JPH04215662A - 放射線感受性混合物 - Google Patents
放射線感受性混合物Info
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 26
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 23
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 22
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 18
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 15
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 12
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 5
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- GJWMYLFHBXEWNZ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl (4-ethenylphenyl) carbonate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)OC1=CC=C(C=C)C=C1 GJWMYLFHBXEWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 206010073306 Exposure to radiation Diseases 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 2
- BSNIDJOYUAVJMS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethenylphenoxy)oxane Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1OC1OCCCC1 BSNIDJOYUAVJMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 8
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 abstract description 4
- 150000005206 1,2-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 abstract description 2
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 abstract 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 13
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 For example Chemical group 0.000 description 7
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 4
- VUBUXALTYMBEQO-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoro-1-phenylpropan-1-one Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(=O)C1=CC=CC=C1 VUBUXALTYMBEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical class [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N chloroacetic acid Chemical compound OC(=O)CCl FOCAUTSVDIKZOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229940118056 cresol / formaldehyde Drugs 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N iodonium Chemical compound [IH2+] MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010517 secondary reaction Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- NKGOQFJODHBZMQ-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl) 2-methylbutan-2-yl carbonate Chemical group CCC(C)(C)OC(=O)OC1=CC=C(C=C)C=C1 NKGOQFJODHBZMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWGBHFOUGLNSOX-UHFFFAOYSA-N (4-ethenylphenyl) propan-2-yl carbonate Chemical compound CC(C)OC(=O)OC1=CC=C(C=C)C=C1 WWGBHFOUGLNSOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCUWXIHEIPVBEI-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylethenoxy)oxane Chemical compound O1CCCCC1OC=CC1=CC=CC=C1 WCUWXIHEIPVBEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OODGPKJPJBOZQL-UHFFFAOYSA-N 2-(4-ethenylphenoxy)oxane Chemical compound C1=CC(C=C)=CC=C1OC1OCCCC1 OODGPKJPJBOZQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUOJVMRAJKNXHL-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxan-2-yl)phenyl]ethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1C1OCCCC1 XUOJVMRAJKNXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropyl acetate Chemical compound COCCCOC(C)=O CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006283 4-chlorobenzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1Cl)C([H])([H])* 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUDQDWGNQVEFAC-UHFFFAOYSA-N Dihydropyran Chemical compound C1COC=CC1 BUDQDWGNQVEFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229920001744 Polyaldehyde Polymers 0.000 description 1
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- RHYWINORESCUAK-UHFFFAOYSA-N acetic acid;pentane-2,3-diol Chemical compound CC(O)=O.CCC(O)C(C)O RHYWINORESCUAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 229940106681 chloroacetic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- JQPJUMZOIDMNPW-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl (4-ethenylphenyl) carbonate Chemical compound C1=CC(C=C)=CC=C1OC(=O)OC1CCCCC1 JQPJUMZOIDMNPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical compound [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical class C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 125000003854 p-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Cl 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- CLUKQZWNNHBNCR-UHFFFAOYSA-N trifluoromethanesulfonate;tris(4-hydroxyphenyl)sulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(O)=CC=C1[S+](C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 CLUKQZWNNHBNCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical class C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLQNTCAEENMAON-UHFFFAOYSA-N tris(2-trimethylsilyloxyphenyl)sulfanium Chemical class C[Si](C)(C)OC1=CC=CC=C1[S+](C=1C(=CC=CC=1)O[Si](C)(C)C)C1=CC=CC=C1O[Si](C)(C)C DLQNTCAEENMAON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIICOVQMFNWHTP-UHFFFAOYSA-N tris(4-ethoxycarbonyloxyphenyl)sulfanium Chemical class C1=CC(OC(=O)OCC)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC(=O)OCC)=CC=1)C1=CC=C(OC(=O)OCC)C=C1 QIICOVQMFNWHTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUWXFPUSCUUNPR-UHFFFAOYSA-O tris(4-hydroxyphenyl)sulfanium Chemical class C1=CC(O)=CC=C1[S+](C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 XUWXFPUSCUUNPR-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- RDCODPXHHPLMQI-UHFFFAOYSA-N tris[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxycarbonyloxy]phenyl]sulfanium Chemical class C1=CC(OC(=O)OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC(=O)OC(C)(C)C)=CC=1)C1=CC=C(OC(=O)OC(C)(C)C)C=C1 RDCODPXHHPLMQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、水に不溶性であるがア
ルカリ性水溶液に可溶性であるバインダー、放射線に露
光された時に酸を生成する化合物および酸による接触加
水分解を受け、その結果として混合物のアルカリ溶解性
が増大される有機化合物を含むポジ型に作用する放射線
感受性混合物に係るものである。これらの混合物は、紫
外線照射、電子線およびX−線に対して感受性があり、
特にレジスト材料として好適である。
ルカリ性水溶液に可溶性であるバインダー、放射線に露
光された時に酸を生成する化合物および酸による接触加
水分解を受け、その結果として混合物のアルカリ溶解性
が増大される有機化合物を含むポジ型に作用する放射線
感受性混合物に係るものである。これらの混合物は、紫
外線照射、電子線およびX−線に対して感受性があり、
特にレジスト材料として好適である。
【0002】
【従来の技術】ポジ型の放射線感受性混合物は既知であ
り、特にアルカリ性水溶液中に可溶性であるバインダー
中にo−キノンジアジドを含むポジ型のレジスト材料、
例えばノボラックまたはポリ−p−ビニルフェノール類
は、工業的に利用されている。しかしながら、これらの
システムのあるものの放射線に対する感度、特に短波放
射線に対する感度は不十分である。
り、特にアルカリ性水溶液中に可溶性であるバインダー
中にo−キノンジアジドを含むポジ型のレジスト材料、
例えばノボラックまたはポリ−p−ビニルフェノール類
は、工業的に利用されている。しかしながら、これらの
システムのあるものの放射線に対する感度、特に短波放
射線に対する感度は不十分である。
【0003】一次光反応で一種の種子化合物を生成し、
これが放射線の有無に関係なく接触二次反応を開始する
ような放射線感受性系の感度増加が発表されている。従
って、例えば米国特許第3915706号は光反応開始
剤を記載しており、これが強酸を生成しこの強酸がポリ
アルデヒド基のような酸に不安定な化合物を二次反応で
開裂している。
これが放射線の有無に関係なく接触二次反応を開始する
ような放射線感受性系の感度増加が発表されている。従
って、例えば米国特許第3915706号は光反応開始
剤を記載しており、これが強酸を生成しこの強酸がポリ
アルデヒド基のような酸に不安定な化合物を二次反応で
開裂している。
【0004】別の既知放射線感受性混合物は酸開裂化合
物に基づく混合物であり、バインダーとしてアルカリ性
水溶液に可溶性のポリマー、および光化学反応において
強酸を生成する化合物、および酸開裂する結合を有して
いてそのアルカリ性現像液に対する溶解度が酸の作用に
より増加するさらなる化合物を含んでいる(参照、ドイ
ツ特許公開公報第3406927号)。光化学反応にお
いて強酸を生成する化合物は、ジアゾニウム、ホスホニ
ウム、スルホニウム、ヨードニウムおよびハロゲン化合
物である。レジスト材料において光反応による酸供与体
としてこれらのオニウム塩を使用することは、また例え
ば米国特許第4491628号中に開示されている。レ
ジスト材料でのオニウム塩使用の概要は、クリベロ(C
rivello)によりポリマー・サイエンス(Pol
ym.Sci.)48巻(1985)、65−69頁の
有機コーティングおよび応用(Org.Coating
sand Appl.)中で発表されている。
物に基づく混合物であり、バインダーとしてアルカリ性
水溶液に可溶性のポリマー、および光化学反応において
強酸を生成する化合物、および酸開裂する結合を有して
いてそのアルカリ性現像液に対する溶解度が酸の作用に
より増加するさらなる化合物を含んでいる(参照、ドイ
ツ特許公開公報第3406927号)。光化学反応にお
いて強酸を生成する化合物は、ジアゾニウム、ホスホニ
ウム、スルホニウム、ヨードニウムおよびハロゲン化合
物である。レジスト材料において光反応による酸供与体
としてこれらのオニウム塩を使用することは、また例え
ば米国特許第4491628号中に開示されている。レ
ジスト材料でのオニウム塩使用の概要は、クリベロ(C
rivello)によりポリマー・サイエンス(Pol
ym.Sci.)48巻(1985)、65−69頁の
有機コーティングおよび応用(Org.Coating
sand Appl.)中で発表されている。
【0005】酸に不安定な側鎖と光反応による酸供与体
を有するポリマー類の放射線感受性混合物は、例えば米
国特許第4491628号およびフランス特許第257
0844号中に開示されている。しかしながら、これら
のポリマーバインダーは疎水性であり、露光後にのみア
ルカリ可溶性となる。
を有するポリマー類の放射線感受性混合物は、例えば米
国特許第4491628号およびフランス特許第257
0844号中に開示されている。しかしながら、これら
のポリマーバインダーは疎水性であり、露光後にのみア
ルカリ可溶性となる。
【0006】フェノール性基および酸に不安定な基を有
する共重合体、例えばポリ−(p−ヒドロキシスチレン
/ターシャリ−ブトキシカルボニルオキシスチレン)共
重合体は、ポリマー・サイエンス誌(J.Polym.
Sci.),パートA,ポリマーケミカル(Polym
.Chem.)24巻(1986),2971−198
0頁において発表されている。しかしながら、もし未だ
アルカリ可溶性であるこの基を有するこれらの共重合体
が、米国特許第4491628号にもまた記載されてい
るようなトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロ−ヒ
酸塩等の市販スルホニウム塩と一緒に使用されるならば
、これらの混合物は、上述のスルホニウム塩が溶解度を
抑制する方向で十分に寄与しないために、非露光部分か
ら非常に大量の材料が除去されるという欠点を有してい
る。さらに、露光後において、アルカリ可溶性光反応生
成物が生成しないので、これらの塩はアルカリ性現像液
中への露光部分の溶解度を増加するのに役立っていない
。
する共重合体、例えばポリ−(p−ヒドロキシスチレン
/ターシャリ−ブトキシカルボニルオキシスチレン)共
重合体は、ポリマー・サイエンス誌(J.Polym.
Sci.),パートA,ポリマーケミカル(Polym
.Chem.)24巻(1986),2971−198
0頁において発表されている。しかしながら、もし未だ
アルカリ可溶性であるこの基を有するこれらの共重合体
が、米国特許第4491628号にもまた記載されてい
るようなトリフェニルスルホニウムヘキサフルオロ−ヒ
酸塩等の市販スルホニウム塩と一緒に使用されるならば
、これらの混合物は、上述のスルホニウム塩が溶解度を
抑制する方向で十分に寄与しないために、非露光部分か
ら非常に大量の材料が除去されるという欠点を有してい
る。さらに、露光後において、アルカリ可溶性光反応生
成物が生成しないので、これらの塩はアルカリ性現像液
中への露光部分の溶解度を増加するのに役立っていない
。
【0007】ドイツ特許公開公報第3721741号は
、アルカリ性水溶液に可溶性であるポリマーバインダー
、およびアルカリ性水溶液の現像液に対する溶解度が酸
の作用により増加しおよび1個以上の酸による開裂基を
含み、放射線に露光すると強酸を生成するような有機化
合物を含んでいる放射線感受性混合物を、記載している
。
、アルカリ性水溶液に可溶性であるポリマーバインダー
、およびアルカリ性水溶液の現像液に対する溶解度が酸
の作用により増加しおよび1個以上の酸による開裂基を
含み、放射線に露光すると強酸を生成するような有機化
合物を含んでいる放射線感受性混合物を、記載している
。
【0008】
【発明の目的】本発明の目的は、アルカリ性水溶液で現
像されることができ短波長の紫外線光に感度のある多層
体の製造ができるシステムとして、レリーフ体製造用の
新規な高活性ポジ型放射線感受性システムを提供するこ
とである。
像されることができ短波長の紫外線光に感度のある多層
体の製造ができるシステムとして、レリーフ体製造用の
新規な高活性ポジ型放射線感受性システムを提供するこ
とである。
【0009】
【発明の構成】我々はこの目的が、水には不溶性である
がアルカリ性水溶液に可溶性であるバインダー、酸の作
用で加水分解される酸に不安定な有機化合物および放射
線に対して露光した時に強酸を生成する化合物とを含む
放射線感受性混合物が、画像形成的に露光され加熱され
、画像形成露光部が現像液により洗去されることができ
るならば、達成されるということを発見した。
がアルカリ性水溶液に可溶性であるバインダー、酸の作
用で加水分解される酸に不安定な有機化合物および放射
線に対して露光した時に強酸を生成する化合物とを含む
放射線感受性混合物が、画像形成的に露光され加熱され
、画像形成露光部が現像液により洗去されることができ
るならば、達成されるということを発見した。
【0010】驚くべきことに、短波紫外線光によりレリ
ーフ体製造のための高活性放射線感受性システムは、あ
る種のピロカテコール誘導体をアルカリ性水溶液中への
バインダー溶解度抑制化合物として使用することにより
達成され、上記のシステムは非常に良好な再現性および
高い解像性を特にノボラック−ベースバインダーとの組
合わせで実施する時に表わすことを、発見した。
ーフ体製造のための高活性放射線感受性システムは、あ
る種のピロカテコール誘導体をアルカリ性水溶液中への
バインダー溶解度抑制化合物として使用することにより
達成され、上記のシステムは非常に良好な再現性および
高い解像性を特にノボラック−ベースバインダーとの組
合わせで実施する時に表わすことを、発見した。
【0011】本発明は、
(a)水に不溶性であるがアルカリ性水溶液に可溶性の
バインダーまたはバインダー混合物、 (b)放射線に暴露した時に強酸を生成する化合物およ
び (c)(a)のアルカリ性水溶液中への溶解度を抑制す
る1個以上の有機化合物から本質的になる放射線感受性
混合物 に係るものであり、ここにおいて有機化合物(c)は一
般式(I)の化合物であり
バインダーまたはバインダー混合物、 (b)放射線に暴露した時に強酸を生成する化合物およ
び (c)(a)のアルカリ性水溶液中への溶解度を抑制す
る1個以上の有機化合物から本質的になる放射線感受性
混合物 に係るものであり、ここにおいて有機化合物(c)は一
般式(I)の化合物であり
【0012】
【化6】
ここにおいてR1およびR2は同じであるかまたは異な
っており各々が水素、アルキル、アルコキシ、アリール
またはアラルキルであり、R3およびR4は同じである
かまたは異なっており各々がアルキル、シクロアルキル
、アラルキル、非置換であるかまたはアルキル置換また
はハロゲン置換アリールまたは次式の基であり
っており各々が水素、アルキル、アルコキシ、アリール
またはアラルキルであり、R3およびR4は同じである
かまたは異なっており各々がアルキル、シクロアルキル
、アラルキル、非置換であるかまたはアルキル置換また
はハロゲン置換アリールまたは次式の基であり
【001
3】
3】
【化7】
ここでnは1から5までであり、R5がアルキル、アル
コキシ、アリールまたはアラルキルであるか、またはR
3がR4と一緒になってmが4から6までである−(C
H2)m−によって5員環乃至7員環を形成している。
コキシ、アリールまたはアラルキルであるか、またはR
3がR4と一緒になってmが4から6までである−(C
H2)m−によって5員環乃至7員環を形成している。
【0014】新規の放射線感受性混合物は、バインダー
(a)としてフェノール樹脂、例えば重量平均分子量M
wが300から20,000までであるノボラック樹脂
またはポリ−(p−ヒドロキシスチレン)、ポリ−(p
−ヒドロキシ−α−メチルスチレン)、またはp−ヒド
ロキシスチレンとp−ターシャリ−ブトキシカルボニル
オキシスチレンとの共重合体、p−ヒドロキシスチレン
とアルコキシスチレンとの共重合体、またはp−ヒドロ
キシスチレンと2−テトラヒドロピラニルオキシスチレ
ンとの共重合体(ここでこれらの共重合体はまたポリマ
ー類似反応により製造されることができる)であり、各
々の場合に重量平均分子量Mwが200から200,0
00までであるポリマーを含むことができる。
(a)としてフェノール樹脂、例えば重量平均分子量M
wが300から20,000までであるノボラック樹脂
またはポリ−(p−ヒドロキシスチレン)、ポリ−(p
−ヒドロキシ−α−メチルスチレン)、またはp−ヒド
ロキシスチレンとp−ターシャリ−ブトキシカルボニル
オキシスチレンとの共重合体、p−ヒドロキシスチレン
とアルコキシスチレンとの共重合体、またはp−ヒドロ
キシスチレンと2−テトラヒドロピラニルオキシスチレ
ンとの共重合体(ここでこれらの共重合体はまたポリマ
ー類似反応により製造されることができる)であり、各
々の場合に重量平均分子量Mwが200から200,0
00までであるポリマーを含むことができる。
【0015】バインダー成分(a)は、(a),(b)
および(c)の下で示されているパーセントの合計が1
00であるという条件で、成分(a)+(b)+(c)
の合計量当りで、通常50乃至95重量%の量で存在し
ている。
および(c)の下で示されているパーセントの合計が1
00であるという条件で、成分(a)+(b)+(c)
の合計量当りで、通常50乃至95重量%の量で存在し
ている。
【0016】放射線に暴露した時に酸を生成する好適な
化合物(b)は、一般式(II)または(III)のオ
ニウム塩であり
化合物(b)は、一般式(II)または(III)のオ
ニウム塩であり
【0017】
【化8】
ここでRα,RβおよびRγは同じであるかまたは異な
っており各々がアルキル、アリール、アラルキルまたは
次式の基であり
っており各々がアルキル、アリール、アラルキルまたは
次式の基であり
【0018】
【化9】
ここでRδ,RεおよびRζは同じであるかまたは異な
っており、各々が水素、ヒドロキシ、ハロゲン、アルキ
ルまたはアルコキシであり、
っており、各々が水素、ヒドロキシ、ハロゲン、アルキ
ルまたはアルコキシであり、
【0019】
【化10】
成分(b)は、通常成分(a)+(b)+(c)の合計
量当りで1から20重量%の量で存在している。
量当りで1から20重量%の量で存在している。
【0020】新規の放射線感受性混合物は、好適にはア
ルカリ性水溶液への成分(a)の溶解度を抑制する有機
化合物(c)として、次式の化合物の1個以上を含んで
おり
ルカリ性水溶液への成分(a)の溶解度を抑制する有機
化合物(c)として、次式の化合物の1個以上を含んで
おり
【0021】
【化11】
ここでR′およびR″は同じであるかまたは異なってお
り各々が炭素原子1乃至6個のアルキル、フェニルまた
はベンジルでありnが1であり、成分(c)が通常成分
(a)+(b)+(c)の合計量当りで1から49重量
%までの量で存在している。(a),(b)および(c
)の下で示されているパーセントの合計は、100であ
る。
り各々が炭素原子1乃至6個のアルキル、フェニルまた
はベンジルでありnが1であり、成分(c)が通常成分
(a)+(b)+(c)の合計量当りで1から49重量
%までの量で存在している。(a),(b)および(c
)の下で示されているパーセントの合計は、100であ
る。
【0022】新規の放射線感受性混合物は、さらに放射
線を吸収して成分(b)に変換する増感剤を含むことが
でき、またはさらに成分(a)+(b)+(c)の合計
量当りで1重量%以下の接着促進剤、表面活性剤または
染料を含むことができる。
線を吸収して成分(b)に変換する増感剤を含むことが
でき、またはさらに成分(a)+(b)+(c)の合計
量当りで1重量%以下の接着促進剤、表面活性剤または
染料を含むことができる。
【0023】本発明は、さらに常法で前処理された基材
に0.1から5μmの層の厚さでフォトレジスト溶液を
施工し、乾燥、画像形成露光、必要ならば150℃まで
の温度に加熱しアルカリ性水溶液で現像することにより
レリーフ体製造またはウエーハ製造の方法に係るもので
あり、ここで使用するフォトレジスト溶液が新規の放射
線感受性混合物を含んでいる。
に0.1から5μmの層の厚さでフォトレジスト溶液を
施工し、乾燥、画像形成露光、必要ならば150℃まで
の温度に加熱しアルカリ性水溶液で現像することにより
レリーフ体製造またはウエーハ製造の方法に係るもので
あり、ここで使用するフォトレジスト溶液が新規の放射
線感受性混合物を含んでいる。
【0024】新規のシステムは、特に特別に経済的なノ
ボラック−ベースバインダーと組合わせて使用されるこ
とができるので、有利である。上記のシステムで得られ
るレリーフ体は、非常に良好な再現性および高い解像力
を有している。
ボラック−ベースバインダーと組合わせて使用されるこ
とができるので、有利である。上記のシステムで得られ
るレリーフ体は、非常に良好な再現性および高い解像力
を有している。
【0025】新規の放射線感受性混合物の諸成分に関し
ては、以下にそれぞれの特徴を述べることができる。
ては、以下にそれぞれの特徴を述べることができる。
【0026】a)プラズマエッチング安定性が一般的に
要求されるので、水に不溶性であるがアルカリ性水溶液
に可溶性である適当なバインダーまたはバインダー混合
物は通常フェノール樹脂であり、例えば重量平均分子量
が300から20,000まで、好適には300から2
,000グラムモルであり、短波紫外線範囲(≦300
nm)で露光するためには特にp−クレゾール/ホルム
アルデヒド、ポリ−(p−ヒドロキシスチレン)および
ポリ−(p−ヒドロキシ−α−メチルスチレン)をベー
スにした特殊ノボラック樹脂であり、ここでこれらのポ
リ−(p−ヒドロキシスチレン)は一般的に重量平均分
子量Mw200から200,000まで、好適には1,
000から40,000グラムモルであり、さらに既知
方法においてこれらポリマーのヒドロキシル基の、例え
ばクロル酢酸、クロル酢酸エステル、アルキルハロゲニ
ド、ベンジルハロゲニド、3,4−ジヒドロピラン、ク
ロロカルボン酸エステルおよび/または焦性カルボン酸
エステル(ピロカルボン酸エステル)との反応(ポリマ
ー類似反応)によって変性されることができる。このよ
うな方法で得られ、本発明方法ではまた共重合体である
として理解されている変性ポリマーバインダー(a)は
、例えばp−ヒドロキシスチレンおよびp−ターシャリ
ーブトキシカルボニルオキシスチレンからの共重合体、
p−ヒドロキシスチレンおよびアルコキシスチレンから
の共重合体およびp−ヒドロキシスチレンと2−テトラ
ヒドロピラニル−ヒドロキシスチレンからの共重合体で
ある。p−ヒドロキシスチレンの好適な共重合体は保護
側鎖を有しており、特に次式の基を有していて
要求されるので、水に不溶性であるがアルカリ性水溶液
に可溶性である適当なバインダーまたはバインダー混合
物は通常フェノール樹脂であり、例えば重量平均分子量
が300から20,000まで、好適には300から2
,000グラムモルであり、短波紫外線範囲(≦300
nm)で露光するためには特にp−クレゾール/ホルム
アルデヒド、ポリ−(p−ヒドロキシスチレン)および
ポリ−(p−ヒドロキシ−α−メチルスチレン)をベー
スにした特殊ノボラック樹脂であり、ここでこれらのポ
リ−(p−ヒドロキシスチレン)は一般的に重量平均分
子量Mw200から200,000まで、好適には1,
000から40,000グラムモルであり、さらに既知
方法においてこれらポリマーのヒドロキシル基の、例え
ばクロル酢酸、クロル酢酸エステル、アルキルハロゲニ
ド、ベンジルハロゲニド、3,4−ジヒドロピラン、ク
ロロカルボン酸エステルおよび/または焦性カルボン酸
エステル(ピロカルボン酸エステル)との反応(ポリマ
ー類似反応)によって変性されることができる。このよ
うな方法で得られ、本発明方法ではまた共重合体である
として理解されている変性ポリマーバインダー(a)は
、例えばp−ヒドロキシスチレンおよびp−ターシャリ
ーブトキシカルボニルオキシスチレンからの共重合体、
p−ヒドロキシスチレンおよびアルコキシスチレンから
の共重合体およびp−ヒドロキシスチレンと2−テトラ
ヒドロピラニル−ヒドロキシスチレンからの共重合体で
ある。p−ヒドロキシスチレンの好適な共重合体は保護
側鎖を有しており、特に次式の基を有していて
【0027】
【化12】
ここでx≧yでありRが次式の基となっており
【002
8】
8】
【化13】
従って例えばp−(2−テトラヒドロピラニル)−オキ
シスチレン、p−(イソプロピルオキシカルボニル)−
オキシスチレン、p−(シクロヘキシルオキシ−カルボ
ニル)−オキシスチレン、p−(タ−シャリーブトキシ
カルボニル)−オキシスチレンおよび/またはp−(タ
ーシャリ−ペンチルオキシカルボニル)−オキシスチレ
ン単位を有する共重合体である。
シスチレン、p−(イソプロピルオキシカルボニル)−
オキシスチレン、p−(シクロヘキシルオキシ−カルボ
ニル)−オキシスチレン、p−(タ−シャリーブトキシ
カルボニル)−オキシスチレンおよび/またはp−(タ
ーシャリ−ペンチルオキシカルボニル)−オキシスチレ
ン単位を有する共重合体である。
【0029】上述のバインダー(a)の混合物も、また
適している。バインダー(a)は、新規混合物において
一般的には放射線感受性混合物(a)+(b)+(c)
の合計量当りで50から95重量%の量で、好適には7
0から85重量%の量で存在している。
適している。バインダー(a)は、新規混合物において
一般的には放射線感受性混合物(a)+(b)+(c)
の合計量当りで50から95重量%の量で、好適には7
0から85重量%の量で存在している。
【0030】b)放射線に露出した時に強酸を生成する
適当な化合物(b)は、原則的にはこの性質を有してい
て従って酸供与体として作用するすべての化合物である
。しかしながら、ヨードニウムおよび特にスルホニウム
塩が短波紫外線光への露光のためには好適である。これ
らは一般式(II)および(III)の化合物であり
適当な化合物(b)は、原則的にはこの性質を有してい
て従って酸供与体として作用するすべての化合物である
。しかしながら、ヨードニウムおよび特にスルホニウム
塩が短波紫外線光への露光のためには好適である。これ
らは一般式(II)および(III)の化合物であり
【
0031】
0031】
【化14】
ここではRα,RβおよびRγが同じであるかまたは異
なっており、各々が例えば1乃至5個、好適には1また
は2個の炭素原子を有するアルキル、アリール、例えば
フェニル、アラルキル、例えばベンジル、または次式の
基であり
なっており、各々が例えば1乃至5個、好適には1また
は2個の炭素原子を有するアルキル、アリール、例えば
フェニル、アラルキル、例えばベンジル、または次式の
基であり
【0032】
【化15】
ここでRδ,RεおよびRζは同じであるかまたは異な
っており各々が水素、ヒドロキシ、ハロゲン、例えば塩
素または臭素、アルキル、例えば1乃至5個の炭素原子
を有するアルキル、好適にはメチルまたはターシャリー
ブチル、またはアルコキシ、例えば1乃至5個の炭素原
子を有するアルコキシであり好適にはメトキシであり、
っており各々が水素、ヒドロキシ、ハロゲン、例えば塩
素または臭素、アルキル、例えば1乃至5個の炭素原子
を有するアルキル、好適にはメチルまたはターシャリー
ブチル、またはアルコキシ、例えば1乃至5個の炭素原
子を有するアルコキシであり好適にはメトキシであり、
【0033】
【化16】
特に好適な成分(b)の例は、トリフェニルスルホニウ
ム塩およびジフェニルヨードニウム塩であり、例えばト
リス−(4−ヒドロキシフェニル)−スルホニウム塩、
トリス−(トリメチルシリルオキシフェニル)−スルホ
ニウム塩、トリス−(4−ターシャリーブトキシカルボ
ニルオキシフェニル)−スルホニウム塩およびトリス−
(4−エトキシカルボニルオキシフェニル)−スルホニ
ウム塩であり、
ム塩およびジフェニルヨードニウム塩であり、例えばト
リス−(4−ヒドロキシフェニル)−スルホニウム塩、
トリス−(トリメチルシリルオキシフェニル)−スルホ
ニウム塩、トリス−(4−ターシャリーブトキシカルボ
ニルオキシフェニル)−スルホニウム塩およびトリス−
(4−エトキシカルボニルオキシフェニル)−スルホニ
ウム塩であり、
【0034】
【化17】
(b)として示されている化合物の混合物も、また使用
されることができる。成分(b)は一般的に新規の放射
線感受性混合物中においては、放射線感受性混合物の(
a)+(b)+(c)の合計量当りで、1乃至20重量
%、好適には3乃至10重量%の量で存在している。
されることができる。成分(b)は一般的に新規の放射
線感受性混合物中においては、放射線感受性混合物の(
a)+(b)+(c)の合計量当りで、1乃至20重量
%、好適には3乃至10重量%の量で存在している。
【0035】c)本発明によれば、一般式(I)の有機
化合物が
化合物が
【0036】
【化18】
バインダー(a)の溶解度を抑制する有機化合物(c)
として使用されており、ここでR1およびR2は同じで
あるかまたは異なっており、各々が、水素、アルキル例
えば1乃至5個の炭素原子を有するアルキル、好適には
メチルまたはターシャリーブチル、アルコキシ例えば1
乃至5個の炭素原子を有するアルコキシ、好適にはメト
キシ、アリール例えばフェニル、またはアラルキル例え
ばベンジルであり、R3およびR4は同じであるかまた
は異なっており、各々がアルキル例えば1乃至5個、好
適には2乃至4個の炭素原子を有するアルキル、例えば
エチル、n−プロピルまたはn−ブチル、アラルキルで
アルキル基が1または2個の炭素原子からなる例えばベ
ンジル、ハロゲン置換アラルキル例えばp−クロルベン
ジル、アリール例えばフェニル、アルキル置換アリール
、例えばトリル、アルコキシ置換アリル、例えばメトキ
シ−フェニル、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素ま
たはヨウ素、好適には塩素または臭素)により置換され
ているアリール、例えばp−クロルフェニル、または次
式の基であり
として使用されており、ここでR1およびR2は同じで
あるかまたは異なっており、各々が、水素、アルキル例
えば1乃至5個の炭素原子を有するアルキル、好適には
メチルまたはターシャリーブチル、アルコキシ例えば1
乃至5個の炭素原子を有するアルコキシ、好適にはメト
キシ、アリール例えばフェニル、またはアラルキル例え
ばベンジルであり、R3およびR4は同じであるかまた
は異なっており、各々がアルキル例えば1乃至5個、好
適には2乃至4個の炭素原子を有するアルキル、例えば
エチル、n−プロピルまたはn−ブチル、アラルキルで
アルキル基が1または2個の炭素原子からなる例えばベ
ンジル、ハロゲン置換アラルキル例えばp−クロルベン
ジル、アリール例えばフェニル、アルキル置換アリール
、例えばトリル、アルコキシ置換アリル、例えばメトキ
シ−フェニル、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素ま
たはヨウ素、好適には塩素または臭素)により置換され
ているアリール、例えばp−クロルフェニル、または次
式の基であり
【0037】
【化19】
ここにおいてnは1から5までであり、好適には1であ
り、R5が例えば1乃至5個の炭素原子、好適には1個
の炭素原子を有するアルキル、または例えば1乃至5個
の炭素原子、好適には1乃至4個の炭素原子を有するア
ルコキシ、例えばメトキシ、エトキシまたはターシャリ
ーブトキシであり、またはアリル即ちフェニル、または
アルキル基の炭素原子が1または2個であるアラルキル
、例えばベンジルであり、またはR3がR4と一緒にな
ってmが2から4個、好適には3個である−(CH2)
m−により5員環乃至7員環、好適には6員環を形成し
ている。
り、R5が例えば1乃至5個の炭素原子、好適には1個
の炭素原子を有するアルキル、または例えば1乃至5個
の炭素原子、好適には1乃至4個の炭素原子を有するア
ルコキシ、例えばメトキシ、エトキシまたはターシャリ
ーブトキシであり、またはアリル即ちフェニル、または
アルキル基の炭素原子が1または2個であるアラルキル
、例えばベンジルであり、またはR3がR4と一緒にな
ってmが2から4個、好適には3個である−(CH2)
m−により5員環乃至7員環、好適には6員環を形成し
ている。
【0038】好適な有機化合物(c)は次式であり
【0
039】
039】
【化20】
ここにおいてR′およびR″は同じであるかまたは異な
っており、各々が1乃至6個、好適には2乃至4個の炭
素原子を有するアルキル、フェニルまたはベンジルであ
る。
っており、各々が1乃至6個、好適には2乃至4個の炭
素原子を有するアルキル、フェニルまたはベンジルであ
る。
【0040】好適な有機化合物(c)の例は、以下に示
される:
される:
【0041】
【化21】
上述の有機化合物(c)の混合物も、また使用されるこ
とができる。有機化合物(c)は、例えば有機合成にお
ける保護基(Protective Groups
in Organic Synthesis),
108頁以下に記載されているような既知方法により製
造されることができ、例えばピロカテコールとカルボニ
ル化合物例えばシクロヘキサノンとから酸の存在で反応
して得られる。
とができる。有機化合物(c)は、例えば有機合成にお
ける保護基(Protective Groups
in Organic Synthesis),
108頁以下に記載されているような既知方法により製
造されることができ、例えばピロカテコールとカルボニ
ル化合物例えばシクロヘキサノンとから酸の存在で反応
して得られる。
【0042】成分(c)は、一般的に新規の放射線感受
性混合物中において、成分(a)+(b)+(c)の合
計量当りで1乃至49重量%、好適には10乃至27重
量%の量で存在している。
性混合物中において、成分(a)+(b)+(c)の合
計量当りで1乃至49重量%、好適には10乃至27重
量%の量で存在している。
【0043】新規の放射線感受性混合物は、以上に加え
てさらに通常の助剤および添加剤を含有することができ
る。
てさらに通常の助剤および添加剤を含有することができ
る。
【0044】新規の混合物は、好適には有機溶剤中に溶
解され、固体含量が通常の場合に5乃至40重量%とな
る。好適な溶剤は、脂肪族ケトン、エーテルおよびエス
テル、およびそれらの混合物である。アルキレングリコ
ールモノアルキルエーテル、例えばエチルセロソルブ、
ブチルグリコール、メチルセロソルブおよび1−メトキ
シ−2−プロパノール、アルキレングリコールアルキル
エーテルエステル類、例えばメチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、メチルプロピレング
リコールアセテートおよびエチルプロピレングリコール
アセテート、ケトン類例えばシクロヘキサノン、シクロ
ペンタノンおよびメチルエチルケトン、およびアセテー
ト例えばブチルアセテート、および芳香族例えばトルエ
ンおよびキシレンが、特に好適である。対応する溶剤お
よび溶剤混合物の選択は、特別なフェノール樹脂、即ち
ノボラックおよび光感受性成分の選択によって決まって
いる。
解され、固体含量が通常の場合に5乃至40重量%とな
る。好適な溶剤は、脂肪族ケトン、エーテルおよびエス
テル、およびそれらの混合物である。アルキレングリコ
ールモノアルキルエーテル、例えばエチルセロソルブ、
ブチルグリコール、メチルセロソルブおよび1−メトキ
シ−2−プロパノール、アルキレングリコールアルキル
エーテルエステル類、例えばメチルセロソルブアセテー
ト、エチルセロソルブアセテート、メチルプロピレング
リコールアセテートおよびエチルプロピレングリコール
アセテート、ケトン類例えばシクロヘキサノン、シクロ
ペンタノンおよびメチルエチルケトン、およびアセテー
ト例えばブチルアセテート、および芳香族例えばトルエ
ンおよびキシレンが、特に好適である。対応する溶剤お
よび溶剤混合物の選択は、特別なフェノール樹脂、即ち
ノボラックおよび光感受性成分の選択によって決まって
いる。
【0045】その他の添加物、例えば接着促進剤、湿潤
剤、染料および可塑剤は、また一般的に1重量%より多
くない量で加えられることができる。
剤、染料および可塑剤は、また一般的に1重量%より多
くない量で加えられることができる。
【0046】必要ならば、長波長の紫外線から可視光範
囲までにおいて化合物を増感させるために、少量の増感
剤が加えられることもできる。多核芳香族、例えばピレ
ンおよびペリレン等がこの目的のために選ばれるが、層
感剤として作用する別の染料もまた使用されることがで
きる。
囲までにおいて化合物を増感させるために、少量の増感
剤が加えられることもできる。多核芳香族、例えばピレ
ンおよびペリレン等がこの目的のために選ばれるが、層
感剤として作用する別の染料もまた使用されることがで
きる。
【0047】レリーフ画像製造用の新規方法においては
、主として新規の放射線感受性混合物からなる放射線感
受性記録層が画像形成するように露光され、露光部分の
アルカリ性水溶液に対する溶解度が増加して、これら露
光部分が選択的にアルカリ性現像液で除去されることが
できるように露光される。
、主として新規の放射線感受性混合物からなる放射線感
受性記録層が画像形成するように露光され、露光部分の
アルカリ性水溶液に対する溶解度が増加して、これら露
光部分が選択的にアルカリ性現像液で除去されることが
できるように露光される。
【0048】新規の放射線感受性混合物の特別な利点は
、短波紫外線光において非常に良好な再現性、高い解像
力および高い選択性を有していることである。
、短波紫外線光において非常に良好な再現性、高い解像
力および高い選択性を有していることである。
【0049】新規の放射線感受性混合物を含有するフォ
トレジスト溶液は、一般的に適当な基材、例えば表面酸
化したシリコンウエーハにスピンコーティングにより0
.1から5μmの層厚さで、好適には0.5から1.5
μmまでの厚さで塗被され、得られた塗被層が例えば7
0℃から130℃の温度で乾燥され、次にフォトマスク
を通して適当光源により画像形成するように露光される
。特に好適な光源は、200から300nm波長を有す
る短波紫外線ランプ(超紫外線)およびフッ化クリプト
ン(KrF)のエキシマレーザー(248nm)である
。画像形成露光後にもし必要ならば150℃より高くな
い温度で簡単な後焼付けした後に、通常のアルカリ性水
溶液現像液を用いて通常12から14のpHで現像が行
なわれ、露光部分が洗去される。解像度はサブミクロン
範囲になっている。新規の放射線感受性混合物に必要な
露光エネルギーは、一般的に1μm厚さの層に対して8
0から250mJ/cm2となっている。
トレジスト溶液は、一般的に適当な基材、例えば表面酸
化したシリコンウエーハにスピンコーティングにより0
.1から5μmの層厚さで、好適には0.5から1.5
μmまでの厚さで塗被され、得られた塗被層が例えば7
0℃から130℃の温度で乾燥され、次にフォトマスク
を通して適当光源により画像形成するように露光される
。特に好適な光源は、200から300nm波長を有す
る短波紫外線ランプ(超紫外線)およびフッ化クリプト
ン(KrF)のエキシマレーザー(248nm)である
。画像形成露光後にもし必要ならば150℃より高くな
い温度で簡単な後焼付けした後に、通常のアルカリ性水
溶液現像液を用いて通常12から14のpHで現像が行
なわれ、露光部分が洗去される。解像度はサブミクロン
範囲になっている。新規の放射線感受性混合物に必要な
露光エネルギーは、一般的に1μm厚さの層に対して8
0から250mJ/cm2となっている。
【0050】以下の実施例においては、特別に記述され
ている以外では部およびパーセントは重量で表わされて
いる。
ている以外では部およびパーセントは重量で表わされて
いる。
【0051】
【実施例】実施例1
フォトレジスト溶液が、重量平均分子量Mw7,000
を有するポリ−(p−ヒドロキシスチレン)の80部、
トリス−(4−ヒドロキシフェニル)−スルホニウムト
リフレートの5部、次式化合物の15部
を有するポリ−(p−ヒドロキシスチレン)の80部、
トリス−(4−ヒドロキシフェニル)−スルホニウムト
リフレートの5部、次式化合物の15部
【0052】
【化22】
およびエチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
トの250部から製造される。
トの250部から製造される。
【0053】同上溶液が、次に孔径0.2μmを有する
フィルターにより濾過される。
フィルターにより濾過される。
【0054】得られたレジスト溶液が、接着促進剤とし
てヘキサメチルジシラザンを塗布してあるシリコンウエ
ーハに4000回/分の回転速度のスピンコーティング
で塗布され、約1μm厚さの塗被層が得られる。ウエー
ハはホットプレート上で3分間80℃で乾燥され、次に
画像形成用に作られたテストマスクと接触されエキシマ
レーザー(λ=248nm,E=35mW/cm2)に
露光される。この後で、ウエーハが1分間80℃に加熱
され、次にpH12.0−13.6の現像液で現像され
る。光感度は150mJ/cm2である。
てヘキサメチルジシラザンを塗布してあるシリコンウエ
ーハに4000回/分の回転速度のスピンコーティング
で塗布され、約1μm厚さの塗被層が得られる。ウエー
ハはホットプレート上で3分間80℃で乾燥され、次に
画像形成用に作られたテストマスクと接触されエキシマ
レーザー(λ=248nm,E=35mW/cm2)に
露光される。この後で、ウエーハが1分間80℃に加熱
され、次にpH12.0−13.6の現像液で現像され
る。光感度は150mJ/cm2である。
【0055】実施例2
フォトレジスト溶液が、クレゾール/ホルムアルデヒド
ノボラック(Mw:約300)の70部、トリフェニル
スルホニウムヘキサフルオロ−ヒ酸塩(ALFAからの
市販品)の5部、次式化合物の25部
ノボラック(Mw:約300)の70部、トリフェニル
スルホニウムヘキサフルオロ−ヒ酸塩(ALFAからの
市販品)の5部、次式化合物の25部
【0056】
【化23】
およびエチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
トの250部を混合して調製され、さらに実施例1に記
載したように処理される。190mJ/cm2の光感度
が、得られる。
トの250部を混合して調製され、さらに実施例1に記
載したように処理される。190mJ/cm2の光感度
が、得られる。
【0057】実施例3
ポリ−(p−ヒドロキシスチレン)(Mw:7,000
)の70部、トリフェニル−スルホニウムヘキサフルオ
ロ−ヒ酸塩の5部、次式化合物の25部
)の70部、トリフェニル−スルホニウムヘキサフルオ
ロ−ヒ酸塩の5部、次式化合物の25部
【0058】
【化24】
およびエチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
トの250部を含むフォトレジスト溶液が、さらに実施
例1同様に処理される。80mJ/cm2の光感度が、
得られる。
トの250部を含むフォトレジスト溶液が、さらに実施
例1同様に処理される。80mJ/cm2の光感度が、
得られる。
Claims (11)
- 【請求項1】 (a)水に不溶性であるがアルカリ性水溶液に可溶性の
バインダーまたはバインダー混合物、 (b)放射線に暴露されて強酸を生成する化合物および
(c)(a)のアルカリ性水溶液中への溶解度を抑制す
る1以上の有機化合物から本質的に構成される放射線感
受性混合物であって、有機化合物(c)が一般式(I)
の化合物であり 【化1】 式中R1およびR2が同じであるかまたは異なっており
各々が水素、アルキル、アルコキシ、アリールまたはア
ラルキル、R3およびR4が同じであるかまたは異なっ
ており各々がアルキル、シクロアルキル、アラルキル、
非置換またはアルキル置換またはハロゲン置換アリール
または次式の基であり 【化2】 ここでnは1乃至5でありR5がアルキル、アルコキシ
、アリールまたはアラルキル、またはR3がR4と一緒
になってmが4乃至6である−(CH2)m−による5
員環乃至7員環を形成することを特徴とする放射線感受
性混合物。 - 【請求項2】 使用されるバインダー(a)がフェノ
ール樹脂であることを特徴とする、請求項 1記載の
放射線感受性混合物。 - 【請求項3】 使用されるフェノール樹脂が重量平均
分子量Mw300から20,000までを有するノボラ
ック樹脂であることを特徴とする、請求項2記載の放射
線感受性混合物。 - 【請求項4】 使用されるバインダー(a)がポリ−
(p−ヒドロキシ−スチレン)、ポリ−(p−ヒドロキ
シ−α−メチルスチレン)、またはp−ヒドロキシスチ
レンとp−ターシャリーブトキシカルボニルオキシスチ
レンとの共重合体、またはp−ヒドロキシスチレンとア
ルコキシスチレンとの共重合体またはp−ヒドロキシス
チレンと2−テトラヒドロピラニルオキシスチレンとの
共重合体であり(ここでこれらの共重合体はまたポリマ
ー類似反応で製造されることができる)、各々の重量平
均分子量Mwが200から200,000の範囲にある
ことを特徴とする、請求項 1記載の放射線感受性混
合物。 - 【請求項5】 (a),(b)および(c)のパーセ
ントの合計が100になるという条件で(a)+(b)
+(c)各成分の合計量当りで、バインダー成分(a)
が50乃至95重量%の量で存在することを特徴とする
、先行請求項のいずれか1項に記載の放射線感受性混合
物。 - 【請求項6】 式(II)または(III)のオニウ
ム塩 【化3】 (ただし式中、Rα,RβおよびRγは同じであるかま
たは異なっており、各々がアルキル、アリール、アラル
キルまたは次式の基であり 【化4】 ここでRδ,RεおよびRζが同じであるかまたは異な
っており、各々がH,OH、ハロゲン、アルキルまたは
アルコキシであり、 【化5】 が放射線露光により強酸を生成する化合物(b)として
使用されることを特徴とする、先行請求項のいずれか1
項に記載の放射線感受性混合物。 - 【請求項7】 成分(b)が、(a)+(b)+(c
)成分の合計量当りで1乃至20重量%の量で存在する
ことを特徴とする、先行請求項のいずれか1項に記載の
放射線感受性混合物。 - 【請求項8】 成分(c)が、(a)+(b)+(c
)成分の合計量当りで1乃至49重量%の量で存在する
ことを特徴とする、先行請求項のいずれか1項に記載の
放射線感受性混合物。 - 【請求項9】 放射線を吸収して成分(b)に転換す
る増感剤を追加して含むことを特徴とする、先行請求項
のいずれか1項に記載の放射線感受性混合物。 - 【請求項10】 (a)+(b)+(c)成分の合計
量当りで、接着促進剤、表面活性剤または染料が添加剤
として1重量%以下で含まれていることを特徴とする、
先行請求項のいずれか1項に記載の放射線感受性混合物
。 - 【請求項11】 フォトレジスト溶液を、常法により
前処理された基材上に0.1乃至5μmの層の厚さで施
工し、乾燥、画像形成露光し、必要ならば150℃より
高くない温度に加熱し、次にアルカリ性水溶液で現像す
ることからなるレリーフ構造またはウエーハの製造法で
あって、用いられるフォトレジスト溶液が請求項 1
〜10項のいずれか1項に記載の放射線感受性混合物を
含むことを特徴とする、レリーフ構造またはウエーハの
製造法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4005212A DE4005212A1 (de) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | Strahlungsempfindliches gemisch |
DE4005212.5 | 1990-02-20 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04215662A true JPH04215662A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=6400512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3024649A Withdrawn JPH04215662A (ja) | 1990-02-20 | 1991-02-19 | 放射線感受性混合物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5204216A (ja) |
EP (1) | EP0443415A3 (ja) |
JP (1) | JPH04215662A (ja) |
DE (1) | DE4005212A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04306204A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-10-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ポリ(テトラヒドロピラニルオキシスチレン)及びその製造方法 |
JP2964107B2 (ja) * | 1991-11-11 | 1999-10-18 | 日本電信電話株式会社 | ポジ型レジスト材料 |
EP0564389A1 (en) * | 1992-04-01 | 1993-10-06 | International Business Machines Corporation | Stabilized chemically amplified positive resist composition containing glycol ether polymers |
US6911293B2 (en) * | 2002-04-11 | 2005-06-28 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Photoresist compositions comprising acetals and ketals as solvents |
CN101974121A (zh) * | 2010-09-28 | 2011-02-16 | 昆山西迪光电材料有限公司 | 化学增幅型高分辨率含硅i-线紫外光刻胶及其成膜树脂 |
CN101974201B (zh) * | 2010-09-30 | 2012-10-31 | 昆山西迪光电材料有限公司 | 紫外厚膜光刻胶及其成膜树脂 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3915706A (en) * | 1974-03-11 | 1975-10-28 | Xerox Corp | Imaging system based on photodegradable polyaldehydes |
US4294909A (en) * | 1979-12-26 | 1981-10-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photosensitive negative-working toning process |
FR2494457A1 (fr) * | 1980-11-18 | 1982-05-21 | James River Graphics Inc | Trifluoromethane sulfonates de diazonium, composition diazographique les contenant et leurs applications |
US4491628A (en) * | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
DE3406927A1 (de) * | 1984-02-25 | 1985-08-29 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen |
FR2570844B1 (fr) * | 1984-09-21 | 1986-11-14 | Commissariat Energie Atomique | Film photosensible a base de polymere silicie et son utilisation comme resine de masquage dans un procede de lithographie |
US4770977A (en) * | 1984-09-21 | 1988-09-13 | Commissariat A L'energie Atomique | Silicon-containing polymer and its use as a masking resin in a lithography process |
DE3730783A1 (de) * | 1987-09-13 | 1989-03-23 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
DE3812326A1 (de) * | 1988-04-14 | 1989-10-26 | Basf Ag | Positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren und photochemisch saeurebildenden verbindungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern |
DE3837438A1 (de) * | 1988-11-04 | 1990-05-10 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
DE3841437A1 (de) * | 1988-12-09 | 1990-06-13 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
US5093221A (en) * | 1990-04-10 | 1992-03-03 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process of making colored images using aqueous processable photosensitive elements |
-
1990
- 1990-02-20 DE DE4005212A patent/DE4005212A1/de not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-01-30 US US07/648,533 patent/US5204216A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-12 EP EP19910101944 patent/EP0443415A3/de not_active Withdrawn
- 1991-02-19 JP JP3024649A patent/JPH04215662A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0443415A3 (en) | 1992-07-15 |
US5204216A (en) | 1993-04-20 |
EP0443415A2 (de) | 1991-08-28 |
DE4005212A1 (de) | 1991-08-22 |
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