JP2845518B2 - 放射線に敏感な混合物 - Google Patents
放射線に敏感な混合物Info
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- JP2845518B2 JP2845518B2 JP1278766A JP27876689A JP2845518B2 JP 2845518 B2 JP2845518 B2 JP 2845518B2 JP 1278766 A JP1278766 A JP 1278766A JP 27876689 A JP27876689 A JP 27876689A JP 2845518 B2 JP2845518 B2 JP 2845518B2
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Food Preservation Except Freezing, Refrigeration, And Drying (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、水に不溶でアルカリ水溶液には可溶な結合
剤、放射線作用下に酸を生成する化合物及び酸触媒の作
用により鹸化、脱カルボキシル化され、よって混合物の
アルカリ溶解度を高める有機化合物を含んでいるポジ型
に作動する、放射線に敏感な混合物に関する。これらの
混合物は紫外線、電子線及びＸ線に敏感であり、とくに
レジスト材料として適している。
剤、放射線作用下に酸を生成する化合物及び酸触媒の作
用により鹸化、脱カルボキシル化され、よって混合物の
アルカリ溶解度を高める有機化合物を含んでいるポジ型
に作動する、放射線に敏感な混合物に関する。これらの
混合物は紫外線、電子線及びＸ線に敏感であり、とくに
レジスト材料として適している。
（従来技術） ポジ型に作動する、放射線に敏感な混合物は公知であ
り、とくにｏ−キノンジアジドをアルカリ水溶液に可溶
の結合剤たとえばノボラック又はポリ（ｐ−ビニルフェ
ノール）中に含んでいる、ポジ型に作動するレジスト材
料は商業的に使用されている。しかしこれらの系の放射
線とくに短波長放射線に対する感度は部分的に不満足で
あった。
り、とくにｏ−キノンジアジドをアルカリ水溶液に可溶
の結合剤たとえばノボラック又はポリ（ｐ−ビニルフェ
ノール）中に含んでいる、ポジ型に作動するレジスト材
料は商業的に使用されている。しかしこれらの系の放射
線とくに短波長放射線に対する感度は部分的に不満足で
あった。
一次光反応において種を生じて、次に放射線とは無関
係に触媒二次反応を引き起こす放射線に敏感なシステム
における感度向上は記述されている。そこで米国特許第
3915706号明細書にはたとえば強酸を生じて次に二次反
応においてポリアルデヒド、グルーピングなど酸不安定
な基を分離する光開始剤が記述してある。
係に触媒二次反応を引き起こす放射線に敏感なシステム
における感度向上は記述されている。そこで米国特許第
3915706号明細書にはたとえば強酸を生じて次に二次反
応においてポリアルデヒド、グルーピングなど酸不安定
な基を分離する光開始剤が記述してある。
さらにまた、結合剤としてアルカリ水溶液に可溶のポ
リマーをならびに光化学的に強酸を生じる化合物及び酸
により分離可能な結合のある別の化合物であって酸の作
用によってそのアルカリ性現像液中の溶解度を高めるも
のを含んでいる酸分離可能の化合物を基質とする放射線
に敏感な混合物が公知である（西独特許公開第3406927
号明細書参照）。光化学的に強酸を生じる化合物として
はジアゾニウム−、ホスホニウム−、スルホニウム−及
びヨードニウム−ならびにハロゲン化合物があげられ
る。これらのオニウム塩のレジスト材料中の光化学的酸
供与体としての使用はたとえば米国特許第4491628号明
細書からも公知である。レジスト材料中のオニウム塩の
使用についての概観はCrivelloがOrg.Coatings and App
l.Polym.Sci.48（1985）65−69頁に示している。
リマーをならびに光化学的に強酸を生じる化合物及び酸
により分離可能な結合のある別の化合物であって酸の作
用によってそのアルカリ性現像液中の溶解度を高めるも
のを含んでいる酸分離可能の化合物を基質とする放射線
に敏感な混合物が公知である（西独特許公開第3406927
号明細書参照）。光化学的に強酸を生じる化合物として
はジアゾニウム−、ホスホニウム−、スルホニウム−及
びヨードニウム−ならびにハロゲン化合物があげられ
る。これらのオニウム塩のレジスト材料中の光化学的酸
供与体としての使用はたとえば米国特許第4491628号明
細書からも公知である。レジスト材料中のオニウム塩の
使用についての概観はCrivelloがOrg.Coatings and App
l.Polym.Sci.48（1985）65−69頁に示している。
酸不安定の側鎖基のあるポリマーと光化学的酸供与体
との放射線に敏感な混合物はたとえば米国特許第449162
8号明細書及び仏国特許公開第2570844号明細書から公知
である。しかしこれらのポリマー結合剤は疎水性であり
露光後に初めてアルカリに可溶となる。
との放射線に敏感な混合物はたとえば米国特許第449162
8号明細書及び仏国特許公開第2570844号明細書から公知
である。しかしこれらのポリマー結合剤は疎水性であり
露光後に初めてアルカリに可溶となる。
フェノール−及び酸不安定な基のあるポリマーたとえ
ばポリ（ｐ−ヒドロキシスチロール−CO−ｔ−ブトキシ
カルボニルオキシスチロール）はJ.Polym.Sci.,Part A,
Polym.Chem.Ed.24（1986）2971−2980から公知である。
しかしながらアルカリ性であるこのグループのコポリマ
ーを市販のスルホニウム塩、トリフェニルホスホニウム
ヘキサフルオルアルセナートなど米国特許第4491628号
明細書にも記載してあるものと組合せて用いると、これ
らの混合物には上記スルホニウム塩が溶解度抑制に十分
に寄与しないので未露光範囲の極めて高度の排除が生じ
るという欠点がある。さらにまたこれらの塩は露光後
も、アルカリ溶解性光生成物が生じないので、アルカリ
現像液中の照射ずみの範囲の溶解度向上に寄与しない。
ばポリ（ｐ−ヒドロキシスチロール−CO−ｔ−ブトキシ
カルボニルオキシスチロール）はJ.Polym.Sci.,Part A,
Polym.Chem.Ed.24（1986）2971−2980から公知である。
しかしながらアルカリ性であるこのグループのコポリマ
ーを市販のスルホニウム塩、トリフェニルホスホニウム
ヘキサフルオルアルセナートなど米国特許第4491628号
明細書にも記載してあるものと組合せて用いると、これ
らの混合物には上記スルホニウム塩が溶解度抑制に十分
に寄与しないので未露光範囲の極めて高度の排除が生じ
るという欠点がある。さらにまたこれらの塩は露光後
も、アルカリ溶解性光生成物が生じないので、アルカリ
現像液中の照射ずみの範囲の溶解度向上に寄与しない。
西独特許公開第3721741号明細書には、アルカリ水溶
液に可溶のポリマー結合剤ならびに水性アルカリ現像液
中の溶解度が酸の作用により高められる有機化合物であ
って酸により分離可能のグルーピング少なくとも一つを
含んでいる、放射線の作用下で強酸を生じる有機化合物
を含んでいる放射線に敏感な混合物が記載してある。
液に可溶のポリマー結合剤ならびに水性アルカリ現像液
中の溶解度が酸の作用により高められる有機化合物であ
って酸により分離可能のグルーピング少なくとも一つを
含んでいる、放射線の作用下で強酸を生じる有機化合物
を含んでいる放射線に敏感な混合物が記載してある。
（発明が解決しようとする課題） 本発明の課題は、アルカリ水溶液で現像でき、短波長
紫外線で感光する層の製作を可能にする、浮彫構造製作
用の新規のポジ型に作動する高度活性の、放射線に敏感
な系を示すことである。
紫外線で感光する層の製作を可能にする、浮彫構造製作
用の新規のポジ型に作動する高度活性の、放射線に敏感
な系を示すことである。
そのためには、水に不溶でアルカリ水溶液には可溶の
結合剤、酸の作用により鹸化されかつ高温で脱カルボキ
シル化される酸不安定な有機化合物及び照射の際に強酸
を生じる化合物を含んでいる放射線に敏感な混合物を画
像どおりに照射し、加熱し、画像どおり照射された層範
囲を現像液をもって洗い去るべきである。
結合剤、酸の作用により鹸化されかつ高温で脱カルボキ
シル化される酸不安定な有機化合物及び照射の際に強酸
を生じる化合物を含んでいる放射線に敏感な混合物を画
像どおりに照射し、加熱し、画像どおり照射された層範
囲を現像液をもって洗い去るべきである。
（発明の要約） 意外なことに、結合剤のアルカリ水溶液中の溶解を抑
制する化合物としてβ−ケト酸エステルの添加によっ
て、短波長紫外線中で浮彫構造の製作用の高度活性の放
射線に敏感な系が得られ、これが極めて高い再現性と高
い解像度とによってすぐれていることが見出だされた。
制する化合物としてβ−ケト酸エステルの添加によっ
て、短波長紫外線中で浮彫構造の製作用の高度活性の放
射線に敏感な系が得られ、これが極めて高い再現性と高
い解像度とによってすぐれていることが見出だされた。
本発明の対象は、本質的には （ａ）水に不溶でアルカリ水溶液には可溶の結合剤又は
結合剤混合物 （ｂ）照射の際に強酸を生成する化合物及び （ｃ）少なくとも１種の有機化合物からなる放射線に敏
感な混合物において、該有機化合物が（ａ）のアルカリ
水溶液中の溶解度を抑制し、酸の作用により鹸化ととも
に脱カルボキシル化されることにより該混合物のアルカ
リ溶解性を増強する有機化合物（ｃ）は一般式（Ｉ） 〔式中R1はアルキル、シクロアルキル、アルアルキル又
は酸素含有複素環残基であり、R2及びR3は互いに同じも
の又は相異なるものであり水素、ハロゲン、アルキル、
シクロアルキル、アルアルキル、アリール、アルコキシ
又は−CO−OR1を表わし、又はR1とR2とが又はR3とR4と
が−（CH2）ｎ（ｎは２乃至５である）を介してそれぞ
れ環を形成し、R4はアルキル、シクロアルキル、アリー
ル又は−CH2−CO−OR1である〕のβ−ケト酸エステルで
あることを特徴とするものである。
結合剤混合物 （ｂ）照射の際に強酸を生成する化合物及び （ｃ）少なくとも１種の有機化合物からなる放射線に敏
感な混合物において、該有機化合物が（ａ）のアルカリ
水溶液中の溶解度を抑制し、酸の作用により鹸化ととも
に脱カルボキシル化されることにより該混合物のアルカ
リ溶解性を増強する有機化合物（ｃ）は一般式（Ｉ） 〔式中R1はアルキル、シクロアルキル、アルアルキル又
は酸素含有複素環残基であり、R2及びR3は互いに同じも
の又は相異なるものであり水素、ハロゲン、アルキル、
シクロアルキル、アルアルキル、アリール、アルコキシ
又は−CO−OR1を表わし、又はR1とR2とが又はR3とR4と
が−（CH2）ｎ（ｎは２乃至５である）を介してそれぞ
れ環を形成し、R4はアルキル、シクロアルキル、アリー
ル又は−CH2−CO−OR1である〕のβ−ケト酸エステルで
あることを特徴とするものである。
放射線に敏感な混合物は結合剤（ａ）としてフェノー
ル樹脂たとえば平均分子量n300乃至20000のノボラッ
ク、ｐ−ヒドロキシスチロールとｐ−tertブトキシカル
ボニルオキシスチロールとのコポリマー、ｐ−ヒドロキ
シスチロールとアルコキシスチロールとのコポリマーな
らびにｐ−ヒドロキシスチロールと２−テトラヒドロピ
ラニルオキシスチロールとのコポリマー又はそれらの混
合物を含むことができる。
ル樹脂たとえば平均分子量n300乃至20000のノボラッ
ク、ｐ−ヒドロキシスチロールとｐ−tertブトキシカル
ボニルオキシスチロールとのコポリマー、ｐ−ヒドロキ
シスチロールとアルコキシスチロールとのコポリマーな
らびにｐ−ヒドロキシスチロールと２−テトラヒドロピ
ラニルオキシスチロールとのコポリマー又はそれらの混
合物を含むことができる。
照射の際に強酸を生成する化合物（ｂ）として優先さ
れるのは一般式（II） のスルホニウム塩及び一般式（III） のヨードニウム塩（式中R5及びR6は互いに同じもの又は
相異なるものであり、Ｈ、OH又は残基 （C1−乃至C4−アルキル）3Si−Ｏ−、 のうちの一つを表わしＸ はCl 、Br 、ClO4 、ヘキ
サフルオルアルセナート、ヘキサフルオルアンチモナー
ト、ヘキサフルオルホスファート及び／又はテトラフル
オルボラートである）である。
れるのは一般式（II） のスルホニウム塩及び一般式（III） のヨードニウム塩（式中R5及びR6は互いに同じもの又は
相異なるものであり、Ｈ、OH又は残基 （C1−乃至C4−アルキル）3Si−Ｏ−、 のうちの一つを表わしＸ はCl 、Br 、ClO4 、ヘキ
サフルオルアルセナート、ヘキサフルオルアンチモナー
ト、ヘキサフルオルホスファート及び／又はテトラフル
オルボラートである）である。
優先されるβ−ケト酸エステルはアセト酢酸tertブチ
ルエステル、アセト酢酸イソブチルエステル、アセト酢
酸−２−テトラヒドロピラニルエステル、アセト酢酸ト
リメチルシリルエステル及びアセト酢酸シクロヘキシル
エステルのグループのうちのアセト酢酸エステル、なら
びにアセトンジカルボン酸−ジメチルエステル、ジエチ
ルエステル又は−ジtertブチルエステル、アセチルマロ
ン酸ジメチルエステル、プロピオニル−マロン酸ジメチ
ルエステル、プロピオニルマロン酸ジエチルエステル、
プロピオニルマロン酸ジtertブチルエステル、アセチル
マロン酸ジイソブチルエステル、プロピオニルマロン酸
ジ（トリメチルシリル）エステル及びベンゾイルマロン
酸ジ（トリメチルシリル）エステルのグループのうちの
マロン酸ジアルキルエステル誘導体ならびに一般式（I
V） （式中R7はBr又はCH3、R8はCH3又はC2H5である）の化合
物である。
ルエステル、アセト酢酸イソブチルエステル、アセト酢
酸−２−テトラヒドロピラニルエステル、アセト酢酸ト
リメチルシリルエステル及びアセト酢酸シクロヘキシル
エステルのグループのうちのアセト酢酸エステル、なら
びにアセトンジカルボン酸−ジメチルエステル、ジエチ
ルエステル又は−ジtertブチルエステル、アセチルマロ
ン酸ジメチルエステル、プロピオニル−マロン酸ジメチ
ルエステル、プロピオニルマロン酸ジエチルエステル、
プロピオニルマロン酸ジtertブチルエステル、アセチル
マロン酸ジイソブチルエステル、プロピオニルマロン酸
ジ（トリメチルシリル）エステル及びベンゾイルマロン
酸ジ（トリメチルシリル）エステルのグループのうちの
マロン酸ジアルキルエステル誘導体ならびに一般式（I
V） （式中R7はBr又はCH3、R8はCH3又はC2H5である）の化合
物である。
本発明の対象はまた、通常のしかたで予備処理してあ
る基層上に厚層0.1乃至５μｍにホトレジスト溶液を塗
布、乾燥、画像どおりの露光、場合によっては150℃ま
での温度に加熱及びアルカリ水溶液を用いての現像によ
る、本発明による放射線に敏感な混合物を含んでいるホ
トレジスト溶液が用いられる浮彫構造製作の又はウェフ
ァ構造化の方法でもある。
る基層上に厚層0.1乃至５μｍにホトレジスト溶液を塗
布、乾燥、画像どおりの露光、場合によっては150℃ま
での温度に加熱及びアルカリ水溶液を用いての現像によ
る、本発明による放射線に敏感な混合物を含んでいるホ
トレジスト溶液が用いられる浮彫構造製作の又はウェフ
ァ構造化の方法でもある。
本発明による方法は、極めて良好な再現性を保証する
ので、とくに有利である。それを用いて作られる浮彫構
造は高い解像度によりすぐれている。
ので、とくに有利である。それを用いて作られる浮彫構
造は高い解像度によりすぐれている。
本発明による放射線に敏感な混合物の構成成分につい
ては個々に下記のとおり述べることができる。
ては個々に下記のとおり述べることができる。
ａ）水に不溶でアルカリ水溶液には可溶の結合剤又は結
合剤混合物としては、たいてい必要となるプラズマ食刻
安定性のために一般にフェノール樹脂たとえば平均分子
量n200乃至20000、望ましくは300乃至2000g/モルのノ
ボラックが、短波長紫外線範囲（300nm）での露光用
にはとくにｐ−クレゾール／ホルムアルデヒドを基質と
するノボラック、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチロール）、
ポリ（ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチロール）が問題
となる。これらポリ（ｐ−ヒドロキシスチロール）は一
般に平均分子量ｎが200乃至100000、望ましくは1000
乃至40000g/モルであり、また公知のしかたでそれらの
ヒドロキシル基とたとえばクロル酢酸、クロル酢酸エス
テル、アルキルハロゲニド、ベンジルハロゲニド、3,4
−ジヒドロピラン、ジヒドロフラン、クロル炭酸エステ
ル及び／又はピロ炭酸エステルとの化学変化（ポリマー
類似の化学変化）によって改質してあってもよい。こう
して得られる、この場合コポリマーとも解される改質ず
みポリマー結合剤（ａ）はたとえばｐ−ヒドロキシスチ
ロールとｐ−tertブトキシカルボニルオキシスチロー
ル、ｐ−ヒドロキシスチロールとアルコキシスチロー
ル、ｐ−ヒドロキシスチロールと２−テトラヒドロプラ
ニルオキシスチロールとからなるものである。優先され
るｐ−ヒドロキシスチロールの、側鎖の保護基のあるコ
ポリマーは本質的には式 のグルーピングを含んでいるすなわちｐ−ベンジル−オ
キシスチロール−、ｐ−（２−テトラヒドロピラニル）
−オキシスチロール−、ｐ−（イソプロピル−オキシカ
ルボニル）−オキシスチロール−、ｐ−（シクロヘキス
ル−オキシカルボニル）オキシスチロール−及び／又は
ｐ−（t.ペンチルオキシカルボニル）−オキシスチロー
ル−単位のあるコポリマーである。上記の結合剤（ａ）
の混合物も適している。
合剤混合物としては、たいてい必要となるプラズマ食刻
安定性のために一般にフェノール樹脂たとえば平均分子
量n200乃至20000、望ましくは300乃至2000g/モルのノ
ボラックが、短波長紫外線範囲（300nm）での露光用
にはとくにｐ−クレゾール／ホルムアルデヒドを基質と
するノボラック、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチロール）、
ポリ（ｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチロール）が問題
となる。これらポリ（ｐ−ヒドロキシスチロール）は一
般に平均分子量ｎが200乃至100000、望ましくは1000
乃至40000g/モルであり、また公知のしかたでそれらの
ヒドロキシル基とたとえばクロル酢酸、クロル酢酸エス
テル、アルキルハロゲニド、ベンジルハロゲニド、3,4
−ジヒドロピラン、ジヒドロフラン、クロル炭酸エステ
ル及び／又はピロ炭酸エステルとの化学変化（ポリマー
類似の化学変化）によって改質してあってもよい。こう
して得られる、この場合コポリマーとも解される改質ず
みポリマー結合剤（ａ）はたとえばｐ−ヒドロキシスチ
ロールとｐ−tertブトキシカルボニルオキシスチロー
ル、ｐ−ヒドロキシスチロールとアルコキシスチロー
ル、ｐ−ヒドロキシスチロールと２−テトラヒドロプラ
ニルオキシスチロールとからなるものである。優先され
るｐ−ヒドロキシスチロールの、側鎖の保護基のあるコ
ポリマーは本質的には式 のグルーピングを含んでいるすなわちｐ−ベンジル−オ
キシスチロール−、ｐ−（２−テトラヒドロピラニル）
−オキシスチロール−、ｐ−（イソプロピル−オキシカ
ルボニル）−オキシスチロール−、ｐ−（シクロヘキス
ル−オキシカルボニル）オキシスチロール−及び／又は
ｐ−（t.ペンチルオキシカルボニル）−オキシスチロー
ル−単位のあるコポリマーである。上記の結合剤（ａ）
の混合物も適している。
結合剤（ａ）は本発明による混合物中に一般に混合物
（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）の全量に対して45乃至95望まし
くは80乃至90重量％の量で含まれている。
（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）の全量に対して45乃至95望まし
くは80乃至90重量％の量で含まれている。
ｂ）照射の際に強酸を生成する化合物（ｂ）としては原
則的にはこの特性がある、それで酸供与体として有効な
化合物すべてが問題となる。しかし短波長紫外線での照
射にはヨードニウム−またとくにスルホニウム塩が優先
される。これらは一般式（II）乃至（III）に相当す
る： 式中R5及びR6はＨ（トリフェニルスルホニウム塩乃至
ジフェニルヨードニウム塩）、OH、 （たとえばトリス（４−ベンジルオキシフェニル）スル
ホニウム塩）（C1−乃至C4−アルキル）3Si−Ｏ−（た
とえばトリス（トリメチルシリルオキシフェニル）スル
ホニウム塩） （たとえばトリス（４−tert−ブトキシカルボニルオキ
シフェニル）スルホニウム塩） （たとえばトリス−（４−イソプロピルキシカルボニル
オキシフェニル）スルホニウム塩） （たとえばトリス（４−ベンジルオキシカルボニルオキ
シフェニル）スルホニウム塩） であり、Ｘ はCl 、Br 、ClO4 、AsF6 、PF6 、S
bF6 及び／又はBF4 である。
則的にはこの特性がある、それで酸供与体として有効な
化合物すべてが問題となる。しかし短波長紫外線での照
射にはヨードニウム−またとくにスルホニウム塩が優先
される。これらは一般式（II）乃至（III）に相当す
る： 式中R5及びR6はＨ（トリフェニルスルホニウム塩乃至
ジフェニルヨードニウム塩）、OH、 （たとえばトリス（４−ベンジルオキシフェニル）スル
ホニウム塩）（C1−乃至C4−アルキル）3Si−Ｏ−（た
とえばトリス（トリメチルシリルオキシフェニル）スル
ホニウム塩） （たとえばトリス（４−tert−ブトキシカルボニルオキ
シフェニル）スルホニウム塩） （たとえばトリス−（４−イソプロピルキシカルボニル
オキシフェニル）スルホニウム塩） （たとえばトリス（４−ベンジルオキシカルボニルオキ
シフェニル）スルホニウム塩） であり、Ｘ はCl 、Br 、ClO4 、AsF6 、PF6 、S
bF6 及び／又はBF4 である。
（ｂ）にあげた化合物の混合物も使用できる。成分
（ｂ）は本発明による放射線に敏感な混合物中に一般に
混合物（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）全量に対して0.1乃至20
望ましくは２乃至10重量％の量で含まれている。
（ｂ）は本発明による放射線に敏感な混合物中に一般に
混合物（ａ）＋（ｂ）＋（ｃ）全量に対して0.1乃至20
望ましくは２乃至10重量％の量で含まれている。
ｃ）結合剤（ａ）の溶解を抑制する有機化合物（ｃ）と
しては本発明により一般式（Ｉ） 〔式中R1はアルキルたとえば炭素原子数１乃至５のｎ−
アルキル−、炭素原子数３乃至６の第二アルキル−、炭
素原子数４又は５の第三アルキル、たとえばメチル−、
エチル−、ｎ−プロピル−、ｉ−プロピル−、ｎ−ブチ
ル−、ｉ−ブチル−、tertブチル−など、シクロアルキ
ルたとえばシクロヘキシルなど、アラルキルたとえばベ
ンジルなど又は酸素含有の複素環残基たとえば などであり、R2及びR3は互いに同じもの又は相異なるも
のであり、水素、ハロゲンたとえばCl及びBrなど、アル
キルたとえば炭素原子数１乃至５のｎ−アルキル、メチ
ル、エチルなど、炭素原子数３乃至６の第二アルキル、
イソプロピル及びイソブチルなど、シクロアルキル、シ
クロヘキシルなど、アラルキル、ベンジルなど、アリー
ルたとえばフェニルなど、アルコキシたとえばメトキ
シ、エトキシなど、ハロゲン置換のあるアリールたとえ
ばクロルフェニルなど又は−CO−OR1を表わし、又はR1
とR2とが又はR3とR4とが−（CH2）ｎ（ｎは２乃至５で
ある）を介してそれぞれ環たとえば五員乃至七員の環を
形成し、R4はアルキルたとえば炭素原子数１乃至５のｎ
−アルキルたとえばメチル、エチル、プロピル、ｎ−ブ
チルなど、炭素原子数３乃至６の第二アルキルたとえば
イソプロピル、イソブチルなど、シクロアルキルたとえ
ばシクロヘキシルなど、アリールたとえばフェニルなど
又は−CH2−Ｃ＝Ｏ−OR1を表わす〕のβ−ケトカルボン
酸エステルが用いられる。
しては本発明により一般式（Ｉ） 〔式中R1はアルキルたとえば炭素原子数１乃至５のｎ−
アルキル−、炭素原子数３乃至６の第二アルキル−、炭
素原子数４又は５の第三アルキル、たとえばメチル−、
エチル−、ｎ−プロピル−、ｉ−プロピル−、ｎ−ブチ
ル−、ｉ−ブチル−、tertブチル−など、シクロアルキ
ルたとえばシクロヘキシルなど、アラルキルたとえばベ
ンジルなど又は酸素含有の複素環残基たとえば などであり、R2及びR3は互いに同じもの又は相異なるも
のであり、水素、ハロゲンたとえばCl及びBrなど、アル
キルたとえば炭素原子数１乃至５のｎ−アルキル、メチ
ル、エチルなど、炭素原子数３乃至６の第二アルキル、
イソプロピル及びイソブチルなど、シクロアルキル、シ
クロヘキシルなど、アラルキル、ベンジルなど、アリー
ルたとえばフェニルなど、アルコキシたとえばメトキ
シ、エトキシなど、ハロゲン置換のあるアリールたとえ
ばクロルフェニルなど又は−CO−OR1を表わし、又はR1
とR2とが又はR3とR4とが−（CH2）ｎ（ｎは２乃至５で
ある）を介してそれぞれ環たとえば五員乃至七員の環を
形成し、R4はアルキルたとえば炭素原子数１乃至５のｎ
−アルキルたとえばメチル、エチル、プロピル、ｎ−ブ
チルなど、炭素原子数３乃至６の第二アルキルたとえば
イソプロピル、イソブチルなど、シクロアルキルたとえ
ばシクロヘキシルなど、アリールたとえばフェニルなど
又は−CH2−Ｃ＝Ｏ−OR1を表わす〕のβ−ケトカルボン
酸エステルが用いられる。
本発明により適切なβ−ケトカルボン酸エステルその
他の例は （ただしｎは３乃至５） （ただしｎは２乃至４） （ただしR1＝R4で炭素原子数１乃至３のｎ−アルキル、
炭素原子数３乃至６の第二アルキル、炭素原子数４乃至
６の第三アルキル、 又はベンジルである） （ただしＲは炭素原子数１乃至３のｎ−アルキル、アリ
ール、ハロゲン化アリール（クロルフェニルなど）又は
ベンジルでありR1及びR4は上記の意味のものである） この種のβ−ケトカルボン酸エステルの調製は一般公
知である。
他の例は （ただしｎは３乃至５） （ただしｎは２乃至４） （ただしR1＝R4で炭素原子数１乃至３のｎ−アルキル、
炭素原子数３乃至６の第二アルキル、炭素原子数４乃至
６の第三アルキル、 又はベンジルである） （ただしＲは炭素原子数１乃至３のｎ−アルキル、アリ
ール、ハロゲン化アリール（クロルフェニルなど）又は
ベンジルでありR1及びR4は上記の意味のものである） この種のβ−ケトカルボン酸エステルの調製は一般公
知である。
上記β−ケトカルボン酸エステルの混合物も使用でき
る。
る。
β−ケトカルボン酸エステル（ｃ）は本発明による放
射線に敏感な混合物中に一般に混合物（ａ），（ｂ）及
び（ｃ）全量に対して３乃至35、望ましくは10乃至25重
量％の量で存在している。
射線に敏感な混合物中に一般に混合物（ａ），（ｂ）及
び（ｃ）全量に対して３乃至35、望ましくは10乃至25重
量％の量で存在している。
本発明による放射線に敏感な混合物は付加的にその他
の通常の助剤及び添加剤を含むことができる。
の通常の助剤及び添加剤を含むことができる。
本発明による混合物は望ましくは有機溶媒に溶解さ
せ、固形分含有量は一般に５乃至40重量％の範囲にあ
る。溶媒としては優先的に脂肪族ケトン、エーテル及び
エステルならびにこれらの混合物が問題となる。とくに
優先されるのはアルキレングリコール−モノアルキルエ
ーテルたとえばエチルセロソルブ、ブチルグリコール、
メチルセルソルブ及び１−メトキシ−２−プロパノール
など、アルキレングリコール−アルキルエーテルエステ
ルたとえばメチルセロソルブ−アテタート、エチルセロ
ソルブアセタート、メチルプロピレングリコールアセタ
ート及びエチルプロピレングリコールアセタートなど、
ケトンたとえばシクロヘキサノン、シクロペンタノン及
びメチル−エチル−ケトンなどならびにブチルアセター
トなどアセタート及び芳香族物質、トルオール及びキリ
ロールなどである。対応の溶媒の選択及びその混合はそ
の都度のフェノール樹脂、ノボラック及び感光性成分の
選択に従って定まる。
せ、固形分含有量は一般に５乃至40重量％の範囲にあ
る。溶媒としては優先的に脂肪族ケトン、エーテル及び
エステルならびにこれらの混合物が問題となる。とくに
優先されるのはアルキレングリコール−モノアルキルエ
ーテルたとえばエチルセロソルブ、ブチルグリコール、
メチルセルソルブ及び１−メトキシ−２−プロパノール
など、アルキレングリコール−アルキルエーテルエステ
ルたとえばメチルセロソルブ−アテタート、エチルセロ
ソルブアセタート、メチルプロピレングリコールアセタ
ート及びエチルプロピレングリコールアセタートなど、
ケトンたとえばシクロヘキサノン、シクロペンタノン及
びメチル−エチル−ケトンなどならびにブチルアセター
トなどアセタート及び芳香族物質、トルオール及びキリ
ロールなどである。対応の溶媒の選択及びその混合はそ
の都度のフェノール樹脂、ノボラック及び感光性成分の
選択に従って定まる。
さらにまた他の添加剤、付着媒介剤、湿潤剤、色素及
び可塑剤なども添加できる。
び可塑剤なども添加できる。
化合物を可視域まで長波長紫外線域において増感させ
るため、場合によっては少量の増感剤も添加できる。多
環式芳香族物質、ピレン及びペリレンなどがこのために
優先されるが増感剤として作用する他の色素も使用でき
る。
るため、場合によっては少量の増感剤も添加できる。多
環式芳香族物質、ピレン及びペリレンなどがこのために
優先されるが増感剤として作用する他の色素も使用でき
る。
本発明による浮彫パターン製作の方法においては、本
質的には本発明による放射線に敏感な混合物からなる放
射線に敏感な記録層を画像どおりに、露光範囲のアルカ
リ水溶液中の溶解度が増大し、これら照射ずみ範囲が選
択的にアルカリ現像液で除去され得るほどの用量で照射
される。
質的には本発明による放射線に敏感な混合物からなる放
射線に敏感な記録層を画像どおりに、露光範囲のアルカ
リ水溶液中の溶解度が増大し、これら照射ずみ範囲が選
択的にアルカリ現像液で除去され得るほどの用量で照射
される。
本発明による放射線に敏感な混合物は半導体構成要素
用浮彫構造製作用のホトレジストとして適している。
用浮彫構造製作用のホトレジストとして適している。
本発明による放射線に敏感な混合物を含んでいるホト
レジスト溶液は一般に0.1乃至５μｍ望ましくは0.5乃至
1.5μｍの層厚となるように、適切な基層たとえば表面
を酸化させた珪素ウェファ上にスピンコーティングによ
って塗布し、乾燥（たとえば温度70乃至130℃におい
て）させ、適切な光源を用いてホトマスクを通して画像
どおりに露光させる。光源としてはとくに、波長200乃
至300nmの短波長紫外線（深紫外線）が適している。と
くに適した光源はKrF（248nm）のエクサイマーレーザで
ある。画像どおりの露光後に−場合によっては150℃ま
での温度に短時間加熱（ポストベーク）した後−通常の
アルカリ現像水溶液で−一般にpH値12乃至14において−
現像し、露光域を洗い去る。解像度はμｍ未満の範囲に
ある。本発明による放射線に敏感な混合物に必要な露光
エネルギーは一般に層厚１μｍの場合30乃至200mJ/cm2
である。
レジスト溶液は一般に0.1乃至５μｍ望ましくは0.5乃至
1.5μｍの層厚となるように、適切な基層たとえば表面
を酸化させた珪素ウェファ上にスピンコーティングによ
って塗布し、乾燥（たとえば温度70乃至130℃におい
て）させ、適切な光源を用いてホトマスクを通して画像
どおりに露光させる。光源としてはとくに、波長200乃
至300nmの短波長紫外線（深紫外線）が適している。と
くに適した光源はKrF（248nm）のエクサイマーレーザで
ある。画像どおりの露光後に−場合によっては150℃ま
での温度に短時間加熱（ポストベーク）した後−通常の
アルカリ現像水溶液で−一般にpH値12乃至14において−
現像し、露光域を洗い去る。解像度はμｍ未満の範囲に
ある。本発明による放射線に敏感な混合物に必要な露光
エネルギーは一般に層厚１μｍの場合30乃至200mJ/cm2
である。
（実施例） 実施例に示してある部及び％は、別段の記載のない限
り、重量部乃至重量％である。
り、重量部乃至重量％である。
実施例１ ホトレジスト溶液をポリ（ｐ−ヒドロキシスチロー
ル）（Polysciences Inc.社の市販品、分子量1500−700
0g/モル）80部、トリフェニルスルホニウムヘキサフル
オルアルセナート（ALFA社の市販品）５部、アセト酢酸
イソブチルエステル15部及びエチレングリコールモノメ
チルエーテルアセタート280部から作り、引続いて孔径
0.2μｍの濾過器で濾過する。
ル）（Polysciences Inc.社の市販品、分子量1500−700
0g/モル）80部、トリフェニルスルホニウムヘキサフル
オルアルセナート（ALFA社の市販品）５部、アセト酢酸
イソブチルエステル15部及びエチレングリコールモノメ
チルエーテルアセタート280部から作り、引続いて孔径
0.2μｍの濾過器で濾過する。
レジスト溶液を次に付着媒介剤としてヘキサメチルジ
シランを塗布したSiO2表面に備えた珪素ウェファ上に40
00回／分−30秒でスピンコートし、約１μｍの乾燥層厚
が得られる。ウェファは熱板上で80℃において３分間乾
燥させ、引続いて画像どおりに作られたテストマスクと
接触させ３秒間エクサイマーレーザ（λ＝248nm、Ｅ＝3
5mW/cm2）をもって露光させる。次にウェファを１分間8
0℃に加熱し、pH値12.1−13.4の現像液を用いて現像す
る。
シランを塗布したSiO2表面に備えた珪素ウェファ上に40
00回／分−30秒でスピンコートし、約１μｍの乾燥層厚
が得られる。ウェファは熱板上で80℃において３分間乾
燥させ、引続いて画像どおりに作られたテストマスクと
接触させ３秒間エクサイマーレーザ（λ＝248nm、Ｅ＝3
5mW/cm2）をもって露光させる。次にウェファを１分間8
0℃に加熱し、pH値12.1−13.4の現像液を用いて現像す
る。
実施例２ ホトレジスト溶液をポリ（ｐ−ヒドロキシスチロー
ル）80部、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオルア
ルセナート６部、２−カルベトキシシクロペンタノン14
部及びエチレングリコール−モノメチルエーテルアセタ
ート280部から作る。実施例１と同様に作業するただし
露光範囲を同条件の下で完全に排除するため５秒間露光
させた。
ル）80部、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオルア
ルセナート６部、２−カルベトキシシクロペンタノン14
部及びエチレングリコール−モノメチルエーテルアセタ
ート280部から作る。実施例１と同様に作業するただし
露光範囲を同条件の下で完全に排除するため５秒間露光
させた。
実施例３ ホトレジスト溶液をポリ（ｐ−ヒドロキシスチロー
ル）80部、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオルア
ルセナート７部、２−アセチルブチロラクトン13部及び
エチレングリコールモノメチルエーテルアセタート280
部から作る。実施例１と同様に作業する。感度は160mJ/
cm2である。
ル）80部、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオルア
ルセナート７部、２−アセチルブチロラクトン13部及び
エチレングリコールモノメチルエーテルアセタート280
部から作る。実施例１と同様に作業する。感度は160mJ/
cm2である。
実施例４ ホトレジスト溶液をポリ（ｐ−ヒドロキシスチロー
ル）75部、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオルア
ルセナート２部、アセトンジカルボン酸ジメチルエステ
ル23部及びエチレングリコールモノメチルエーテルアセ
タート280部から作る。実施例１と同様に作業する。感
度は100mJ/cm2である。
ル）75部、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオルア
ルセナート２部、アセトンジカルボン酸ジメチルエステ
ル23部及びエチレングリコールモノメチルエーテルアセ
タート280部から作る。実施例１と同様に作業する。感
度は100mJ/cm2である。
実施例５ ホトレジスト溶液をポリ（ｐ−ヒドロキシスチロー
ル）80部、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオルア
ルセナート５部、プロピオニルマロン酸ジエチルエステ
ル15部及びエチレングリコール−モノメチルエーテルア
セタート280部から作る。実施例１と同様に作業する。
感度は70mJ/cm2である。
ル）80部、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオルア
ルセナート５部、プロピオニルマロン酸ジエチルエステ
ル15部及びエチレングリコール−モノメチルエーテルア
セタート280部から作る。実施例１と同様に作業する。
感度は70mJ/cm2である。
実施例６ 実施例５のホトレジスト溶液を作り実施例１と同様
に、ただしホストベーク過程（80℃に１分間加熱）なし
に、作業する。感度は30mJ/cm2である。
に、ただしホストベーク過程（80℃に１分間加熱）なし
に、作業する。感度は30mJ/cm2である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラインホルト、シュヴァルム ドイツ連邦共和国、6706、ヴァヘンハイ ム、アム、ヒュッテンヴィンゲルト、53 (72)発明者 ホルスト、ビンダー ドイツ連邦共和国、6840、ラムペルトハ イム、ヘンデルシュトラーセ、３‐５ (56)参考文献 特開 昭51−127078（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−176661（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−27829（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−19849（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/18
Claims (14)
- 【請求項１】本質的には （ａ）水に不溶でアルカリ水溶液には可溶の結合剤又は
結合剤混合物 （ｂ）照射の際に強酸を生成する化合物及び （ｃ）少なくとも１種の有機化合物からなる放射線に敏
感な混合物において、該有機化合物が（ａ）のアルカリ
水溶液中の溶解度を抑制し、酸の作用により鹸化ととも
に脱カルボキシル化されることにより該混合物のアルカ
リ溶解性を増強する有機化合物（ｃ）は一般式（Ｉ） ［式中R1はアルキル、シクロアルキル、アルアルキル又
は酸素含有複素環残基であり、R2及びR3は互いに同じも
の又は相異なるものであって水素、ハロゲン、アルキ
ル、シクロアルキル、アルアルキル、アリール、アルコ
キシ又は−CO−OR1を表し又はR1とR2とが又はR3とR4と
が−（CH2）ｎ（ｎは２乃至５である）を介してそれぞ
れ環を形成し、R4はアルキル、シクロアルキル、−CH2
−CO−OR1又はアリールである］のβ−ケト酸エステル
であることを特徴とする混合物。 - 【請求項２】結合剤（ａ）としてフェノール樹脂が用い
られることを特徴とする請求項（１）記載の放射線に敏
感な混合物。 - 【請求項３】フェノール樹脂として平均分子量Mnが300
乃至20000のノボラックが用いられることを特徴とする
請求項（２）記載の放射線に敏感な混合物。 - 【請求項４】結合剤（ａ）としてポリ（ｐ−ヒドロキシ
スチロール）またはポリ（ｐ−ヒドロキシ−α−メチル
スチロール）が用いられることを特徴とする請求項
（１）記載の放射線に敏感な混合物。 - 【請求項５】結合剤（ａ）としてｐ−ヒドロキシスチロ
ールとアルコキシスチロールとのコポリマーが用いられ
ることを特徴とする請求項（１）記載の放射線に敏感な
混合物。 - 【請求項６】結合剤（ａ）としてｐ−ヒドロキシスチロ
ールと２−テトラヒドロピラニルオキシスチロールとの
コポリマーが用いられることを特徴とする請求項（１）
記載の放射線に敏感な混合物。 - 【請求項７】結合剤（ａ）としてｐ−ヒドロキシスチロ
ールとＰ−tert−ブトキシカルボニルオキシスチロール
とのコポリマーが用いられることを特徴とする請求項
（１）記載の放射線に敏感な混合物。 - 【請求項８】照射の際に強酸を生成する化合物（ｂ）と
して一般式（II） （式中、R5及びR6は互いに同じもの又は相異なるもので
ありＨ、OH又は残基 のうちの一つを表し、Ｘ はCl 、Br 、ClO4 、ヘキ
サフルオロアルセナート、ヘキサフルオルアンチモナー
ト、ヘキサフルオルホスファート及び／又はテトラフル
オルボラートである）のスルホニウム塩が用いられるこ
とを特徴とする請求項（１）記載の放射線に敏感な混合
物。 - 【請求項９】照射の際に強酸を生成する化合物（ｂ）と
して一般式（II）のスルホニウム塩の代わりに一般式
（III） （式中、R5、R6及びＸ は請求項（８）に示してある意
味のものである）のヨードニウム塩が用いられることを
特徴とする請求項（８）記載の放射線に敏感な混合物。 - 【請求項１０】一般式（Ｉ）のβ−ケト酸エステルとし
てアセト酢酸tertブチルエステル、アセト酢酸イソブチ
ルエステル、アセト酢酸２−テトラヒドロピラニルエス
テル、アセト酢酸トリメチルシリルエステル及びアセト
酢酸シクロヘキシルエステルのグループのうちのアセト
酢酸エステル少なくとも１種が用いられることを特徴と
する請求項（１）乃至（９）のうちの一つに記載の放射
線に敏感な混合物。 - 【請求項１１】一般式（Ｉ）のβ−ケト酸エステルとし
てアセトンジカルボン酸−ジメチルエステル、−ジエチ
ルエステル又は−ジtertブチルエステルが用いられるこ
とを特徴とする請求項（１）乃至（９）のうちの一つに
記載の放射線に敏感な混合物。 - 【請求項１２】一般式（Ｉ）のβ−ケト酸エステルとし
てアセチル−マロン酸ジメチルエステル、プロピオニル
−マロン酸ジメチルエステル、プロピオニル−マロン酸
ジエチルエステル、プロピオニル−マロン酸ジtertブチ
ルエステル、アセチル−マロン酸ジイソブチルエステ
ル、プロピオニル−マロン酸ジ（トリメチルシリル）エ
ステル及びベンゾイルマロン酸ジ（トリメチルシリル）
エステルのグループのうちのマロン酸ジアルキルエステ
ル誘導体少なくとも１種が用いられることを特徴とする
請求項（１）乃至（９）のうちの一つに記載の放射線に
敏感な混合物。 - 【請求項１３】一般式（Ｉ）のβ−ケト酸エステルとし
てアセチルブロムマロン酸−シクロイソプロピリデンエ
ステル、アセチルメチルマロン酸シクロイソプロピリデ
ンエステル、ブロム−プロピオニル−マロン酸シクロイ
ソプロピリデンエステル及びメチルプロピオニルマロン
酸シクロイソプロピリデンエステルのグループのうちの
又は一般式（IV） （式中、R7はBr又はCH3、R8はCH3又はC2H5である）の化
合物が用いられることを特徴とする請求項（１）乃至
（９）のうちの一つに記載の放射線に敏感な混合物。 - 【請求項１４】通常のしかたで予備処理してある基層上
に厚層0.1乃至５μｍにホトレジスト溶液を塗布、乾
燥、画像どおりの露光、場合によっては温度150℃まで
の加熱及びアルカリ水溶液を用いての現像による、請求
項（１）乃至（13）のうちの一つに記載の放射線に敏感
な混合物を含んでいるホトレジスト溶液が用いられる浮
彫構造製作の又はウェファ構造化の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3837513.3 | 1988-11-04 | ||
| DE3837513A DE3837513A1 (de) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | Strahlungsempfindliches gemisch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02181150A JPH02181150A (ja) | 1990-07-13 |
| JP2845518B2 true JP2845518B2 (ja) | 1999-01-13 |
Family
ID=6366524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1278766A Expired - Fee Related JP2845518B2 (ja) | 1988-11-04 | 1989-10-27 | 放射線に敏感な混合物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5034305A (ja) |
| EP (1) | EP0367132B1 (ja) |
| JP (1) | JP2845518B2 (ja) |
| DE (2) | DE3837513A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| DE4007924A1 (de) * | 1990-03-13 | 1991-09-19 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches gemisch |
| JPH04158363A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成用レジスト材料 |
| US5085972A (en) * | 1990-11-26 | 1992-02-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Alkoxyalkyl ester solubility inhibitors for phenolic resins |
| US6340552B1 (en) | 1990-12-27 | 2002-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition containing a dissolution inhibitor and an acid releasing compound |
| JP2919142B2 (ja) * | 1990-12-27 | 1999-07-12 | 株式会社東芝 | 感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| US5348838A (en) * | 1991-07-31 | 1994-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Photosensitive composition comprising alkali soluble binder and photoacid generator having sulfonyl group |
| TW226444B (ja) * | 1992-04-01 | 1994-07-11 | Ciba Geigy | |
| DE4306069A1 (de) * | 1993-03-01 | 1994-09-08 | Basf Ag | Strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen mit verbessertem Kontrast |
| JP3116751B2 (ja) * | 1993-12-03 | 2000-12-11 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| DE4444669A1 (de) * | 1994-12-15 | 1996-06-20 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches Gemisch |
| US5648196A (en) * | 1995-07-14 | 1997-07-15 | Cornell Research Foundation, Inc. | Water-soluble photoinitiators |
| US5932391A (en) * | 1995-08-18 | 1999-08-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resist for alkali development |
| KR0183901B1 (ko) * | 1996-07-03 | 1999-04-01 | 삼성전자 주식회사 | 레지스트 조성물 |
| JP2004151691A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-05-27 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 改良フォトレジスト |
| JP2022025429A (ja) * | 2020-07-29 | 2022-02-10 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | カルボン酸エステルを含んでなる組成物を使用する方法、カルボン酸エステルを含んでなるリソグラフィ組成物、およびレジストパターンの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3915706A (en) * | 1974-03-11 | 1975-10-28 | Xerox Corp | Imaging system based on photodegradable polyaldehydes |
| DE2928636A1 (de) * | 1979-07-16 | 1981-02-12 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern |
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| DE3406927A1 (de) * | 1984-02-25 | 1985-08-29 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen |
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| US4770977A (en) * | 1984-09-21 | 1988-09-13 | Commissariat A L'energie Atomique | Silicon-containing polymer and its use as a masking resin in a lithography process |
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