JPS6267532A - ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成法 - Google Patents
ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成法Info
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- JPS6267532A JPS6267532A JP20656785A JP20656785A JPS6267532A JP S6267532 A JPS6267532 A JP S6267532A JP 20656785 A JP20656785 A JP 20656785A JP 20656785 A JP20656785 A JP 20656785A JP S6267532 A JPS6267532 A JP S6267532A
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- Japan
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- photoresist
- decrease
- cyclized product
- solvent
- pattern
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はホトレジスト組成物及びホトレジストパターン
の形成方法に関し、さら（こ詳しくは共役ジエン系重合
体又はその環化物に、有機溶剤に可溶な光架構剤および
特定の化合物を配合してなるホトレジスト組成物及びそ
れを用いたホトレジストパターンの形成方法に関するも
のである。
の形成方法に関し、さら（こ詳しくは共役ジエン系重合
体又はその環化物に、有機溶剤に可溶な光架構剤および
特定の化合物を配合してなるホトレジスト組成物及びそ
れを用いたホトレジストパターンの形成方法に関するも
のである。
従来の技術
近年、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体集積回路の製置技術の進
展は著しく、製造技術のみならず、使用する装置や周辺
材料の改良が強く要求されているが、ホトレジスト分野
においても取扱い性が擾れ解像度の高いホトレジスト組
成物が要求されている。
展は著しく、製造技術のみならず、使用する装置や周辺
材料の改良が強く要求されているが、ホトレジスト分野
においても取扱い性が擾れ解像度の高いホトレジスト組
成物が要求されている。
しかしながら、このホトレジストは、例えばシリコン半
導体素子の製造に用いられる光反射率の高いアルミニウ
ム、フォトマスク用クロムなどの薄膜（以下基板という
）上において解像度が低下するという欠点を有している
。すなわち、露光の際、マスクの透光部を通った光がホ
トレジストを感光させた後、基板で反射して遮光部下に
ある本来感光させたくないホトレジストの領域へ廻り込
み、その部分を感光させる、いわゆるハレーション現象
が生じ、その結果、いわゆる「ひげ」と称する硬化物を
形成しくこの現象を、以下「ひけ」現象ということがあ
る）、解像度が低下する。単純≦こ表現すれば、反射光
が感光させたくないホトレジスト組成物の領域を感光さ
せ、その結果解像度が一低下す−るのである。
導体素子の製造に用いられる光反射率の高いアルミニウ
ム、フォトマスク用クロムなどの薄膜（以下基板という
）上において解像度が低下するという欠点を有している
。すなわち、露光の際、マスクの透光部を通った光がホ
トレジストを感光させた後、基板で反射して遮光部下に
ある本来感光させたくないホトレジストの領域へ廻り込
み、その部分を感光させる、いわゆるハレーション現象
が生じ、その結果、いわゆる「ひげ」と称する硬化物を
形成しくこの現象を、以下「ひけ」現象ということがあ
る）、解像度が低下する。単純≦こ表現すれば、反射光
が感光させたくないホトレジスト組成物の領域を感光さ
せ、その結果解像度が一低下す−るのである。
この欠点を改良する目的で、特公昭５１−３７５６２の
方法が提案されている。この方法は吸光性材料をホトレ
ジスト組成物に加えることによりホトレジスト組成物膜
中の光透過量を下げようとするものである。
方法が提案されている。この方法は吸光性材料をホトレ
ジスト組成物に加えることによりホトレジスト組成物膜
中の光透過量を下げようとするものである。
しかしながら、基板に塗布したホトレジスト組成物は、
残存する溶剤を除去するため、一般（こ８０〜１００
’Ｃで２０〜４０分程度プリベークされる。この際、上
記の吸光性材料たとえばオイルイエロー（商品名）はホ
トレジスト組成物膜中より揮散してしまうため、ハレー
ション防止効果が処理条件昏こより大きく影響されると
いう欠点がある。
残存する溶剤を除去するため、一般（こ８０〜１００
’Ｃで２０〜４０分程度プリベークされる。この際、上
記の吸光性材料たとえばオイルイエロー（商品名）はホ
トレジスト組成物膜中より揮散してしまうため、ハレー
ション防止効果が処理条件昏こより大きく影響されると
いう欠点がある。
さらには、この吸光性材料は揮散の際、塗膜（こピンホ
ールを生ぜしめたり、あるいはホトレジスト組成物と基
板との密着性を低下させたりＴるため製造時の収率が低
下するという欠点もある。
ールを生ぜしめたり、あるいはホトレジスト組成物と基
板との密着性を低下させたりＴるため製造時の収率が低
下するという欠点もある。
発明が解決しようとする問題点
本発明者らは、上記の欠点を改良し高い反射率の面を有
する基板を用いた場合でも、プリベーク条件に影響され
ることなく、再現性良く解像度の高い画像を得ることが
でき、しかも基板との密着性の低下がないホトレジスト
組成物及びそれを用いるホトレジストパターンの形成方
法を見出し、本発明に到達した。
する基板を用いた場合でも、プリベーク条件に影響され
ることなく、再現性良く解像度の高い画像を得ることが
でき、しかも基板との密着性の低下がないホトレジスト
組成物及びそれを用いるホトレジストパターンの形成方
法を見出し、本発明に到達した。
問題点を解決するための手段
すなわち、本発明により、共役ジエン系重合体又はその
環化物、有機溶剤に可溶な光架鵬剤及び式 ％式％ で示される骨格を有するヒドラゾン化合物を含有するこ
とを特徴とするホトレジスト組成物、及びこの組成物の
宕剤溶液を基板上に塗布し、所定のパターンのマスクを
介して露光を行ない、ホトレジストパターンを形成する
ことを特徴とするホトレジストパターンの形成法が提供
される。
環化物、有機溶剤に可溶な光架鵬剤及び式 ％式％ で示される骨格を有するヒドラゾン化合物を含有するこ
とを特徴とするホトレジスト組成物、及びこの組成物の
宕剤溶液を基板上に塗布し、所定のパターンのマスクを
介して露光を行ない、ホトレジストパターンを形成する
ことを特徴とするホトレジストパターンの形成法が提供
される。
本発明（こおいて用いられる共役ジエン系重合体及びそ
の環化物は、共役ジエンの単独重合体、共役ジエンとこ
れと共重合可能な車二体との共重合体及びこれらの環化
物から選択される。その代表例として、天然ゴム、ポリ
イソプレン、イソプレン−スチレン共重合体、ポリブタ
ジェン、及びこれらの環化物が挙げられる。
の環化物は、共役ジエンの単独重合体、共役ジエンとこ
れと共重合可能な車二体との共重合体及びこれらの環化
物から選択される。その代表例として、天然ゴム、ポリ
イソプレン、イソプレン−スチレン共重合体、ポリブタ
ジェン、及びこれらの環化物が挙げられる。
本発明において用いられる有機溶剤としては、ベンゼン
、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、トリクレン
、パークレン、四塩化炭素、クロルベンゼン、ジクロル
ベンゼン等のハロゲン化炭化水素、及びテトラヒドロフ
ラン、シクロヘキサノン等の酸素を有する炭化水素が代
表例として挙げられる。
、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、トリクレン
、パークレン、四塩化炭素、クロルベンゼン、ジクロル
ベンゼン等のハロゲン化炭化水素、及びテトラヒドロフ
ラン、シクロヘキサノン等の酸素を有する炭化水素が代
表例として挙げられる。
本発明において用いられる何編溶剤Ｇこ可溶な光架１剤
としては、アジド系化合物、例えば４．４′−ジアジド
スチルベン、ｐ−フェニレンビスアジド、４．４’−ジ
アジドベンゾフェノン、４．４’−ジアジドカルコン、
２，６−ビス（４′−アジドベンザル）シクロヘキサノ
ン、２．６−ビス（４′−アジドベンザル）−４−メチ
ルシクロヘキサノン、４．４’−ジアジドジフェニル等
が挙げられる。
としては、アジド系化合物、例えば４．４′−ジアジド
スチルベン、ｐ−フェニレンビスアジド、４．４’−ジ
アジドベンゾフェノン、４．４’−ジアジドカルコン、
２，６−ビス（４′−アジドベンザル）シクロヘキサノ
ン、２．６−ビス（４′−アジドベンザル）−４−メチ
ルシクロヘキサノン、４．４’−ジアジドジフェニル等
が挙げられる。
本発明においてハレーション防止剤として用いられるヒ
ドラゾン化合安は、いずれの置換基を有するものであり
でもよいが、一般式 で示せば、式中のＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、水素。
ドラゾン化合安は、いずれの置換基を有するものであり
でもよいが、一般式 で示せば、式中のＲ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は、水素。
（置換］アルキル基、（置換］アリール基、アラルキル
基、アルケニル基、ピリジル基など力）ら選択される。
基、アルケニル基、ピリジル基など力）ら選択される。
上記ヒドラゾン化合物の具体例として（Ｃ！、ホＪレム
アルデヒド２．４−ジニトロフェニルヒドラ・シン、ア
セトアル−ヒト２，４−ジニトロフエニルヒドラ・ノン
、ベンズアルデヒドフェニルヒドラ・シン、２−クロロ
ベンズアルデヒドフエニＪレヒドラ゛ノン、ペンズアル
デヒド４−ニトロフェニルヒドラゾン、４−ニトロベン
ズアルデヒドメチルヒドラゾン、ベンズアルデヒド２，
４−ジニトロフェニルヒドラゾン、ピリジルアルデヒド
フェニルヒドラゾン、アセトン４−ニトロフェニルヒド
ラゾン、アセトン２，４−ジニトロフェニルヒドラゾン
、アセトンＮメチル２゜４−ジニトロフェニルヒドラゾ
ン、メチルエチルケトン４−ニトロフェニルヒドラゾン
、アセトフェノン４−クロロフェニルヒドラゾン、アセ
トフェノン２．４−ジニトロフェニルヒドラゾン、シク
ロペンタノン２，４−ジニトロフェニルヒドラゾン、シ
クロへキサノン２，４−ジニトロフェニルヒドラゾン、
メチル２−ピリジルケトンフェニルヒドラゾンなどが挙
げられる。
アルデヒド２．４−ジニトロフェニルヒドラ・シン、ア
セトアル−ヒト２，４−ジニトロフエニルヒドラ・ノン
、ベンズアルデヒドフェニルヒドラ・シン、２−クロロ
ベンズアルデヒドフエニＪレヒドラ゛ノン、ペンズアル
デヒド４−ニトロフェニルヒドラゾン、４−ニトロベン
ズアルデヒドメチルヒドラゾン、ベンズアルデヒド２，
４−ジニトロフェニルヒドラゾン、ピリジルアルデヒド
フェニルヒドラゾン、アセトン４−ニトロフェニルヒド
ラゾン、アセトン２，４−ジニトロフェニルヒドラゾン
、アセトンＮメチル２゜４−ジニトロフェニルヒドラゾ
ン、メチルエチルケトン４−ニトロフェニルヒドラゾン
、アセトフェノン４−クロロフェニルヒドラゾン、アセ
トフェノン２．４−ジニトロフェニルヒドラゾン、シク
ロペンタノン２，４−ジニトロフェニルヒドラゾン、シ
クロへキサノン２，４−ジニトロフェニルヒドラゾン、
メチル２−ピリジルケトンフェニルヒドラゾンなどが挙
げられる。
上記ヒドラゾン化合物を共役ジエン系重合体又はその環
化物１００重ｆｆｉ部に対して、通常は１．０〜１００
重量部、好ましくは１．０〜６．ＯＭ量郡部添加る。添
加層が１．０重量部未満ではハレーション防止効果が充
分でなく、１００重量部を超えるとホトレジスト嘆と基
板との密着性が低下したり、現像後の残膜率が低下した
りして好ましくない。
化物１００重ｆｆｉ部に対して、通常は１．０〜１００
重量部、好ましくは１．０〜６．ＯＭ量郡部添加る。添
加層が１．０重量部未満ではハレーション防止効果が充
分でなく、１００重量部を超えるとホトレジスト嘆と基
板との密着性が低下したり、現像後の残膜率が低下した
りして好ましくない。
本発明のホト１．／シスト組成物を用いたパターンの形
成は、通常の方法によって行なわれる。すなわち、ホト
レジスト組成物を溶剤溶液として基板上に塗布して被膜
としたのち、所定のパターンのマスクを介して露光を行
ない、現像、リンス工程を経てホトレジストパターンを
形成する。
成は、通常の方法によって行なわれる。すなわち、ホト
レジスト組成物を溶剤溶液として基板上に塗布して被膜
としたのち、所定のパターンのマスクを介して露光を行
ない、現像、リンス工程を経てホトレジストパターンを
形成する。
発明の効果
本発明に係るホトレジスト組成・物を用いること（こよ
り、段差構造を酊する反射率の高いアルミニウムやクロ
ム等の基板上で、プリベーク条件によって大きく影響さ
れることなく、シかもピンホールの発生や密着性の低下
を生じることなく、再現性よく、ハレーションによる解
像度の低下を防止できる。
り、段差構造を酊する反射率の高いアルミニウムやクロ
ム等の基板上で、プリベーク条件によって大きく影響さ
れることなく、シかもピンホールの発生や密着性の低下
を生じることなく、再現性よく、ハレーションによる解
像度の低下を防止できる。
実施例
次に、実施例により、本発明をさらに詳しく説朗する。
実施例 Ｉ
Ｌｉ触媒を用いて得られたシス−１，４−ポリイソプレ
ンの環化物（分子量１５万、環化未反応イソプレン分率
２５％） １２ｇをキシレン８８ｇ（こ溶解し、光架１
剤として２，６−ビス（４′−アジドベンザルツー４−
メチルシクロへキサノン０３６ ｇ、安定剤として２，
２′−メチレンビス（４′−メチル−６−ｔ−ブチル）
フェノール０１２ｇを加え、ハレーション防止剤として
、ベンズアルデヒドフェニルヒドラゾンを所定量加え、
ホトレジスト組成物を調製した。これをシリコン基板上
に形成されたアルミニウム薄膜上に塗布し、温度８５℃
ｔ’２０分間プリベークし、膜厚１μｍのホトレジスト
被膜を形成した。
ンの環化物（分子量１５万、環化未反応イソプレン分率
２５％） １２ｇをキシレン８８ｇ（こ溶解し、光架１
剤として２，６−ビス（４′−アジドベンザルツー４−
メチルシクロへキサノン０３６ ｇ、安定剤として２，
２′−メチレンビス（４′−メチル−６−ｔ−ブチル）
フェノール０１２ｇを加え、ハレーション防止剤として
、ベンズアルデヒドフェニルヒドラゾンを所定量加え、
ホトレジスト組成物を調製した。これをシリコン基板上
に形成されたアルミニウム薄膜上に塗布し、温度８５℃
ｔ’２０分間プリベークし、膜厚１μｍのホトレジスト
被膜を形成した。
これ）こ解像度テストパターンの形成されたフォトマス
クを介し、２００Ｗの高圧水銀灯を備えた露光装置（キ
ャノン社製ＰＬＡ−５０１Ａ＋ を用いて所定時間露光
してｎ−へブタン系現像液に１分間浸漬して現像し、次
いで酢酸ｎ−ブチルエステルで１分間リンスした。得ら
れたレジストパターンを４００倍の光学顕微鏡で観察し
、解像度を求めた。結果を第１表（こ示す。
クを介し、２００Ｗの高圧水銀灯を備えた露光装置（キ
ャノン社製ＰＬＡ−５０１Ａ＋ を用いて所定時間露光
してｎ−へブタン系現像液に１分間浸漬して現像し、次
いで酢酸ｎ−ブチルエステルで１分間リンスした。得ら
れたレジストパターンを４００倍の光学顕微鏡で観察し
、解像度を求めた。結果を第１表（こ示す。
なお、露光時間は、予め残膜率曲線から各々のレジスト
組成物ごとに感度として求めておき、その時間（光架喝
反応が充分に生じる時間）の３倍とした。
組成物ごとに感度として求めておき、その時間（光架喝
反応が充分に生じる時間）の３倍とした。
第１表に示す如く、ハレーション防止剤としてベンズア
ルデヒドフェニルヒドラゾンを添加した本発明のホトレ
ジスト組成物では、解像度が１．９μｍ以下であり、ハ
レーション防止剤を添加してない比幀例に比べ、良い値
を示している。又、比穀例では、アルミニウム基板から
の光の反射（こよって生じる「ひけ」が！！察されるの
に対し、本発明では、「ひげ」の発生は８察されない。
ルデヒドフェニルヒドラゾンを添加した本発明のホトレ
ジスト組成物では、解像度が１．９μｍ以下であり、ハ
レーション防止剤を添加してない比幀例に比べ、良い値
を示している。又、比穀例では、アルミニウム基板から
の光の反射（こよって生じる「ひけ」が！！察されるの
に対し、本発明では、「ひげ」の発生は８察されない。
すなわち、反射率の大きいアルミニウム基板において１
本発明のホトレジスト組成物（こは、ハレーション防止
効果があることがわかる。
本発明のホトレジスト組成物（こは、ハレーション防止
効果があることがわかる。
実施例 ２
実施例１と同じレジスト基剤に、ハレーション防止剤と
して ベンズアルデヒド２．４−ジニトロフェニルヒドラゾン ピリジルアルデヒドフェニルヒドラゾンアセトン２．４
−ジニトロフェニルヒドラゾンシクロへキサノン２．４
−ジニトロフェニルヒドラゾン を所定量加え、ホトレジスト組成物を調製した。
して ベンズアルデヒド２．４−ジニトロフェニルヒドラゾン ピリジルアルデヒドフェニルヒドラゾンアセトン２．４
−ジニトロフェニルヒドラゾンシクロへキサノン２．４
−ジニトロフェニルヒドラゾン を所定量加え、ホトレジスト組成物を調製した。
上記ホトレジストを実Ｂ例１と同様の方法で評価した。
結果を第２表昏こ示す。
第２表に示す如く、実験番号７〜１０のいずれの場合（
こおいても、ハレーション防止剤が添加されない比較例
よりも微細な線嘔まで解像されており、かつ「ひけ」現
象も生じていない、すなわち、本発明におけるハレーシ
ョン防止剤を添加することにより、反射率の大きいアル
ミニウム基板においても、解像度が顕著に向上すること
がわかる。
こおいても、ハレーション防止剤が添加されない比較例
よりも微細な線嘔まで解像されており、かつ「ひけ」現
象も生じていない、すなわち、本発明におけるハレーシ
ョン防止剤を添加することにより、反射率の大きいアル
ミニウム基板においても、解像度が顕著に向上すること
がわかる。
以下余白
第１表
第２表
特許出願人 日本ゼオン株式会社
同 富士通株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、共役ジエン系重合体又はその環化物、有機溶剤に可
溶な光架橋剤及び式 ＞０＝Ｎ−Ｎ＜、 で示される骨格を有するヒドラゾン化合物を含有するこ
とを特徴とするホトレジスト組成物。 ２、共役ジエン系重合体又はその環化物、有機溶剤に可
溶な光架橋剤及び式 ＞０＝Ｎ−Ｎ＜ で示される骨格を有するヒドラゾン化合物を含有する組
成物の溶剤溶液を基板上に塗布し、所定のパターンのマ
スクを介して露光を行ない、ホトレジストパターンを形
成することを特徴とするホトレジストパターンの形成法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20656785A JPS6267532A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20656785A JPS6267532A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6267532A true JPS6267532A (ja) | 1987-03-27 |
Family
ID=16525529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20656785A Pending JPS6267532A (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | ホトレジスト組成物及びホトレジストパタ−ンの形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6267532A (ja) |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP20656785A patent/JPS6267532A/ja active Pending
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