JP3074676B2 - ナノスケールレジスト材料を用いたパターン形成方法 - Google Patents
ナノスケールレジスト材料を用いたパターン形成方法Info
- Publication number
- JP3074676B2 JP3074676B2 JP10177729A JP17772998A JP3074676B2 JP 3074676 B2 JP3074676 B2 JP 3074676B2 JP 10177729 A JP10177729 A JP 10177729A JP 17772998 A JP17772998 A JP 17772998A JP 3074676 B2 JP3074676 B2 JP 3074676B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- region
- resist film
- substrate
- resist material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細加工技術に関
し、更に詳しくはアルカリ現像が可能なレジスト材料を
用いたレジストパタン形成方法及びエッチング方法に関
する。
し、更に詳しくはアルカリ現像が可能なレジスト材料を
用いたレジストパタン形成方法及びエッチング方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路の微細構造を製造
する際、微細加工方法としては、溶媒に溶解した有機ポ
リマーを基板に塗布してその後に溶媒を除去し、作製し
たレジスト膜に高エネルギー線、あるいは紫外線を部分
的に照射して潜像を形成し、現像によって所望のパタン
を製造し、これをレジストとして加工を行うのが通例で
ある。
する際、微細加工方法としては、溶媒に溶解した有機ポ
リマーを基板に塗布してその後に溶媒を除去し、作製し
たレジスト膜に高エネルギー線、あるいは紫外線を部分
的に照射して潜像を形成し、現像によって所望のパタン
を製造し、これをレジストとして加工を行うのが通例で
ある。
【０００３】これまでの微細加工技術に関する従来技術
として、特公平３−４２４６４では、電子ビーム用ネガ
レジストとして、アルカリ可溶性のヒドロキシスチレン
とクロロメチルスチレンと共重合させて調整した二元共
重合体、又はヒドロキシスチレンとクロロメチルスチレ
ンにスチレンをも共重合させた三元共重合体から成る材
料を用い、このレジスト材料を用いてアルカリ現像する
パターン形成方法が開示されている。
として、特公平３−４２４６４では、電子ビーム用ネガ
レジストとして、アルカリ可溶性のヒドロキシスチレン
とクロロメチルスチレンと共重合させて調整した二元共
重合体、又はヒドロキシスチレンとクロロメチルスチレ
ンにスチレンをも共重合させた三元共重合体から成る材
料を用い、このレジスト材料を用いてアルカリ現像する
パターン形成方法が開示されている。
【０００４】従来はこのレジスト材料として、分子量が
１万前後のポリマーを基底樹脂とするレジストが使われ
ていた。また最近では、高スループット、つまり、高感
度化の要求に応えるために、レジスト樹脂の架橋反応を
促進する触媒を添加された化学増幅型レジストが一般的
になってきている。例えば、シプレイ社製のＳＡＬ６０
１レジストがそれである。
１万前後のポリマーを基底樹脂とするレジストが使われ
ていた。また最近では、高スループット、つまり、高感
度化の要求に応えるために、レジスト樹脂の架橋反応を
促進する触媒を添加された化学増幅型レジストが一般的
になってきている。例えば、シプレイ社製のＳＡＬ６０
１レジストがそれである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、吉村ら
のジャーナル オブ バキューム サイエンス アンド
テクノロジー Ｂ １９９２年第１０巻ｐ２６１５に記
載されている報告によると、ＳＡＬ６０１レジストで
は、触媒である酸の拡散を抑制しても高々２０ナノメー
トル幅のラインパターンしか形成できていない。
のジャーナル オブ バキューム サイエンス アンド
テクノロジー Ｂ １９９２年第１０巻ｐ２６１５に記
載されている報告によると、ＳＡＬ６０１レジストで
は、触媒である酸の拡散を抑制しても高々２０ナノメー
トル幅のラインパターンしか形成できていない。
【０００６】又同時に、ＳＡＬ６０１レジストでは約十
ナノメートル程度もの基底樹脂分子サイズに起因すると
考えられるパターン側壁ラフネスについても報告されて
いる。これについては、吉村らからアプライド フィジ
クス レターズ １９９３年第６３巻ｐ７６４でも報告
されている。以上からわかるように、０．１ミクロンル
ールより大きい半導体集積回路のために開発されたレジ
スト材料では、ナノメートルオーダのパターン形成は難
しいことがわかる。
ナノメートル程度もの基底樹脂分子サイズに起因すると
考えられるパターン側壁ラフネスについても報告されて
いる。これについては、吉村らからアプライド フィジ
クス レターズ １９９３年第６３巻ｐ７６４でも報告
されている。以上からわかるように、０．１ミクロンル
ールより大きい半導体集積回路のために開発されたレジ
スト材料では、ナノメートルオーダのパターン形成は難
しいことがわかる。
【０００７】又、近年、ナノメートル級微細パターン形
成や加工に適した低分子量のネガ型有機レジストとし
て、カリックスアレーンレジストがある。（文献ジャー
ナルオブ バキューム サイエンス アンド テクノロ
ジー Ｂ １９９６年第１４巻ｐ４２７２）
成や加工に適した低分子量のネガ型有機レジストとし
て、カリックスアレーンレジストがある。（文献ジャー
ナルオブ バキューム サイエンス アンド テクノロ
ジー Ｂ １９９６年第１４巻ｐ４２７２）
【０００８】カリックスアレーンレジストは分子サイズ
が小さいので、従来型レジストと比較して、ラフネスの
小さいパターンが形成可能である。しかしながら、カリ
ックスアレーンレジストの現像プロセスは現像液として
有機溶媒を使用しなければならない。
が小さいので、従来型レジストと比較して、ラフネスの
小さいパターンが形成可能である。しかしながら、カリ
ックスアレーンレジストの現像プロセスは現像液として
有機溶媒を使用しなければならない。
【０００９】本発明の主な目的は、アルカリ現像が可能
なナノメートル級加工に適したレジスト材料を提供し、
それを用いたパターン形成プロセス及びエッチングプロ
セスを示すことである。
なナノメートル級加工に適したレジスト材料を提供し、
それを用いたパターン形成プロセス及びエッチングプロ
セスを示すことである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為に
本発明のナノスケールレジスト材料を用いたパターン形
成方法は、分子サイズが、ナノメートルオーダであるナ
ノスケールレジスト材料を用いて、半導体基板上にレジ
スト膜を形成するステップと、高エネルギー線を前記レ
ジスト膜の第１の領域を除く第２の領域に照射して、潜
像を形成するステップと、前記レジスト膜を有する基板
に対して現像処理を行い、前記第１の領域と前記第２の
領域の一方を除き、他方を残すステップとから成る事を
特徴とする。
本発明のナノスケールレジスト材料を用いたパターン形
成方法は、分子サイズが、ナノメートルオーダであるナ
ノスケールレジスト材料を用いて、半導体基板上にレジ
スト膜を形成するステップと、高エネルギー線を前記レ
ジスト膜の第１の領域を除く第２の領域に照射して、潜
像を形成するステップと、前記レジスト膜を有する基板
に対して現像処理を行い、前記第１の領域と前記第２の
領域の一方を除き、他方を残すステップとから成る事を
特徴とする。
【００１１】前記レジスト膜を形成するステップが、分
子サイズがナノメートルオーダである前記ナノスケール
レジスト材料をクロルベンゼンに溶解して第１の溶液を
作製するステップと、前記第１の溶液をメッシュフィル
タでろ過し、レジスト溶液である第２の溶液を作製する
ステップと、前記第２の溶液を基板上に塗布してレジス
ト膜を製作するステップとから成る事を特徴とする。
子サイズがナノメートルオーダである前記ナノスケール
レジスト材料をクロルベンゼンに溶解して第１の溶液を
作製するステップと、前記第１の溶液をメッシュフィル
タでろ過し、レジスト溶液である第２の溶液を作製する
ステップと、前記第２の溶液を基板上に塗布してレジス
ト膜を製作するステップとから成る事を特徴とする。
【００１２】前記第１の領域と前記第２の領域の一方を
除き他方を残すステップが、前記現像処理後に純水でリ
ンスするステップを含む事を特徴とする。
除き他方を残すステップが、前記現像処理後に純水でリ
ンスするステップを含む事を特徴とする。
【００１３】前記材料が、水酸化スチレンオリゴマーで
ある事を特徴とする。
ある事を特徴とする。
【００１４】前記現像処理が、アルカリ現像液を用いる
事を特徴とする。
事を特徴とする。
【００１５】前記第１の領域又は第２の領域は、１０か
ら１５ナノメートルの幅を有するラインパターンである
事を特徴とする。
ら１５ナノメートルの幅を有するラインパターンである
事を特徴とする。
【００１６】前記レジスト膜は、その膜厚が１５から５
０ナノメートルである事を特徴とする。
０ナノメートルである事を特徴とする。
【００１７】前記高エネルギー線が、電子線、Ｘ線或い
はイオンビームである事を特徴とする。
はイオンビームである事を特徴とする。
【００１８】分子サイズが、ナノメートルオーダである
ナノスケールレジスト材料を用いて、基板上にレジスト
膜を形成するステップと、高エネルギー線を前記レジス
ト膜の第１の領域を除く第２の領域に照射して、潜像を
形成するステップと、前記レジスト膜を有する基板に対
して現像処理を行い、前記第１の領域と前記第２の領域
の一方を除き、他方を残すステップと、前記レジスト膜
を有する基板に対してエッチングを施すステップとから
成る事を特徴とする。
ナノスケールレジスト材料を用いて、基板上にレジスト
膜を形成するステップと、高エネルギー線を前記レジス
ト膜の第１の領域を除く第２の領域に照射して、潜像を
形成するステップと、前記レジスト膜を有する基板に対
して現像処理を行い、前記第１の領域と前記第２の領域
の一方を除き、他方を残すステップと、前記レジスト膜
を有する基板に対してエッチングを施すステップとから
成る事を特徴とする。
【００１９】前記エッチングが、ドライエッチングであ
る事を特徴とする。
る事を特徴とする。
【００２０】前記基板が、半導体、又は金属である事を
特徴とする。
特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に、本発明であるナノスケール
レジスト材料及びパタン形成方法の実施の形態に関して
添付図面を参照して詳細に説明する。
レジスト材料及びパタン形成方法の実施の形態に関して
添付図面を参照して詳細に説明する。
【化１】 [化１]に本発明のナノスケールレジスト材料である、水
酸化スチレンレジストの化学構造式を示す。
酸化スチレンレジストの化学構造式を示す。
【００２２】次に、図１に重量平均分子量１０５０、数
平均分子量９６５、分散度が１．１の水酸化スチレンオ
リゴマーを使用したレジストパターン形成方法例をフロ
ーチャートで示す。
平均分子量９６５、分散度が１．１の水酸化スチレンオ
リゴマーを使用したレジストパターン形成方法例をフロ
ーチャートで示す。
【００２３】図１を参照して、本発明のパタン形成方法
は、始めにクロルベンゼンに水酸化スチレンオリゴマ−
を１．５ｗｔ％溶解し、０．２ミクロンのメッシュフィ
ルタでろ過して、レジスト溶液を調合する。
は、始めにクロルベンゼンに水酸化スチレンオリゴマ−
を１．５ｗｔ％溶解し、０．２ミクロンのメッシュフィ
ルタでろ過して、レジスト溶液を調合する。
【００２４】次に、清浄なＳｉ基板をスピンコータにセ
ットした後基板上にレジスト溶液を滴下し、４０００ｒ
ｐｍで６０秒回転塗布して、厚さ３５ナノメートルのレ
ジスト薄膜を形成した。
ットした後基板上にレジスト溶液を滴下し、４０００ｒ
ｐｍで６０秒回転塗布して、厚さ３５ナノメートルのレ
ジスト薄膜を形成した。
【００２５】更に、走査電子線露光装置（日立製Ｓ５０
００）を用いて、電子線照射を行い潜像パターンを形成
する。その後、アルカリ現像液（ＴＭＡＨ溶液）に３０
秒浸して現像処理を行い、純水でリンスを行う。図２
に、現像、リンス後のレジストパターンの例を示す。図
２を参照して、加速１５ｋＶの電子線により、線幅１２
ナノメートルの水酸化スチレンオリゴマーのラインパタ
ーンが形成できている。尚、本実施の形態におけるレジ
スト材料は、電子線照射量を変化させることによりネガ
及びポジ型両者に対応するものとしている。
００）を用いて、電子線照射を行い潜像パターンを形成
する。その後、アルカリ現像液（ＴＭＡＨ溶液）に３０
秒浸して現像処理を行い、純水でリンスを行う。図２
に、現像、リンス後のレジストパターンの例を示す。図
２を参照して、加速１５ｋＶの電子線により、線幅１２
ナノメートルの水酸化スチレンオリゴマーのラインパタ
ーンが形成できている。尚、本実施の形態におけるレジ
スト材料は、電子線照射量を変化させることによりネガ
及びポジ型両者に対応するものとしている。
【００２６】以上の実施の形態では、レジスト薄膜に照
射する高エネルギ線として電子線を採用しているが、こ
の高エネルギ線としては他にＸ線、イオンビームを使用
しても、電子線の場合と同様の効果が実現可能であり、
微細レジストパターンの形成が可能である。
射する高エネルギ線として電子線を採用しているが、こ
の高エネルギ線としては他にＸ線、イオンビームを使用
しても、電子線の場合と同様の効果が実現可能であり、
微細レジストパターンの形成が可能である。
【００２７】上述したレジストパタン形成方法により作
成した水酸化スチレンオリゴマーのレジストパターンを
用いて、更に微細構造物を形成する方法を以下に記す。
微細構造を作製する為の基板を用いて、例えばＳｉやＧ
ａＡｓ等の半導体、又はＧｅなどの金属上に上記と同様
のパタン形成方法で水酸化スチレンオリゴマーのレジス
トパターンを形成する。
成した水酸化スチレンオリゴマーのレジストパターンを
用いて、更に微細構造物を形成する方法を以下に記す。
微細構造を作製する為の基板を用いて、例えばＳｉやＧ
ａＡｓ等の半導体、又はＧｅなどの金属上に上記と同様
のパタン形成方法で水酸化スチレンオリゴマーのレジス
トパターンを形成する。
【００２８】水酸化スチレンにはこれらの半導体や金属
に対して十分なエッチング耐性があることが確認でき
る。例えば、ＣＦ4プラズマを用いた場合、Ｓｉに対す
る水酸化スチレンオリゴマーのエッチング選択比はほぼ
１である。Ｓｉ基板上に作製した線幅１５ナノメートル
の水酸化スチレンオリゴマ−レジストパターンをＣＦ4
プラズマでエッチングし、線幅１２ナノメートルの微細
Ｓｉ線を作製した。
に対して十分なエッチング耐性があることが確認でき
る。例えば、ＣＦ4プラズマを用いた場合、Ｓｉに対す
る水酸化スチレンオリゴマーのエッチング選択比はほぼ
１である。Ｓｉ基板上に作製した線幅１５ナノメートル
の水酸化スチレンオリゴマ−レジストパターンをＣＦ4
プラズマでエッチングし、線幅１２ナノメートルの微細
Ｓｉ線を作製した。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のナノスケ
ールレジスト材料及びパタン形成方法によれば、数ナノ
メートルの長さの水酸化スチレンオリゴマーをレジスト
の基底樹脂として用いるという基本構成に基づき、ナノ
メートル級を実現した極微細レジストパターン、及び極
微細構造物が提供される。
ールレジスト材料及びパタン形成方法によれば、数ナノ
メートルの長さの水酸化スチレンオリゴマーをレジスト
の基底樹脂として用いるという基本構成に基づき、ナノ
メートル級を実現した極微細レジストパターン、及び極
微細構造物が提供される。
【００３０】尚、本発明は上記各実施例に限定されず、
本発明の技術的思想の範囲内において、各実施例は適宜
変更され得る。
本発明の技術的思想の範囲内において、各実施例は適宜
変更され得る。
【図１】図１は、水酸化スチレンオリゴマーを使用した
レジストパターン形成方法を説明する為のフローチャー
トである。
レジストパターン形成方法を説明する為のフローチャー
トである。
【図２】図２は、水酸化スチレンオリゴマーのレジスト
パターン形成例を示す為の図である。
パターン形成例を示す為の図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−133374（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/32 G03F 7/004 G03F 7/038 G03F 7/039 H01L 21/027
Claims (10)
- 【請求項１】分子サイズが、ナノメートルオーダである
ナノスケールレジスト材料を用いて、基板上にレジスト
膜を形成するステップと、 高エネルギー線を前記レジスト膜の第１の領域を除く第
２の領域に照射して、潜像を形成するステップと、 前記レジスト膜を有する基板に対して現像処理を行い、
前記第１の領域と前記第２の領域の一方を除き他方を残
し、そして純水でリンスするステップとから成る事を特
徴とするナノスケールレジスト材料を用いたパターン形
成方法。 - 【請求項２】分子サイズが、ナノメートルオーダである
ナノスケールレジスト材料を用いて、基板上にレジスト
膜を形成するステップと、 高エネルギー線を前記レジスト膜の第１の領域を除く第
２の領域に照射して、潜像を形成するステップと、 前記レジスト膜を有する基板に対して現像処理を行い、
前記第１の領域と前記第２の領域の一方を除き、他方を
残すステップとから成り、 前記ナノスケールレジスト材料が、水酸化スチレンオリ
ゴマーである事を 特徴とするナノスケールレジスト材料
を用いたパターン形成方法。 - 【請求項３】分子サイズが、ナノメートルオーダである
ナノスケールレジスト材料を用いて、基板上にレジスト
膜を形成するステップと、 高エネルギー線を前記レジスト膜の第１の領域を除く第
２の領域に照射して、潜像を形成するステップと、 前記レジスト膜を有する基板に対して現像処理を行い、
前記第１の領域と前記第２の領域の一方を除き、他方を
残すステップとから成り、 前記現像処理が、アルカリ現像液を用いる事を 特徴とす
るナノスケールレジスト材料を用いたパターン形成方
法。 - 【請求項４】前記レジスト膜を形成するステップが、 分子サイズがナノメートルオーダである前記ナノスケー
ルレジスト材料をクロルベンゼンに溶解して第１の溶液
を作製するステップと、 前記第１の溶液をメッシュフィルタでろ過し、レジスト
溶液である第２の溶液を作製するステップと、 前記第２の溶液を基板上に塗布してレジスト膜を製作す
るステップとから成る事を特徴とする請求項１乃至３の
何れか一項に記載のナノスケールレジスト材料を用いた
パターン形成方法。 - 【請求項５】前記第１の領域又は第２の領域の残された
領域は、１０から１５ナノメートルの幅を有するライン
パターンである事を特徴とする請求項１乃至３の何れか
一項に記載のナノスケールレジスト材料を用いたパター
ン形成方法。 - 【請求項６】前記レジスト膜は、その膜厚が１５から５
０ナノメートルである事を特徴とする請求項１乃至３の
何れか一項に記載のナノスケールレジスト材料を用いた
パターン形成方法。 - 【請求項７】前記高エネルギー線が、電子線、Ｘ線或い
はイオンビームである事を特徴とする請求項１乃至３の
何れか一項に記載のナノスケールレジスト材料を用いた
パターン形成方法。 - 【請求項８】分子サイズが、ナノメートルオーダである
ナノスケールレジスト材料を用いて、基板上にレジスト
膜を形成するステップと、 高エネルギー線を前記レジスト膜の第１の領域を除く第
２の領域に照射して、潜像を形成するステップと、 前記レジスト膜を有する基板に対して現像処理を行い、
前記第１の領域と前記第２の領域の一方を除き他方を残
し、そして純水でリンスするステップと、 前記レジスト膜を有する基板に対してエッチングを施す
ステップとから成る事を特徴とするナノスケールレジス
ト材料を用いたパターン形成方法。 - 【請求項９】前記エッチングが、ドライエッチングであ
る事を特徴とする請求項８記載のナノスケールレジスト
材料を用いたパターン形成方法。 - 【請求項１０】前記基板が、半導体、又は金属である事
を特徴とする請求項８記載のナノスケールレジスト材料
を用いたパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10177729A JP3074676B2 (ja) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | ナノスケールレジスト材料を用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10177729A JP3074676B2 (ja) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | ナノスケールレジスト材料を用いたパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012444A JP2000012444A (ja) | 2000-01-14 |
| JP3074676B2 true JP3074676B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=16036106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10177729A Expired - Fee Related JP3074676B2 (ja) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | ナノスケールレジスト材料を用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3074676B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5262651B2 (ja) * | 2008-12-05 | 2013-08-14 | Ｊｓｒ株式会社 | ポジ型レジストパターン形成方法及びポジ型レジストパターン形成用現像液 |
-
1998
- 1998-06-24 JP JP10177729A patent/JP3074676B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000012444A (ja) | 2000-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69031748T2 (de) | Plasmabehandlung mit Metallmasken-Integration | |
| KR100234143B1 (ko) | 레지스트 물질 및 그 제조 방법 | |
| WO2001025854A1 (en) | Method for forming pattern | |
| WO2005098545A1 (ja) | 水溶性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法 | |
| JPH07261393A (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
| JPH01128062A (ja) | 網状化低抗性フォトレジスト被覆 | |
| JP3433153B2 (ja) | パターン形成材料、パターン形成方法、及び露光用マスクの製造方法 | |
| WO2007030918A1 (en) | High sensitivity electron beam resist processing | |
| JP3515326B2 (ja) | レジスト組成物 | |
| JP3074676B2 (ja) | ナノスケールレジスト材料を用いたパターン形成方法 | |
| JP2901044B2 (ja) | 三層レジスト法によるパターン形成方法 | |
| JP3028939B2 (ja) | 微細パターンおよびその形成方法 | |
| EP1045291A2 (en) | Method of improving the etch resistance of photoresists | |
| JPH0383063A (ja) | パターン形成方法 | |
| WO2006030240A2 (en) | Novel resist material | |
| JP3128335B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| WO2002001296A2 (en) | Strongly water-soluble photoacid generator resist compositions | |
| US4302529A (en) | Process for developing a positive electron resist | |
| JP3299215B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| US4304840A (en) | Method of delineating a desired integrated circuit pattern upon a circuit substrate | |
| JPH06110214A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| US5213917A (en) | Plasma processing with metal mask integration | |
| JPH09134015A (ja) | パタン形成材料，パタン形成方法および半導体素子製造方法 | |
| US20060040216A1 (en) | Method of patterning photoresist film | |
| JPH05107770A (ja) | レジストパターンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000508 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080609 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090609 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130609 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |