JPS61105544A - パタン形成用材料及びパタン形成方法 - Google Patents
パタン形成用材料及びパタン形成方法Info
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- JPS61105544A JPS61105544A JP22598984A JP22598984A JPS61105544A JP S61105544 A JPS61105544 A JP S61105544A JP 22598984 A JP22598984 A JP 22598984A JP 22598984 A JP22598984 A JP 22598984A JP S61105544 A JPS61105544 A JP S61105544A
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- Japan
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は２層レジストの上層レジストとして使用しうる
バタン形成用材料及びバタン形成方法に関する。
バタン形成用材料及びバタン形成方法に関する。
従来、ＩＪＳ工等の製造においては、被加工基板上に有
機高分子膜からなるレジスト膜を設け、これに紫外線、
Ｘ線、電子線又はイオンビーム等で所望のバタンを描画
露光し、次いで現像することにより被加工基板上にレジ
ストパタンを形成し、これをマスクとして基板を加工す
ることにより行われてきた。
機高分子膜からなるレジスト膜を設け、これに紫外線、
Ｘ線、電子線又はイオンビーム等で所望のバタンを描画
露光し、次いで現像することにより被加工基板上にレジ
ストパタンを形成し、これをマスクとして基板を加工す
ることにより行われてきた。
特に近年基板ｔ−加工する際に加工精度の高いドライエ
ツチング法、例えば０ＩＰ４や００４のような反応性ガ
スを用いる反応性イオンエツチング、あるいはアルゴン
のような不活性ガスを用いるスパッタエツチングが玉流
になってきている。
ツチング法、例えば０ＩＰ４や００４のような反応性ガ
スを用いる反応性イオンエツチング、あるいはアルゴン
のような不活性ガスを用いるスパッタエツチングが玉流
になってきている。
このような基板加工法では、基板のエツチングと共にレ
ジストパタンを構成している有機高分子膜の分解を招く
ため、高精度の基板加工を行うには膜厚の大きいレジス
トバタンが必要となる。更に、配線の多層化、三次元ア
レイ構造の素子などを実現するために段差のある基板上
にレジストパタンを形成することが望まれている。
ジストパタンを構成している有機高分子膜の分解を招く
ため、高精度の基板加工を行うには膜厚の大きいレジス
トバタンが必要となる。更に、配線の多層化、三次元ア
レイ構造の素子などを実現するために段差のある基板上
にレジストパタンを形成することが望まれている。
したがって、段差をカバーするためにもレジスト膜を厚
くする必要がある。ところが、膜厚の大きいレジストで
バタンを形成する際には、現像時のレジストパタンの膨
潤、紫外線露光における定住波の発生、電子線又はＸ線
露光における二次電子によるバタンぼけ等の影響により
高い解像性のバタンを得ることは困難となる。
くする必要がある。ところが、膜厚の大きいレジストで
バタンを形成する際には、現像時のレジストパタンの膨
潤、紫外線露光における定住波の発生、電子線又はＸ線
露光における二次電子によるバタンぼけ等の影響により
高い解像性のバタンを得ることは困難となる。
この問題を解決するために、レジストを一膚ではなく多
層化することによシ膜厚が大きく、しかも微細な高形状
比バタンを形成する方法が提案されている。すなわち、
第１層目に有機高分子膜を厚く形成し、その上の第２層
に薄膜のレジスト膜ヲ形成したのち、第２層のレジスト
膜に電子線などの高エネルギーａを照射し現像後得られ
るバタン全マスクとして第１Ｉｉ！の有機高分子膜を異
方性エツチングすることにより高形状比のバタンを得よ
うというものである。
層化することによシ膜厚が大きく、しかも微細な高形状
比バタンを形成する方法が提案されている。すなわち、
第１層目に有機高分子膜を厚く形成し、その上の第２層
に薄膜のレジスト膜ヲ形成したのち、第２層のレジスト
膜に電子線などの高エネルギーａを照射し現像後得られ
るバタン全マスクとして第１Ｉｉ！の有機高分子膜を異
方性エツチングすることにより高形状比のバタンを得よ
うというものである。
しかし従来のレジストでは異方性エツチングに用いるプ
ラズマ耐性が低く第２層の有機高分子膜をエツチングす
る際のマスクとはならなかった。
ラズマ耐性が低く第２層の有機高分子膜をエツチングす
る際のマスクとはならなかった。
他方、ポリトリメチルシリルグロビンなどのシリコン含
有ポリアセチレン誘導体のレジストは酸素プラズマ耐性
に優れていることが矧られているが、フォトレジストと
しての感度が低い、塗膜強度が低いため現像時バタンは
く離を生ずるなどの問題点があった。
有ポリアセチレン誘導体のレジストは酸素プラズマ耐性
に優れていることが矧られているが、フォトレジストと
しての感度が低い、塗膜強度が低いため現像時バタンは
く離を生ずるなどの問題点があった。
本発明はこれらの欠点を解決するためになされたもので
あり、その目的は酸素グツズ、マ耐性の高いバタン形成
材料及びバタン形成方法を提供することにある。
あり、その目的は酸素グツズ、マ耐性の高いバタン形成
材料及びバタン形成方法を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はバタン形成
用材料に関する発明であって、下記一般式■： 〔６式中Ｒ１は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香
族基、シリル基及び置換シリル基よりなる群から選択し
た１種を示し、Ｒ１は式＋０１（、＋ＴＸ（式中ｘ Ｈ
−ｏＨ，−ｃｏｏＨ，−ｖＨ，、−ａｕ＝ａＨ，、る群
から選択した１ａの基を示し、Ｘは０又は正の整数を示
すンで表わされる基を示し、ｍ及びｎは正の整数を示す
〕で表わされるポリアセチレン誘導体を包含することを
特徴とする。
用材料に関する発明であって、下記一般式■： 〔６式中Ｒ１は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香
族基、シリル基及び置換シリル基よりなる群から選択し
た１種を示し、Ｒ１は式＋０１（、＋ＴＸ（式中ｘ Ｈ
−ｏＨ，−ｃｏｏＨ，−ｖＨ，、−ａｕ＝ａＨ，、る群
から選択した１ａの基を示し、Ｘは０又は正の整数を示
すンで表わされる基を示し、ｍ及びｎは正の整数を示す
〕で表わされるポリアセチレン誘導体を包含することを
特徴とする。
そして、本発明の第２の発明はバタン形成方法に関する
発明であって、被加工基板上に、該基板のドライエツチ
ング加工に耐性を有する有機高分子膜を形成し、更にそ
の上に上層レジストの膜を形成してレジストの膜ｔ−２
層構成とし、プリベータを行ってレジスト中に架橋を生
成さセ、ソの後、上層のレジストに遠紫外線で描画し、
次いで現像して上層にレジストパタン會形成し、その後
、該上層レジストバタンを保ａマスクとして下層の有機
高分子膜を酸素プラズマエツチングして、被加工基板上
にレジストバタンを形成する方法において、該上層レジ
ストとして、上記一般式Ｉで表わされるポリアセチレン
誘導体を包含するバタン形成用材料を用いることを特徴
とする。
発明であって、被加工基板上に、該基板のドライエツチ
ング加工に耐性を有する有機高分子膜を形成し、更にそ
の上に上層レジストの膜を形成してレジストの膜ｔ−２
層構成とし、プリベータを行ってレジスト中に架橋を生
成さセ、ソの後、上層のレジストに遠紫外線で描画し、
次いで現像して上層にレジストパタン會形成し、その後
、該上層レジストバタンを保ａマスクとして下層の有機
高分子膜を酸素プラズマエツチングして、被加工基板上
にレジストバタンを形成する方法において、該上層レジ
ストとして、上記一般式Ｉで表わされるポリアセチレン
誘導体を包含するバタン形成用材料を用いることを特徴
とする。
一般式ｌ中のアルキル基、アルケニル基、芳香族基、シ
リル基及び置換シリル基の例としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ビニル基、アリル基、フェニル基、
ナフチル基、メチルフェニル基、クロロフェニル基、り
目ロメテルフェニル基、トリメチルシリル基、ジメチル
エチルシリル基、ジエチルメチルシリル基、トリエチル
シリル基、ジメチルフェニルシリル基、ジエチルフェニ
ルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、トリプロピル
シリル基、ジメチルクロロメチルシリル基、（トリメチ
ルシリル）メチルジメチルシリル基、（トリメテルシリ
ルンエチルジメチルシリル基などが挙げられる。また、
一般式１中のＲ，はグリベークによシ架橋を生じさせる
反応基を有する置換基を表わし、反ｍａｎ）は前記一般
式■のポリマーが架橋し、溶媒溶解性が変化する程度で
良く、具体的には−ｏｎ 、 −０００Ｈ（Ｄ ｊｉ１
合は導入率がｃＬ０５〜ｃＬ２０場合架橋が充分でなく
、逆に高い場合長期保存安定性及び塗布性が悪くなる。
リル基及び置換シリル基の例としては、メチル基、エチ
ル基、プロピル基、ビニル基、アリル基、フェニル基、
ナフチル基、メチルフェニル基、クロロフェニル基、り
目ロメテルフェニル基、トリメチルシリル基、ジメチル
エチルシリル基、ジエチルメチルシリル基、トリエチル
シリル基、ジメチルフェニルシリル基、ジエチルフェニ
ルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、トリプロピル
シリル基、ジメチルクロロメチルシリル基、（トリメチ
ルシリル）メチルジメチルシリル基、（トリメテルシリ
ルンエチルジメチルシリル基などが挙げられる。また、
一般式１中のＲ，はグリベークによシ架橋を生じさせる
反応基を有する置換基を表わし、反ｍａｎ）は前記一般
式■のポリマーが架橋し、溶媒溶解性が変化する程度で
良く、具体的には−ｏｎ 、 −０００Ｈ（Ｄ ｊｉ１
合は導入率がｃＬ０５〜ｃＬ２０場合架橋が充分でなく
、逆に高い場合長期保存安定性及び塗布性が悪くなる。
ラジカル開始剤あるいはオニウム塩など架橋促進剤を添
加する場合、導入率は低くても充分な架橋が得られるこ
とがある。
加する場合、導入率は低くても充分な架橋が得られるこ
とがある。
加えて、第２の発明において、上層レジストバタンを保
護マスクとして下層の有機高分子膜ｔ−酸素プラズマで
エツチングする際、該上層レジストが酸素プラズマに対
し十分な耐性ｔ″有する必要がある。この耐性は一般式
ｌ中のシリコン含有社によシ決定され、好ましくＦｉｌ
０重量％以上シリコンを含有していれば、一般式Ｉで
示されるレジストの酸素プラズマによるエツチング速度
は下層に用いられる有機高分子膜のそれと比較して無視
できる程度となる。
護マスクとして下層の有機高分子膜ｔ−酸素プラズマで
エツチングする際、該上層レジストが酸素プラズマに対
し十分な耐性ｔ″有する必要がある。この耐性は一般式
ｌ中のシリコン含有社によシ決定され、好ましくＦｉｌ
０重量％以上シリコンを含有していれば、一般式Ｉで
示されるレジストの酸素プラズマによるエツチング速度
は下層に用いられる有機高分子膜のそれと比較して無視
できる程度となる。
当該材料の製造方法としては、まずＲ，Ｏミ０８ｔ（Ｏ
Ｈｓ）ｓ ｌ： ”ロゲン化タングステン、ハロゲン化
ニオブ、ハロゲン化タンタルなどを触媒としてイオン重
合しポリアセチレン誘導体を得、次にそのポリマーに各
種反応基を有する置換基を導入することより得られる。
Ｈｓ）ｓ ｌ： ”ロゲン化タングステン、ハロゲン化
ニオブ、ハロゲン化タンタルなどを触媒としてイオン重
合しポリアセチレン誘導体を得、次にそのポリマーに各
種反応基を有する置換基を導入することより得られる。
本発明の重要な点はシリコンを含有するポリアセチレン
誘導体に架橋を生じさせ反応基を導入することにある。
誘導体に架橋を生じさせ反応基を導入することにある。
またグリベークで架橋させることによシ、溶媒溶解性が
低下するため〜現像時に強浴媒が使用できるようになり
、感度が良くなることを見出した点にらる。加えて、こ
の架橋によりレジストバタンが強じんになり、ピンホー
ルの発生やはく離、更にはレジストの収縮や膨潤を抑え
、より精度の高いバタンか形成できることを見出した点
にある。
低下するため〜現像時に強浴媒が使用できるようになり
、感度が良くなることを見出した点にらる。加えて、こ
の架橋によりレジストバタンが強じんになり、ピンホー
ルの発生やはく離、更にはレジストの収縮や膨潤を抑え
、より精度の高いバタンか形成できることを見出した点
にある。
以下、本発明におけるバタン形成用材料の製造例を示す
。
。
製造例１
１−トリメチルシリル−１−プロピン１１２ｆｔｌルエ
ン１ｔに溶解させ５塩化タンタル８Ｖを添加し８０Ｃで
２４時間反応させた。反応液をメタノール中に注ぎ白色
のポリマーを得た。
ン１ｔに溶解させ５塩化タンタル８Ｖを添加し８０Ｃで
２４時間反応させた。反応液をメタノール中に注ぎ白色
のポリマーを得た。
白色ポリマー２０ｆＳＮ−ブ日モコハク酸イミド４０ｆ
１過酸化ベンゾイル１ｆを５００Ｗｔの四塩化炭素に溶
解し、１時間速波する。コハク酸イミドｔ−ｒ別してメ
タノールに注ぎブロム化ポリマーを得た。ブロム化ポリ
マーはエーテル中にて金属リチウムと反応させリチウム
化ポリマーとし、更にエピクロロヒドリンと反応させる
ことによシ、グリシジル化ポリアセチレン誘導体を得た
。グリシジル基の導入率はα０９でちった。
１過酸化ベンゾイル１ｆを５００Ｗｔの四塩化炭素に溶
解し、１時間速波する。コハク酸イミドｔ−ｒ別してメ
タノールに注ぎブロム化ポリマーを得た。ブロム化ポリ
マーはエーテル中にて金属リチウムと反応させリチウム
化ポリマーとし、更にエピクロロヒドリンと反応させる
ことによシ、グリシジル化ポリアセチレン誘導体を得た
。グリシジル基の導入率はα０９でちった。
製造例２〜６
製造例１におけるエピクロロヒドリンに代えて、クロロ
酢酸（製造例２）、塩化アリル（製造例５）％Ｐ−クロ
ロメチルフェノール（製造例ａ）Ｓｐ−りａロメチル安
息香酸（製造例５）、ｐ−り四ロメチルスチレン＜ｍ造
例６）を用いて変性し九ポリアセチレン誘導体を得た。
酢酸（製造例２）、塩化アリル（製造例５）％Ｐ−クロ
ロメチルフェノール（製造例ａ）Ｓｐ−りａロメチル安
息香酸（製造例５）、ｐ−り四ロメチルスチレン＜ｍ造
例６）を用いて変性し九ポリアセチレン誘導体を得た。
製造例７
製造例１のリチウム化ポリマーｔ−加水分解することに
より、ヒドロキシ基ｔ−有するポリアセチレン誘導体金
得た。
より、ヒドロキシ基ｔ−有するポリアセチレン誘導体金
得た。
以下、本発明を実施例によ）更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例１
製造例１によシ得られたポリマー１ｆＱメチルイソブチ
ルケトン１０Ｇ艷に溶解し、シリコンウェハに約［１２
μｍの厚さで塗布し１００Ｃで５０分間−気流中プリベ
ークし九。次に該ウェハにマスクを重ね１ ｋＷｆ）
Ｘ・−Ｈｔランプを用いて遠紫外線を照射し、キシレノ
とイングロビルアルコール２：１の混合溶媒で現像した
ところ、照射部のポリマーのみが溶解し、ポジ形のバタ
ンか形成できた。
ルケトン１０Ｇ艷に溶解し、シリコンウェハに約［１２
μｍの厚さで塗布し１００Ｃで５０分間−気流中プリベ
ークし九。次に該ウェハにマスクを重ね１ ｋＷｆ）
Ｘ・−Ｈｔランプを用いて遠紫外線を照射し、キシレノ
とイングロビルアルコール２：１の混合溶媒で現像した
ところ、照射部のポリマーのみが溶解し、ポジ形のバタ
ンか形成できた。
残膜率がＯとなる遠紫外線感度は１５０ ｍｌ／ｃｒｎ
”であり実用上十分利用可能な感度である。
”であり実用上十分利用可能な感度である。
感度曲線における傾きはｒ値とばれ、解像性の目安とな
る。この場合ｒ値は＆５となり十分高い解像性が期待で
きる。
る。この場合ｒ値は＆５となり十分高い解像性が期待で
きる。
更に、平行平板型反応性イオンエツチング装置で酸素ガ
スを用いてエツチングを行った（印加パワー１０Ｗ１エ
ツチング電内圧１０ミリトル）。このエツチング条件で
は該ポリマーのエツチング速度は５ｎｍ／分以下、ＡＺ
レジスト（シブレイ社製）のエツチング速度は１２０Ｃ
ｍ ７分であった。
スを用いてエツチングを行った（印加パワー１０Ｗ１エ
ツチング電内圧１０ミリトル）。このエツチング条件で
は該ポリマーのエツチング速度は５ｎｍ／分以下、ＡＺ
レジスト（シブレイ社製）のエツチング速度は１２０Ｃ
ｍ ７分であった。
実施例２及び比較例１
製造例２〜７で得られたポリマーをそれぞれ実施例１の
方法で遠紫外線感度、ｒ値、酸素ガスによるエツチング
速度を測定したところ表１のようになった。比較例１は
架橋を生じさせる反応基をもたない未変性ポリアセチレ
ン誘導体であるが、変性ポリマーと比較して、感度が２
倍以上低い。
方法で遠紫外線感度、ｒ値、酸素ガスによるエツチング
速度を測定したところ表１のようになった。比較例１は
架橋を生じさせる反応基をもたない未変性ポリアセチレ
ン誘導体であるが、変性ポリマーと比較して、感度が２
倍以上低い。
表 １
実施例３
シリコンクエバにＡ２１５５０レジストｔ−２μｍの厚
さに塗布し、ｚｏｏｃで３０分間グリベークした。この
ＡＺレジスト上に実施例１で用いたレジストを塗布し、
１００℃で５０分間プリベークした。その後り３ムマス
ク七密着させｘｅ−Ｈｇランプで１５０ ｍＪ／ｃｗ？
露光しキシレン／イソプロビルアルコール士２／１の現
像液テ現像した。その結果ＡＺレジスト上に１μｍライ
ン＆スペースのバタンか形成できた。できたバタンをマ
スクとして酸素ガスによる反応性イオンエツチングを行
い、バタンに覆われていない部分のＡＺレジストを除去
し、１μｍライン＆スペースで厚さが２．１μｍのバタ
ンか形成できた。
さに塗布し、ｚｏｏｃで３０分間グリベークした。この
ＡＺレジスト上に実施例１で用いたレジストを塗布し、
１００℃で５０分間プリベークした。その後り３ムマス
ク七密着させｘｅ−Ｈｇランプで１５０ ｍＪ／ｃｗ？
露光しキシレン／イソプロビルアルコール士２／１の現
像液テ現像した。その結果ＡＺレジスト上に１μｍライ
ン＆スペースのバタンか形成できた。できたバタンをマ
スクとして酸素ガスによる反応性イオンエツチングを行
い、バタンに覆われていない部分のＡＺレジストを除去
し、１μｍライン＆スペースで厚さが２．１μｍのバタ
ンか形成できた。
以上説明したように本発明で得られたポリマーは遠紫外
線に対してポジ形の感度特ａｔ示し、しかも解像性が高
い。また、架橋を生じさせる反応基全音するため、グリ
ベークによりポリマーに架橋ができる。架橋によシ浴解
性が低下するため、強溶媒での現像が可能となり高感度
となる。また、被膜が強じんとなり、はく離やピンホー
ルの発生も抑えられる。更に、シリコンを含有するため
酸素プラズマ耐性が高くシたがって下層に厚い有機高分
子膜ｔ−有する２１［相］レジストとして使用できる。
線に対してポジ形の感度特ａｔ示し、しかも解像性が高
い。また、架橋を生じさせる反応基全音するため、グリ
ベークによりポリマーに架橋ができる。架橋によシ浴解
性が低下するため、強溶媒での現像が可能となり高感度
となる。また、被膜が強じんとなり、はく離やピンホー
ルの発生も抑えられる。更に、シリコンを含有するため
酸素プラズマ耐性が高くシたがって下層に厚い有機高分
子膜ｔ−有する２１［相］レジストとして使用できる。
２鳴レジストとして使用した場合、段差を有する基板上
に著しく形状比の高い微細バタン全形成することができ
る。
に著しく形状比の高い微細バタン全形成することができ
る。
以上のことは半導体素子等の製造に大きな効果がみられ
る。
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記一般式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） 〔式中Ｒ＿１は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香
族基、シリル基及び置換シリル基よりなる群から選択し
た１種を示し、Ｒ＿２は式 ▲数式、化学式、表等があります▼（式中Ｘは−ＯＨ、
−ＣＯＯＨ、▲数式、化学式、表等があります▼、−Ｃ
Ｈ＝ＣＨ＿２、▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、及び ▲数式、化学式、表等があります▼よりなる群から選択
した１種の 基を示し、Ｘは０又は正の整数を示す）で表わされる基
を示し、ｍ及びｎは正の整数を示す〕で表わされるポリ
アセチレン誘導体を包含することを特徴とするパタン形
成用材料。 ２、被加工基板上に、該基板のドライエッチング加工に
耐性を有する有機高分子膜を形成し、更にその上に上層
レジストの膜を形成してレジストの膜を２層構成とし、
ブリペークを行つてレジスト中に架橋を生成させ、その
後、上層のレジストに遠紫外線で描画し、次いで現像し
て上層にレジストパタンを形成し、その後、該上層レジ
ストパタンを保護マスクとして下層の有機高分子膜を酸
素プラズマエッチングして、被加工基板上にレジストパ
タンを形成する方法において、該上層レジストとして、
下記一般式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） 〔式中Ｒ＿１は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香
族基、シリル基及び置換シリル基よりなる群から選択し
た１種を示し、Ｒ＿２は式▲数式、化学式、表等があり
ます▼（式中Ｘは−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、▲数式、化学式
、表等があります▼、−ＣＨ＝ＣＨ＿２、▲数式、化学
式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
す▼、及び▲数式、化学式、表等があります▼より なる群から選択した１種の基を示し、Ｘは０又は正の整
数を示す）で表わされる基を示し、ｍ及びｎは正の整数
を示す〕で表わされるポリアセチレン誘導体を包含する
パタン形成用材料を用いることを特徴とするパタン形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22598984A JPS61105544A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | パタン形成用材料及びパタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22598984A JPS61105544A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | パタン形成用材料及びパタン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105544A true JPS61105544A (ja) | 1986-05-23 |
Family
ID=16838049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22598984A Pending JPS61105544A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | パタン形成用材料及びパタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61105544A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01169448A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-04 | Fujitsu Ltd | 二層構造電子線レジスト用下層レジスト |
| US4863834A (en) * | 1987-07-31 | 1989-09-05 | Bell Communications Research, Inc. | Silicon-containing polymers as resists |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP22598984A patent/JPS61105544A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4863834A (en) * | 1987-07-31 | 1989-09-05 | Bell Communications Research, Inc. | Silicon-containing polymers as resists |
| JPH01169448A (ja) * | 1987-12-24 | 1989-07-04 | Fujitsu Ltd | 二層構造電子線レジスト用下層レジスト |
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