JPH03289659A - 感光性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的コ （産業上の利用分野） 本発明は、感光性組成物に関し、特にｄｅｅｐＵＶ及び
電離放射線に感光する感光性組成物に係わる。

（従来の技術） 半導体集積回路を始めとする各種の微細加工を必要とす
る電子部品の分野では、感光性樹脂が広く用いられてい
る。特に、電子機器の多機能化、高密度化にに伴う高密
度集積化を図るためには、パターンの微細化が要求され
ている。パターン形成に使用される露光装置としては、
通常ステッパとよばれいるステップアンドリピートの縮
小投影形マスクアライナ−がある。かかる装置に用いる
光源としては、水銀ランプのｇ線（波長４３６ｎｍ）、
ｈ線（波長４０５ｎＩＩ）　、ｉ線（波長３６５■）、
エキシマレーザとしてのＸｅＦ（波長３５１ｎＩＩｌ）
ＸｅＣ１）（波長３０８ｎｍ）　、Ｋ　ｒ　Ｆ　（波長
２４８ｎｍ）、ＫｒＣ１）（波長２２２ｎｍ）　、Ａｒ
　Ｆ　（波長１９３■）、Ｆ２　（波長１５７ｎｍ）等
が挙げられる。微細なパターンを形成するためには、光
源の波長が短い程よく、エキシマレーザなどのｄｅｅｐ
Ｕ　Ｖに感光する感光性樹脂が望まれている。

上述したエキシマレーザ用の感光性樹脂としては、従来
よりポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）　　ポリゲ
ルタールマレイミド（ＰＧＭＩ）等のアクリル系のポリ
マーやフェノールを有するポリマーとアジド系感光剤か
らなる感光性組成物が知られている。しかしながら、前
者の感光性樹脂ではエキシマレーザに対する感度が低く
、かつドライエツチング耐性にも劣るという問題があっ
た。また、後者の感光性組成物では感度、ドライエツチ
ング耐性に優れているものの、形成されたパターンが逆
三角形となり、露光、現像工程の管理が難しいという問
題があった。

一方、各種の露光方法においても最小寸法の縮小化に伴
って別の問題が生じてきている。例えば、光による露光
では半導体基板上の段差に基づいく反射光の干渉作用が
寸法精度に大きな影響を与える。また、電子ビーム露光
においては電子の後方散乱によって生じる近接効果によ
り微細なレジストパターンの高さと幅の比を大きくする
ことができないという問題があった。

上述した問題点を解決する一方法として、多層レジスト
プロセスが開発されている。かかる多層レジストプロセ
スについては、ソリッドステート・テクノロジー　［５
ｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ］　７４
（１９８１）に概説が掲載されているが、この他にも前
記システムに関する多くの研究が発表されている。現在
、一般的に多く試みられている方法は、３層構造のレジ
ストシステムであり、半導体基板の段差の平坦化及び基
板からの反射防止の役割を有する最下層と、該最下層を
エツチングするためのマスクとして機能する中間層と、
感光層としての最上層とからなっている。

しかしながら、上記３層レジストプロセスは単層レジス
ト法に比べて微細なパターニングを行なうことができる
利点を有するものの、反面パターン形成までの工程数が
増加するという問題があった。即ち、ｄｅｅｐＵ　Ｖな
どの放射線に対する感光性と酸素プラズマによるリアク
ティブイオンエツチングに対するる耐性を共に満足する
ようなレジストがないため、これらの機能を別々の層で
持たせており、その結果工程数が増加するという問題が
あった。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、上記従来の課題を解決するためになされたも
ので、ｄｅｅｐＵ　Ｖ及び電離放射線等の波長の短い放
射線での露光を適用でき、かつドライエツチング耐性に
優れ、更に露光、アルカリ水溶液による現像での許容性
を大きくでき、良好な断面形状を有する微細なパターン
を形成が可能な感光性組成物、並びにｄｅｅｐＵ　Ｖ及
び電離放射線等の波長の短い放射線に対して感光し、か
つ酸素リアクティブイオンエツチングに対する耐性（耐
酸素ＲＩＥ性）に優れ、更にアルカリ水溶液による現像
が可能な二層リソグラフィープロセスに好適な感光性組
成物を提供しようとするものである。

［発明の構成コ （課題を解決するための手段） 以下、本発明に係わる感光性組成物（１）　、　（２＞
を詳細に説明する。なお、感光性組成物（１）は後述ス
る単層プロセスによるパターン形成方法に適用され、感
光性組成物（２）は後述する二層リソグラフィープロセ
スによるパターン形成方法に適用される。

感光性組成物（１） この感光性組成物は、アルカリ可溶性重合体と、酸によ
り分解する置換基を有する有機化合物からなる溶解抑制
剤と、下記−数式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（Ｉ
ＩＩ）にて表わされる光照射により酸を発生する化合物
とを含むことを特徴とするものである。

但し、（Ｉ）式中のＲ１−Ｒ３は水素原子、ハロゲン原
子、シアノ基、シリル基又は−価の有機基を示し、これ
らは互いに同一であっても異なってもよい。Ｒ４は、−
価以上の有機基、ｎは１〜７の整数を示す。なお、Ｒ２
とＲ２で炭化水素環基又は複素環基を形成してもよい。

−ｏ−−ｓ−−ｃｏ−−５ｏ２ ＣＲ’　　Ｒ２−＞Ｎ−ＣＯＲ’　　−（Ｒ’　　　Ｒ
２Ｒ３，水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シリル基
又は−価の有機基を示し、これらは互いに同一であって
も異なってもよい）、ｎは１〜７の整数を示す。

但し、（ＩＩ）式中のＲ６、Ｒ６は水素原子、ハロゲン
原子、シアノ基、シリル基又は−価の有機基を示し、こ
れらは互いに同一であっても異なってもよい。Ｒ７は、
−価以上の有機基、Ｘ、は但し、（ｍ）式中のＲ８、Ｒ
９は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シリル基又
は−価の有機基を示し、これらは互いに同一であっても
異なってもよい。Ｒｌｏは、−価以上の有機基、Ｘ２は
ｏ−−ｓ−−ｃｏ−−５ｏ２ ＣＲ’　Ｒ２−＞Ｎ−ＣＯＲ’　−（Ｒ’　　Ｒ２Ｒ３
；水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、シリル基又は−
価の有機基を示し、これらは互いに同一であっても異な
ってもよい）、ｎは１〜７の整数を示す。

但し、（ＩＶ）式中のＲ１１〜Ｒ１４は、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基、シリル基又は−価の有機基を示
し、これらは互いに同一であっても異なってもよい。Ｒ
１５は、−値以上の有機基、ｎは１〜７の整数を示す。

前記アルカリ可溶性重合体は、ヒドロキシ基が導入され
たアリール基又はカルボキシル基を含む重合体が望まし
い。具体的には、フェノールノボラック樹脂、クレゾー
ルノボラック樹脂、キシレゾールノボラック樹脂、ビニ
ルフェノール樹脂、イソプロペニルフェノール樹脂、ビ
ニルフェノールとアクリル酸、メタクリル酸誘導体、ア
クリロニトリル、スチレン誘導体などとの共重合体、イ
ソプロペニルフェノールとアクリル酸、メタクリル酸誘
導体、アクリロニトリル、スチレン誘導体などとの共重
合体、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル酸又は
メタクリル酸とアクリロニトリル、スチレン誘導体との
共重合体、マロン酸とビニルエーテルとの共重合体等を
挙げることができる。より具体的には、ポリ（ｐ−ビニ
ルフェノール）、ｐ−イソプロペニルフェノールとアク
リロニトリルの共重合体（共重合比１：１）、ｐ−イソ
プロペニルフェノールとスチレンの共重合体（共重合比
１：１）、ｐ−ビニルフェノールとメチルメタクリレー
トの共重合体（共重合比１　：　１）　、Ｉ）−ビニル
フェノールとスチレンの共重合体（共重合比１：１）等
を挙げることができる。

前記酸により分解する置換基を有する有機化合物として
は、例えば米国特許第４４９１６２８号明細書中に記載
されたポリ−ｔ−ブチルビニルペンゾール、ポリ−ｔ−
ブトキシカルボニルオキシスチレン及びそれに対応する
α−メチルスチレン重合体；米国特許第４６０３１０１
号明細書中に記載されたポリ−１−ブトキシスチレン、
ポリ−１−ブトキシ−α−メチルスチレン；ｔ−ブチル
エステル基又はベンジルエステル基を有するポリアクリ
レート及びかかる酸不安定基を主鎖中又は主鎖に対応す
る側基として有する重合体；ｔ−ブトキシカルボニルオ
キシ基なとのカーボネート側基やトリメチルシリルエー
テル側基を有する芳香族重合体等を挙げることができる
。かかる分解する置換基を有する有機化合物を後掲する
第１表に具体的に例示する。

前記−数式（Ｉ）、（ＩＩ）、（Ｉ［［）、（ＩＩＩ）
にＲ＋　、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１
１、’Ｒ１゜、Ｒ１３、Ｒ１４として導入される基とし
ては、水素原子；塩素、臭素などのハロゲン原子；シア
ノ基；トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどのシ
リル基；メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ
−ブチル、５ｅｅ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、
ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシルなどのアルキル
基；置換又は非置換のフェニル基又はナフチル基等のア
リール基；メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ
、フェノキシなどのアルコキシ基；ジメチルアミノ、ジ
エチルアミノ、ジフェニルアミノなどのアミノ基；或い
は下記に列挙する非置換複素環基、置換複素環を挙げる
ことができる。

■非置換複素環 ビロール環基、ピロリン環基、ピロリジン環基、インド
ール環基、イソインドール環基、インドリン環基、イソ
インドリン環基、インドリジン環基、カルバゾール環基
、カルボリン環基、フラン環基、オキソラン環基、クロ
マン環基、クマラン環基、イソベンゾフラン環基、フタ
ラン環基、ジベンゾフラン環基、チオフェン環基、チオ
ラン環基、ベンゾチオフェン環基、ジベンゾチオフェン
環基、ピラゾール環基、ピラゾリン環基、インダゾール
環基、イミダゾール環基、イミダリシン環基、ベンゾイ
ミダゾール環基、ナフトイミダゾール環基、オキサゾー
ル環基、オキソザリン環基、オキサゾール環基、ベンゾ
オキサゾール環基、ベンゾオキサゾリジン環基、ナフト
オキサゾール環基、イソオキサゾール環基、ベンゾオキ
サゾール環基、チアゾール環基、チアゾリン環基、チア
ゾリジン環基、ベンゾチアゾリン環基、ナフトチアゾー
ル環基、イソチアゾール環基、ベンゾイソチアゾール環
基、トリアゾール環基、ベンゾトリアゾール環基、オキ
サジアゾール環基、チアジアゾール環基、ベンゾオキサ
ジアゾール環基、ペンゾチアジゾール環基、テトラゾー
ル環基、プリン環基、ピリダジン環基、ピペリジン環基
、キノリン環基、イソキノリン環基、アクリジン環基、
フェナントロリン環基、ベンゾキノリン環基、ナフトキ
ノリン環基、ナフチリジン環基、フェナントロリン環基
、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、フ
タラジン環基、キノキサリン環基、キナゾリン環基、シ
ンノリン環基、フェナジン環基、ペリミジン環基、トリ
アジン環基、テトラジン環基、プテリンジン環基、オキ
サジン環基、ベンゾオキサジン環基、フェノキサジン環
基、チアジン環基、ベンゾチアジン環基、フェノチアジ
ン環基、オキサジアジン環基、チアジアジン環基、ジオ
キソラン環基、ペンシイオキソール環基、ジオキサン環
基、ベンゾジオキサン環基、ジチオソラン環基、ペンシ
イオキール環基、ジチアン環基、ベンゾジチアン環基、
ピラン環基、クロメン環基、キサンチン環基、オキサン
環基、クロマン環基、イソクロマン環基、キサンチン環
基、トリオキサン環基１、チオラン環基、チアン環基、
トリチアン環基、モルホリン環基、キヌクリジン環基、
セレナゾール環基、ベンゾセレナゾール環基、ナフトセ
レナゾール環基、テトラジン環基、ペンゾテルラゾール
環基。

前記一般式（Ｉ）、（ｎ）、（ＩＩＩ）、（ＩＩＩ）の
Ｒ４％　Ｒ７、Ｒ７、Ｒ１０％　ＲＩ５として導入され
る基としては、Ｒ，Ｒ２、Ｒ３、Ｒ９、Ｒｂ、Ｒｓ　、
Ｒ９％　Ｒｚ、Ｒ１２、Ｒ１９、ＲＩ４と同様な一価の
有機基の他に、２価以上の有機基が挙げられる。２価以
上の基としては、例えばメチレン、メチン、エチレン、
プロピレンなどの置換又は非置換のアルキレン基、或い
は２価以上の置換又は非置換の芳香族環、複素環が挙げ
られる。具体的には、フェニレン、ジフェニレンエーテ
ル、ジフェニレンエタン、ジフェニレンメタン、ジフェ
ニレンプロパン、ビスフェニレンジメチルシラン、等が
挙げられる。

前記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）にて表わされる光照射によ
り酸を発生する化合物を後掲する第２表に具体的に例示
する。

前記アルカリ可溶性重合体に対する前記酸により分解す
る置換基を有する有機化合物の配合割合は、該重合体１
００重量部に１〜３００重量部、より好ましくは５〜１
００重量部の範囲とすることが望ましい。この理由は、
有機化合物の配合量を１重量部未満にすると現像液に対
する十分な溶解抑制効果を得ることが困難となり、パタ
ーン形成が困難となる恐れがあり、一方その配合量が３
００重量部を越えると塗膜性が悪化して均一厚さの感光
性樹脂層を形成することが困難となる恐れがある。

前記一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）の光照射により酸を発生す
る化合物の配合割合は、感光性組成物の固形分の全重量
に対して０．０１〜１５重量％、より好ましくは０．５
〜７重量％の範囲とすることが望ましい。この理由は、
前記化合物の配合量を０．０１重量％未満にすると酸触
媒として十分な作用を発揮することか困難となり、一方
その配合量が１５重量％を越えると塗布性が悪化して均
一な厚さの感光性樹脂層の形成が困難となる恐れかある
。

なお、上記感光性組成物（１）においては必要に応して
塗膜改質剤としての界面活性剤、或いは反射防止剤とし
ての染料を配合してもよい。

次に、前述した感光性組成物（１）を用いた単層プロセ
スによるパターン形成方法を説明する。

まず、基板上に有機溶媒で溶解された前述した感光性組
成物（１）からなる感光性組成物溶液を回転塗布法やデ
イピング法により塗布した後、乾燥して感光性樹脂層を
形成する。ここに用いる基板としでは、例えばシリコン
ウェハ、表面に各種の絶縁膜や電極、配線が形成された
シリコンウェハ１、ブランクマスク、ＧａＡｓ５ＡＩＩ
ＧａＡｓなどの■−■化合物半導体ウェハ等を挙げるこ
とができる。前記有機溶媒としては、例えばシクロヘキ
サノン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン等のケトン系溶媒、メチルセロソルブ、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート
、ブチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系溶媒、
酢酸エチル、酢酸ブチル、酢Ｍイソアミル等のエステル
系溶媒等を挙げることができる。これらの溶剤は、単独
で使用しても、混合物の形で使用してもよい。

次いで、前記感光性樹脂層に所望のパターンを有するマ
スクを通してｄｅｅｐＵ　Ｖ、電離放射線を選択的に照
射してパターン露光を行なう。このパターン露光に際し
ての光源としては、例えばＸｅＦ（波長３５１ｎｍ）　
、Ｘｅ　Ｃ１）　　（波長３０８ｎＩｌ）、ＫｒＦ（波
長２４８ｎｍ）　、Ｋｒ　Ｃ１（波長２２２ｎｍ）、Ａ
ｒＦ（波長１９３ｔ＋ｍ）　、Ｆ２　　（波長１５７ｎ
ｍ）などのエキシマレーザ、水銀ランプ等のｄｅ’ｅｐ
ＵＶ又は電子ビーム、Ｘ線等の電離放射線を用いること
ができる。但し、電子ビームではビームを走査すること
によりパターン露光を行う。つづいて、・パターン露光
後の感光性樹脂層をアルカリ水溶液を用いて浸漬法、ス
プレー法等により現像処理することにより所望のパター
ンが形成される。ここに用いるアルカリ水溶液としては
、例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキシド水
溶液などの有機アルカリ水溶液、又は水酸化カリウム、
水酸化ナトリウム等の無機アルカリ水溶液等を挙げるこ
とができる。これらのアルカリ水溶液は、通常１５重量
％以下の濃度で使用される。また、現像後において水等
によりリンス処理を施してもよい。

感光性組成物（２） この感光性組成物は、ケイ素含有アルカリ可溶性重合体
と、前述した感光性組成物（１）で用いたのと同様な酸
により分解する置換基を有する有機化合物からなる溶解
抑制剤と、一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）にて表わされる光照
射により酸を発生する化合物と、を含むことを特徴とす
るものである。

前記ケイ素含有アルカリ可溶性重合体としては、■フェ
ノールを側鎖に有するポリシロキサン、■フェノールを
側鎖に有するポリシラン、■ケイ素を側鎖に有するフェ
ノールから合成されたノボラック樹脂等を挙げることが
できる。前記■のポリシロキサンを後掲する第３表に、
前記■のポリシランを後掲する第４表に、それぞれ具体
的に例示する。前記■のノボラック樹脂は、後掲する第
５表のケイ素含有フェノールモノマーとフェノール類と
をホルマリン又はアルデヒドで縮合させることにより得
られるものが挙げられる。ここに用いるフェノール類と
しては、例えばフェノール、０−クロロフェノール、ｍ
−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｍ−クレ
ゾール、ｐ−クレゾール、キシレゾール、ビスフェノー
ルＡ、４−クロロ−３−クレゾール、ジヒドロキシベン
ゼン、トリヒドロキシベンゼン等を挙げることができる
。

更に、前記ケイ素含有アルカリ可溶性重合体としては、
アクリル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、メタク
リル酸とアクリロニトリルとスチレン誘導体との共重合
体、マロン酸とビニルエーテルとの共重合体等にケイ素
を導入したものを用いることができる。かかるケイ素含
有アルカリ可溶性重合体を、後掲する第６表に具体的に
例示する。

前記ケイ素含有アルカリ可溶性重合体に対する前記酸に
より分解する置換基を有する有機化合物の配合割合は、
前述した感光性組成物（１〉と同様な理由により該重合
体１００重量部に１〜３００重量部、より好ましくは５
〜ｌＯＯ重量部の範囲とすることか望ましい。また、前
記一般式（１）〜（■）の光照射により酸を発生する化
合物の配合割合は、前述した感光性組成物（１）と同様
な理由により感光性組成物の固形分の全重量に対して０
．０１〜１５重量％、より好ましくは０．５〜７重量％
の範囲とすることが望ましい。

なお、上記各感光性組成物（２）においては必要に応じ
て塗膜改質剤としての界面活性剤、或いは反射防止剤と
しての染料等を配合してもよい。

次に、前述した各感光性組成物（２）を用いた二層リソ
グラフィープロセスによるパターン形成方法を説明する
。

まず、前述した単層プロセスで用いたのと同様な基板上
に高分子材料を塗布した後、１００〜２５０℃で３０〜
１５０分間ベーキングを行なって所望の厚さ高分子材料
層（平坦化層）を形成する。ここに用いる高分子材料は
、半導体素子等の製造において支障を生じない純度を有
するものであればいかなるものでもよい。かかる高分子
材料としては、例えば置換０−キノンジアジドとノボラ
ック樹脂かならるポジ型レジスト、ポリスチレン、ポリ
メチルメタクリレート、ポリビニルフェノール、ノボラ
ック樹脂、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリブタジェ
ン、ポリ酢酸ビニル及びポリビニルブチラール等を挙げ
ることができる。これらの樹脂は、単独又は混合物の形
で用いられる。

次いで、前記高分子材料層上に有機溶媒で溶解された前
述した感光性組成物（２）からなる感光性組成物溶成を
例えばスピンナーを用いた回転塗布法、浸漬法、噴霧法
、印刷法等により塗布した後、乾燥して感光性樹脂層を
形成する。前記有機溶媒は、前述した単層プロセスで用
いたのと同様なものを挙げることができる。

次いで、前記感光性樹脂層に所望のパターンを有するマ
スクを通して前述した光源からｄｅｅｐＵ　Ｖ　。

電離放射線を選択的に照射してパターン露光を行なう。

この露光工程において、露光部が未露光部に比べてアル
カリ水溶液に対する溶解性が低くなる。露光にあたって
は、密着露光、投影露光のいずれの方式を採用してもよ
い。ひきつづき、アルカリ水溶液を用いて浸漬法、スプ
レー法等により現像処理することにより所望のパターン
が形成される。ここに用いるアルカリ水溶液としては、
例えばテトラメチルアンモニウムハイドロオキシド水溶
液などの有機アルカリ水溶液、又は水酸化カリウム、水
酸化ナトリウム等の無機アルカリ水溶液等を挙げること
ができる。これらのアルカリ水溶液は、通常１５重量％
以下の濃度で使用される。

現像後においては、水等によりリンス処理を施してもよ
い。

次いで、前記パターンをマスクとして露出する高分子材
料層を酸素リアクティブイオンエツチング法（酸素ＲＩ
Ｅ法）によりエツチングする。この時、前記パターンを
構成する感光性組成物（２）は既述したようにケイ素を
含むため、該レジストパターンは酸素ＲＩＥに曝される
ことによって、表面層に二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）乃至
それに類似した膜が形成され、露出した高分子材料層の
１０〜１００倍の耐酸素ＲＩＥ性を有するようになる。

このため、レジストパターンから露出した高分子材料層
部分か酸素ＲＩＥ法により選択的に除去され、最適なパ
ターンプロファイルが得られる。

このような工程により形成された二層パターンをマスク
として基板等のエツチングを行なう。エツチング手段と
しては、ウェットエツチング法、ドライエツチング法が
採用され、３μｍ以下の微細なパターンを形成する場合
にはドライエツチング法が好ましい。ウェットエツチン
グ剤としては、シリコン酸化膜をエツチング対象とする
場合にはフッ酸水溶液、フッ化アンモニウム水溶液等が
、アルミニウムをエツチング対象とする場合には、リン
酸水溶液、酢酸水溶液、硝酸水溶液等か、クロム系膜を
エツチング対象とする場合には硝酸セリウムアンモニウ
ム水溶液等が、夫々用いられる。

ドライエツチング用ガスとしては、ＣＦ４Ｃ２Ｆ６、Ｃ
Ｃｊｌ１４、ＢＣ１１３、ｃｇ２、ＨＣ，Ｑ。

Ｈ２等を挙げることができ、必要に応じてこれらのガス
を組合わせて使用される。エツチングの条件は、微細パ
ターンか形成される物質の種類と感光性樹脂の組合わせ
に基づいて反応槽内のウェットエツチング剤の濃度、ド
ラエツチング用ガスの濃度、反応温度、反応時間等を決
定するが、特にその方法等に制限されない。

上述したエツチング後には、前記基板上に残存する高分
子材料及びレジストからなるパターンを、例えばナガセ
化成社製商品名：　Ｊ−１００等の剥離剤、酸素ガスプ
ラズマ等によって除去する。

以上の工程以外に、その目的に応じて更に工程を付加す
ることも何等差支えない。例えば、現像後において現像
液を洗浄除去する目的で行なうリンス（通常は水を使用
する）工程、感光性組成物からなる樹脂層と平坦化層又
は平坦化層と基板との密着性を向上させる目的から各液
の塗布前に行なう前処理工程、現像前又は後に行なうベ
ーク工程、ドライエツチングの前に行なう紫外線の再照
射工程等を挙げることができる。

（作　用） 本発明に係わる感光性組成物（１〉によれば、ｄｅｅｐ
Ｕ　Ｖ、電離放射線などの光照射を行うことによって、
該組成物中の一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）にて表される化合
物から酸を発生し、この酸により同組成物中の酸により
分解する置換基を有する有機化合物からなる溶解抑制剤
を分解し、その溶解抑制力が消滅してパターン潜像が形
成される。その結果、現像処理により前記潜像が優先的
に溶解、除去されてパターン（ポジ型パターン）が形成
される。しかも、前記感光性組成物（１）はその−成分
としてアルカリ可溶性重合体が配合されているため、露
光後にアルカリ水溶液による現像が可能となり、膨潤等
が抑制される。従って、ｄｅｅｐＵ　Ｖ　。

電離放射線に対して良好に感光し、高精度かつ前記工程
時での許容性の大きい断面矩形状をなし、更にドライエ
ツチング耐性の優れた微細なポジ型パターンを形成する
ことができる。

また、本発明に係わる感光性組成物（２〉によればｄｅ
ｅｐＵ　Ｖ、電離放射線などの光照射を行うことによっ
て該組成物中の一般式（１）〜（ＩＶ）にて表される化
合物から酸を発生し、この酸により同組成物中の酸によ
り分解する置換基を有する有機化合物からなる溶解抑制
剤を分解し、その溶解抑制力が消滅してパターン潜像が
形成され、現像処理により前記潜像か優先的に溶解、除
去されてパターン（ポジ型パターン）が形成される。し
かも、前記感光性組成物（２）はその−成分としてケイ
素含有アルカリ可溶性重合体が配合されているため、ア
ルカリ水溶液による現像が可能で、現像後において耐酸
素ＲＩＥ性を有する微細なパターンを形成できる。従っ
て、前記パターンを下層の高分子材料層（平坦化層）に
対する耐酸素ＲＩＥ性マスクとして酸素プラズマによる
ドライエツチングを行なうことにより高アスペクト比で
良好な断面形状を有する微細な二層パターンを形成でき
る。

（実施例） 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

実施例１ 後掲する第７表のポリ（ｐ−ビニルフェノール）７０ｇ
と同第７表の一般式にて表わされる化合物４ｇと同第７
表のに示す溶解抑制剤２０ｇをエチルセロツル、ブアセ
テート　２５０ｇに溶解させ、０．２μｍのフッ素樹脂
製メンブランフィルタを用いて濾過することにより感光
性組成物溶液を調製した。

次いで、シリコンウェハ上に前記感光性組成物溶液を塗
布し、９０℃で５分間ホットプレート上で乾燥して厚さ
　１．０μｍの感光性樹脂層を形成した。

つづいて、この感光性樹脂層にＫ　ｒ　Ｆ　（２４８ｎ
ａ＋）エキシマレーザ光を用いた縮小投影露光機でパタ
ーン露光（１００ｍＪ／ｃｍ２）を行なった。この後、
　１．８重量％濃度のテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキシド水溶液（以下、Ｔ　Ｍ　Ａ　Ｈ水溶液と略す
）に　１分間浸漬して現像してポジパターンを形成した
。

実施例２〜７ 後掲する第７表に示すアルカリ可溶性重合体と一般式に
て表される化合物と溶解抑制剤とを同第７表の配合量で
エチルセロソルブアセテート　２５０　ｇにて溶解させ
、０，２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィルタを用い
て濾過することにより　６種の感光性組成物溶液を調製
した。

次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物溶液を
用いて実施例１と同様に塗布、乾燥、パターン露光を行
なった後、２，３８重量％濃度のＴＭＡＨ水溶液で現像
処理して６種のポジパターンを形成した。

本実施例１〜７のポジパターンの形状を調べた。

その結果を、後掲する第７表に併記した。この第７表か
ら明らかように本実施例１〜６によれば、微細かつ矩形
状をなす高精度のポジパターンを形成できることがわか
る。

実施例８ シリコンウェハ上にアルミニウム膜（Ａ、ｌｌｌ　膜）
を被覆し、このＡｌｌ膜上に実施例１と同様な感光性組
成物溶液を塗布し、同実施例１と同様な方法で露光、現
像して０．３５μｍ幅の感光性樹脂パターンを形成した
。次いで、この感光性樹脂パターンをマスクとして露出
する１７膜をＣＢｒ　ＣＤ　３ガスを用いてドライエツ
チングを行ったところ、０．３５μｍ幅のレジスバター
ンをＡρ膜に忠実に転写することができた。

実施例９ 後掲する第８表に示すようにポリ（ｐ−ビニルフェノー
ル）７０ｇと同第８表の一般式にて表わされる化合物３
ｇと同第８表に示す溶解抑制剤２５ｇとをエチルセロソ
ルブアセテート　２５０ｇに溶解させ、０．２μｍのフ
ッ素樹脂製メンブランフィルタを用いて濾過することに
より感光性組成物溶液を調製した。

次いで、シリコンウェハ上に前記感光性組成物溶液を塗
布し、９０℃で５分間ホットプレート上で乾燥して厚さ
　１．０μｍの感光性樹脂層を形成した。

つづいて、この感光性樹脂層にＫ　ｒ　Ｆ　（２４８ｒ
＋ｍ）エキシマレーザ光を用いた縮小投影露光機でパタ
ーン露光（８０川Ｊ／ｃｍ２）を行なった。この後、　
１．８重量％濃度のＴＭＡＲ水溶液に　１分間浸漬して
現像してポジパターンを形成した。

実施例１Ｏ〜１４ 後掲する第８表に示すアルカリ可溶性重合体と一般式に
て表される化合物と溶解抑制剤とを同第８表の配合量で
エチルセロソルブアセテート　２５０ｇにて溶解させ、
０．２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィルタを用いて
濾過することにより　５種の感光性組成物溶液を調製し
た。

次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物溶液を
用いて実施例つと同様に塗布、乾燥、パターン露光を行
なった後、２．３８重量％濃度のＴＭＡＨ水溶液で現像
処理して５種のポジパターンを形成した。

本実施例９〜１４のポジパターンの形状を調べた。

その結果を、後掲する第８表に併記した。この第８表か
ら明らかように本実施例９〜１４によれば、微細かつ矩
形状をなす高精度のポジパターンを形成できることかわ
かる。

実施例１５ シリコンウェハ上にアルミニウム膜（Ａ、Ｑ膜）を被覆
し、このへρ膜上に実施例つと同様な感光性組成物溶液
を塗布し、同実施例９と同様な方法で露光、現像して０
．３５μｍ幅の感光性樹脂パターンを形成した。次いで
、この感光性樹脂パターンをマスクとして露出するＡρ
膜をＣＢｒ　Ｃ０３ガスを用いてドライエツチングを行
ったところ、０．３５μｍ幅のレジストパターンをＡρ
膜に忠実に転写することができた。

実施例Ｉ６ 後掲する第９表に示すようにポリ（ｐ−ビニルフェノー
ル）７０ｇと同第９表の一般式にて表わされる化合物５
ｇと同第９表に示す溶解抑制剤３０ｇをエチルセロソル
ブアセテート　２５０ｇに溶解させ、０．２μｍのフッ
素樹脂製メンブランフィルタを用いて濾過することによ
り感光性組成物溶液を調製した。

次いで、シリコンウェハ上に前記感光性組成物溶液を塗
布し、９０℃で５分間ホットプレート上で乾燥して厚さ
　１，０μｍの感光性樹脂層を形成した。

つづいて、この感光性樹脂層にＫ　ｒ　Ｆ　（２４８ｎ
ｍ）エキシマレーザ光を用いた縮小投影露光機でパター
ン露光（１００ｍＪ／ｃ＋ｎ２）を行なった。この後、
　１．８重量％濃度のＴ　Ｍ　Ａ　Ｈ水后液に　１分間
浸漬して現像してポジパターンを形成した。

実施例１７〜２１ 後掲する第９表に示すアルカリ可溶性重合体と一般式に
て表される化合物と溶解抑制剤とを同第９表の配合量で
エチルセロソルブアセテート　２５０ｇにて溶解させ、
０．２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィルタを用いて
濾過することにより　５種の感光性組成物溶液を調製し
た。

次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物溶液を
用いて実施例１５と同様に塗布、乾燥、パターン露光を
行なった後、２．３８重量％濃度のＴ　Ｍ　Ａ　Ｈ水溶
酸て現像処理して５種のポジパターンを形成した。

本実施例１６〜２１のポジパターンの形状を調べた。

その結果を、後掲する第９表に併記した。この第９表か
ら明らかように本実施例１６〜２１によれば、微細かつ
矩形状をなす高精度のポジパターンを形成できることが
わかる。

実施例２２ シリコンウェハ上にアルミニウム膜（ｌ膜）を被覆し、
このｌ膜上に実施例１６と同様な感光性組成物溶液を塗
布し、同実施例１６と同様な方法で露光、現像して０．
３５μｍ幅の感光性樹脂パターンを形成した。次いで、
この感光性樹脂パターンをマスクとして露出するＡｌ膜
をＣＢｒ　ＣＤ　３ガスを用いてドライエツチングを行
ったところ、０．３５μｍ幅のレジスパターンをＡｌｌ
膜に忠実に転写することができた。

実施例２３ まず、後掲する第１０表に示すポリ（ｐ−ビニルフェノ
ール）７０ｇと同第１０表に示す一般式にて表わされる
化合物３ｇと同第１０表に示す溶解抑制剤２５ｇとをエ
チルセロソルブアセテ−）　　２５０ｇで溶解させ、０
．２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィルタを用いて濾
過することにより感光性組成物溶液を調製した。

次いで、シリコンウェハ上に前記感光性組成物溶液を塗
布し、９０℃で５分間ホットプレート上で乾燥して厚さ
　１．０μｍの感光性樹脂層を形成した。

つづいて、この感光性樹脂層にＫｒ　Ｆ　（２４８ｎｍ
）　−Ｌキシマレーザ光を用いた縮小投影露光機でパタ
ーン露光　（８０ｓ＋Ｊ／　ｃ１１２）を行なった。こ
の後、１．８重量％濃度のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬
して現像してポジパターンを形成した。

実施例２４〜２８ 後掲する第１０表に示すアルカリ可溶性重合体と一般式
にて表される化合物と溶解抑制剤とを同第１０表の配合
量でエチルセロソルブアセテート２５０ｇにて溶解させ
、０．２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィルタを用い
て濾過することにより　５種の感光性組成物溶液を調製
した。

次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物溶液を
用いて実施例２３と同様に塗布、乾燥、パターン露光を
行なった後、２．３８重量％濃度のＴＭＡＲ水溶液で現
像処理して５種のポジパターンを形成した。

本実施例２３〜２８のポジパターンの形状を調べた。

その結果を、後掲する第１０表に併記した。この第１０
表から明らかように本実施例２３〜２８によれば、微細
かつ矩形状をなす高精度のポジパターンを形成できるこ
とがわかる。

実施例２９ シリコンウェハ上にアルミニウム膜（Ａｊｌ＋膜）を被
覆し、このＡｆ！膜上に実施例２３と同様な感光性組成
物溶液を塗布し、同実施例２３と同様な方法で露光、現
像して０．３５μｍ幅の感光性樹脂パターンを形成した
。次いで、この感光性樹脂パターンをマスクとして露出
するＡ、７７膜をＣＢｒＣＮｇガスＣＮ中てドライエツ
チングを行ったところ、０．３５μｍ幅のレジスパター
ンをＡｌｌ膜に忠実に転写することができた。

実施例３０ 後掲する第１１表に示す構造式にて表されるポリシロキ
サン７０ｇと同第１１表に示す一般式にて表される化合
物４ｇと同第１１表に示す溶解抑制剤３５ｇをエチルセ
ロソルブアセテート４００ｇにて溶解させ、０．２μｍ
のフッ素樹脂製メンブランフィルタを用いて濾過するこ
とにより感光性組成物溶液を調製した。

次いで、シリコン基板上に市販のノボラック樹脂からな
る高分子材料溶液を２．０μｍの厚さに塗布した後、２
２０℃で３０分間加熱処理して高分子材料層（平坦化層
）を形成した。つづいて、この平坦化層上に前記感光性
組成物溶液を０．６μｍの厚さに塗布し、ホットプレー
ト上で９０℃、５分間乾燥した後、波長２４８ｎｍのＫ
ｒＦエキシマレーザ光を用いパターン露光（２００ｍＪ
／　ｃ＋ａ２）を行なった。

この後、　１．０重量％濃度のＴＭＡＲ水溶液に　１分
間浸漬して現像してポジパターン（上層パターン）を形
成した。

次いで、前記上層パターンが形成されたシリコン基板を
ドライエツチング装置（徳目製作所社製商品名、　ＨＩ
Ｉ？ＲｆＥ）に設置し、出力０．８　Ｗ／ｃａ１２酸素
ガス圧４ｐａ、流量５０８ＣＣＨの条件で酸素プラズマ
によるリアクティブイオンエツチング（ＲＩ　Ｅ）を２
分間行ない、上層パターンをマスクとして下層の平坦化
層をエツチングした。

実施例３ｉ〜３５ 後掲する第１１表に示すケイ素を含有するアルカリ可溶
性重合体と一般式にて表される化合物と溶解抑制剤とを
同第１１表の配合量でエチルセロソルブアセテ−）　４
００ｇにて溶解させ、０．２μｍのフッ素樹脂製メンブ
ランフィルタを用いて濾過することにより　５種の感光
性組成物溶液を調製した。

次いで、実施例３０と同様にシリコン基板上に平坦化層
を形成し、この平坦化層上に前記各感光性組成物溶液を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＲ水溶液で現像し
てポジパターン（上層パターン）を形成し、更に上層パ
ターンをマスクとして下層の平坦化層を酸素ＲＩＥを行
った。なお、実施例３１では１，０重量％濃度のＴＭＡ
Ｈ水溶液で現像を行ない、実施例３２〜３５では３．０
重量％濃度のＴＭＡＨ水溶液で現像を行なった。

本実施例３０〜３５の酸素ＲＩＥ後の平坦化層のパター
ン形状を走査型電子顕微鏡で観察した。その結果を、同
第１１表に併記した。なお、第１１表中の数値は膜厚２
．３μｍでライン幅及びライン間隔を示す。この第１１
表から明らかなようにライン幅及びライン間隔が０．３
５μｍと微細で急峻なパターンプロファイルを有する二
層パターンを形成できることがわかる。

実施例３６ まず、後掲する第１２表に示す構造式にて表されるポリ
シロキサン７０ｇと同第１２表に示す一般式にて表わさ
れる化合物４ｇと同第１２表に示す溶解抑制剤４０ｇと
をエチルセロソルブアセテート４００ｇで溶解させ、０
．２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィルタを用いて濾
過することにより感光性組成物溶液を調製した。

次いで、実施例３０と同様にシリコン基板上に平坦化層
を形成し、この平坦化層上に前記感光性組成物溶液を塗
布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像して
ポジパターン（上層パターン）を形威し、更に上層パタ
ーンをマスクとして下層の平坦化層を酸素ＲＩＥを行っ
た。

実施例３７〜４１ 後掲する第１２表に示すケイ素を含有するアルカリ可溶
性重合体と一般式にて表される化合物と溶解抑制剤とを
同第１２表の配合量でエチルセロソルブアセテート　４
００ｇにて溶解させ、０．２μｍのフッ素樹脂製メンブ
ランフィルタを用いて濾過することにより　５種の感光
性組成物溶液を調製した。

次いで、実施例３０と同様にシリコン基板上に平坦化層
を形成し、この平坦化層上に前記各感光性組成物溶液を
塗布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像し
てポジパターン（上層パターン）を形成し、更に上層パ
ターンをマスクとして下層の平坦化層を酸素ＲＩＥを行
った。なお、実施例３７では１．０重量％濃度のＴＭＡ
Ｒ水溶液で現像を行ない、実施例３８〜４１では３．０
重量％濃度のＴＭＡＨ水溶液で現像を行なった。

本実施例３６〜４１の酸素ＲＩＥ後の平坦化層のパター
ン形状を走査型電子顕微鏡で観察した。その結果を、同
第１２表に併記した。この第１２表から明らかなように
ライン幅及びライン間隔が０．３５μｍと微細で急峻な
パターンプロファイルを有する二層パターンを形成でき
ることがわかる。

実施例４２ まず、後掲する第１３表に示す構造式にて表されるポリ
シロキサン７０ｇと同第１３表に示す一般式にて表わさ
れる化合物４ｇと同第１３表に示す溶解抑制剤４０ｇと
をエチルセロソルブアセテート４００ｇで溶解させ、０
．２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィルタを用いて濾
過することにより感光性組成物溶液を調製した。

次いで、実施例３０と同様にシリコン基板上に平坦化層
を形成し、この平坦化層上に前記感光性組成物溶液を塗
布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＲ水溶液で現像して
ポジパターン（上層パターン）を形成し、更に上層パタ
ーンをマスクとして下層の平坦化層を酸素ＲＩＥを行っ
た。

実施例４３〜４７ 後掲する第１３表に示すケイ素を含有するアルカリ可溶
性重合体と一般式にて表される化合物と溶解抑制剤とを
同第１３表の配合量でエチルセロソルブアセテート４０
０ｇにて溶解させ、０，２μｍのフッ素樹脂製メンブラ
ンフィルタを用いて濾過することにより　５種の感光性
組成物溶液を調製した。

次いで、実施例３０と同様にシリコン基板上に平坦化層
を形成し、この平坦化層上に前記各感光性組成物溶液を
塗布、乾燥、露光を行った後、３．０重量％濃度のＴＭ
ＡＨ水溶液で現像してポジパターン（上層パターン）を
形成し、更に上層パターンをマスクとして下層の平坦化
層を酸素ＲＩＥを行った。

本実施例４２〜４７の酸素ＲＩＥ後の平坦化層のパター
ン形状を走査型電子顕微鏡で観察した。その結果を、同
第１３表に併記した。この第１３表から明らかなように
ライン幅及びライン間隔が０．３５μｍと微細で急峻な
パターンプロファイルを有する二層パターンを形成でき
ることがわかる。

実施例４８ まず、後掲する第１４表に示す構造式にて表されるポリ
シロキサン７０ｇと同第１４表に示す一般式にて表わさ
れる化合物４ｇと同第１４表に示す溶解抑制剤３５ｇと
をエチルセロソルブアセテート　４００ｇで溶解させ、
０．２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィルタを用いて
濾過することにより感光性組成物溶液を調製した。

次いで、実施例３０と同様にシリコン基板上に平坦化層
を形成し、この平坦化層上に前記感光性組成物溶液を塗
布、乾燥、露光を行った後、ＴＭＡＨ水溶液で現像して
ポジパターン（上層パターン）を形成し、更に上層パタ
ーンをマスクとして下層の平坦化層を酸素ＲＩＥを行っ
た。

実施例４９〜５３ 後掲する第１４表に示すケイ素を含有するアルカリ可溶
性重合体と一般式にて表される化合物と溶解抑制剤とを
同第１４表の配合量でエチルセロソルブアセテート　４
００ｇにて溶解させ、０．２μｍのフッ素樹脂製メンブ
ランフィルタを用いて濾過することにより　５種の感光
性組成物溶液を調製した。

次いで、実施例３０と同様にシリコン基板上に平坦化層
を形成し、この平坦化層上に前記各感光性組成物溶液を
塗布、乾燥、露光を行った後、３゜０重量％濃度のＴＭ
ＡＨ水溶液で現像してポジパタン（上層パターン）を形
成し、更に上層パターンをマスクとして下層の平坦化層
を酸素ＲＩＥを行った。

本実施例４８〜５３の酸素ＲＩＥ後の平坦化層のパター
ン形状を走査型電子顕微鏡で観察した。その結果を、同
第１４表に併記した。この第１４表から明らかなように
ライン幅及びライン間隔が０．３５μｍと微細で急峻な
パターンプロファイルを有する二層パターンを形成でき
ることがわかる。

比較例１ 後掲する第１５表に示すポリ（ｐ−ビニルフェノール）
７０ｇと同第１５表の光照射により酸を発生する化合物
４ｇと同第１５表に示す溶解抑制剤２０ｇをエチルセロ
ソルブアセテート　２５０ｇに溶解させ、０．２μｍの
フッ素樹脂製メンブランフィルタを用いて濾過すること
により感光性組成物溶液を調製した。

次いで、シリコンウェハ上に前記感光性組成物溶液を塗
布し、９０℃で５分間ホットプレート上で乾燥して厚さ
　１．０μｍの感光性樹脂層を形成した。

つづいて、この感光性樹脂層にＫ　ｒ　Ｆ　（２４８ｎ
ｍ）エキシマレーザ光を用いた縮小投影露光機でパター
ン露光（１００ｍＪ／　ｃ＋ｎ２）を行なった。この後
、　１．８重量％濃度のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸漬し
て現像したか、パターンを形成することができなかった
。

比較例２．３ 後掲する第１５表に示すアルカリ可溶性重合体と光照射
により酸を発生する化合物と溶解抑制剤とを同第１５表
の配合量でエチルセロソルブアセテート２５０ｇにて溶
解させ、０．２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィルタ
を用いて濾過することにより２種の感光性組成物溶液を
調製した。

次いで、シリコンウェハ上に前記各感光性組成物溶液を
用いて比較例１と同様に塗布、乾燥、パターン露光を行
なった後、２．３８重量％濃度のＴＭＡＨ水溶液で現像
処理したが、パターンを形成することができなかった。

比較例４ 後掲する第１５表に示す構造式にて表されるポリシロキ
サン７０ｇと同第１５表に示す光照射により酸を発生す
る化合物４ｇと同第１５表に示す溶解抑制剤２０ｇをエ
チルセロソルブアセテ−）　　４００ｇにて溶解させ、
０．２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィルタを用いて
濾過することにより感光性組成物溶液を調製した。

次いで、シリコン基板上に市販のノボラック樹脂からな
る高分子材料溶液を２．０μｍの厚さに塗布した後、２
２０℃で３０分間加熱処理して高分子材料層（平坦化層
）を形成した。つづいて、この平坦化層上に前記感光性
組成物溶液を２．０μｍの厚さに塗布し、ホットプレー
ト上で９０℃、５分間乾燥した後、波長２４８ｒ＋ｍの
ＫｒＦエキシマレーザ光を用いパターン露光（１５０ｉ
Ｊ／　ｃｍ２）を行なった。

この後、１．８重量％濃度のＴＭＡＨ水溶液に１分間浸
漬して現像処理を行なったが、パターンを形成すること
ができなかった。

比較例５．６ 後掲する第１５表に示す構造式にて表されるケイ素を含
有するアルカリ可溶性重合体と光照射により酸を発生す
る化合物と溶解抑制剤を同第１５表に示す配合量でエチ
ルセロソルブアセテート　４００ｇにて溶解させ、０．
２μｍのフッ素樹脂製メンブランフィルタを用いて濾過
することにより　２種の感光性組成物溶液を調製した。

次いで、比較例４と同様にシリコン基板上に平坦化層を
形成し、この平坦化層上に前記各感光性組成物溶液を塗
布、乾燥、露光を行った後、１．８重量％濃度のＴＭＡ
Ｈ水溶液で現像処理を行なったが、いずれもパターンを
形成することができなかった。

［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明に係わる感光性組成物（１）
によればｄｅｅｐＵ　Ｖ及び電離放射線に対して良好に
感光し、かつドライエツチング耐性に優れ、更に露光後
にアルカリ水溶液による現像が可能となり、膨潤等が抑
制された高精度かつ許容性の大きい断面矩形状をなす微
細なパターンを形成でき、ひいては半導体装置のドライ
エツチング工程でのマスクとして有効に利用できる等顕
著な効果を奏する。

また、本発明に係わる感光性組成物（２）によればｄｅ
ｅｐＵ　Ｖ及び電離放射線に対して良好に感光し、かつ
アルカリ水溶液による現像が可能で、現像後において耐
酸素ＲＩＥ性を有する微細なパターンを形成でき、ひい
ては二層レジストシステムへの適用が可能であると共に
、微細加工に極めて好都合である等顕著な効果を奏する
。

第１表 Ｈ３ Ｈ３ （Ｈ３υ Ｈ３ Ｈ３ 第 １ 表 （続き） ＣＨ。

ＣＨ。

第 表 （続き） ＣＨ３ 第 表 （続き） ＣＨ３ ＣＨ３ 第 表 （続き） ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ 第 ■ 表 （続き） ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ Ｈａ 第 ■ 表 （続き） ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ 第 表 （続き） ＣＨ。

ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ８ 第 表 （続き） ＣＨ３ ＣＨ。

ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ Ｈ３ 第 １ 表 （続き） 弔 表 （続き） ＣＨ３ ＣＨ３ ＯＣＨ。

ＣＨ３−Ｃ−ＣＨ５ ＣＨ３−Ｃ−ＣＨ３ Ｏ Ｏ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ １−ＣＨ３ Ｏ ＣＨ３ ＣＨ３−Ｃ−ＣＨ３ ＣＨ３ 弔 表 （続き） 第 表 （続き） ＣＨ３ ＣＨ３−Ｃ−ＣＨ３ ０ ＣＨ３ ｆＣＨ ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＋− Ｏ ＣＨ３−Ｃ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３−Ｃ−ＣＨ３ Ｏ ＣＨ３ ＋　ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＋；′−Ｏ ＣＨ３−ｃ−ＣＨ３ Ｈ３ 第 ２ 表 表 （続き） ＣＨ３ ＣＨ３ 第 表 （続き） ＣＨ（ＣＨ３）２ 第 表 （続き） ＣＨ３ Ｈ３ 第 ２ 表 （続き） Ｈ （ＣＨ３）２ 第 表 （続き） ０ ＣＨ３ 第 表 （続き） 第 表 （続き） ０ （ＣＨ２）２ＣＨ３ ＣＨ３ Ｈ３ 第 ２ 表 （続き） 表 （続き） 第 表 （続き） しＵ ＣＨ。

にＵ （ＣＨ２）ｚｃＨ３ 弔 表 （続き） （ＣＨ３）２ 第 ２ 表 （続き） 弔 表 （続き） Ｈ３ 第 表 第 表 （続き） 一←Ｓｉ ０→「 Ｈ２ Ｈ３ −ｆｓｉ−０→Ｔ 第 ３ 表 （続き） 第 表 （続き） 一＋Ｓ　ｉ　−０→「 第 表 （続き） Ｈ２ Ｈ２ Ｈ２ Ｈ２ 第 表 第 ４ 表 （続き） 第 表 Ｈ ２Ｈ５ Ｈ３ Ｈ３ 第 表 （続き） 第 表 （続き） ２Ｈ５ ２Ｈ５ Ｈ３ Ｈａ Ｈ３ （ＪＨ ２Ｈ５ Ｈ３ Ｈ３ Ｈ Ｈ ２Ｈ５ Ｈ３ ２Ｈ５ 未 ５ 表 （続き） ＣＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３Ｓｉ　　　ＯＳｉ　　　　ＣＨａＨ３ ＣＨ３ ＣＨ３Ｓｉ　　　ＯＳｉ　　　　ＣＨ３ＣＨ２ ＣＨ２ 第 表 （続き） 第 表 （続き） ＣＨ２ ＣＨ３ 第 表 （続き） ２Ｈ５ ＣＨ３ Ｈ３ 第 ５ 表 （続き） 第 表 （続き） ２Ｈ５ Ｈ ２Ｈ５ ＣＨ３ Ｃ２Ｈ５Ｓｉ　　Ｃ２Ｈ５ ＣＨ３−Ｓ　ｉ　−ＣＨ３ ＣＨ。

ＣＨ３Ｓｉ　　ＣＨ３ ＣＨ２ 第 表 （続き） 第 表 （続き） ＣＨ３ ＣＨ３ Ｈａ Ｓｉ　　ＣＨ３ ＣＨ３ Ｓｉ　　ＣＨ３ ０）１ ２Ｈ５ Ｃ２Ｈ５ ５ 表 （続き） 第 表 ＣＨ。

ＣＨｓ ＣＨ。

→Ｃ−ＣＨｔ＋「→Ｃ−ＣＨ！−ｈ− ０ＯＨ ＣＯＯＣＨｚＳｉ（Ｃｔ（＋）３ ＣＩ（。

ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２５ｌ（ＣＨ３）２ Ｓｉ（ＣＨ３）３ Ｕｔ′Ｉ →Ｃ−ＣＨ，−）ｒ−（Ｃ−ＣＨ，÷ｒＣ２）１５ ０ＯＨ ＣＯＯＣ）１．５ｉ（ＣＨｓ）ｚ Ｌ −（Ｃ−Ｃ÷「→Ｃ−ＣＨ１＋ｒ ＯＯＨ ＣＨ３ ＣＯＯＣ）ＩｔＳｌ（ＣＩ（ｚ）ｓ ＣＯＯＣＨｔＳｌ（ＣＨｚ）ｓ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）アルカリ可溶性重合体と、酸により分解する置換
   基を有する有機化合物からなる溶解抑制剤と、下記一般
   式（ I ）、（II）、（III）又は（IV）にて表わされる
   光照射により酸を発生する化合物とを含むことを特徴と
   する感光性組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 但し、（ I ）式中のＲ＿１〜Ｒ＿３は水素原子、ハロ
   ゲン原子、シアノ基、シリル基又は一価の有機基を示し
   、これらは互いに同一であっても異なってもよくい。Ｒ
   ＿４は、一価以上の有機基、ｎは１〜７の整数を示す。 なお、Ｒ＿２とＲ＿３で炭化水素環基又は複素環基を形
   成してもよい。 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 但し、（II）式中のＲ＿５、Ｒ＿６は水素原子、ハロゲ
   ン原子、シアノ基、シリル基又は一価の有機基を示し、
   これらは互いに同一であっても異なってもよい。Ｒ＿７
   は、一価以上の有機基、Ｘ＿１は−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ
   Ｏ−、−ＳＯ＿２−、ＣＲ＾１Ｒ＾２−、＞Ｎ−ＣＯＲ
   ＾３−（Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３；水素原子、ハロゲン
   原子、シアノ基、シリル基又は一価の有機基を示し、こ
   れらは互いに同一であっても異なってもよい）、ｎは１
   〜７の整数を示す。 ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 但し、（III）式中のＲ＿８、Ｒ＿９は、水素原子、ハ
   ロゲン原子、シアノ基、シリル基又は一価の有機基を示
   し、これらは互いに同一であっても異なってもよい。Ｒ
   ＿１＿０は、一価以上の有機基、Ｘ＿２は−Ｏ−、−Ｓ
   −、−ＣＯ−、−ＳＯ＿２−、ＣＲ＾１Ｒ＾２−、＞Ｎ
   −ＣＯＲ＾３−（Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３；水素原子、
   ハロゲン原子、シアノ基、シリル基又は一価の有機基を
   示し、これらは互いに同一であっても異なってもよい）
   、ｎは１〜７の整数を示す。 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） 但し、（IV）式中のＲ＿１＿１〜Ｒ＿１＿４は、水素原
   子、ハロゲン原子、シアノ基、シリル基又は一価の有機
   基を示し、これらは互いに同一であっても異なってもよ
   い。Ｒ＿１＿５は、一価以上の有機基、ｎは１〜７の整
   数を示す。
2. （２）ケイ素含有アルカリ可溶性重合体と、酸により分
   解する置換基を有する有機化合物からなる溶解抑制剤と
   、請求項１記載の一般式（ I ）、（II）、（III）又は
   （IV）にて表わされる光照射により酸を発生する化合物
   とを含むことを特徴とする感光性組成物。