JPS61121050A - 新規なフオトレジスト組成物 - Google Patents
新規なフオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPS61121050A JPS61121050A JP24176484A JP24176484A JPS61121050A JP S61121050 A JPS61121050 A JP S61121050A JP 24176484 A JP24176484 A JP 24176484A JP 24176484 A JP24176484 A JP 24176484A JP S61121050 A JPS61121050 A JP S61121050A
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- JP
- Japan
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- light
- decolored
- optical absorbent
- absorbing agent
- optical
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、光脱色性の吸光剤を含有したフォトレジスト
組成物に関するものであり、特に微細パターンの再現性
を改良し几新規なフォトレジスト組成物に関するもので
ある。
組成物に関するものであり、特に微細パターンの再現性
を改良し几新規なフォトレジスト組成物に関するもので
ある。
「従来の技術」
半導体、ＩＣ，ＬＳＩなどの電子部品は光学的手段によ
って任意の回路ノミターンを描画しであるマスクを介し
てレジストに露光し、現像してその基板をエツチングす
る方法で製造されている。近年、集積回路の高集積化に
伴い、パターンの微細化が進められてきた。その定めに
レジストには微細パターンを精度よく形放することが望
まれている。しかしながら上記の方法では露光する光の
回折や、下層のシリコン基板の表面からの光の散乱や反
射によって、レジスト像の解像力は著じるしく影響をう
灯る。特にシリコン基板ノ・−の表面にアルミニウムを
蒸着した基板を用いる場合はアルミニウム表面の光の反
射率が高く、従ってノ・レーション光も大きくなるので
表面の平担な部分ばかりでなく、基板に段差がある場合
にはその部分で乱反射がおこり、数μｍの細い線幅／ｅ
ターンを正確に再現することが困難になるという欠点が
あつこのハレーションを防止する方法として特公昭！／
−３７３−／、２号のようにレジスト中に光吸収性材料
を添加する技術が知られている。しかしながら溶剤型の
レジスｌ’用いる場合、塗布したレジストをプリベーキ
ングして残留溶剤をなくす必要があるが、吸光剤によっ
てはプリベーキング中に昇華して濃度が下り満足な光吸
収能が得られなかつ交す、保存中に吸光剤が析出（７た
りして効果にバラツキを生じるという欠点があった。更
にこれらの欠点を改良する目的で吸光剤の検討が行われ
、特開昭ｊｒ−３ｔｒＪｙ号や同Ｊｆ−／７１Ａ２μ１
号に見られるようなフェニルアゾベンゼン誘導体が提唱
されている。確かにプリベーキングやポストベーキング
に対する耐昇華性については改善され微細パターンの再
現性は改良さｒＬｙ’ｔ０しかしながら、特公＠１１−
１ｍ２号公報に記載され穴通り、吸光剤によって透過率
の低下が著（−＜吸光剤を使用しｔ場合は露光量を増加
させるか、あるいは微細パターンの再現性を犠牲にして
吸光剤の添加量を減らす必要があつ几。
って任意の回路ノミターンを描画しであるマスクを介し
てレジストに露光し、現像してその基板をエツチングす
る方法で製造されている。近年、集積回路の高集積化に
伴い、パターンの微細化が進められてきた。その定めに
レジストには微細パターンを精度よく形放することが望
まれている。しかしながら上記の方法では露光する光の
回折や、下層のシリコン基板の表面からの光の散乱や反
射によって、レジスト像の解像力は著じるしく影響をう
灯る。特にシリコン基板ノ・−の表面にアルミニウムを
蒸着した基板を用いる場合はアルミニウム表面の光の反
射率が高く、従ってノ・レーション光も大きくなるので
表面の平担な部分ばかりでなく、基板に段差がある場合
にはその部分で乱反射がおこり、数μｍの細い線幅／ｅ
ターンを正確に再現することが困難になるという欠点が
あつこのハレーションを防止する方法として特公昭！／
−３７３−／、２号のようにレジスト中に光吸収性材料
を添加する技術が知られている。しかしながら溶剤型の
レジスｌ’用いる場合、塗布したレジストをプリベーキ
ングして残留溶剤をなくす必要があるが、吸光剤によっ
てはプリベーキング中に昇華して濃度が下り満足な光吸
収能が得られなかつ交す、保存中に吸光剤が析出（７た
りして効果にバラツキを生じるという欠点があった。更
にこれらの欠点を改良する目的で吸光剤の検討が行われ
、特開昭ｊｒ−３ｔｒＪｙ号や同Ｊｆ−／７１Ａ２μ１
号に見られるようなフェニルアゾベンゼン誘導体が提唱
されている。確かにプリベーキングやポストベーキング
に対する耐昇華性については改善され微細パターンの再
現性は改良さｒＬｙ’ｔ０しかしながら、特公＠１１−
１ｍ２号公報に記載され穴通り、吸光剤によって透過率
の低下が著（−＜吸光剤を使用しｔ場合は露光量を増加
させるか、あるいは微細パターンの再現性を犠牲にして
吸光剤の添加量を減らす必要があつ几。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明は、フォトレジスト組成物に吸光剤を含有させて
微細パターンの再現性に優れた従来技術において、吸光
剤によるフォトレジスト組成物の透過率の低下を減少さ
せることにある。
微細パターンの再現性に優れた従来技術において、吸光
剤によるフォトレジスト組成物の透過率の低下を減少さ
せることにある。
「問題点を解決するための手段」
本発明は、吸光剤を含有するフォトレジスト組成物にお
いて、前記吸光剤は！３０−μ’Ａｏｎｍの範囲に吸収
極大を持ち、かつその吸収波長の光によって脱色するも
のであることを特徴とするフォトレジスト組成物によっ
て従来技術の問題点を解決した。
いて、前記吸光剤は！３０−μ’Ａｏｎｍの範囲に吸収
極大を持ち、かつその吸収波長の光によって脱色するも
のであることを特徴とするフォトレジスト組成物によっ
て従来技術の問題点を解決した。
「作 用」
本発明について、ポジ型の例を図面を用いて説明する。
ポジ型のフォトレジスト層は先回溶化する。
第１図は基板を上に本発明のフォトレジスト組放物を塗
布して形成し次フォトレジスト層に対して露光マスクｌ
を通して微細パターンの画像露光を与える様子を説明し
ているが、遮光部分２は光μを通さず、透過部分３を通
過し次光は基板上で乱反射を生じる。乱反射し友光を吸
光剤が吸収し、遮光部分へ光が入り込むことを防ぐこと
ができる。
布して形成し次フォトレジスト層に対して露光マスクｌ
を通して微細パターンの画像露光を与える様子を説明し
ているが、遮光部分２は光μを通さず、透過部分３を通
過し次光は基板上で乱反射を生じる。乱反射し友光を吸
光剤が吸収し、遮光部分へ光が入り込むことを防ぐこと
ができる。
しかし、同時に吸光剤はフォトレジスト層を先回溶化す
るｔめに必要な光（主として紫外線）も吸収するので、
層の透過率を低下させてい九〇第２図はフォトレジスト
層を先回溶化し几あとの、吸光剤の透過濃度を示しでい
るが、遮光部分の吸光剤の透過濃度ｔは実質的には露光
前の濃度が変っていないのに対して、露光部分の吸光剤
の透過濃度７は低下している。吸光剤を含有しｔフォト
レジスト層は露光面に近い程露光量が多く、まｔ基板に
近い根元が吸光剤によって吸収されるので露光量が少い
。従って本発明の光脱色性の吸光剤は露光面に近い程光
脱色されるが、基板に近い程光脱色が少なくなる。
るｔめに必要な光（主として紫外線）も吸収するので、
層の透過率を低下させてい九〇第２図はフォトレジスト
層を先回溶化し几あとの、吸光剤の透過濃度を示しでい
るが、遮光部分の吸光剤の透過濃度ｔは実質的には露光
前の濃度が変っていないのに対して、露光部分の吸光剤
の透過濃度７は低下している。吸光剤を含有しｔフォト
レジスト層は露光面に近い程露光量が多く、まｔ基板に
近い根元が吸光剤によって吸収されるので露光量が少い
。従って本発明の光脱色性の吸光剤は露光面に近い程光
脱色されるが、基板に近い程光脱色が少なくなる。
その結果、乱反射に対して光吸収性を保持しながら露光
面から脱色されるので吸光剤によって低下し比透過率が
回復してきて先回溶化に必要な露光量が得られやすくな
る。すなわち、本発明によって吸光剤によって光を吸収
させると同時に、吸光剤による透過率の低下を減少させ
るという矛盾した課題を解決することができｔ０ 本発明は、フォトレジスト層を先回溶化させるに必要な
無光量と吸光剤を脱色させるに必要な露光量を近似させ
る必要があるが、一方ではフォトレジスト層自体が露光
面に近い根元可溶化が進むという特異性を持つことによ
って達底された。
面から脱色されるので吸光剤によって低下し比透過率が
回復してきて先回溶化に必要な露光量が得られやすくな
る。すなわち、本発明によって吸光剤によって光を吸収
させると同時に、吸光剤による透過率の低下を減少させ
るという矛盾した課題を解決することができｔ０ 本発明は、フォトレジスト層を先回溶化させるに必要な
無光量と吸光剤を脱色させるに必要な露光量を近似させ
る必要があるが、一方ではフォトレジスト層自体が露光
面に近い根元可溶化が進むという特異性を持つことによ
って達底された。
本発明に用いる吸光剤は、フォトレジスト層が通常紫外
線露光されるので３３０〜４ｃ４ｃＯｎｍの範囲に吸収
極大を持つことが好ましい。
線露光されるので３３０〜４ｃ４ｃＯｎｍの範囲に吸収
極大を持つことが好ましい。
まｔ吸光剤の光脱色性が高い程顕著であるが先回溶化し
７を後の吸光剤の光脱色率〔（露光部分の透過濃度／未
露光部分の透過濃度） Ｘ ／ ００ 〕が７０％以下
が好ましい。まｔネガ型においても同様な効果が得られ
る。
７を後の吸光剤の光脱色率〔（露光部分の透過濃度／未
露光部分の透過濃度） Ｘ ／ ００ 〕が７０％以下
が好ましい。まｔネガ型においても同様な効果が得られ
る。
本発明に用いる吸光剤としては、下記一般式（Ｉ）で表
わされる化合物が好ましい。
わされる化合物が好ましい。
式中Ｚは（Ｒ３） −Ｑ−Ｒ’−またはＲ５で表わさ
ｎｚ’ ｈ−ｕ’−（Ｘ）ｂで表わすｆｉる。Ｒ２Ｈ”
＋ Ｒ２＋ Ｒ３は水素原子、炭素数／、ｊの置換
もしくは未置換のアリール基である。Ｑにノ・ロゲン原
子、もしくはＯ，Ｓ 、Ｎから選ばれた２価ま九は３価
の原子であり、ａはｏ、ｉ、、ｚを表わす。Ｒは炭素数
６〜１３の置換もしくは未置換のアリール基を表わし、
Ｒ５はＯ，Ｎ、Ｓを含む置換もしくは未置換の複素環な
表わし、Ｒ６は炭素数Ｊ−２０の芳香族炭化水素基を表
わす。ｂは’ ＊ ’ ｔ ２ｙ ’を表わし、ｎは’
ｊ’ｊコを表わす。Ｘはハロゲン原子、−ＣＮ、Ｒ’
、 −〇−Ｒ７１−Ｎ−８Ｏ□Ｒで表わされる基から選
ばれる。
ｎｚ’ ｈ−ｕ’−（Ｘ）ｂで表わすｆｉる。Ｒ２Ｈ”
＋ Ｒ２＋ Ｒ３は水素原子、炭素数／、ｊの置換
もしくは未置換のアリール基である。Ｑにノ・ロゲン原
子、もしくはＯ，Ｓ 、Ｎから選ばれた２価ま九は３価
の原子であり、ａはｏ、ｉ、、ｚを表わす。Ｒは炭素数
６〜１３の置換もしくは未置換のアリール基を表わし、
Ｒ５はＯ，Ｎ、Ｓを含む置換もしくは未置換の複素環な
表わし、Ｒ６は炭素数Ｊ−２０の芳香族炭化水素基を表
わす。ｂは’ ＊ ’ ｔ ２ｙ ’を表わし、ｎは’
ｊ’ｊコを表わす。Ｘはハロゲン原子、−ＣＮ、Ｒ’
、 −〇−Ｒ７１−Ｎ−８Ｏ□Ｒで表わされる基から選
ばれる。
Ｒ７は炭素数／％／２の置換もしくは未置換のアルキル
基、炭素数６〜１３の置換もしくは未置換のアリール基
を表わし、Ｒ，Ｒは水素原子、炭素数／、ｆの置換もし
くは未置換のアルキル基、炭素数６〜１３の置換もしく
は未置換のアリール基を表わす。ｍは１まｔは２である
。但し、ｍ＝２のときはＲ，Ｒ” 、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ
７うち少くとも１個が置換もしくは未置換のアルキレン
もしくは置換もしくは未置換のアリーレン基でビス体を
形成する。
基、炭素数６〜１３の置換もしくは未置換のアリール基
を表わし、Ｒ，Ｒは水素原子、炭素数／、ｆの置換もし
くは未置換のアルキル基、炭素数６〜１３の置換もしく
は未置換のアリール基を表わす。ｍは１まｔは２である
。但し、ｍ＝２のときはＲ，Ｒ” 、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ
７うち少くとも１個が置換もしくは未置換のアルキレン
もしくは置換もしくは未置換のアリーレン基でビス体を
形成する。
次に本発明に用いられる吸光剤の具体例を挙げるが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
偽 ＼
−執 ＼ ＼０
）
〜 ｈ）
諷 飄
）善 〜
勺 ４工 へ− 醤 ） 勺
′４ 輌Ｐ′１１＋１１′１
を 町 辱
ｈ本発明の吸光剤は［ケミカル・レビューズ（
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗｓ）Ｊ 第１ （
４ＩＡ）巻、４ｃ７３〜ＩＡり１頁、ジャン・ベイマー
およびアンソニー・マカルソ（Ｊａｎ Ｈａｍｅｒ
＆ ＡｎｔｈｏｎｙＭａｃａｌｕｓｏ）著「ニトロンズ
（Ｎｉｔｒｏｎｅｓ）４０合底の項に記載され比方法に
準じて合成できる。
）
〜 ｈ）
諷 飄
）善 〜
勺 ４工 へ− 醤 ） 勺
′４ 輌Ｐ′１１＋１１′１
を 町 辱
ｈ本発明の吸光剤は［ケミカル・レビューズ（
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗｓ）Ｊ 第１ （
４ＩＡ）巻、４ｃ７３〜ＩＡり１頁、ジャン・ベイマー
およびアンソニー・マカルソ（Ｊａｎ Ｈａｍｅｒ
＆ ＡｎｔｈｏｎｙＭａｃａｌｕｓｏ）著「ニトロンズ
（Ｎｉｔｒｏｎｅｓ）４０合底の項に記載され比方法に
準じて合成できる。
本発明に用いる吸光剤はフォトレジスト組成物中にθ、
ｌ−−〇重量％添加することができる。
ｌ−−〇重量％添加することができる。
更に好ましくは７７ 、 ｊ −、−／ ７重量％添加
することが望ましい。１１７を添加方法はフォトレジス
ト組成物中に直接添加してもよいし、フォトレジストの
溶剤中にあらかじめ溶解したのちフォトレジスト組成物
中へ添加してもよい。
することが望ましい。１１７を添加方法はフォトレジス
ト組成物中に直接添加してもよいし、フォトレジストの
溶剤中にあらかじめ溶解したのちフォトレジスト組成物
中へ添加してもよい。
本発明に用いられるフォトレジスト組成物の基材となる
フォトレジストとしてハ環化ゴムとビスアジドな主成分
とするゴム系フォトレジスト、フェノール及び、ｔ７ｔ
はクレゾールノボラック樹脂と少くとも１個の０−キノ
ンジアジド化合物を含むポジ型レジスト、あるいはポリ
メチルメタアクリレート、ポリメチルイソプロペニルケ
トン、ポリグリシジルメタクリレートを主成分とするデ
ィープＵＶレジストなどがあげられる。
フォトレジストとしてハ環化ゴムとビスアジドな主成分
とするゴム系フォトレジスト、フェノール及び、ｔ７ｔ
はクレゾールノボラック樹脂と少くとも１個の０−キノ
ンジアジド化合物を含むポジ型レジスト、あるいはポリ
メチルメタアクリレート、ポリメチルイソプロペニルケ
トン、ポリグリシジルメタクリレートを主成分とするデ
ィープＵＶレジストなどがあげられる。
本発明の吸光剤はキシレン、エチルセロンルブ、シクロ
ヘキサノン、セロソルブアセテート、ブチルアセテート
等の有機溶剤に容易に溶解し、ゴム系フォトレジスト、
ポジ型フォトレジスト、ディープＵＶレジストに対する
相溶性もよく更に高温下のベーキングによっても昇華性
を示さないので、これらを添加した場合、優れ之ハレー
ション防止効果によって、再現性よく微細パターンを得
ることができる。
ヘキサノン、セロソルブアセテート、ブチルアセテート
等の有機溶剤に容易に溶解し、ゴム系フォトレジスト、
ポジ型フォトレジスト、ディープＵＶレジストに対する
相溶性もよく更に高温下のベーキングによっても昇華性
を示さないので、これらを添加した場合、優れ之ハレー
ション防止効果によって、再現性よく微細パターンを得
ることができる。
「実施例」
次に本発明の実施例をあげて詳細に説明するが、本発明
はこれらに限定されるものではない。
はこれらに限定されるものではない。
実施例１
ノボラック樹脂と少なくとも１個のＯ−キノンジアジド
を含むポジ型フォトレジストＨＰＲ−Ｊｏｐ（商品名、
フィリップＩ Ａ Ｈハント社製、固型分割合２７．ｒ
重量％）に固型分割合に対して／、１重量％の光脱色性
の吸光剤ｌ（具体例の番号）を添加し、フォトレジスト
組成物を調整し穴。
を含むポジ型フォトレジストＨＰＲ−Ｊｏｐ（商品名、
フィリップＩ Ａ Ｈハント社製、固型分割合２７．ｒ
重量％）に固型分割合に対して／、１重量％の光脱色性
の吸光剤ｌ（具体例の番号）を添加し、フォトレジスト
組成物を調整し穴。
これをアルミ蒸着をし穴参インチシリコンウェハーに膜
厚が／、０μｍになるようにスピナーで回転塗布（ｔｏ
ｏｏｒ、ｐ−ｍ−２０秒）し、Ｎ２気流下、りｏ ０Ｃ
，３ｏ分間プリベーキングを行なった。これを解像カテ
ストノ壁ターンを介して縮少投影型ステツノ−にコンＮ
５Ｒ−１１Ｏ！Ｇ）を用いてｏ、３ｒ秒露光し友後、Ｐ
□５ｉｔｉｖｅＬＳＩ Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ Ｍｅｔ
ａｌ Ｆｒｅｅ （商品名、フィリップ、Ａ、ハント
社製）２倍希釈に２ｊ℃で６０秒間浸し現像し穴。
厚が／、０μｍになるようにスピナーで回転塗布（ｔｏ
ｏｏｒ、ｐ−ｍ−２０秒）し、Ｎ２気流下、りｏ ０Ｃ
，３ｏ分間プリベーキングを行なった。これを解像カテ
ストノ壁ターンを介して縮少投影型ステツノ−にコンＮ
５Ｒ−１１Ｏ！Ｇ）を用いてｏ、３ｒ秒露光し友後、Ｐ
□５ｉｔｉｖｅＬＳＩ Ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ Ｍｅｔ
ａｌ Ｆｒｅｅ （商品名、フィリップ、Ａ、ハント
社製）２倍希釈に２ｊ℃で６０秒間浸し現像し穴。
本発明の吸光剤ｌは光脱色性であり、露光面に近い側よ
り、レジスト膜の透過率の低下が回復し、その几め感度
は吸光剤を添加しない場合（０，３３秒）と比べさほど
の低下はみられない。ま几基板に近い側の光吸収性は保
持している几めアルミ表面からのハレーション防止効果
に優れており、得られｔパターンは定在波による側面の
ギザギザもなく、００２３ｍまでシャープに解像され比
。
り、レジスト膜の透過率の低下が回復し、その几め感度
は吸光剤を添加しない場合（０，３３秒）と比べさほど
の低下はみられない。ま几基板に近い側の光吸収性は保
持している几めアルミ表面からのハレーション防止効果
に優れており、得られｔパターンは定在波による側面の
ギザギザもなく、００２３ｍまでシャープに解像され比
。
比較例１
前記吸光剤ｌのかわりに下記に示す吸光剤Ａを用い実施
例１同様に行なつ友。得らｒ−たパターンはＯ０ｔμｔ
ｎｔでシャープに解像されており、まｔ／リーン側面の
牢在波によるギザギザもなりノ瘤ターン形状は実施例１
と同等であるが、吸光剤添加によってレジスト膜の透過
率が低下し、そのため感度が低下し露光量は０．ｊφ秒
必要であつ几。
例１同様に行なつ友。得らｒ−たパターンはＯ０ｔμｔ
ｎｔでシャープに解像されており、まｔ／リーン側面の
牢在波によるギザギザもなりノ瘤ターン形状は実施例１
と同等であるが、吸光剤添加によってレジスト膜の透過
率が低下し、そのため感度が低下し露光量は０．ｊφ秒
必要であつ几。
吸光剤Ａ
実施例λ
吸光剤Ａ１吸光剤なし及び本発明吸光剤ｌ−λｊについ
てＨＰＲ−λ０４ｃ（商品名、ブイリップ。
てＨＰＲ−λ０４ｃ（商品名、ブイリップ。
人、ハント社製、固型分割合一２７．ｒ重量％）の固型
分割合に対してｉ、ｏ重量％添加、更に解像力テストパ
ターンを介さずに露光すること以外は実施例１と同様に
行ないそれぞれについて残膜率＝Ｏになる露光秒数を測
定した。その結果を第１表に示す。
分割合に対してｉ、ｏ重量％添加、更に解像力テストパ
ターンを介さずに露光すること以外は実施例１と同様に
行ないそれぞれについて残膜率＝Ｏになる露光秒数を測
定した。その結果を第１表に示す。
第 ｌ 表
この結果より、一連の光脱色型吸光剤が従来の非脱色型
吸光剤と比較してさほど感度の低下をき之さないことが
わかる。
吸光剤と比較してさほど感度の低下をき之さないことが
わかる。
第１図は露光マスクを通してフォトレジスト層に画像露
光を与えるとき、光がマスク部分へ乱反射することの説
明図であり、第２図は吸光剤の透過濃度を示し、第３図
は残存しｔ７オトレジスト層を示す。 図中、ｌ：露光マスク、２二連光部分、３：透過部分、
藝：光、！、！’ ：７オトシジスト層、６：基板、
７：露光部分の透過濃ｙ、ｒ：遮光部分の透過濃度 特許出願人 富士写真フィルム株式会社第３図 １−ｍ−にトをマスク ５−一一フオドレジ゛スト眉 ６−−−甚 木（ ７−−−そ肢色部分 手続補正書は劃 １、事件の表示 昭和！９年特願第−２φ／７＆
’Ａ号２、発明の名称 新規なフォトレジスト組成物
３、補正をする者 事件との関係 特許出願人４、補正命令の
日付 昭和〆ａ年〉胡ぢ弓日発７」５．補正の対象
明細書、図面 ます。 ｒＦｈ・Ｉ’ｆＪＩＩＩ／ｌ？十着ｐ非會ｂｖ
−１＞すｙｃン＋−”同時Ｖ−凌ム、・ｂし）３７ 手続補正書 昭和ｔｏ年グ月 １日 ２、発明の名称 新規なフォトレジスト組成物３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人４、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ＆ 補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通シ
補正する。 （１）第２頁λ行目の と補正する。 （２）第１３頁を別紙と差し替える。 別紙 コ １ ２λ Ｏｔ
光を与えるとき、光がマスク部分へ乱反射することの説
明図であり、第２図は吸光剤の透過濃度を示し、第３図
は残存しｔ７オトレジスト層を示す。 図中、ｌ：露光マスク、２二連光部分、３：透過部分、
藝：光、！、！’ ：７オトシジスト層、６：基板、
７：露光部分の透過濃ｙ、ｒ：遮光部分の透過濃度 特許出願人 富士写真フィルム株式会社第３図 １−ｍ−にトをマスク ５−一一フオドレジ゛スト眉 ６−−−甚 木（ ７−−−そ肢色部分 手続補正書は劃 １、事件の表示 昭和！９年特願第−２φ／７＆
’Ａ号２、発明の名称 新規なフォトレジスト組成物
３、補正をする者 事件との関係 特許出願人４、補正命令の
日付 昭和〆ａ年〉胡ぢ弓日発７」５．補正の対象
明細書、図面 ます。 ｒＦｈ・Ｉ’ｆＪＩＩＩ／ｌ？十着ｐ非會ｂｖ
−１＞すｙｃン＋−”同時Ｖ−凌ム、・ｂし）３７ 手続補正書 昭和ｔｏ年グ月 １日 ２、発明の名称 新規なフォトレジスト組成物３、補
正をする者 事件との関係 特許出願人４、補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ＆ 補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通シ
補正する。 （１）第２頁λ行目の と補正する。 （２）第１３頁を別紙と差し替える。 別紙 コ １ ２λ Ｏｔ
Claims (1)
- 吸光剤を含有するフォトレジスト組成物において、前記
吸光剤は３３０〜４４０ｎｍの範囲に吸収極大を持ち、
かつその吸収波長の光によつて脱色するものであること
を特徴とするフォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24176484A JPS61121050A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 新規なフオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24176484A JPS61121050A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 新規なフオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61121050A true JPS61121050A (ja) | 1986-06-09 |
Family
ID=17079178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24176484A Pending JPS61121050A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 新規なフオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61121050A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352129A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-03-05 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | コントラスト増強層用組成物、アルキルニトロン類およびそれらの用途 |
| JPH0250162A (ja) * | 1987-07-31 | 1990-02-20 | Huls America Inc | 遠紫外線用コントラスト増強層を形成するのに有用なスピンキャスティング可能な混合物 |
| JPH0284654A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-03-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| WO2020153278A1 (ja) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 日産化学株式会社 | アセタール構造及びアミド構造を有する保護膜形成組成物 |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP24176484A patent/JPS61121050A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352129A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-03-05 | マイクロサイ，インコーポレイテッド | コントラスト増強層用組成物、アルキルニトロン類およびそれらの用途 |
| JPH0250162A (ja) * | 1987-07-31 | 1990-02-20 | Huls America Inc | 遠紫外線用コントラスト増強層を形成するのに有用なスピンキャスティング可能な混合物 |
| JPH0284654A (ja) * | 1988-06-30 | 1990-03-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| WO2020153278A1 (ja) * | 2019-01-21 | 2020-07-30 | 日産化学株式会社 | アセタール構造及びアミド構造を有する保護膜形成組成物 |
| CN113316595A (zh) * | 2019-01-21 | 2021-08-27 | 日产化学株式会社 | 具有缩醛结构和酰胺结构的保护膜形成用组合物 |
| JPWO2020153278A1 (ja) * | 2019-01-21 | 2021-11-25 | 日産化学株式会社 | アセタール構造及びアミド構造を有する保護膜形成組成物 |
| US12044968B2 (en) | 2019-01-21 | 2024-07-23 | Nissan Chemical Corporation | Protective film-forming composition having acetal structure and amide structure |
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