JPH0284654A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents

ポジ型フオトレジスト組成物

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JPH0284654A
JPH0284654A JP16797389A JP16797389A JPH0284654A JP H0284654 A JPH0284654 A JP H0284654A JP 16797389 A JP16797389 A JP 16797389A JP 16797389 A JP16797389 A JP 16797389A JP H0284654 A JPH0284654 A JP H0284654A
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Kesanao Kobayashi
小林 袈裟直
Nobuaki Matsuda
松田 伸明
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体素子の製造や液晶表示装置、蛍光表示
管、・サーマルヘッド、イメージセンサなどの電子部品
の製造に用いられるボッ型フォトレジストに関するもの
であり、特に微細加工に適したボッ型フォトレジスト組
成物に関するものである。
(従来技術) 半導体素子や液晶表示装置、蛍光表示管、サーマルヘッ
ド、イメージセンサなどの電子部品の精密加工に用いら
れる7オトレジストの特性の1つとして、被エツチング
基板表面に対する接着性の良否が特に重要である0通常
のポジ型フォトレノストは、強酸や弱塩基によるウェッ
トエツチングでしばしば膜剥がれやアンダーカットとが
起こる。
そこで、接着性改良のためにヘキサメチルジシラザン等
による被エツチング基板表面の処理が行われているが十
分ではない。ポジ型レジスト塗布前の基板または塗布後
もしくは現像後における加熱処理も行われ一応の効果は
あるが未だ不十分である。
プリント基板の銅表面に対する接着性の改良については
、特公昭50−9177号、同54−5292号、特開
昭53−702号の各公報に開示されているが、同公報
に開示されている感光材料はいずれもネが型であり、使
用対象も銅基板に限定されている。
精密加工分野で用いられるマイクロフォトレノストとし
ては、高解像力が望まれるためにボッ型レジストが主流
である。しかしボン型フォトレジストに対する接着助剤
のような添加剤の効果はこれまで知られていない、特に
デイスプレーやサーマルヘッドなどの電子部品加工の分
野では、基板材質の種類が多く、基板の種類によって接
着性が異なるため、これまで有効なものは見いだされて
いないのが実情である。
(発明が解決しようとする問題、任) 従って、本発明は、各種基板、特にITO基板に対する
接着性の優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供する
事を目的とする。
(問題を解決するための手段) 本発明は、0−キノンジアット化合物とアルカリ可溶性
7エ/−ル樹脂からなるポジ型フォトレノスト組成物に
、金属または金属酸化物薄層などの基板に対する接着助
剤として、特定の尿素化合物、チオ尿素化合物あるいは
アリールアミン化合物の少なくとも1種を添加すると上
記問題点を有効に解決できるとの知見に基づいてなされ
たものである。
すなわち、本発明の目的は、 (A)o−キノンジアット化合物、 (B)アルカリ可溶性7エ/−ル樹脂、及び(C)尿素
化合物、チオ尿素化合物及びアリールアミン化合物から
成る群から選ばれた化合物を少なくとも1種 含有することを特徴とするポジ型フォトレノスト組成物
により達成された。
本発明で用いられる尿素化合物及びチオ尿素化合物は、
それぞれ下記−数式(1)及び(It)で表される。
一般式(1) 及び −数式(II) (ここで<1)及び(II)において、R1、R2、R
1及(/R,は同じでも異なっても良く、水素原子また
は1〜8個の炭素原子を含むアルキル基、あるいはアリ
ール基または置換あるいは無置換の7リール基である。
環を形成しても良い、)また、アリールアミン化合物は
下記−数式(III)で表される。
一般式(It) (ここでR4%R6及VR1は、同じでも異なっても良
く、水素原子、1〜8個の炭素原子を含むアルキル基、
1〜8個の炭素原子を含むヒドロキシフルキル基、ハロ
ゲン置換もしくは無置換の7エ二ル基又はハロゲン置換
もしくは無置換のす7チル基である。) 本発明で用いる成分(A)の。−キノンジアット化合物
としては、トリヒドロキシベンゾフェノンの1,2−す
7トキノンー2−シアノド−5−スルホン酸エステルが
最も一般的であるが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、例えば、特公昭43−28,403号、米国特
許第2.754゜209号、同3,046,110号、
同3,046゜112号、同3.0413.113号、
同3,046゜116号、同3,046,118号、同
3,046゜119号、同3,046,120号、同3
,647゜443号及び同3,759,711号明細書
に開示されているものも同様に有用である。これらのう
ち、2,3,4.4’−テトラヒドロキシベンゾ7二/
ン、2,3,4.2’、6’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,4.(3,3’、4’、5’−へキサヒ
ドロキシベンゾ7エ/ン、2.3,4,5.4’−ペン
タヒドロキシベンゾ7エ/ン等の1,2−す7トキ/ン
ジアジドー5 (*たけ−4)スルホン酸エステルが好
ましい。
本発明で用いる成分(B)のアルカリ可溶性7エ/−ル
樹脂としては、例えば[シンセテイックレソン イン 
コーチインゲス] (5ynthetic  Re5in  inCoat
ings″(H,P、PreussW。
No  y  e  s     De  v  e 
 I  o  p  m  e  n  t     
Co  r  −poration+1965*Pea
rl     Ri  −v e r 、Ne w  
Yo r k発行))の第15章に記載されているよう
な7エ/−ル/ホルムアルデヒド樹脂であるノボラック
あるいはレゾール樹脂が好ましい。ノボラック樹脂は酸
触媒下で、レゾール樹脂は塩基性触媒下で7二/−ル性
化合物とアルデヒドの縮合によって合成されたものであ
り、フェノールの他に、クレゾール、キシレノール、エ
チルフェノール、ブチル7エ7−ル、イソフロビルメト
キシフェノール、クロルフェノール、ハイドロキノン、
ナフトール、2,2−ビス(p −ヒドロキシフェノー
ル)プロパン等を用いたものも使用することができる。
本発明では、尿素化合物、チオ尿素化合物及び7リ一ル
アミン化合物から成る群から選ばれた少なくとも1種の
化合物を用いることを特徴とし、該化合物を0−キノン
ジアジド化合物及びアルカリ可溶性フェノール樹脂と併
用することによって、基板に対する濡れ性が向上し、も
って接着性が者しく向上する。本発明で用いる成分(C
)は、尿素化合物としてはウレア、メチルウレア、エチ
ルフレア、フェニルウレア、アリルウレア、ペンシイル
ウ、レア、アセチルウレア、エチレンウレア、1.1−
ツメチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1.1−ジ
メチルウレア、1,3−ジメチルウレア、1.3−ジフ
ェニルウレア、1,3−ジアリルウレア、1,3−ジシ
クロヘキシルウレア、1,3−ノアセチルウレア、1.
1−ジベンゾイルウレア、トリメチルウレア、トリ二チ
ルウレア、トリフェニルウレア、テトラメチルウレア、
テトラエチルウレア等があり、チオ尿素化合物としては
チオウレア、メチルチオウレア、1−フェニル−2−チ
オウレア、1−アリル−2−チオウレア、】−ベンゾイ
ル−2−チオウレア、1−7セチルー2−チオウレア、
1−(1−す7チル)−2−チオウレア、グアニルチオ
ウレア、1,3−ツメチルチオウレア、1,3−ノエチ
ルチオウレア、1,1−ノフエニルチオウレア、1,3
−ジフェニルチオウレア、1.3−モロ−ブチルチオウ
レア、1.3−ジシクロへキシルチオウレア、1.3−
シイソプロビルチオウレ・7.2.2’−ノトリルチオ
ウレア、4,4゛−ノトリルチオウレア、トリメチルチ
オウレア、トリエチルチオウレア、トリフェニルチオウ
レア、テトラメチルチオウレア、テトラエチルチオウレ
ア、テトラフェニルチオウレア等があり、7リ一ルアミ
ン化合物としてはN−メチル−0−)レイクン、N−メ
チル−…−トルイジン、N−メチル−p−1ルイジン、
N−エチル−〇−トルイノン、N−エチル−W   )
/レイクン、N−エチル−p−トレイクン、ツメチル−
〇−トルイノン、ジメチル−m−)レイクン、ツメチル
−p−トレイクン、ノエチル−o −) tレイクン、
ノエチルー鍋−トルイシン、ジエチル−p−トレイクン
、N−メチルアニリン、N−エチルアニリン、N−ペン
チルアニリン、N−、アリルアニリン、ジメチルアニリ
ン、ジエチルアニリン、ジプロピルアニリン、in−ブ
チルアニリン、ジベンジルアニリン、N−フェニルベン
ジルアミン、N−7エ二ルー1−す7チルアミン、N−
フェニル−2−す7チルアミン、N−エチル−1−す7
チルアミン、ツメチル−1−す7チルアミン、ジメチル
−2−す7チルアミン、ジエチル−1−す7チルアミン
、N−フェニルノエタ/・−ルアミン、N−7エ二ルノ
ー2−プロパ/−ルアミン、+S−)リルノエタ/−ル
アミン、p−)リルジエタノールアミン等があるが、こ
れらに限定されるものではない、また、これらの化合物
は単独でも2種以上部合しても用いることができる。
本発明では、上記成分(A)〜(C)を任意の割合で用
いることができるが、 (A)/(B)を重量比で1/
9〜6/4、好ましくは2/8〜4/6となるように用
いるのがよい、また(C)は(A)及び(B)の固形分
あたり、0.02〜5重量%、好ましぐは0.05〜3
重量%の量で用いるのがよい。
本発明の感光性組成物は、一般に有慨溶剤に溶解して、
例えば成分(A)〜 (C)の合計量が10〜80%、
好ましくは20〜60%の濃度となるようにして用いら
れる。
溶剤は、各成分を均一に溶解し、かつ適当な沸点のもの
が望ましい。また、別の観点からは、スピンナー等で塗
布するときの溶液の濡れ性、広がり、面質等から適当に
選択されるが、代表的な溶剤は、次に例示するものであ
り、これは単独または組み合わせて使うことがでさる。
すなわち、グリコールエーテル系のメチルセロソルブ、
メチルセロソルブ、プロビル七ロゾルブ、プロピレング
リコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチル
エーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル及び
これらのアセチル化物、すなわち、エチルセロソルブア
セテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロ
ソルブアセテート、プロピレングリコールメチルエーテ
ルアセテート、プロピレングリ5−ルエチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセ
テートが有用である。また酢酸エステル系では、アミル
アセテート、ブチルアセテート、プロピルアセテート、
エチルアセテートが、ケトン系では、メチルインブチル
ケトン、メチルエチルケトン、ア七トン、シクロヘキサ
ノン、ジメチルホルムアミド、ツメチルスルホオキサイ
ド、メチルピロリドン、 γ−ブチルラクトン、乳酸エ
チル等が有用であり、ここでアルキル基は、直鎖でも枝
分かれしていてもよい。
本発明のポジ型フォトレジスト組成物には、染料や顔料
等の色材やフォトクロミック化合物、光に曝されたとき
酸を発生する化合物とpH指示薬等の焼出剤あるいは界
面活性剤などの塗布性改良剤等を加えることができる。
本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、周期律表第1
11a属及び第■a属に属する金属又は金属酸化物薄層
にコーチイブされる。これらの薄層は通常プラス、ボ+
7エステルフイルム、またはセラミック等の絶縁性基板
上に蒸着、メツキあるいは塗布法により形成された薄膜
であり、In 、Ti 。
Ge tsn *Pb +Sb tGa +AIの金属
もしくは単一酸化物、または幾つかの混合物もしくはそ
の酸化物などの組成で用いられる。特に、InとSn合
金の酸化物は透明電極として重要である。
上記金属または金属酸化物薄層には、ロールコータ−、
スピンナーあるいはスプレーなどの装置により本発明の
フォトレジスト組成物が数ミクロンの厚みに塗布され、
常法によって露光・現像・エツチングの工程を経て所望
のパターンに加工される。
(発明の効果) 本発明によれば、レノストの膜剥がれやサイドエッチが
改良されるため、精密エツチングが可能になり作業性が
萱しく向上する。すなわち、本発明のポジ型7オFレジ
スト組成物を用いると、パターンの複雑化、高密度化、
微細化が進むM密フォトエツチングを可能にし、エツチ
ング液の濃度や温度の管理中を広げ、ベーク温度条件の
巾を広げることができる。また、エツチング速度を上げ
るような強力エツチング剤やエツチング条件を選択する
ことができるので、スループットを高めることも可能に
なる。
以下に、実施例により本発明を説明するが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。
(実施例) 実施例1 及び 比較例1 5000AのITO蒸着膜を設けた100x100姶ω
の〃ラス基板をNaOHの0.2%水溶液中に5分間浸
漬し、水洗・乾燥した。冷却後ITO膜表面に下記組成
のボン型フォトレノスト溶液a (本発明)及びb (
比較例)を、それぞれローラーコーター (大日本スク
リーンg1)を用いて膜厚1.5 μμになるように塗
布した。
ポジ型フォトレジスト溶液a (本発明)ニトリヒドロ
キシベンゾ7エ7  8重1%ンの1,2−す7トキノ
ン ー2−ノアノド−5−スル ホン酸エステル クレゾールフォルムアルデヒ  25ii%ド樹脂 セロンルブアセテート     67重量%1.3−ツ
メチルウレア    固形分に対し1重量% ボッ型フォトレジスト溶液b (比較例):トリヒドロ
キシベンゾフェノ   8重量%ンの1.2−す7トキ
/ン −2−シアノド−5−スル ホン酸エステル クレゾールフォルムアルデヒ  25重1%ド樹脂 セロソルブアセテート     67重量%これらのサ
ンプルに対し、250W超高圧水銀灯(キャノン製 P
LA−501F)を用いて、パターン付きフォトマスク
を介して紫外線照射を竹った後、0.5%Na OH水
溶液を用いて23°C160秒問デイツプ現像し、水洗
、リンス、乾燥を施しレノストパターンを得た。
次に、HCI  (35%):FeCl、(35%):
純水を容量比でa: i: iの割合で調製したエツチ
ング液に40°Cで2〜4分闇デイプしてITO膜を選
択的にエツチングし、更にアセトンでレジストパターン
を溶解剥離してITOのパターンを得た。
本発明になる、1,3−ジメチルウレアを添加した溶液
aを塗布したサンプルのITOパターンはスムースでか
つ線巾の細りも非常に小さく、これを加えない溶gbを
塗布したサンプルのITOパターンに比べて極めて優れ
ており、密着性の向上が確認された。
第1図にエツチング時間とサイドエッチの割合との関係
を示した。
実施例2 1.3−ツメチルウレアのかわりに、N、N−ジエチル
−1)−トルイジンを添加する以外、実施例1と同様な
テストを行ったところ同じように極めて優れた密着性を
示し、ITOパターン特性も優れていた。
実施例3 1.3−ツメチルウレアのがわりに、N−フェニルノエ
タ/−ルアミンを添加する以外、実施例1と同様なテス
トを行ったところ同じように極めて優れた密着性を示し
、ITOパターン特性も優れていた。更に、実施例1と
同様に、感度低下を起こすこともなかった。
【図面の簡単な説明】
第1図は、ITOをエツチングしたときの、エツチング
時間(分)とサイドエッチの割合(%)の関係を示した
ちである。○は、本発明の1,3−ツメチルウレアを添
加したレジストを用いたとき、○はこれを添加しない従
来のレジストを用いたときの結果を示す。 第1図 特許出願人 富士写真フィルム株式会社エツチング時間
(分) r−わに孕山1■−セi、!:” (自発) 5、補正の内容 明細書の「発明の詳細な説明」の項の記載を下記の通り
平成1年8月/こ日 補正する。 第16頁4行目の 「密着性」 1゜ 事件の表示 「接着性」 ・F成1年特許願167973号 と補正する。 第16頁12行目の 「密着性」 「接着性」 補正をする者 ・F件との関係   特許出願人 住 所  神奈川県南足柄市中沼2 10番地 と補正する。 第16頁18行目の 「密着性」 「接着性」 と補正する。 富士写貞フィルム株式会社 電話(406)2537 東京本社 4゜ 補正の対象 明細書の[発明の詳細な説明」の欄

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (A)o−キノンジアジド化合物、 (B)アルカリ可溶性フェノール樹脂、及び (C)尿素化合物、チオ尿素化合物及びアリールアミン
    化合物から成る群から選ばれた 化合物を少なくとも1種 含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02222955A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型感光性組成物
EP0439181A2 (en) * 1990-01-26 1991-07-31 E.I. Du Pont De Nemours And Company Element having improved adhesion of auxiliary layers to film supports containing antistatic layers
JPH0480758A (ja) * 1990-07-23 1992-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US5716753A (en) * 1995-07-03 1998-02-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working quinone diazide resist composition containing organic phosphoric compound and an amine and process for the formation of fine pattern using same
JP2002040644A (ja) * 2000-07-27 2002-02-06 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物および有機el素子の絶縁膜
WO2002010859A1 (fr) * 2000-07-27 2002-02-07 Jsr Corporation Composition actinosensible, film isolant, et affichage el organique
JP2002169277A (ja) * 2000-12-05 2002-06-14 Jsr Corp 有機el表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、それから形成された絶縁膜、および有機el表示素子
CN105676601A (zh) * 2014-12-03 2016-06-15 东京应化工业株式会社 用于形成蚀刻掩模的玻璃基板的前处理方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55133030A (en) * 1979-04-03 1980-10-16 Fuji Photo Film Co Ltd Photopolymerizable composition
JPS58174941A (ja) * 1982-04-08 1983-10-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 新規な吸光剤及びそれを含有するホトレジスト組成物
JPS6193445A (ja) * 1984-10-12 1986-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd 新規なフオトレジスト組成物
JPS61121050A (ja) * 1984-11-16 1986-06-09 Fuji Photo Film Co Ltd 新規なフオトレジスト組成物
JPS6272665A (ja) * 1985-09-26 1987-04-03 Wako Pure Chem Ind Ltd 有機導電性錯体
JPS62124402A (ja) * 1985-11-25 1987-06-05 Ono Sokki Co Ltd 静電容量式変位検出器
JPS62276536A (ja) * 1986-05-26 1987-12-01 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
JPS6381461A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Minolta Camera Co Ltd 感光体

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55133030A (en) * 1979-04-03 1980-10-16 Fuji Photo Film Co Ltd Photopolymerizable composition
JPS58174941A (ja) * 1982-04-08 1983-10-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 新規な吸光剤及びそれを含有するホトレジスト組成物
JPS6193445A (ja) * 1984-10-12 1986-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd 新規なフオトレジスト組成物
JPS61121050A (ja) * 1984-11-16 1986-06-09 Fuji Photo Film Co Ltd 新規なフオトレジスト組成物
JPS6272665A (ja) * 1985-09-26 1987-04-03 Wako Pure Chem Ind Ltd 有機導電性錯体
JPS62124402A (ja) * 1985-11-25 1987-06-05 Ono Sokki Co Ltd 静電容量式変位検出器
JPS62276536A (ja) * 1986-05-26 1987-12-01 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
JPS6381461A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Minolta Camera Co Ltd 感光体

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02222955A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型感光性組成物
EP0439181A2 (en) * 1990-01-26 1991-07-31 E.I. Du Pont De Nemours And Company Element having improved adhesion of auxiliary layers to film supports containing antistatic layers
JPH0480758A (ja) * 1990-07-23 1992-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US5716753A (en) * 1995-07-03 1998-02-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working quinone diazide resist composition containing organic phosphoric compound and an amine and process for the formation of fine pattern using same
JP2002040644A (ja) * 2000-07-27 2002-02-06 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物および有機el素子の絶縁膜
WO2002010859A1 (fr) * 2000-07-27 2002-02-07 Jsr Corporation Composition actinosensible, film isolant, et affichage el organique
US6797450B2 (en) 2000-07-27 2004-09-28 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition, insulating film and organic EL display element
KR100745331B1 (ko) * 2000-07-27 2007-08-02 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 조성물, 절연막 및 유기 el 표시 소자
JP2002169277A (ja) * 2000-12-05 2002-06-14 Jsr Corp 有機el表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、それから形成された絶縁膜、および有機el表示素子
CN105676601A (zh) * 2014-12-03 2016-06-15 东京应化工业株式会社 用于形成蚀刻掩模的玻璃基板的前处理方法
CN105676601B (zh) * 2014-12-03 2020-08-07 东京应化工业株式会社 用于形成蚀刻掩模的玻璃基板的前处理方法

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