレンオリゴマーを含有するレジ
スト材料を用いることがきわめて有効であることを見出
した。すなわち、α−メチルスチレンオリゴマーをバイ
ンダ成分として含むことを特徴とするレジスト材料が提
供される。
者らは、α−メチルスチレンオリゴマーを含有するレジ
スト材料を用いることがきわめて有効であることを見出
した。すなわち、α−メチルスチレンオリゴマーをバイ
ンダ成分として含むことを特徴とするレジスト材料が提
供される。
【０００６】また本発明によれば、レジスト材料を被処
理基板上に塗布した後、プリベークしてレジスト膜を形
成する工程と、該レジスト膜を高エネルギー線に選択的
に露光して所望のパターンの潜像を形成する工程と、前
記潜像を現像する工程とを含むレジストパターン形成方
法において、前記レジスト材料がα−メチルスチレンオ
リゴマーをバインダ成分として含むことを特徴とするレ
ジストパターン形成方法が提供される。
理基板上に塗布した後、プリベークしてレジスト膜を形
成する工程と、該レジスト膜を高エネルギー線に選択的
に露光して所望のパターンの潜像を形成する工程と、前
記潜像を現像する工程とを含むレジストパターン形成方
法において、前記レジスト材料がα−メチルスチレンオ
リゴマーをバインダ成分として含むことを特徴とするレ
ジストパターン形成方法が提供される。
【０００７】また本発明によれば、被処理基板上にレジ
スト材料を塗布し、レジスト膜を形成した後、ドライエ
ッチングにより微細構造体を形成する微細加工方法にお
いて、前記レジスト材料がα−メチルスチレンオリゴマ
ーをバインダ成分として含むことを特徴とする微細加工
方法が提供される。
スト材料を塗布し、レジスト膜を形成した後、ドライエ
ッチングにより微細構造体を形成する微細加工方法にお
いて、前記レジスト材料がα−メチルスチレンオリゴマ
ーをバインダ成分として含むことを特徴とする微細加工
方法が提供される。
【０００８】従来のレジスト材料が微細加工性に一定の
限界を有している原因の一つは、パタン形成に用いられ
る高分子の大きさ自体が解像度、詳しくはパタンを形成
したときのラフネスの問題を生じさせることにある。こ
の問題については、例えば吉村らによりアプライド・フ
ィジックス・レターズ６３巻ｐ７３４（１９９３）に指
摘されている。これに対し、本発明のレジスト材料はオ
リゴマーを用いているため、このような問題が無く、優
れた微細加工性を実現することができる。
限界を有している原因の一つは、パタン形成に用いられ
る高分子の大きさ自体が解像度、詳しくはパタンを形成
したときのラフネスの問題を生じさせることにある。こ
の問題については、例えば吉村らによりアプライド・フ
ィジックス・レターズ６３巻ｐ７３４（１９９３）に指
摘されている。これに対し、本発明のレジスト材料はオ
リゴマーを用いているため、このような問題が無く、優
れた微細加工性を実現することができる。
【０００９】有機材料をレジストとして実用に供するた
めには種々の条件を満たす必要がある。具体的には、溶
剤へ溶解度、膜形成能、非晶性もしくは非常に結晶し難
い性質、耐熱性、感度、エッチング耐性などであるが、
本発明に係るα−メチルスチレンオリゴマーを含有する
レジスト材料は、これらの条件を満たしており、１０ｎ
ｍ程度の超微細パターンを形成することが可能である。
なお、α−メチルスチレンオリゴマーを含有するレジス
トの感度を他の有機レジストと比較すると、大面積を露
光しようとした場合には若干劣るものの本発明の目的と
する超微細パターンを形成する場合には同等以上とな
る。例えば、電子線描画において、大面積を露光しよう
とした場合のＳＡＬの露光感度は３０μＣ／ｃｍ2であ
る。この値はα−メチルスチレンの１５ｍＣ／ｃｍ2に
比べると５００倍高感度である。ところが、このＳＡＬ
レジストを用いて、１点照射で直径ｎｍ程度のドットを
形成しようとすると、その感度は、１ドットあたり（点
照射）、３０ｆＣ／ｄｏｔ必要となる。同様に、α−メ
チルスチレンでは１ドットあたり約１００ｆＣ／ｄｏｔ
値度と、ＳＡＬの点照射感度と大差なくなる。逆に、Ｓ
ＡＬのような高感度レジストでは、形成できるドットパ
ターンの最小径が限界であるのに対して、α−メチルス
チレンオリゴマーでは、直径１０ｎｍ程度の微小ドット
が容易に形成できる。
めには種々の条件を満たす必要がある。具体的には、溶
剤へ溶解度、膜形成能、非晶性もしくは非常に結晶し難
い性質、耐熱性、感度、エッチング耐性などであるが、
本発明に係るα−メチルスチレンオリゴマーを含有する
レジスト材料は、これらの条件を満たしており、１０ｎ
ｍ程度の超微細パターンを形成することが可能である。
なお、α−メチルスチレンオリゴマーを含有するレジス
トの感度を他の有機レジストと比較すると、大面積を露
光しようとした場合には若干劣るものの本発明の目的と
する超微細パターンを形成する場合には同等以上とな
る。例えば、電子線描画において、大面積を露光しよう
とした場合のＳＡＬの露光感度は３０μＣ／ｃｍ2であ
る。この値はα−メチルスチレンの１５ｍＣ／ｃｍ2に
比べると５００倍高感度である。ところが、このＳＡＬ
レジストを用いて、１点照射で直径ｎｍ程度のドットを
形成しようとすると、その感度は、１ドットあたり（点
照射）、３０ｆＣ／ｄｏｔ必要となる。同様に、α−メ
チルスチレンでは１ドットあたり約１００ｆＣ／ｄｏｔ
値度と、ＳＡＬの点照射感度と大差なくなる。逆に、Ｓ
ＡＬのような高感度レジストでは、形成できるドットパ
ターンの最小径が限界であるのに対して、α−メチルス
チレンオリゴマーでは、直径１０ｎｍ程度の微小ドット
が容易に形成できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明のレジスト材料はα−メチ
ルスチレンオリゴマーをバインダ成分として含む。その
分子量は、好ましくは３００以上２００００以下であ
り、さらに好ましくは５００以上２０００以下である。
このような範囲とすることにより微細加工性に優れると
ともに作業性の良好なレジスト材料が提供される。
ルスチレンオリゴマーをバインダ成分として含む。その
分子量は、好ましくは３００以上２００００以下であ
り、さらに好ましくは５００以上２０００以下である。
このような範囲とすることにより微細加工性に優れると
ともに作業性の良好なレジスト材料が提供される。
【００１１】本発明のレジスト材料は、α−メチルスチ
レンオリゴマー以外に、通常レジスト材料として用いら
れる他の樹脂を含んでいても良い。この場合のα−メチ
ルスチレンオリゴマー含有量は、他の樹脂の種類やパタ
ーン形成条件、微細加工条件等により適宜調整される
が、例えばバインダー全体に対して１０重量％以上用い
ることで良好な微細加工性が達成される。
レンオリゴマー以外に、通常レジスト材料として用いら
れる他の樹脂を含んでいても良い。この場合のα−メチ
ルスチレンオリゴマー含有量は、他の樹脂の種類やパタ
ーン形成条件、微細加工条件等により適宜調整される
が、例えばバインダー全体に対して１０重量％以上用い
ることで良好な微細加工性が達成される。
【００１２】本発明のレジスト材料には、α−メチルス
チレンオリゴマーの他、フェノールレジン、カリックス
アレーン、クロロメチルスチレン等を適宜添加すること
ができる。
チレンオリゴマーの他、フェノールレジン、カリックス
アレーン、クロロメチルスチレン等を適宜添加すること
ができる。
【００１３】α−メチルスチレンオリゴマーは、溶剤に
より希釈されスピンコート法等により塗布される。溶剤
としては、例えば、キシレン、モノクロルベンゼン、ト
ルエン等が用いられる。
より希釈されスピンコート法等により塗布される。溶剤
としては、例えば、キシレン、モノクロルベンゼン、ト
ルエン等が用いられる。
【００１４】α−メチルスチレンオリゴマーの濃度は特
に制限が無いが、通常１％以上２０％以下の範囲で適宜
調整される。また、塗布後、溶剤を乾燥させたときの膜
厚は、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さら
に好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
に制限が無いが、通常１％以上２０％以下の範囲で適宜
調整される。また、塗布後、溶剤を乾燥させたときの膜
厚は、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さら
に好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
【００１５】本発明のレジストパターン形成方法におけ
る高エネルギー線とは、レジスト材料に照射することに
よりパタン描画を行うものであり、電子線、Ｘ線、イオ
ンビーム等を用いることができる。
る高エネルギー線とは、レジスト材料に照射することに
よりパタン描画を行うものであり、電子線、Ｘ線、イオ
ンビーム等を用いることができる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明についてさらに詳
細に説明する。まずα−メチルスチレンを原料とし、ア
ニオン重合法によりα−メチルスチレンオリゴマーを合
成した。冷却器、三方コックを備えた１００ｍｌナス型
２口フラスコを窒素置換した後、ナトリウム（０．４３
ｇ、１８．７ｍｍｏｌ）、ナフタレート（２．４７ｇ、
１９．３ｍｍｏｌ）、およびＴＨＦ（２５ｍｌ）を加え
常温で３時間反応させ、触媒を調整した。この反応液
を、６２℃にし、α−メチルスチレン（１．９ｇ、１
６．１ｍｍｏｌ）を入れ３０分間撹拌した。反応液を０
℃で５分間冷却し、−７８℃で３０分冷却した後、この
温度でα−メチルスチレン（１．６１ｇ、１３．６ｍｍ
ｏｌ）を添加した。１２時間−７８℃で反応させた後、
メタノールを少しずつ滴下し、反応をクエンチした。溶
媒を減圧下で蒸留した後、ｎ−ヘキサンを加え再び溶解
させ、この際に沈殿したソディウムメトキサイドを濾過
により除去し、溶媒を留去した後ＴＨＦ（１０ｍｌ）に
ポリマーを溶解しメタノール（３０ｍｌ）に再沈殿し
た。沈殿物を濾過により回収し、４０℃で減圧乾燥しポ
リマー１．２ｇを得た。このようにして得られたα−メ
チルスチレンオリゴマーはＧＰＣ測定による分子量測定
の結果、重量平均分子量Ｍｗが６５２、数平均分子量Ｍ
ｎが５９８の低分子であり、分散Ｍｗ／Ｍｎが１．０９
であった。
細に説明する。まずα−メチルスチレンを原料とし、ア
ニオン重合法によりα−メチルスチレンオリゴマーを合
成した。冷却器、三方コックを備えた１００ｍｌナス型
２口フラスコを窒素置換した後、ナトリウム（０．４３
ｇ、１８．７ｍｍｏｌ）、ナフタレート（２．４７ｇ、
１９．３ｍｍｏｌ）、およびＴＨＦ（２５ｍｌ）を加え
常温で３時間反応させ、触媒を調整した。この反応液
を、６２℃にし、α−メチルスチレン（１．９ｇ、１
６．１ｍｍｏｌ）を入れ３０分間撹拌した。反応液を０
℃で５分間冷却し、−７８℃で３０分冷却した後、この
温度でα−メチルスチレン（１．６１ｇ、１３．６ｍｍ
ｏｌ）を添加した。１２時間−７８℃で反応させた後、
メタノールを少しずつ滴下し、反応をクエンチした。溶
媒を減圧下で蒸留した後、ｎ−ヘキサンを加え再び溶解
させ、この際に沈殿したソディウムメトキサイドを濾過
により除去し、溶媒を留去した後ＴＨＦ（１０ｍｌ）に
ポリマーを溶解しメタノール（３０ｍｌ）に再沈殿し
た。沈殿物を濾過により回収し、４０℃で減圧乾燥しポ
リマー１．２ｇを得た。このようにして得られたα−メ
チルスチレンオリゴマーはＧＰＣ測定による分子量測定
の結果、重量平均分子量Ｍｗが６５２、数平均分子量Ｍ
ｎが５９８の低分子であり、分散Ｍｗ／Ｍｎが１．０９
であった。
【００１７】上記のようにして合成したα−メチルスチ
レンオリゴマーをクロルベンゼンに１．５重量％溶解
し、０．２μｍのフィルターで濾過してレジスト溶液を
調整した。清浄なシリコン基板上にコーターを用い、４
０００ｒｐｍで回転塗布し、厚さ３５ｎｍの均一な塗膜
を得た。電子ビーム露光装置（日立 Ｓ５０００）を用
い、２５ｋＶの電子線を用いて種々の露光量でパタン描
画を行った。この基板をキシレンに３０秒浸漬して現像
を行い、乾燥してレジストパターンを得た。このパタン
の膜厚を測定し、露光量の関数として感度を求めた（図
２）。図から明らかなように、２５ｋＶの電子線に対し
てα−メチルスチレンオリゴマーの面感度は１５ｍＣ／
ｃｍ2である。このα−メチルスチレンオリゴマーを用
いて、図３に示すように、直径１５ｎｍのドットアレー
や、図４に示すような線幅１２ｎｍのラインパターンが
容易に得られる。
レンオリゴマーをクロルベンゼンに１．５重量％溶解
し、０．２μｍのフィルターで濾過してレジスト溶液を
調整した。清浄なシリコン基板上にコーターを用い、４
０００ｒｐｍで回転塗布し、厚さ３５ｎｍの均一な塗膜
を得た。電子ビーム露光装置（日立 Ｓ５０００）を用
い、２５ｋＶの電子線を用いて種々の露光量でパタン描
画を行った。この基板をキシレンに３０秒浸漬して現像
を行い、乾燥してレジストパターンを得た。このパタン
の膜厚を測定し、露光量の関数として感度を求めた（図
２）。図から明らかなように、２５ｋＶの電子線に対し
てα−メチルスチレンオリゴマーの面感度は１５ｍＣ／
ｃｍ2である。このα−メチルスチレンオリゴマーを用
いて、図３に示すように、直径１５ｎｍのドットアレー
や、図４に示すような線幅１２ｎｍのラインパターンが
容易に得られる。
【００１８】レジスト感光用の高エネルギー線としてＸ
線、イオンビームなども用いることもできる。例えば波
長１ｎｍのＳＲ（シンクロトロン放射）光を用いた場合
も、電子線の場合と同様な微細パターンを得る事ができ
た。また、イオンビームとして、Ｇａ1+のイオンを用い
た１００ＫｅＶのＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ ＩｏｎＢｅ
ａｍ）装置を用いた場合も、α−メチルスチレンオリゴ
マー微細パターンを得ることができた。
線、イオンビームなども用いることもできる。例えば波
長１ｎｍのＳＲ（シンクロトロン放射）光を用いた場合
も、電子線の場合と同様な微細パターンを得る事ができ
た。また、イオンビームとして、Ｇａ1+のイオンを用い
た１００ＫｅＶのＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ ＩｏｎＢｅ
ａｍ）装置を用いた場合も、α−メチルスチレンオリゴ
マー微細パターンを得ることができた。
【００１９】このようにして得られたα−メチルスチレ
ンオリゴマーのネガパターンはドライエッチングに対し
て十分なエッチング耐性をもち、基板のＳｉやＧａＡ
ｓ、さらにはアルミニウムやＧｅの金属に対しても十分
なエッチング耐性を有する。例えば、ＣＦ4プラズマを
用いた場合、Ｇｅに対するα−メチルスチレンオリゴ
マーのエッチング選択性γＧｅは（γ＝Ｇｅのエッチン
グ量／α−メチルスチレンオリゴマーのエッチング量）
約４程度が得られ、Ｓｉに対してはγSi＝は１が得られ
た。実際にα−メチルスチレンオリゴマーを用いて、Ｇ
ｅの量子細線として線幅７ｎｍ程度の極微細線を形成す
ることができた。
ンオリゴマーのネガパターンはドライエッチングに対し
て十分なエッチング耐性をもち、基板のＳｉやＧａＡ
ｓ、さらにはアルミニウムやＧｅの金属に対しても十分
なエッチング耐性を有する。例えば、ＣＦ4プラズマを
用いた場合、Ｇｅに対するα−メチルスチレンオリゴ
マーのエッチング選択性γＧｅは（γ＝Ｇｅのエッチン
グ量／α−メチルスチレンオリゴマーのエッチング量）
約４程度が得られ、Ｓｉに対してはγSi＝は１が得られ
た。実際にα−メチルスチレンオリゴマーを用いて、Ｇ
ｅの量子細線として線幅７ｎｍ程度の極微細線を形成す
ることができた。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、ｎｍオーダーの高分解
能を有する電子線ネガティブレジストが得られ、サブミ
クロン領域の微細加工が可能となる。これにより、次世
代超高集積Ｓｉ−ＬＳＩや各種センサーへの応用が可能
となる。
能を有する電子線ネガティブレジストが得られ、サブミ
クロン領域の微細加工が可能となる。これにより、次世
代超高集積Ｓｉ−ＬＳＩや各種センサーへの応用が可能
となる。
【図１】α−メチルスチレンオリゴマーの化学構造式を
示す図である。
示す図である。
【図２】α−メチルスチレンオリゴマーの電子線露光感
度を示す図である。
度を示す図である。
【図３】α−メチルスチレンオリゴマーによって得られ
た、ドットパターンの例を示す図面代用写真である。
た、ドットパターンの例を示す図面代用写真である。
【図４】α−メチルスチレンオリゴマーによって得られ
た、ラインパターンの例を示す図面代用写真である。
た、ラインパターンの例を示す図面代用写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 眞子 祥子 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 α−メチルスチレンオリゴマーをバイン
ダ成分として含むことを特徴とするレジスト材料。 - 【請求項２】 前記α−メチルスチレンオリゴマーの重
量平均分子量が３００以上２００００以下である請求項
１に記載のレジスト材料。 - 【請求項３】 レジスト材料を被処理基板上に塗布した
後、プリベークしてレジスト膜を形成する工程と、該レ
ジスト膜を高エネルギー線に選択的に露光して所望のパ
ターンの潜像を形成する工程と、前記潜像を現像する工
程とを含むレジストパターン形成方法において、前記レ
ジスト材料がα−メチルスチレンオリゴマーをバインダ
成分として含むことを特徴とするレジストパターン形成
方法。 - 【請求項４】 前記α−メチルスチレンオリゴマーの重
量平均分子量が３００以上２００００以下である請求項
３に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項５】 前記高エネルギー線は電子線である請求
項３または４に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項６】 前記高エネルギー線はＸ線である請求項
３または４に記載のレジストパターン形成方法。 - 【請求項７】 前記高エネルギー線はイオンビームであ
る請求項３または４に記載のレジストパターン形成方
法。 - 【請求項８】 被処理基板上にレジスト材料を塗布し、
レジスト膜を形成した後、ドライエッチングにより微細
構造体を形成する微細加工方法において、前記レジスト
材料がα−メチルスチレンオリゴマーをバインダ成分と
して含むことを特徴とする微細加工方法。 - 【請求項９】 前記α−メチルスチレンオリゴマーの重
量平均分子量が３００以上２００００以下である請求項
８に記載の微細加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9183999A JP3022418B2 (ja) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | レジスト材料およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9183999A JP3022418B2 (ja) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | レジスト材料およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1130863A true JPH1130863A (ja) | 1999-02-02 |
| JP3022418B2 JP3022418B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=16145556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9183999A Expired - Fee Related JP3022418B2 (ja) | 1997-07-09 | 1997-07-09 | レジスト材料およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3022418B2 (ja) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS5441719A (en) * | 1977-09-08 | 1979-04-03 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Radiation sensitive material |
| JPS58122531A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-21 | Fujitsu Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS60257445A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-19 | Kuraray Co Ltd | ポジ型放射線レジスト材料 |
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| JPS62191850A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-22 | Nec Corp | ポジレジスト材料 |
| JPS63137227A (ja) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Fujitsu Ltd | 電子線ポジレジスト |
| JPH01163738A (ja) * | 1987-12-19 | 1989-06-28 | Fujitsu Ltd | レジスト材料 |
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- 1997-07-09 JP JP9183999A patent/JP3022418B2/ja not_active Expired - Fee Related
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