JPS61260239A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPS61260239A JPS61260239A JP10299685A JP10299685A JPS61260239A JP S61260239 A JPS61260239 A JP S61260239A JP 10299685 A JP10299685 A JP 10299685A JP 10299685 A JP10299685 A JP 10299685A JP S61260239 A JPS61260239 A JP S61260239A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic solvent
- positive type
- solvent
- photoresist composition
- type photoresist
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は輻射線に感応するポジ型感光性フォトレジスト
組成物に関するものである。
組成物に関するものである。
微細パターンの形成は、例えば、ポジ型フォトレジスト
組成物をウェハー上にスピンコード法、ディップコート
法、スプレーコート法等の塗布方法により塗布し、溶剤
を揮散させて、つ択的に除去することにより行われてい
る。
組成物をウェハー上にスピンコード法、ディップコート
法、スプレーコート法等の塗布方法により塗布し、溶剤
を揮散させて、つ択的に除去することにより行われてい
る。
ポジ型フォトレジスト組成物は、オルトベンゾキノ／ジ
アジド、バラベンゾキノ／ジアジド、オルトナフトキノ
ンジアジド基等を有するキノンジアジド系ポジ型感光性
化合物、フェノール誘導体とアルデヒド誘導体とを縮合
して得られるノボラック樹脂であるアルカリ可溶性塗膜
形成材料、あるいはポリビニルアルコール、スチレンと
アクリル酸との共重合体、メタクリル酸とメタクリルア
ルキルエステルとの共重合体等のアルカリ可溶性塗膜形
成材料及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセ
ｆ−）等（Ｄｌｌ剤よシ成るが、これら従来のポジ型フ
ォトレジスト組成物は、溶剤への感光性化合物の溶解性
が不充分で良好な塗膜が得られなかったり、あるいは、
一度溶解しても、長期間保存した場合、感光性化合物が
析出してしまい、微細パターンの形成に障害があった。
アジド、バラベンゾキノ／ジアジド、オルトナフトキノ
ンジアジド基等を有するキノンジアジド系ポジ型感光性
化合物、フェノール誘導体とアルデヒド誘導体とを縮合
して得られるノボラック樹脂であるアルカリ可溶性塗膜
形成材料、あるいはポリビニルアルコール、スチレンと
アクリル酸との共重合体、メタクリル酸とメタクリルア
ルキルエステルとの共重合体等のアルカリ可溶性塗膜形
成材料及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセ
ｆ−）等（Ｄｌｌ剤よシ成るが、これら従来のポジ型フ
ォトレジスト組成物は、溶剤への感光性化合物の溶解性
が不充分で良好な塗膜が得られなかったり、あるいは、
一度溶解しても、長期間保存した場合、感光性化合物が
析出してしまい、微細パターンの形成に障害があった。
本発明は、ポジ型フォトレジスト組成物を長期間保存し
た場合、一度溶解した感光性化合物が再析出することＫ
よる、塗布性不良を解決することを目的とする。
た場合、一度溶解した感光性化合物が再析出することＫ
よる、塗布性不良を解決することを目的とする。
本発明者らは、従来のポジ型フォトレジスト組成物の上
記のような欠点を解決し、極めて塗布性良好な組成物を
提供することを目的として鋭意研究を重ねた結果沸点Ｉ
ＩＩ〜２２０℃かつ溶解パラメーター／ ／−／Ｊの有
機溶剤〔Ａ〕および沸点／、２０〜／１０℃の有機溶剤
ＣＢ〕の二成分を含む有機溶剤を溶剤として用いれば、
ポジ型感光性化合物の析出しない、すなわち保存安定性
が良好で、かつ、ウェハー上への塗布性の良好なポジ型
フォトレジスト組成物が得られることを見出し本発明を
完成した。
記のような欠点を解決し、極めて塗布性良好な組成物を
提供することを目的として鋭意研究を重ねた結果沸点Ｉ
ＩＩ〜２２０℃かつ溶解パラメーター／ ／−／Ｊの有
機溶剤〔Ａ〕および沸点／、２０〜／１０℃の有機溶剤
ＣＢ〕の二成分を含む有機溶剤を溶剤として用いれば、
ポジ型感光性化合物の析出しない、すなわち保存安定性
が良好で、かつ、ウェハー上への塗布性の良好なポジ型
フォトレジスト組成物が得られることを見出し本発明を
完成した。
すなわち、本発明の要旨はキノンジアジド基を有するポ
ジ型感光性化合物及び塗膜形成材料を沸点ｔｔｏＳ２コ
ｏ℃で、かつ溶解パラメーター／／−／２の有機溶剤〔
Ａ〕および沸点ｌλＯ〜ｔｒｏ℃の有機溶剤〔Ｂ〕を含
む混合有機溶剤に溶解して成るポジ凰フォトレジスト組
成物に存する。
ジ型感光性化合物及び塗膜形成材料を沸点ｔｔｏＳ２コ
ｏ℃で、かつ溶解パラメーター／／−／２の有機溶剤〔
Ａ〕および沸点ｌλＯ〜ｔｒｏ℃の有機溶剤〔Ｂ〕を含
む混合有機溶剤に溶解して成るポジ凰フォトレジスト組
成物に存する。
上記沸点（ｂ、ｐ、） ／ Ｉ Ｏ−，２２０℃かつ
溶解パラメーター（ｓ、ｐ、） ／ ／ −／ ２の
有機溶剤〔Ａ〕としてはＮ−メチルピロリドン（ｂ、ｐ
、−Ｊ（７２℃、θ、ｐ、 ＝／／、Ｊ） 等のピロリ
ド７類、ジメチルスルホキシド（ｂ、ｐ、 ＝／ Ｉ
Ｐ ’Ｃ１ｓ、ｐ、 ＝／２．０）等のスルホキシド類
、ジメテルマロネー） （ｂ、ｐ＝／ Ｉｆ Ｏ〜／
ｒ ／ ℃、８．１）、 ＝／／、０）、ｘｆルシアノ
アセテー） （１）、ｐ、＝Ｊ ０１〜２７０℃、ａ、
ｐ、 ＝／ｌ−０） ’４のエステル類、ブタンジオー
ル（ｂ、ｐ、 ＝２０７℃、日、ｐ、＝／／、６）等の
アルコール類等、好ましくは、ピロリドン類、スルホキ
シド類が挙げられる。
溶解パラメーター（ｓ、ｐ、） ／ ／ −／ ２の
有機溶剤〔Ａ〕としてはＮ−メチルピロリドン（ｂ、ｐ
、−Ｊ（７２℃、θ、ｐ、 ＝／／、Ｊ） 等のピロリ
ド７類、ジメチルスルホキシド（ｂ、ｐ、 ＝／ Ｉ
Ｐ ’Ｃ１ｓ、ｐ、 ＝／２．０）等のスルホキシド類
、ジメテルマロネー） （ｂ、ｐ＝／ Ｉｆ Ｏ〜／
ｒ ／ ℃、８．１）、 ＝／／、０）、ｘｆルシアノ
アセテー） （１）、ｐ、＝Ｊ ０１〜２７０℃、ａ、
ｐ、 ＝／ｌ−０） ’４のエステル類、ブタンジオー
ル（ｂ、ｐ、 ＝２０７℃、日、ｐ、＝／／、６）等の
アルコール類等、好ましくは、ピロリドン類、スルホキ
シド類が挙げられる。
溶解パラメーターとは１分子の単位体積当九りの蒸発エ
ネルギーをｌ／／２乗したもので単位体積当たりの極性
の大きさを示す数値である。
ネルギーをｌ／／２乗したもので単位体積当たりの極性
の大きさを示す数値である。
８・ｐ・：圧
△Ｅ： 蒸発エネルギー（ｃａ１／ｍｏｌ）Ｖ： モル
容積（”／ｍｏｘ） 沸点１２ｏ−ｔｒｏ℃の有機溶剤〔Ｂ〕としてハ、シエ
トキシエタ／、ジエチレンクリコールジメチルエーテル
等のエーテル類、メチルセルンルフ、エチルセルソルフ
、エチレングリコールモノイソプロビルエーテル等のグ
リコールエーテル類、シクロペンタノン、メチルイソブ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケト／類、メチルセ
ルンルブアセテート、エチルセルンルブアセｆ−）、エ
テルｎ−バレレート、ジメチルオキザレート等のエステ
ル類、フルフラール等のアルデヒド類、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミドＮ、Ｎ
−ジメチルアセトアミド等のアミド類が挙げられる。有
機溶剤中の沸点／ Ｉ Ｏ−Ｊ ２０℃かつ溶解パラメ
ーターｔｔ、ｏ −ｔ２．ｏの有機溶剤［Ａ）の割合は
３〜ｌ／−０重量−の範囲で用いる。
容積（”／ｍｏｘ） 沸点１２ｏ−ｔｒｏ℃の有機溶剤〔Ｂ〕としてハ、シエ
トキシエタ／、ジエチレンクリコールジメチルエーテル
等のエーテル類、メチルセルンルフ、エチルセルソルフ
、エチレングリコールモノイソプロビルエーテル等のグ
リコールエーテル類、シクロペンタノン、メチルイソブ
チルケトン、シクロヘキサノン等のケト／類、メチルセ
ルンルブアセテート、エチルセルンルブアセｆ−）、エ
テルｎ−バレレート、ジメチルオキザレート等のエステ
ル類、フルフラール等のアルデヒド類、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミドＮ、Ｎ
−ジメチルアセトアミド等のアミド類が挙げられる。有
機溶剤中の沸点／ Ｉ Ｏ−Ｊ ２０℃かつ溶解パラメ
ーターｔｔ、ｏ −ｔ２．ｏの有機溶剤［Ａ）の割合は
３〜ｌ／−０重量−の範囲で用いる。
前記、沸点／１０〜２２０℃かつ溶解パラメーターｌ／
、Ｑ〜７２．０の有機溶剤〔Ａ〕は保存安定性を良好に
保つ為に有効であり、沸点／２０〜１１０℃の有機溶剤
〔Ｂ〕は、良好な塗布性を得る上で有効である。
、Ｑ〜７２．０の有機溶剤〔Ａ〕は保存安定性を良好に
保つ為に有効であり、沸点／２０〜１１０℃の有機溶剤
〔Ｂ〕は、良好な塗布性を得る上で有効である。
本発明で用いるキノンジアジド基を有するポジ型感光性
化合物としては、例えば、オルトベンゾキノンジアジド
、バラベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノンジア
ジド、オルトアントラキノンジアジドおよびそれらの誘
導体、例えば、オルトナフトキノンジアジドスルホニル
クロリドと水酸基またはアミノ基を有する化合物との反
応生成物、すなわち、スルホン酸エステル類、スルホン
アミド類を挙げることが出来る。上記、水酸基を有する
化合物としては、例エバ、ビスフェノールＡ１ ピロガ
ロール、没食子酸、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリ
ヒドロキシベンゾフェノン テトラヒドロキシペンシフ
エノン、ケルセチ／、モリン等を挙げることが出来、ア
ミノ基を有する化合物としては、アニリン、ｐ−アミノ
ジフェニルアミン等を挙げることが出来る。
化合物としては、例えば、オルトベンゾキノンジアジド
、バラベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノンジア
ジド、オルトアントラキノンジアジドおよびそれらの誘
導体、例えば、オルトナフトキノンジアジドスルホニル
クロリドと水酸基またはアミノ基を有する化合物との反
応生成物、すなわち、スルホン酸エステル類、スルホン
アミド類を挙げることが出来る。上記、水酸基を有する
化合物としては、例エバ、ビスフェノールＡ１ ピロガ
ロール、没食子酸、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリ
ヒドロキシベンゾフェノン テトラヒドロキシペンシフ
エノン、ケルセチ／、モリン等を挙げることが出来、ア
ミノ基を有する化合物としては、アニリン、ｐ−アミノ
ジフェニルアミン等を挙げることが出来る。
また、本発明で用いる塗膜形成材料としては、フェノー
ル誘導体とアルデヒド誘導体とを縮合して得られるノボ
ラック樹脂、ポリビニルアルコール、スチレンとアクリ
ル酸との共重合体、メタクリル酸とメタクリル酸アルキ
ルエステルとの共重合体等のアルカリ可溶性塗膜形成材
料が挙げられる。
ル誘導体とアルデヒド誘導体とを縮合して得られるノボ
ラック樹脂、ポリビニルアルコール、スチレンとアクリ
ル酸との共重合体、メタクリル酸とメタクリル酸アルキ
ルエステルとの共重合体等のアルカリ可溶性塗膜形成材
料が挙げられる。
上記ポジ型感光性化合物と塗膜形成材料との使用割合は
、通常重量比でｌ：２〜ｏ、ｊ： ｉ 。
、通常重量比でｌ：２〜ｏ、ｊ： ｉ 。
の範囲であり、本発明で用いる有機溶剤〔Ａ〕および有
機溶剤〔Ｂ〕より成る混合溶剤の使用量はウェハーに適
用して均一な薄膜の形成が可能であれば、特に制限はな
いが、通常、固形分、すなわち、ポジ型感光性化合物及
び塗膜形成材料がｊ−３０重量％の範囲となる濃度の組
成物を与えるような量が用いられる。
機溶剤〔Ｂ〕より成る混合溶剤の使用量はウェハーに適
用して均一な薄膜の形成が可能であれば、特に制限はな
いが、通常、固形分、すなわち、ポジ型感光性化合物及
び塗膜形成材料がｊ−３０重量％の範囲となる濃度の組
成物を与えるような量が用いられる。
次に本発明を実施例によって、更に具体的に説明するが
、本発明は実施例によって何ら制約を受けるものではな
い。
、本発明は実施例によって何ら制約を受けるものではな
い。
以下に記すｒ ｂ−ｐ−Ｊは「沸点」を、ｒｓ−ｐ−Ｊ
は「溶解パラメーター」を示す。
は「溶解パラメーター」を示す。
実施例１
Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド（’ｂ、ｐ、＝／４ｊ’
Ｃ）弘、０９およびＮ−メチルピロリドン（ｂ、ｐ、＝
、２Ｏ２℃、日、ｐ、＝／／、Ｊ）コ、Ｏｆの混合溶媒
にケルセチン１モルとナフトキノ／−（八Ｊ）−ジアジ
ド−（２） −Ｊ’−スルホニルクロリド５モルとの反
応物（感光性化合物） ｏ、３ｑ ｙ及びフェノール系
ノボラック樹脂λ、Ｏｆとを昼時間２ｒ℃で攪拌した所
完溶した。これをＯ，ココμｍのメンブランフィルタ−
で−過し、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。
Ｃ）弘、０９およびＮ−メチルピロリドン（ｂ、ｐ、＝
、２Ｏ２℃、日、ｐ、＝／／、Ｊ）コ、Ｏｆの混合溶媒
にケルセチン１モルとナフトキノ／−（八Ｊ）−ジアジ
ド−（２） −Ｊ’−スルホニルクロリド５モルとの反
応物（感光性化合物） ｏ、３ｑ ｙ及びフェノール系
ノボラック樹脂λ、Ｏｆとを昼時間２ｒ℃で攪拌した所
完溶した。これをＯ，ココμｍのメンブランフィルタ−
で−過し、ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。
この組成物を２！℃にて放置し、保存安定性試験を行っ
た結果、ｆ過後３００Ｏ時間を経過しても析出物は確認
できず、全く安定であった。
た結果、ｆ過後３００Ｏ時間を経過しても析出物は確認
できず、全く安定であった。
この組成物をスピンコード法にてシリコンウェハー上に
ＩＩ ０００ ｒｐｍの回転速度で塗布したところ、塗
布性良好であシ均一な塗膜が得られた。
ＩＩ ０００ ｒｐｍの回転速度で塗布したところ、塗
布性良好であシ均一な塗膜が得られた。
次いで、これを２０℃で３０分間乾燥したところ、厚さ
八〇μの均一な塗膜が得られた。
八〇μの均一な塗膜が得られた。
比較例／−／
実施例１のＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミドおよびＮ−メ
チルピロリドンの混合溶媒の代りにＮ、Ｎ−ジメチルア
セトアミドｔ、ｏ ｔを使用し、他は同様にして組成物
を調整して、保存安定性試験を行ったところ、ｔｏｏｏ
時間後時間先性化合物が析出した。
チルピロリドンの混合溶媒の代りにＮ、Ｎ−ジメチルア
セトアミドｔ、ｏ ｔを使用し、他は同様にして組成物
を調整して、保存安定性試験を行ったところ、ｔｏｏｏ
時間後時間先性化合物が析出した。
比較例１−２
実施例１の混合溶媒の代シに、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセト
アミドμ、Ｏｆおよびホルムアミド（ｂ、ｐ≦ｉｏ、ｚ
’Ｃ１日、 ｐ 、＝／り、λ）コ、Ｏｆよシ成る混
合溶媒を使用し、他は同様に組成物を調整して保存安定
性試験を行ったところ、１００時間後に感光性化合物が
析出した。
アミドμ、Ｏｆおよびホルムアミド（ｂ、ｐ≦ｉｏ、ｚ
’Ｃ１日、 ｐ 、＝／り、λ）コ、Ｏｆよシ成る混
合溶媒を使用し、他は同様に組成物を調整して保存安定
性試験を行ったところ、１００時間後に感光性化合物が
析出した。
比較例／ −Ｊ
実施例１の混合溶媒の代りに、ジオキサン（ｂ−ｐ−＝
♂ｒ℃）ｌＡ、ＯｆオヨびＮ−メチルピロリドン２．Ｏ
？よシ成る混合溶媒を使用し、他は同様にして組成物を
調整しスピンコード法にてシリコンウェハー上に実施例
１と同様にして塗布したところ、むらが生じ、均一な塗
膜は出来なかった。
♂ｒ℃）ｌＡ、ＯｆオヨびＮ−メチルピロリドン２．Ｏ
？よシ成る混合溶媒を使用し、他は同様にして組成物を
調整しスピンコード法にてシリコンウェハー上に実施例
１と同様にして塗布したところ、むらが生じ、均一な塗
膜は出来なかった。
実施例２
エチルセルソルブアセテ−） Ｃｂ、ｐ、＝ｉｊ６ ℃
）？、０２およびＮ−メチルピロリドン１．３２の混合
溶媒に、 、２．ｊ、弘−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン１モルとナフトキノン−（八２）−ジアジド−（２）
−よ−スルホニルクロリド３モルトノ反応物（感光性化
合物） ０．ｊ ｆおよび、フェノール系ノボラック樹
脂！、Ｏｆを使用し、実施例１と同様にしてフォトレジ
スト組成物を調整した。
）？、０２およびＮ−メチルピロリドン１．３２の混合
溶媒に、 、２．ｊ、弘−トリヒドロキシベンゾフェノ
ン１モルとナフトキノン−（八２）−ジアジド−（２）
−よ−スルホニルクロリド３モルトノ反応物（感光性化
合物） ０．ｊ ｆおよび、フェノール系ノボラック樹
脂！、Ｏｆを使用し、実施例１と同様にしてフォトレジ
スト組成物を調整した。
この組成物を２ｊ℃にて放置し、保存安定性試験を行っ
た結果、濾過後、３０００時間を経遇しても析出物は確
認できず、全く安定であった。この組成物をスピンコー
ド法にてシリコンウェハー上に≠００ Ｏｒｐｍの回転
速度で塗布したところ、塗布性良好であシ均一な塗膜が
得られた。
た結果、濾過後、３０００時間を経遇しても析出物は確
認できず、全く安定であった。この組成物をスピンコー
ド法にてシリコンウェハー上に≠００ Ｏｒｐｍの回転
速度で塗布したところ、塗布性良好であシ均一な塗膜が
得られた。
次いで、これをり０℃で３０分間乾燥したところ、厚さ
八〇μの均一な塗膜が得られた。
八〇μの均一な塗膜が得られた。
比較例λ−１
実施例コの混合溶媒の代りにエチルセルソルブアセテー
トタ、Ｊ ｆを使用し、他は同様に組成物を調整して保
存安定性試験を行ったところ、７００時間後に感光性化
合物が析出した。
トタ、Ｊ ｆを使用し、他は同様に組成物を調整して保
存安定性試験を行ったところ、７００時間後に感光性化
合物が析出した。
実施例３
実施例λのエチルセルソルブアセテートおよびＮ−メチ
ルピロリドンの混合溶媒の代シにジエチレンクリコール
ジメチルエーテル（ｂ、ｐ−＝＝／１２℃） ｒ、ｊｔ
？およびジメチルスルホキシド（ｂ、ｐ、＝＝／＃り
℃、ｓ 、ｐ 、＝／ココ。）０．Ｉｆの混合溶媒を使
用し、他は同様にして組成物を調整して、保存安定性試
験を行った所、３０００時間後でも安定であり、スピン
コード法にて実施例２と同様にして、シリコンクエノＡ
−上に塗布し、次いでｙｏ℃で３０分間乾燥したところ
、厚さ、／、０２μの均一な塗膜が得られた。
ルピロリドンの混合溶媒の代シにジエチレンクリコール
ジメチルエーテル（ｂ、ｐ−＝＝／１２℃） ｒ、ｊｔ
？およびジメチルスルホキシド（ｂ、ｐ、＝＝／＃り
℃、ｓ 、ｐ 、＝／ココ。）０．Ｉｆの混合溶媒を使
用し、他は同様にして組成物を調整して、保存安定性試
験を行った所、３０００時間後でも安定であり、スピン
コード法にて実施例２と同様にして、シリコンクエノＡ
−上に塗布し、次いでｙｏ℃で３０分間乾燥したところ
、厚さ、／、０２μの均一な塗膜が得られた。
本発明の組成物はポジ型感光性組成物の溶解性に優れ、
また長時間の保存に当っても析出物等が生ぜず、ウエノ
・上の微細パターン形成用のフォトレジストとして大変
好適に用いられるものである。
また長時間の保存に当っても析出物等が生ぜず、ウエノ
・上の微細パターン形成用のフォトレジストとして大変
好適に用いられるものである。
出 願人 三菱化成工業株式会社
代 理 人 弁理士 長谷用 −（ほか１名）
Claims (2)
- （１）キノンジアジド基を有するポジ型感光性化合物及
び塗膜形成材料を沸点１８０〜２２０℃で、かつ溶解パ
ラメーター１１〜１２の有機溶剤〔Ａ〕および沸点１２
０〜１８０℃の有機溶剤〔Ｂ〕を含む混合有機溶剤に溶
解して成るポジ型フォトレジスト組成物。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の有機溶剤〔Ａ〕およ
び有機溶剤〔Ｂ〕の混合有機溶剤において有機溶剤〔Ａ
〕が３〜４０重量％含有されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のポジ型フォトレジスト組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60102996A JPH0766183B2 (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60102996A JPH0766183B2 (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61260239A true JPS61260239A (ja) | 1986-11-18 |
| JPH0766183B2 JPH0766183B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=14342297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60102996A Expired - Fee Related JPH0766183B2 (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766183B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62194249A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
| JPS63218946A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
| JPH01262536A (ja) * | 1988-04-14 | 1989-10-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジスト材料及びその製造方法 |
| JPH01293340A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-27 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| US5405720A (en) * | 1985-08-07 | 1995-04-11 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Radiation-sensitive composition containing 1,2 quinonediazide compound, alkali-soluble resin and monooxymonocarboxylic acid ester solvent |
Citations (5)
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| JPS59231534A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-26 | マイクロシィ・インコーポレーテッド | 条線の少ないポジのホトレジスト組成物 |
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1985
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Also Published As
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|---|---|
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