JP2792508B2 - 超微細パタン形成方法及び超微細エッチング方法 - Google Patents
超微細パタン形成方法及び超微細エッチング方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ラジェーション即
ち照射光に感光するネガティブレジストを用いる超微細
パタン形成方法及び超微細エッチング方法に関し、より
詳細には、カリックスアレーン誘導体から成るラジェー
ションに感光するネガティブレジストを用いて行うナノ
メータ・オーダの超微細パタン形成方法及び超微細エッ
チング方法に関する。
ち照射光に感光するネガティブレジストを用いる超微細
パタン形成方法及び超微細エッチング方法に関し、より
詳細には、カリックスアレーン誘導体から成るラジェー
ションに感光するネガティブレジストを用いて行うナノ
メータ・オーダの超微細パタン形成方法及び超微細エッ
チング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】デバイス製造工程における近年の動向と
して、究極的な微細化が１つの目標になっている。「超
微細」という言葉は、将来、微細化の究極的な段階で
は、原子レベルのオングストローム加工を指すことにも
なろうが、現在のところ、ナノメータ単位でのスケール
を意味する。
して、究極的な微細化が１つの目標になっている。「超
微細」という言葉は、将来、微細化の究極的な段階で
は、原子レベルのオングストローム加工を指すことにも
なろうが、現在のところ、ナノメータ単位でのスケール
を意味する。
【０００３】この点、工業的には、微細化の度合いはま
だサブミクロンの世界にとどまっている。多くの場合、
理論的に更なる微細化が可能であっても実際には利用可
能な素材に起因した限界があり、このギャップに直面し
た状態にある。
だサブミクロンの世界にとどまっている。多くの場合、
理論的に更なる微細化が可能であっても実際には利用可
能な素材に起因した限界があり、このギャップに直面し
た状態にある。
【０００４】こうした傾向は、半導体集積回路の分野で
特に顕著である。この分野では、次世代デバイスとし
て、トンネル効果或いは新たな量子技術を用いたものや
単電子トランジスタ等、諸種の素子が提案されている。
特に顕著である。この分野では、次世代デバイスとし
て、トンネル効果或いは新たな量子技術を用いたものや
単電子トランジスタ等、諸種の素子が提案されている。
【０００５】それらの提案を実際に検証するためにも、
いたずらに実験を重ねることなく容易に適用可能な仕方
で超微細加工を行えるようにすることが望ましい。
いたずらに実験を重ねることなく容易に適用可能な仕方
で超微細加工を行えるようにすることが望ましい。
【０００６】前記デバイス製造工程での動向並びにそれ
に関連した微細化の各段階は、適合した解像度により適
合したスケールでエッチング或いはリソグラフィを行う
ことを可能にしたレジストパターニング技術の裏付けな
くしては語れない。
に関連した微細化の各段階は、適合した解像度により適
合したスケールでエッチング或いはリソグラフィを行う
ことを可能にしたレジストパターニング技術の裏付けな
くしては語れない。
【０００７】半導体集積回路等のデバイス製造工程に関
係したパターニングは、通常、基板上に塗布されたレジ
スト材の薄膜に高エネルギー線または紫外線を位置選択
的に照射することにより、レジスト材の露光部位に沿う
所望パタンの潜像を描画する。非露光部を溶剤で除去す
ると、形状鮮明なパタンが現像される。
係したパターニングは、通常、基板上に塗布されたレジ
スト材の薄膜に高エネルギー線または紫外線を位置選択
的に照射することにより、レジスト材の露光部位に沿う
所望パタンの潜像を描画する。非露光部を溶剤で除去す
ると、形状鮮明なパタンが現像される。
【０００８】通常のエッチングでは、こうして現像した
パタンを、エッチング媒体のアタック作用に対するレジ
ストとしてそのまま用いる。
パタンを、エッチング媒体のアタック作用に対するレジ
ストとしてそのまま用いる。
【０００９】工業的に利用する場合、そうしたパタンの
所要解像度は実質的に０．１μｍ（１００ｎｍ）以上の
範囲にあることが多く、この範囲では、ポリマーまたは
それに反応性の材料を付加した混合物がレジスト材とし
て極めて有効であり、広く用いられている。
所要解像度は実質的に０．１μｍ（１００ｎｍ）以上の
範囲にあることが多く、この範囲では、ポリマーまたは
それに反応性の材料を付加した混合物がレジスト材とし
て極めて有効であり、広く用いられている。
【００１０】そうした高分子物質は、それなりの分子サ
イズを有し、また個別の化学的・物理的性質もあって、
１０ｎｍオーダの解像度に適合させることは難しい。こ
のため、従来から、このクラスの解像度のレジストパタ
ンを形成しようとすると、最先端の技術であっても、エ
ッジラフネスの問題が生じまた表面のフラットネスが得
られないという問題が生じていた。例えば、高分子レジ
ストを用いたナノメータ・リソグラフィでのエッジラフ
ネスに関し、いくつかの問題点を吉村、他がアプライド
・フィジクス・レターズ、第63巻、764 頁(1993 年) で
論じている。
イズを有し、また個別の化学的・物理的性質もあって、
１０ｎｍオーダの解像度に適合させることは難しい。こ
のため、従来から、このクラスの解像度のレジストパタ
ンを形成しようとすると、最先端の技術であっても、エ
ッジラフネスの問題が生じまた表面のフラットネスが得
られないという問題が生じていた。例えば、高分子レジ
ストを用いたナノメータ・リソグラフィでのエッジラフ
ネスに関し、いくつかの問題点を吉村、他がアプライド
・フィジクス・レターズ、第63巻、764 頁(1993 年) で
論じている。
【００１１】こうして、ナノメータ・リソグラフィにお
けるエッジラフネスは、どうしても避けられない問題で
あるとずっと考えられていた。そうしたなか、日本電気
株式会社の研究者が、高分子物質の代わりに、直径約１
ｎｍの分子クラスタであるカリックスアレーンを用いる
ことが非常に有望であることを発見した。
けるエッジラフネスは、どうしても避けられない問題で
あるとずっと考えられていた。そうしたなか、日本電気
株式会社の研究者が、高分子物質の代わりに、直径約１
ｎｍの分子クラスタであるカリックスアレーンを用いる
ことが非常に有望であることを発見した。
【００１２】レジスト材が実用可能であるための必要条
件は、例えば、有機溶媒への溶解性、膜形成能、非晶性
または非常に結晶し難い性質、耐熱性、高エネルギー線
の照射に対する感光性、及びエッチング耐性等である。
件は、例えば、有機溶媒への溶解性、膜形成能、非晶性
または非常に結晶し難い性質、耐熱性、高エネルギー線
の照射に対する感光性、及びエッチング耐性等である。
【００１３】これらの条件のなかでも、非晶性は特に枢
要である。既知カリックスアレーンの多くは高結晶性で
あるため、塗膜時に局所的に結晶化し、十分な均一性を
損ないがちである。
要である。既知カリックスアレーンの多くは高結晶性で
あるため、塗膜時に局所的に結晶化し、十分な均一性を
損ないがちである。
【００１４】日本電気株式会社の研究者による画期的な
発見に際しては、特公平７−２３３４０号及び米国特許
第５，１４３，７８４号に開示されているように、上記
要件を満たす５種類のメチルカリックス［ｎ］アレーン
のアセチル化物（ｎ＝４〜８）が独自に開発され、レジ
スト材として使用された。
発見に際しては、特公平７−２３３４０号及び米国特許
第５，１４３，７８４号に開示されているように、上記
要件を満たす５種類のメチルカリックス［ｎ］アレーン
のアセチル化物（ｎ＝４〜８）が独自に開発され、レジ
スト材として使用された。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、上記５
つの誘導体の一つ、5,11,17,23,29,35−ヘキサメチル−
37,38,39,40,41,42−ヘキサアセトキシカリックス[6]ア
レーン（以降「ＭＣ６ＡＯＡｃ」ともいう）を適宜選択
し、後に述べる実施例１と同様の方法及び類似した条件
のもとで、パターン形成及びエッチング用ネガティブレ
ジストとしての適合性を検証した。
つの誘導体の一つ、5,11,17,23,29,35−ヘキサメチル−
37,38,39,40,41,42−ヘキサアセトキシカリックス[6]ア
レーン（以降「ＭＣ６ＡＯＡｃ」ともいう）を適宜選択
し、後に述べる実施例１と同様の方法及び類似した条件
のもとで、パターン形成及びエッチング用ネガティブレ
ジストとしての適合性を検証した。
【００１６】図１２に、この選択したカリックスアレー
ン誘導体ＭＣ６ＡＯＡｃの構造式を示す。粉末状のＭＣ
６ＡＯＡｃの溶液を濾過し、シリコン基板上にスピナで
塗布し、プレベーキングしてレジスト膜を形成した。こ
のレジスト膜に電子線ビームを照射し、現像して基板上
にレジストパタンを形成した。そして、ＣＦ4 のプラズ
マでドライエッチングした。
ン誘導体ＭＣ６ＡＯＡｃの構造式を示す。粉末状のＭＣ
６ＡＯＡｃの溶液を濾過し、シリコン基板上にスピナで
塗布し、プレベーキングしてレジスト膜を形成した。こ
のレジスト膜に電子線ビームを照射し、現像して基板上
にレジストパタンを形成した。そして、ＣＦ4 のプラズ
マでドライエッチングした。
【００１７】このＭＣ６ＡＯＡｃのレジストパタンは、
ナノメータ・オーダの解像度を示した。また、エッジラ
フネスが発生し或いは表面のフラットネスを損なうとい
った問題は生じなかった。しかしながら、ラジェーショ
ンに対する感光度が比較的低かった。
ナノメータ・オーダの解像度を示した。また、エッジラ
フネスが発生し或いは表面のフラットネスを損なうとい
った問題は生じなかった。しかしながら、ラジェーショ
ンに対する感光度が比較的低かった。
【００１８】図１３は、カリックスアレーンＭＣ６ＡＯ
Ａｃに付いての実験結果を示す規格化膜厚対線量特性曲
線である。
Ａｃに付いての実験結果を示す規格化膜厚対線量特性曲
線である。
【００１９】図１３に示すように、０．６ｍＣ／ｃｍ2
以上の線量で実質的に最深部まで照射された。これは、
ＭＣ６ＡＯＡｃのラジェーションに対する感光度が、電
子線レジストポリマーとして知られるポリメチルメタク
リレート（以降「ＰＭＭＡ」ともいう）の１０分の１以
下であることを意味する。
以上の線量で実質的に最深部まで照射された。これは、
ＭＣ６ＡＯＡｃのラジェーションに対する感光度が、電
子線レジストポリマーとして知られるポリメチルメタク
リレート（以降「ＰＭＭＡ」ともいう）の１０分の１以
下であることを意味する。
【００２０】一般に、低感光度の膜は長い照射時間を必
要とする。換言すれば、ＭＣ６ＡＯＡｃの使用により、
加工に時間は要するが、超微細パタン形成及びエッチン
グにおけるラフネスの問題は解消されたといえる。
要とする。換言すれば、ＭＣ６ＡＯＡｃの使用により、
加工に時間は要するが、超微細パタン形成及びエッチン
グにおけるラフネスの問題は解消されたといえる。
【００２１】本発明は、このような点を鑑みてなされ
た。
た。
【００２２】本発明は、カリックスアレーン誘導体から
成り、ラジェーションで感光するネガティブレジストを
用いて、ナノメータ・オーダのパターニングを行い、し
かも加工時間を低減することが可能な超微細パタン形成
方法と、この方法を用いてナノメータ・オーダのエッチ
ングを行うための超微細エッチング方法とを提供するこ
とを目的とする。
成り、ラジェーションで感光するネガティブレジストを
用いて、ナノメータ・オーダのパターニングを行い、し
かも加工時間を低減することが可能な超微細パタン形成
方法と、この方法を用いてナノメータ・オーダのエッチ
ングを行うための超微細エッチング方法とを提供するこ
とを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、この困難
な目的を達成するため、カリックスアレーン誘導体を様
々な条件のもとで探究し、ヘキサメトキシカリックス
[6]アレーンヘキサメチルエーテル、すなわち、図１に
示す、5,11,17,23,29,35−ヘキサクロロメチル−37,38,
39,40,41,42−ヘキサメトキシカリックス[6]アレーン
（以降「ＣＭＣ６ＡＯＭｅ」ともいう）が好適なレジス
ト材であり、電子ビーム、Ｘ線ビームまたはイオンビー
ム等の高エネルギー線のラジェーションに対する感光度
が向上することを見出した。
な目的を達成するため、カリックスアレーン誘導体を様
々な条件のもとで探究し、ヘキサメトキシカリックス
[6]アレーンヘキサメチルエーテル、すなわち、図１に
示す、5,11,17,23,29,35−ヘキサクロロメチル−37,38,
39,40,41,42−ヘキサメトキシカリックス[6]アレーン
（以降「ＣＭＣ６ＡＯＭｅ」ともいう）が好適なレジス
ト材であり、電子ビーム、Ｘ線ビームまたはイオンビー
ム等の高エネルギー線のラジェーションに対する感光度
が向上することを見出した。
【００２４】そこで上記目的を達成するため、本発明に
係る超微細パタン形成方法は、溶媒に可溶で高エネルギ
ー線に感光する5,11,17,23,29,35−ヘキサクロロメチル
−37,38,39,40,41,42−ヘキサメトキシカリックス[6]ア
レーンから成るレジスト膜を形成し、前記高エネルギー
線に前記レジスト膜の第１の領域を露光させ、第２の領
域は露光させず、前記溶媒で前記第２の領域を除去する
ことにより前記第１の領域を現像してパタンを画成す
る。
係る超微細パタン形成方法は、溶媒に可溶で高エネルギ
ー線に感光する5,11,17,23,29,35−ヘキサクロロメチル
−37,38,39,40,41,42−ヘキサメトキシカリックス[6]ア
レーンから成るレジスト膜を形成し、前記高エネルギー
線に前記レジスト膜の第１の領域を露光させ、第２の領
域は露光させず、前記溶媒で前記第２の領域を除去する
ことにより前記第１の領域を現像してパタンを画成す
る。
【００２５】従って、本発明によれば、感光度が向上し
たＣＭＣ６ＡＯＭｅをレジスト材として用いることによ
り、より短い加工時間でナノメータ・オーダの解像度を
有するレジスト膜のパタンを形成することができる。
たＣＭＣ６ＡＯＭｅをレジスト材として用いることによ
り、より短い加工時間でナノメータ・オーダの解像度を
有するレジスト膜のパタンを形成することができる。
【００２６】本発明によれば、前記高エネルギー線とし
て電子ビームを用いてもよい。
て電子ビームを用いてもよい。
【００２７】また、前記高エネルギー線として、Ｘ線ビ
ームを用いてもよい。
ームを用いてもよい。
【００２８】前記高エネルギー線はイオンビームで合っ
てもよい。
てもよい。
【００２９】また前記目的を達成するため、本発明に係
る超微細エッチング方法は、ドライエッチングによりエ
ッチング可能な基板の上に、溶媒に可溶で高エネルギー
線に感光する5,11,17,23,29,35−ヘキサクロロメチル−
37,38,39,40,41,42−ヘキサメトキシカリックス[6]アレ
ーンから成るレジスト膜を形成し、前記高エネルギー線
に前記レジスト膜の第１の領域を露光させ、第２の領域
は露光させず、前記溶媒で前記第２の領域を除去するこ
とにより前記第１の領域を現像してパタンを画成し、前
記基板を前記パタンとともに前記ドライエッチングにか
ける。
る超微細エッチング方法は、ドライエッチングによりエ
ッチング可能な基板の上に、溶媒に可溶で高エネルギー
線に感光する5,11,17,23,29,35−ヘキサクロロメチル−
37,38,39,40,41,42−ヘキサメトキシカリックス[6]アレ
ーンから成るレジスト膜を形成し、前記高エネルギー線
に前記レジスト膜の第１の領域を露光させ、第２の領域
は露光させず、前記溶媒で前記第２の領域を除去するこ
とにより前記第１の領域を現像してパタンを画成し、前
記基板を前記パタンとともに前記ドライエッチングにか
ける。
【００３０】本発明によれば、前記基板として金属を用
いてもよい。
いてもよい。
【００３１】また、前記基板は半導体であってもよい。
【００３２】
【発明の実施の形態】次に添付図面を参照して、本発明
の実施の形態を詳細に説明する。
の実施の形態を詳細に説明する。
【００３３】図１は、ＣＭＣ６ＡＯＭｅ、すなわち、5,
11,17,23,29,35−ヘキサクロロメチル−37,38,39,40,4
1,42−ヘキサメトキシカリックス[6]アレーンの構造式
を示す。図２は、本発明の実施の形態に係る実験の手順
を示すフロー図である。
11,17,23,29,35−ヘキサクロロメチル−37,38,39,40,4
1,42−ヘキサメトキシカリックス[6]アレーンの構造式
を示す。図２は、本発明の実施の形態に係る実験の手順
を示すフロー図である。
【００３４】目的の物質を合成するために、本実験の手
順Ｓ１での出発原料として、市販のカリックス[6]アレ
ーン（Janssen Chimica 製。以降「Ｃ６Ａ」ともいう）
を選択した。
順Ｓ１での出発原料として、市販のカリックス[6]アレ
ーン（Janssen Chimica 製。以降「Ｃ６Ａ」ともいう）
を選択した。
【００３５】手順Ｓ２において、グッチェ及びリンが
「テトラヘドロン」、第42巻、1633〜1640頁（1989年）
で提案した方法により、出発原料Ｃ６Ａをエーテル化し
た。
「テトラヘドロン」、第42巻、1633〜1640頁（1989年）
で提案した方法により、出発原料Ｃ６Ａをエーテル化し
た。
【００３６】このエーテル化のため、適量のカリックス
アレーンＣ６Ａを、大過剰のヨウ化メチル（Ｃ６Ａに対
して約４０倍モル量以下）及び水酸化ナトリウム（Ｃ６
Ａに対して約２０倍モル量以下）とともに、ジメチルホ
ルムアミド１：テトラヒドロフラン１０の混合溶媒に溶
かした。
アレーンＣ６Ａを、大過剰のヨウ化メチル（Ｃ６Ａに対
して約４０倍モル量以下）及び水酸化ナトリウム（Ｃ６
Ａに対して約２０倍モル量以下）とともに、ジメチルホ
ルムアミド１：テトラヒドロフラン１０の混合溶媒に溶
かした。
【００３７】この溶液を１８時間還流した。
【００３８】その還流溶液から溶媒を留去し、残留物を
得た。
得た。
【００３９】この残留物に所要量の水を加え、沈殿させ
てこれを集め、クロロホルム−メタノール系で再結晶さ
せて、不純物を若干含むヘキサメトキシカリックス[6]
アレーン（以降「Ｃ６ＡＯＭｅ」ともいう）の無色針状
結晶を得た。
てこれを集め、クロロホルム−メタノール系で再結晶さ
せて、不純物を若干含むヘキサメトキシカリックス[6]
アレーン（以降「Ｃ６ＡＯＭｅ」ともいう）の無色針状
結晶を得た。
【００４０】グッチェ及びリンが報告したように、合成
されたＣ６ＡＯＭｅの融点は３２６℃であった。
されたＣ６ＡＯＭｅの融点は３２６℃であった。
【００４１】手順Ｓ３において、このＣ６ＡＯＭｅを繰
り返し再結晶させて不純物を取り除き、精製されたＣ６
ＡＯＭｅを得たが、融点がやや低下した。
り返し再結晶させて不純物を取り除き、精製されたＣ６
ＡＯＭｅを得たが、融点がやや低下した。
【００４２】ここで、一般に不純物を取り除くと融点は
上昇する。しかしながら、本実験で融点がやや低下した
のは、高融点の不純物、つまり水酸基が全てはメトキシ
基に置換されなかった不純物を取り除いたためだと考え
られる。
上昇する。しかしながら、本実験で融点がやや低下した
のは、高融点の不純物、つまり水酸基が全てはメトキシ
基に置換されなかった不純物を取り除いたためだと考え
られる。
【００４３】さらに、精製したＣ６ＡＯＭｅは、再結晶
手順で用いたクロロホルムを含んでいるが、これが次の
手順Ｓ４以降には悪影響を及ぼすことはない。
手順で用いたクロロホルムを含んでいるが、これが次の
手順Ｓ４以降には悪影響を及ぼすことはない。
【００４４】手順Ｓ４において、適量の精製したＣ６Ａ
ＯＭｅを大過剰のクロロメチル−ｎ−オクチルエーテル
（Ｃ６ＡＯＭｅに対して約６９倍モル量以下）及び大過
剰の四塩化錫（Ｃ６ＡＯＭｅに対して約２５倍モル量以
下）で１時間クロロメチル化を行い、ＣＭＣ６ＡＯＭｅ
を得た。
ＯＭｅを大過剰のクロロメチル−ｎ−オクチルエーテル
（Ｃ６ＡＯＭｅに対して約６９倍モル量以下）及び大過
剰の四塩化錫（Ｃ６ＡＯＭｅに対して約２５倍モル量以
下）で１時間クロロメチル化を行い、ＣＭＣ６ＡＯＭｅ
を得た。
【００４５】そして、手順Ｓ５において、得られたＣＭ
Ｃ６ＡＯＭｅをクロロホルム−メタノール系で再結晶さ
せ、精製されたＣＭＣ６ＡＯＭｅ、すなわち、純粋なク
ロロメチルカリックス[6]アレーンメチルエーテルの白
色粉末化合物の混合物を得た。
Ｃ６ＡＯＭｅをクロロホルム−メタノール系で再結晶さ
せ、精製されたＣＭＣ６ＡＯＭｅ、すなわち、純粋なク
ロロメチルカリックス[6]アレーンメチルエーテルの白
色粉末化合物の混合物を得た。
【００４６】精製されたＣＭＣ６ＡＯＭｅの同定は、元
素分析、赤外分光分析、ＮＭＲ及び質量分光分析を用い
て行なった。
素分析、赤外分光分析、ＮＭＲ及び質量分光分析を用い
て行なった。
【００４７】この生成物は、アモルファスまたは疑似ア
モルファス組成のＣＭＣ６ＡＯＭｅであり、２７３℃近
傍に幅のある融点をもつが、これに対し、通常の結晶性
のカリックスアレーンは峻鋭な融点を有する。
モルファス組成のＣＭＣ６ＡＯＭｅであり、２７３℃近
傍に幅のある融点をもつが、これに対し、通常の結晶性
のカリックスアレーンは峻鋭な融点を有する。
【００４８】このＣＭＣ６ＡＯＭｅの体系に関する論文
は、第５回包接現象及び分子認識に関する国際シンポジ
ウム1988で最初に発表された。詳細には、アルドゥイ
ニ、他が、第５回包接現象及び分子認識に関する国際シ
ンポジウム、オレンジビーチ、アラバマ、1988年 9月18
日〜23日、摘要書、H13 に掲載された。
は、第５回包接現象及び分子認識に関する国際シンポジ
ウム1988で最初に発表された。詳細には、アルドゥイ
ニ、他が、第５回包接現象及び分子認識に関する国際シ
ンポジウム、オレンジビーチ、アラバマ、1988年 9月18
日〜23日、摘要書、H13 に掲載された。
【００４９】ＣＭＣ６ＡＯＭｅの合成の詳細について
は、マリオ・アルミ、他が「テトラヘドロン」、第45
巻、1989年、2177〜2181頁に記している。
は、マリオ・アルミ、他が「テトラヘドロン」、第45
巻、1989年、2177〜2181頁に記している。
【００５０】上述の方法で合成され、精製されたＣＭＣ
６ＡＯＭｅを、以下の試験及び実験に用いた。
６ＡＯＭｅを、以下の試験及び実験に用いた。
【００５１】（実験１）手順Ｓ６において、適量のＣＭ
Ｃ６ＡＯＭｅをジクロロベンゼンに溶解して２．５重量
％の溶液とし、メッシュサイズ０．２ミクロンのテフロ
ンメッシュで濾過してレジスト液を得た。
Ｃ６ＡＯＭｅをジクロロベンゼンに溶解して２．５重量
％の溶液とし、メッシュサイズ０．２ミクロンのテフロ
ンメッシュで濾過してレジスト液を得た。
【００５２】このレジスト液を 3,000ｒｐｍのピナで 3
0 分間塗布し、厚さ３００μの多数のシリコンウェハの
それぞれの上表面に厚さ５０ｎｍの均一なレジスト層を
塗膜した。
0 分間塗布し、厚さ３００μの多数のシリコンウェハの
それぞれの上表面に厚さ５０ｎｍの均一なレジスト層を
塗膜した。
【００５３】このレジスト層を有するウェハに対し、窒
素ガス流オーブン中で１７０℃、３０分間のプリベーキ
ングを行うことにより、各ウェハ上にネガティブレジス
ト膜を固着させた。
素ガス流オーブン中で１７０℃、３０分間のプリベーキ
ングを行うことにより、各ウェハ上にネガティブレジス
ト膜を固着させた。
【００５４】手順Ｓ７において、このレジスト膜のラジ
ェーションに対する感光度を測定した。
ェーションに対する感光度を測定した。
【００５５】特に手順Ｓ７１において、電子線ライト装
置ＪＢＸ−５Ａ−ＦＥ（ＪＥＯＬ）を用いて射出した電
子線流を集束させ、同時に単位面積当たりの電子線量が
記録され絶対ベーキング膜厚の測定が行われているレジ
スト膜に所定の時間、真上から均一に照射を行い、その
中に所定解像度の潜像を形成した。
置ＪＢＸ−５Ａ−ＦＥ（ＪＥＯＬ）を用いて射出した電
子線流を集束させ、同時に単位面積当たりの電子線量が
記録され絶対ベーキング膜厚の測定が行われているレジ
スト膜に所定の時間、真上から均一に照射を行い、その
中に所定解像度の潜像を形成した。
【００５６】また手順Ｓ７２において、レジスト膜に照
射を行った各ウェハをキシレンに浸漬した後、現像を行
う際に、ベーキングを行ってレジスト膜に実際に形成さ
れた潜像の深さを測定した。
射を行った各ウェハをキシレンに浸漬した後、現像を行
う際に、ベーキングを行ってレジスト膜に実際に形成さ
れた潜像の深さを測定した。
【００５７】測定した深さの標本値を統計的に平均化し
て、ベーキング膜厚に対する百分率に規格化した。照射
を行ったレジスト膜それぞれについて、こうして規格化
した値を平均化して規格化膜厚（％）を定め、黒丸点で
図３の規格化膜厚−線量グラフにプロットした。
て、ベーキング膜厚に対する百分率に規格化した。照射
を行ったレジスト膜それぞれについて、こうして規格化
した値を平均化して規格化膜厚（％）を定め、黒丸点で
図３の規格化膜厚−線量グラフにプロットした。
【００５８】同様な測定を繰り返し、図３の各黒丸点を
得た。そして各プロット点の座標を解析し、各点を推計
学的に結び絶対膜厚５０ｎｍにおける特性曲線を定め
た。
得た。そして各プロット点の座標を解析し、各点を推計
学的に結び絶対膜厚５０ｎｍにおける特性曲線を定め
た。
【００５９】さらに、手順Ｓ７において、異なる膜厚で
同様な測定を行い、３０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ等の
様々な絶対膜厚における特性曲線を定めた。これらの特
性曲線が実質的に図３の曲線に重なっていたことから、
図４に示すノミナル（公称的）な感光度曲線ＣＶを得
た。
同様な測定を行い、３０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ等の
様々な絶対膜厚における特性曲線を定めた。これらの特
性曲線が実質的に図３の曲線に重なっていたことから、
図４に示すノミナル（公称的）な感光度曲線ＣＶを得
た。
【００６０】図４において、上記特性曲線ＣＶの一部、
即ち規格化膜厚１００％に近接した膜厚範囲ＴＨ内に位
置する線分ＣＶ１は最小値を有し、その線量軸上での対
応値ＭＩＮが当該レジスト材ＣＭＣ６ＡＯＭｅの公称感
光度を表す。
即ち規格化膜厚１００％に近接した膜厚範囲ＴＨ内に位
置する線分ＣＶ１は最小値を有し、その線量軸上での対
応値ＭＩＮが当該レジスト材ＣＭＣ６ＡＯＭｅの公称感
光度を表す。
【００６１】こうして図４から分かるように、線量６０
０μＣ／ｃｍ2 （＝０．６ｍＣ／ｃｍ2 ）以上で、レジ
スト膜ＣＭＣ６ＡＯＭｅに十分なパタンを形成可能なこ
とが実証された。
０μＣ／ｃｍ2 （＝０．６ｍＣ／ｃｍ2 ）以上で、レジ
スト膜ＣＭＣ６ＡＯＭｅに十分なパタンを形成可能なこ
とが実証された。
【００６２】この感光度はＭＣ６ＡＯＡｃの約１０倍で
ある。なお、電子線レジストが基本的にＸ線レジストで
あるということは良く知られている。
ある。なお、電子線レジストが基本的にＸ線レジストで
あるということは良く知られている。
【００６３】（実験２）手順Ｓ８において、手順Ｓ６で
形成されたＣＭＣ６ＡＯＭｅのレジスト膜に、露光機、
日立Ｓ５０００、から放射される電子ビームの極細線を
加速電圧３０ｋＶで照射し、線ドーズを２ｎＣ／ｃｍと
して潜像の描画を行なった。
形成されたＣＭＣ６ＡＯＭｅのレジスト膜に、露光機、
日立Ｓ５０００、から放射される電子ビームの極細線を
加速電圧３０ｋＶで照射し、線ドーズを２ｎＣ／ｃｍと
して潜像の描画を行なった。
【００６４】手順Ｓ９において、キシレンによりこの潜
像を現像し、線幅１０ｎｍで極細に描かれたＣＭＣ６Ａ
ＯＭｅのレジストパタンを得たが、問題となるようなラ
フネスは生じなかった。
像を現像し、線幅１０ｎｍで極細に描かれたＣＭＣ６Ａ
ＯＭｅのレジストパタンを得たが、問題となるようなラ
フネスは生じなかった。
【００６５】（実験３）手順Ｓ１０において、厚さ３０
０μｍのシリコンウェハ上に２０ｎｍ厚のアルミニウム
薄膜を蒸着し、手順Ｓ６と同様な方法でアルミニウム層
上に５０ｎｍ厚のＣＭＣ６ＡＯＭｅのレジスト膜を形成
した。
０μｍのシリコンウェハ上に２０ｎｍ厚のアルミニウム
薄膜を蒸着し、手順Ｓ６と同様な方法でアルミニウム層
上に５０ｎｍ厚のＣＭＣ６ＡＯＭｅのレジスト膜を形成
した。
【００６６】手順Ｓ１１において、手順Ｓ８と同様な方
法によりこのレジスト膜にラジェーション照射を行い、
線ドーズを２ｎＣ／ｃｍとして潜像の描画を行なった。
法によりこのレジスト膜にラジェーション照射を行い、
線ドーズを２ｎＣ／ｃｍとして潜像の描画を行なった。
【００６７】手順Ｓ１２において、手順Ｓ９と同様な方
法によりキシレンでこの潜像を現像し、線幅１０ｎｍの
ＣＭＣ６ＡＯＭｅのラインパタンをアルミニウム薄膜上
に形成した。
法によりキシレンでこの潜像を現像し、線幅１０ｎｍの
ＣＭＣ６ＡＯＭｅのラインパタンをアルミニウム薄膜上
に形成した。
【００６８】ドライエッチング手順Ｓ１３において、表
面にレジストパタンが形成されたアルミニウム薄膜に対
し、加速電圧５００Ｖ、２０ｍＡで射出されたアルゴン
イオンのプラズマビームで上方からイオンミリングを行
った。これにより、アルミニウム層の露光領域と、非露
光領域を覆うレジストパタンの上部とが同様にエッチン
グ除去された。
面にレジストパタンが形成されたアルミニウム薄膜に対
し、加速電圧５００Ｖ、２０ｍＡで射出されたアルゴン
イオンのプラズマビームで上方からイオンミリングを行
った。これにより、アルミニウム層の露光領域と、非露
光領域を覆うレジストパタンの上部とが同様にエッチン
グ除去された。
【００６９】手順Ｓ１４において、キシレンによりレジ
ストパタンの残部を除去し、アルミニウム層の非露光領
域に、所定のパタン形状で線幅１０ｎｍのアルミニウム
導体を得た。
ストパタンの残部を除去し、アルミニウム層の非露光領
域に、所定のパタン形状で線幅１０ｎｍのアルミニウム
導体を得た。
【００７０】（実験４）手順Ｓ１５において、厚さ３０
０μｍのシリコンウェハ上に２０ｎｍ厚のゲルマニウム
薄膜を蒸着し、手順Ｓ６と同様な方法でゲルマニウム層
上に５０ｎｍ厚のＣＭＣ６ＡＯＭｅのレジスト膜を形成
した。
０μｍのシリコンウェハ上に２０ｎｍ厚のゲルマニウム
薄膜を蒸着し、手順Ｓ６と同様な方法でゲルマニウム層
上に５０ｎｍ厚のＣＭＣ６ＡＯＭｅのレジスト膜を形成
した。
【００７１】手順Ｓ１６において、手順Ｓ１１と同様な
方法によりこのレジスト膜にラジェーション照射を行
い、非常に微細に組み合わさった潜像の描画を行った。
方法によりこのレジスト膜にラジェーション照射を行
い、非常に微細に組み合わさった潜像の描画を行った。
【００７２】手順Ｓ１７において、手順Ｓ９と同様な方
法によりキシレンでこれらの潜像を現像することによ
り、ゲルマニウム薄膜上にＣＭＣ６ＡＯＭｅの非常に微
細で凸状の直線の組み合せを得、こうして線幅７ｎｍの
レジストパタンをアルミニウム薄膜上に形成した。
法によりキシレンでこれらの潜像を現像することによ
り、ゲルマニウム薄膜上にＣＭＣ６ＡＯＭｅの非常に微
細で凸状の直線の組み合せを得、こうして線幅７ｎｍの
レジストパタンをアルミニウム薄膜上に形成した。
【００７３】手順Ｓ１８において、表面にレジストパタ
ンが形成されたゲルマニウム薄膜に対して、ＤＥＭ４５
１（ＡＮＥＬＶＡ製）のエッチング装置を用いて３００
Ｖ、５０Ｗの環境で上方から１分間ドライエッチングを
行い、レジストパタンの上部とゲルマニウム薄膜の露光
領域をエッチング除去した。
ンが形成されたゲルマニウム薄膜に対して、ＤＥＭ４５
１（ＡＮＥＬＶＡ製）のエッチング装置を用いて３００
Ｖ、５０Ｗの環境で上方から１分間ドライエッチングを
行い、レジストパタンの上部とゲルマニウム薄膜の露光
領域をエッチング除去した。
【００７４】手順Ｓ１９において、レジストパタンの残
部をキシレンで除去することにより、ゲルマニウム薄膜
の非露光領域に、所定のパタン形状で線幅７ｎｍと極細
なゲルマニウムの量子細線の組み合わせを得た。
部をキシレンで除去することにより、ゲルマニウム薄膜
の非露光領域に、所定のパタン形状で線幅７ｎｍと極細
なゲルマニウムの量子細線の組み合わせを得た。
【００７５】（実験５）手順Ｓ２０において、厚さ３０
０μｍのシリコンウェハ上に手順Ｓ６と同様な方法で、
５０ｎｍ厚のＣＭＣ６ＡＯＭｅのレジスト膜を形成し
た。
０μｍのシリコンウェハ上に手順Ｓ６と同様な方法で、
５０ｎｍ厚のＣＭＣ６ＡＯＭｅのレジスト膜を形成し
た。
【００７６】手順Ｓ２１において、実験２の露光装置を
用いて、このレジスト膜に複数点のスポット露光を行
い、約１ｐＣ／ｓｐｏｔｓで点状の潜像を描いた。
用いて、このレジスト膜に複数点のスポット露光を行
い、約１ｐＣ／ｓｐｏｔｓで点状の潜像を描いた。
【００７７】手順Ｓ２２において、手順Ｓ９と同様な方
法によりキシレンでこれらの潜像を現像し、対応する個
数の直径約１５ｎｍの柱状の突起を得、こうしてシリコ
ンウェハ上にＣＭＣ６ＡＯＭｅの極細なドットパタンを
形成した。
法によりキシレンでこれらの潜像を現像し、対応する個
数の直径約１５ｎｍの柱状の突起を得、こうしてシリコ
ンウェハ上にＣＭＣ６ＡＯＭｅの極細なドットパタンを
形成した。
【００７８】手順Ｓ２３において、表面にレジストパタ
ンが形成されたシリコンウェハに対し、実験４で用いた
エッチング装置によりＣＦ4 のプラズマで上方から４分
間ドライエッチングを行った。シリコンウェハの露光領
域がエッチダウンし、レジストパタンはエッチング除去
された。
ンが形成されたシリコンウェハに対し、実験４で用いた
エッチング装置によりＣＦ4 のプラズマで上方から４分
間ドライエッチングを行った。シリコンウェハの露光領
域がエッチダウンし、レジストパタンはエッチング除去
された。
【００７９】最終的に、エッチダウンしたシリコンの表
面上に突起となって、直径１５ｎｍと量子レベルの柱状
コンタクトのような、対応する個数のシリコンの点の配
列が観察された。
面上に突起となって、直径１５ｎｍと量子レベルの柱状
コンタクトのような、対応する個数のシリコンの点の配
列が観察された。
【００８０】（実験６）図５から図１０は、実験６のド
ット配列パタンを形成する６つの手順を図解したもので
ある。
ット配列パタンを形成する６つの手順を図解したもので
ある。
【００８１】手順Ｓ２４（図５）において、厚さ３００
μｍのシリコンウェハ６０を既知の方法により棒状の単
結晶のシリコンから切り出した。
μｍのシリコンウェハ６０を既知の方法により棒状の単
結晶のシリコンから切り出した。
【００８２】手順Ｓ２５（図６）において、膜厚５０ｎ
ｍのＣＭＣ６ＡＯＭｅのレジスト膜６１を手順Ｓ６と同
様な方法によりシリコンウェハ６０の上面に形成した。
ｍのＣＭＣ６ＡＯＭｅのレジスト膜６１を手順Ｓ６と同
様な方法によりシリコンウェハ６０の上面に形成した。
【００８３】手順Ｓ２６（図７）において、レジスト膜
６１のうち８μｍ四方の領域を露光装置ＪＢＸ−５Ａ−
ＦＥ（ＪＥＯＬ）を用いて照射した。電子線の公称直径
を５ｎｍ、加速電圧を５０ｋＶに設定し、線量を３３ｆ
ｃ／ｄｏｔとして、約２６，０００個の直径２０ｎｍの
潜像６２の行列をピッチ５０ｎｍで点在させた。
６１のうち８μｍ四方の領域を露光装置ＪＢＸ−５Ａ−
ＦＥ（ＪＥＯＬ）を用いて照射した。電子線の公称直径
を５ｎｍ、加速電圧を５０ｋＶに設定し、線量を３３ｆ
ｃ／ｄｏｔとして、約２６，０００個の直径２０ｎｍの
潜像６２の行列をピッチ５０ｎｍで点在させた。
【００８４】手順Ｓ２７（図８）において、潜像６２を
手順Ｓ９と同様な方法によりキシレンで現像して、対応
する個数の直径２０ｎｍの柱状の突起６３を得、シリコ
ンウェハ６０のうち正方形の領域６０ａ上に極細なドッ
トパタン配列を画成した。
手順Ｓ９と同様な方法によりキシレンで現像して、対応
する個数の直径２０ｎｍの柱状の突起６３を得、シリコ
ンウェハ６０のうち正方形の領域６０ａ上に極細なドッ
トパタン配列を画成した。
【００８５】手順Ｓ２８（図９）において、表面にレジ
ストパタンが形成されたシリコンウェハ６０に対して、
ＤＥＭ４５１（ＡＮＥＬＶＡ製）のエッチング装置を用
いてＣＦ4 のプラズマにより２００秒間上方からドライ
エッチングを行い、シリコンウェハ６０の露光された領
域６０ｂを表面６０ｃまで約３００ｎｍエッチダウン
し、レジストの突起６３の上部約４５ｎｍ６３ａをエッ
チング除去した。その結果、エッチダウンした表面６０
ｃ上に立つ柱状のシリコンの突起６０ｄの上にレジスト
突起６３の各下部６３ｂが残った。
ストパタンが形成されたシリコンウェハ６０に対して、
ＤＥＭ４５１（ＡＮＥＬＶＡ製）のエッチング装置を用
いてＣＦ4 のプラズマにより２００秒間上方からドライ
エッチングを行い、シリコンウェハ６０の露光された領
域６０ｂを表面６０ｃまで約３００ｎｍエッチダウン
し、レジストの突起６３の上部約４５ｎｍ６３ａをエッ
チング除去した。その結果、エッチダウンした表面６０
ｃ上に立つ柱状のシリコンの突起６０ｄの上にレジスト
突起６３の各下部６３ｂが残った。
【００８６】手順Ｓ２９（図１０）において、レジスト
突起６３の下部６３ｂをキシレンで除去することによ
り、柱状のシリコン突起６０ｄを残した。これらの突起
はなめらかな形状で表面６０ｃ上に形成された。
突起６３の下部６３ｂをキシレンで除去することによ
り、柱状のシリコン突起６０ｄを残した。これらの突起
はなめらかな形状で表面６０ｃ上に形成された。
【００８７】（耐性試験）上記の実験の他に、ＡＮＥＬ
ＶＡ製のＤＥＭ４５１装置を用いて、様々なＣＭＣ６Ａ
ＯＭｅのレジストパタンにおける、ＣＦ4 のプラズマに
対するエッチング耐性試験を行なった。
ＶＡ製のＤＥＭ４５１装置を用いて、様々なＣＭＣ６Ａ
ＯＭｅのレジストパタンにおける、ＣＦ4 のプラズマに
対するエッチング耐性試験を行なった。
【００８８】ガス圧、プラズマ流のパタン及びバイアス
の状態等の装置のセットアップ条件及び関連するエッチ
ング条件によって、耐性に変化が見られた。
の状態等の装置のセットアップ条件及び関連するエッチ
ング条件によって、耐性に変化が見られた。
【００８９】耐性試験の代表的な結果を図１１の黒丸点
により示す。これらはＣＦ4 ガス圧を５Ｐａに設定し、
入射マイクロ波の電力をバイアス２００Ｖｄｃ、５００
Ｗに設定した通常の試験条件のもとで得られた。
により示す。これらはＣＦ4 ガス圧を５Ｐａに設定し、
入射マイクロ波の電力をバイアス２００Ｖｄｃ、５００
Ｗに設定した通常の試験条件のもとで得られた。
【００９０】さらに、ＭＣ６ＡＯＡｃ、ＰＭＭＡ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ及びＺＥＰに対しても通常の試験条件のもとで
試験を行なった。この結果も図１１に示されている。Ｚ
ＥＰはポジティブレジスト材であり電子線に対して用い
るが、ＮＩＰＰＯＮ ＺＥＯＮから市販されている。
ｉ、Ｇｅ及びＺＥＰに対しても通常の試験条件のもとで
試験を行なった。この結果も図１１に示されている。Ｚ
ＥＰはポジティブレジスト材であり電子線に対して用い
るが、ＮＩＰＰＯＮ ＺＥＯＮから市販されている。
【００９１】ＣＭＣ６ＡＯＭｅのレジストの好適なエッ
チング率は約１０ｎｍ／ｓｅｃ以上と推定され、実質的
にＳｉと同等であり、ＰＭＭＡのおよそ４分の１に当た
る。従って半導体または金属の面上又は内部にナノメー
タ・オーダの明瞭なパタンを高い歩留りで形成でき、ま
た幅方向同様、厚さ方向においても、この種パタン形成
の微細化が可能といえる。
チング率は約１０ｎｍ／ｓｅｃ以上と推定され、実質的
にＳｉと同等であり、ＰＭＭＡのおよそ４分の１に当た
る。従って半導体または金属の面上又は内部にナノメー
タ・オーダの明瞭なパタンを高い歩留りで形成でき、ま
た幅方向同様、厚さ方向においても、この種パタン形成
の微細化が可能といえる。
【００９２】
【発明の効果】本発明の実施例として前述した試験及び
実験から分かるように、ＣＭＣ６ＡＯＭｅ（5,11,17,2
3,29,35−ヘキサクロロメチル−37,38,39,40,41,42−ヘ
キサメトキシカリックス[6]アレーン）は、高感光度で
あり、非晶性で、エッチング耐性も良好で、ナノメータ
・オーダのパタン形成及びエッチングに適用可能なレジ
スト材である。
実験から分かるように、ＣＭＣ６ＡＯＭｅ（5,11,17,2
3,29,35−ヘキサクロロメチル−37,38,39,40,41,42−ヘ
キサメトキシカリックス[6]アレーン）は、高感光度で
あり、非晶性で、エッチング耐性も良好で、ナノメータ
・オーダのパタン形成及びエッチングに適用可能なレジ
スト材である。
【００９３】ネガティブレジストＣＭＣ６ＡＯＭｅによ
り、量子ドット及び量子細線を含む超微細パタンを、従
来の微細加工手順を大きく変更することなく、効率的に
加工及び転写することが可能である。
り、量子ドット及び量子細線を含む超微細パタンを、従
来の微細加工手順を大きく変更することなく、効率的に
加工及び転写することが可能である。
【００９４】このレベルの解像度では、微細化の限界は
露光装置側にも依存し、電子ビームの焦点ビーム径が決
定的な解像度よりも小でなければならない。
露光装置側にも依存し、電子ビームの焦点ビーム径が決
定的な解像度よりも小でなければならない。
【００９５】換言すれば、１ｎｍのサイズのラジェーシ
ョンに感光する分子クラスタであるＣＭＣ６ＡＯＭｅに
より、まさに、微細化の現状を、解像度がビーム径の分
散を直接に反映する次の段階へと導くことが可能になっ
たといえる。
ョンに感光する分子クラスタであるＣＭＣ６ＡＯＭｅに
より、まさに、微細化の現状を、解像度がビーム径の分
散を直接に反映する次の段階へと導くことが可能になっ
たといえる。
【００９６】詳細に図説した実施例を参照しながら本発
明について説明したが、本発明は付記した請求項で示し
た実施の形態のみに限定されない。当業者には、本発明
の要旨を逸脱しない範囲において種々変更実施可能なこ
とが理解されよう。
明について説明したが、本発明は付記した請求項で示し
た実施の形態のみに限定されない。当業者には、本発明
の要旨を逸脱しない範囲において種々変更実施可能なこ
とが理解されよう。
【図１】本発明に係るレジスト材の構造式を示す図であ
る。
る。
【図２】本発明に係る実験手順を説明するフロー図であ
る。
る。
【図３】図１に示したレジスト材及び従来レジスト材の
絶対膜厚に対するラジェーション感光度を比較した規格
化膜厚−線量特性曲線のグラフである。
絶対膜厚に対するラジェーション感光度を比較した規格
化膜厚−線量特性曲線のグラフである。
【図４】図１に示したレジスト材の様々な膜厚でのラジ
ェーション感光度を示す規格化膜厚−線量特性曲線のグ
ラフである。
ェーション感光度を示す規格化膜厚−線量特性曲線のグ
ラフである。
【図５】本発明に係るドットパタン配列を形成する実験
手順を説明する図である。
手順を説明する図である。
【図６】本発明に係るドットパタン配列を形成する実験
手順を説明する図である。
手順を説明する図である。
【図７】本発明に係るドットパタン配列を形成する実験
手順を説明する図である。
手順を説明する図である。
【図８】本発明に係るドットパタン配列を形成する実験
手順を説明する図である。
手順を説明する図である。
【図９】本発明に係るドットパタン配列を形成する実験
手順を説明する図である。
手順を説明する図である。
【図１０】本発明に係るドットパタン配列を形成する実
験手順を説明する図である。
験手順を説明する図である。
【図１１】様々な材料のエッチング耐性の特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図１２】従来のレジスト材の構造式を示す図である。
【図１３】図１２に示した材料の感光度曲線のグラフで
ある。
ある。
６０ シリコンウェハ ６１ レジスト膜 ６２ 潜像 ６３ レジストの突起
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アレッサンドロ カスナーティ イタリア、43100 パルマ、ヴィア ブ ルーノゾーニ、３ (72)発明者 アンドレア ポキーニ イタリア、43100 パルマ、ボルゴ ピ. コッコーニ、11 (72)発明者 ロッコ ウンガロ イタリア、43100 パルマ、ヴィア ド ン ミンゾーニ、22 (56)参考文献 特開 平４−15232（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−128253（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−155342（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−293238（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−372123（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−182964（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/038 C09D 165/00 C23F 1/00 102 H01L 21/027 H01L 21/302
Claims (7)
- 【請求項１】 溶媒に可溶で高エネルギー線に感光する
5,11,17,23,29,35−ヘキサクロロメチル−37,38,39,40,
41,42−ヘキサメトキシカリックス[6]アレーンから成る
レジスト膜を形成し、 前記高エネルギー線に前記レジスト膜の第１の領域を露
光させ、第２の領域は露光させず、 前記溶媒で前記第２の領域を除去することにより前記第
１の領域を現像してパタンを画成する超微細パタン形成
方法。 - 【請求項２】 前記高エネルギー線は電子ビームである
請求項１記載の超微細パタン形成方法。 - 【請求項３】 前記高エネルギー線はＸ線である請求項
１記載の超微細パタン形成方法。 - 【請求項４】 前記高エネルギー線はイオンビームであ
る請求項１記載の超微細パタン形成方法。 - 【請求項５】 ドライエッチングでエッチング可能な基
板の上に、溶媒に可溶で高エネルギー線に感光する5,1
1,17,23,29,35−ヘキサクロロメチル−37,38,39,40,41,
42−ヘキサメトキシカリックス[6]アレーンから成るレ
ジスト膜を形成し、 前記高エネルギー線に前記レジスト膜の第１の領域を露
光させ、第２の領域は露光させず、 前記溶媒で前記第２の領域を除去することにより前記第
１の領域を現像してパタンを画成し、 前記基板を前記パタンとともに前記ドライエッチングに
かける超微細エッチング方法。 - 【請求項６】 前記基板は金属である請求項５記載の超
微細エッチング方法。 - 【請求項７】 前記基板は半導体である請求項５記載の
超微細エッチング方法。
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