JP2921021B2 - レジスト用組成物 - Google Patents
レジスト用組成物Info
- Publication number
- JP2921021B2 JP2921021B2 JP2115982A JP11598290A JP2921021B2 JP 2921021 B2 JP2921021 B2 JP 2921021B2 JP 2115982 A JP2115982 A JP 2115982A JP 11598290 A JP11598290 A JP 11598290A JP 2921021 B2 JP2921021 B2 JP 2921021B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist composition
- compound
- present
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Heat Sensitive Colour Forming Recording (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はレジスト組成物に関するものである。さらに
詳しくは、ICやLSI等の半導体デバイスの製造におい
て、アルミニウム等の高反射率基板上での微細パターン
の形成に特に好適に用いられるレジスト組成物に関する
ものである。
詳しくは、ICやLSI等の半導体デバイスの製造におい
て、アルミニウム等の高反射率基板上での微細パターン
の形成に特に好適に用いられるレジスト組成物に関する
ものである。
〈従来の技術〉 従来から、LSI等の集積回路の製造においては、キノ
ンジアジド系感光剤とノボラック樹脂を含有するレジス
ト組成物や、ビスアジド系感光剤と環化ゴム系樹脂を含
有するレジスト組成物等が用いられている。
ンジアジド系感光剤とノボラック樹脂を含有するレジス
ト組成物や、ビスアジド系感光剤と環化ゴム系樹脂を含
有するレジスト組成物等が用いられている。
集積回路を製造する際、各種基板上にレジスト組成物
を使って微細パターンを形成するが、アルミニウム、ア
ルミニウム−シリコン、ポリシリコン等の高反射率基板
上にレジストパターンを形成する場合、従来のレジスト
組成物では、基板面や段差側面での光の反射による不必
要な領域の感光現象を生じ、いわゆるノッチングやハレ
ーションといった問題が生じる。
を使って微細パターンを形成するが、アルミニウム、ア
ルミニウム−シリコン、ポリシリコン等の高反射率基板
上にレジストパターンを形成する場合、従来のレジスト
組成物では、基板面や段差側面での光の反射による不必
要な領域の感光現象を生じ、いわゆるノッチングやハレ
ーションといった問題が生じる。
上記問題を改良し、解像度の低下を防止するため、特
公昭51−37562号公報には、紫外線領域に吸光特性を有
する下記式 で示される染料（オイルイエロー〔C.I.−11020〕）を
吸光剤として含有させたレジスト組成物が提案されてい
る。これにより、レジスト層を透過する光を急激に低減
させ、遮光領域への光の回り込みを少なくすることがで
きる。
公昭51−37562号公報には、紫外線領域に吸光特性を有
する下記式 で示される染料（オイルイエロー〔C.I.−11020〕）を
吸光剤として含有させたレジスト組成物が提案されてい
る。これにより、レジスト層を透過する光を急激に低減
させ、遮光領域への光の回り込みを少なくすることがで
きる。
しかし、一般に吸光剤を添加すると、レジスト組成物
の感度が大幅に低下するため、半導体製造時の生産性を
低下させるという好ましくない問題が生じる。
の感度が大幅に低下するため、半導体製造時の生産性を
低下させるという好ましくない問題が生じる。
また、レジスト組成物は通常、溶媒に溶解した溶液と
なっており、レジスト膜の作成には、このような溶媒を
含有するレジスト組成物をウェハに塗布し、プリベーク
して溶媒を除去する方法が採られるが、吸光剤によって
は、保存中にレジスト液中で析出したり、プリベーク時
に昇華して濃度が低下し、レジスト性能にバラツキを生
じたりするという問題がある。
なっており、レジスト膜の作成には、このような溶媒を
含有するレジスト組成物をウェハに塗布し、プリベーク
して溶媒を除去する方法が採られるが、吸光剤によって
は、保存中にレジスト液中で析出したり、プリベーク時
に昇華して濃度が低下し、レジスト性能にバラツキを生
じたりするという問題がある。
〈発明が解決しようとする課題〉 本発明は、上記従来技術の欠点を克服しようとするも
のである。
のである。
したがって本発明の目的は、前記従来技術の欠点を除
去し、高反射率基板上でもハレーションやノッチングが
なく、かつプリベークに対しても安定で、高解像度のパ
ターンを形成し、そして吸光剤添加による感度低下が小
さい高感度のレジスト組成物を提供することにある。
去し、高反射率基板上でもハレーションやノッチングが
なく、かつプリベークに対しても安定で、高解像度のパ
ターンを形成し、そして吸光剤添加による感度低下が小
さい高感度のレジスト組成物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、レジスト組成物中の各成
分との相溶性がよい吸光剤を含有し、この吸光剤が、保
存中のレジスト液中や、塗布・プリベーク後のレジスト
膜中に析出しない微細加工用のレジスト組成物を提供す
ることにある。
分との相溶性がよい吸光剤を含有し、この吸光剤が、保
存中のレジスト液中や、塗布・プリベーク後のレジスト
膜中に析出しない微細加工用のレジスト組成物を提供す
ることにある。
〈課題を解決するための手段〉 本発明者らは鋭意検討の結果、吸光剤として、特定構
造のチオフェン系化合物を用いることにより、従来技術
の有する欠点が解決できることを見出し、本発明を完成
するに至った。
造のチオフェン系化合物を用いることにより、従来技術
の有する欠点が解決できることを見出し、本発明を完成
するに至った。
すなわち本発明は、一般式（Ｉ） （式中、R1、R2およびR3は各々独立して、水素、置換
されてもよいアルキル基またはハロゲン原子を表し、Ｘ
およびＹは各々独立して、シアノ基、−COORまたは−CO
NHR′を表し、ここにＲはアルキル基を、Ｒ′は水素ま
たはアリール基を表す） のチオフェン系化合物を含有するレジスト組成物を提供
するものである。
されてもよいアルキル基またはハロゲン原子を表し、Ｘ
およびＹは各々独立して、シアノ基、−COORまたは−CO
NHR′を表し、ここにＲはアルキル基を、Ｒ′は水素ま
たはアリール基を表す） のチオフェン系化合物を含有するレジスト組成物を提供
するものである。
一般式（Ｉ）で示されるチオフェン系化合物は、一般
式（II） （式中、R1、R2およびR3は前記の意味を表す） で示されるチオフェンカルボアルデヒド系化合物と、一
般式（III） （式中、ＸおよびＹは前記の意味を表す） で示されるメチレン系化合物とを縮合することにより、
製造できる。
式（II） （式中、R1、R2およびR3は前記の意味を表す） で示されるチオフェンカルボアルデヒド系化合物と、一
般式（III） （式中、ＸおよびＹは前記の意味を表す） で示されるメチレン系化合物とを縮合することにより、
製造できる。
この縮合反応は、不活性有機溶媒、例えば、エタノー
ル、ｎ−プロパノール、トルエン、ベンゼン、クロロベ
ンゼン、クロロホルム、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メ
チルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、
アセトニトリルまたは無水酢酸等を用いて、実施され
る。前記一般式（II）で示されるチオフェンカルボアル
デヒド系化合物と前記一般式（III）で示されるメチレ
ン系化合物を、不活性有機溶媒中で混合し、さらに触
媒、特にピペリジン、ピリジン、トリエチルアミン、ま
たはピペリジンと氷酢酸との混合液のような有機塩基を
加え、０〜100℃、好ましくは20〜80℃で、0.1〜20時
間、好ましくは0.5〜10時間反応させる。次いで反応混
合物より溶媒を留去することにより、一般式（Ｉ）で示
されるチオフェン系化合物の粗ケーキが得られる。この
粗ケーキの精製は、適当な溶媒からの再結晶等により行
うことができる。
ル、ｎ−プロパノール、トルエン、ベンゼン、クロロベ
ンゼン、クロロホルム、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メ
チルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、
アセトニトリルまたは無水酢酸等を用いて、実施され
る。前記一般式（II）で示されるチオフェンカルボアル
デヒド系化合物と前記一般式（III）で示されるメチレ
ン系化合物を、不活性有機溶媒中で混合し、さらに触
媒、特にピペリジン、ピリジン、トリエチルアミン、ま
たはピペリジンと氷酢酸との混合液のような有機塩基を
加え、０〜100℃、好ましくは20〜80℃で、0.1〜20時
間、好ましくは0.5〜10時間反応させる。次いで反応混
合物より溶媒を留去することにより、一般式（Ｉ）で示
されるチオフェン系化合物の粗ケーキが得られる。この
粗ケーキの精製は、適当な溶媒からの再結晶等により行
うことができる。
一般式（Ｉ）で示されるチオフェン系化合物の例とし
て、具体的には以下に示すようなものが挙げられるが、
本発明はこれらに限定されるものではないし、またこれ
らの化合物は、２種以上混合して用いることもできる。
なお、以下の式中にあるPhは、フェニルを意味する。
て、具体的には以下に示すようなものが挙げられるが、
本発明はこれらに限定されるものではないし、またこれ
らの化合物は、２種以上混合して用いることもできる。
なお、以下の式中にあるPhは、フェニルを意味する。
一般式（Ｉ）で示されるチオフェン系化合物は、本発
明に従い、ネガ型およびポジ型レジスト組成物の吸光剤
として使用することができるが、特にポジ型レジスト組
成物に好ましく使用される。ポジ型レジスト組成物とし
ては、アルカリ可溶性樹脂および1,2−キノンジアジド
化合物を含有するものが好ましく、中でも、フェノール
類とアルデヒド類を付加縮合反応させて得られるアルカ
リ可溶性のノボラック樹脂、および1,2−キノンジアジ
ド化合物を含有するものが好適である。
明に従い、ネガ型およびポジ型レジスト組成物の吸光剤
として使用することができるが、特にポジ型レジスト組
成物に好ましく使用される。ポジ型レジスト組成物とし
ては、アルカリ可溶性樹脂および1,2−キノンジアジド
化合物を含有するものが好ましく、中でも、フェノール
類とアルデヒド類を付加縮合反応させて得られるアルカ
リ可溶性のノボラック樹脂、および1,2−キノンジアジ
ド化合物を含有するものが好適である。
ノボラック樹脂の製造に用いられるフェノール類とし
ては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレ
ゾール、ｐ−クレゾール、3,5−キシレノール、2,5−キ
シレノール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、
2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、2,3,5−トリ
メチルフェノール、２−tert−ブチル−５−メチルフェ
ノール、２−tert−ブチル−６−メチルフェノール、２
−tert−ブチル−４−メチルフェノール、レゾルシノー
ル等が挙げられる。これらのフェノール類は、アルカリ
現像液への溶解性を考慮しつつ、それぞれ単独で、また
は２種以上組み合わせて用いることができる。
ては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレ
ゾール、ｐ−クレゾール、3,5−キシレノール、2,5−キ
シレノール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、
2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、2,3,5−トリ
メチルフェノール、２−tert−ブチル−５−メチルフェ
ノール、２−tert−ブチル−６−メチルフェノール、２
−tert−ブチル−４−メチルフェノール、レゾルシノー
ル等が挙げられる。これらのフェノール類は、アルカリ
現像液への溶解性を考慮しつつ、それぞれ単独で、また
は２種以上組み合わせて用いることができる。
フェノール類との縮合反応に用いられるアルデヒド類
としては、例えば、ホルムアルデヒドの水溶液であるホ
ルマリン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、
グリオキサール等が挙げられる。中でもホルマリンは、
約37重量％の水溶液として工業的に入手しやすいことか
ら、特に好ましい。
としては、例えば、ホルムアルデヒドの水溶液であるホ
ルマリン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、
グリオキサール等が挙げられる。中でもホルマリンは、
約37重量％の水溶液として工業的に入手しやすいことか
ら、特に好ましい。
フェノール類とアルデヒド類との縮合反応には、酸触
媒として、有機酸、無機酸、二価金属塩等が用いられ
る。酸触媒の具体例としては、酸、塩酸、硫酸、過塩
素酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリクロル酢酸、リン
酸、蟻酸、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウム等が挙げられ
る。この縮合反応は通常、30〜250℃で２〜30時間行わ
れる。また、反応はバルクで行っても、適当な溶媒を用
いて行ってもよい。
媒として、有機酸、無機酸、二価金属塩等が用いられ
る。酸触媒の具体例としては、酸、塩酸、硫酸、過塩
素酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリクロル酢酸、リン
酸、蟻酸、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウム等が挙げられ
る。この縮合反応は通常、30〜250℃で２〜30時間行わ
れる。また、反応はバルクで行っても、適当な溶媒を用
いて行ってもよい。
ポジ型レジスト組成物を構成する1,2−キノンジアジ
ド化合物は特に限定されないが、例えば、1,2−ベンゾ
キノンジアジド−４−スルホン酸エステル、1,2−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、1,2−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等が挙げ
られる。これらのエステル類は、公知の方法、例えば、
1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドやベン
ゾキノンジアジドスルホン酸クロリドと、フェノール性
水酸基を有する化合物とを、弱アルカリの存在下で縮合
させることにより、得られる。これらの1,2−キノンジ
アジド化合物は、それぞれ単独で、または２種以上混合
して用いることができる。
ド化合物は特に限定されないが、例えば、1,2−ベンゾ
キノンジアジド−４−スルホン酸エステル、1,2−ナフ
トキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、1,2−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等が挙げ
られる。これらのエステル類は、公知の方法、例えば、
1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドやベン
ゾキノンジアジドスルホン酸クロリドと、フェノール性
水酸基を有する化合物とを、弱アルカリの存在下で縮合
させることにより、得られる。これらの1,2−キノンジ
アジド化合物は、それぞれ単独で、または２種以上混合
して用いることができる。
1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルの原料とな
るフェノール性水酸基を有する化合物の例としては、ハ
イドロキノン、レゾルシノール、フロログルシノール、
2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロ
キシベンゾフェノン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン、ビ
ス（2,4−ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（2,3,4
−トリヒドロキシフェニル）メタン、2,2−ビス（ｐ−
ヒドロキシフェニル）プロパン、2,2−ビス（2,4−ジヒ
ドロキシフェニル）プロパン、2,2−ビス（2,3,4−トリ
ヒドロキシフェニル）プロパン、オキシフラバン類等が
挙げられる。
るフェノール性水酸基を有する化合物の例としては、ハ
イドロキノン、レゾルシノール、フロログルシノール、
2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロ
キシベンゾフェノン、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシベンゾ
フェノン、ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン、ビ
ス（2,4−ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（2,3,4
−トリヒドロキシフェニル）メタン、2,2−ビス（ｐ−
ヒドロキシフェニル）プロパン、2,2−ビス（2,4−ジヒ
ドロキシフェニル）プロパン、2,2−ビス（2,3,4−トリ
ヒドロキシフェニル）プロパン、オキシフラバン類等が
挙げられる。
中でも、1,2−キノンジアジド化合物が、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノンや、下式 （式中、ｑは０以上４以下の数を表し、ｒは１以上５
以下の数を表し、ｑ＋ｒは２以上であり、R4、R5および
R6は各々、水素、アルキル基、アルケニル基、シクロヘ
キシル基またはアリール基を表す） で示されるオキシフラバン類等の多価フェノール化合物
の1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ルであって、多価フェノール化合物１分子内にある複数
の水酸基のうち平均２個以上がエステル化されているも
のが、好ましく用いられる。
テトラヒドロキシベンゾフェノンや、下式 （式中、ｑは０以上４以下の数を表し、ｒは１以上５
以下の数を表し、ｑ＋ｒは２以上であり、R4、R5および
R6は各々、水素、アルキル基、アルケニル基、シクロヘ
キシル基またはアリール基を表す） で示されるオキシフラバン類等の多価フェノール化合物
の1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステ
ルであって、多価フェノール化合物１分子内にある複数
の水酸基のうち平均２個以上がエステル化されているも
のが、好ましく用いられる。
本発明のレジスト組成物において、一般式（Ｉ）で示
されるチオフェン系化合物の使用量は、レジスト組成物
の固型分重量に対して、通常0.1〜20重量％、好ましく
は0.2〜10重量％である。レジスト組成物の固型分重量
に対して一般式（Ｉ）のチオフェン系化合物を0.1〜20
重量％の範囲で存在させることにより、このレジスト組
成物は、ハレーション防止効果に優れたものとなり、良
好なプロファイルおよび感度を示す。また本発明の組成
物において、一般式（Ｉ）のチオフェン系化合物に加
え、１種または２種以上の他の化合物（吸光剤）を併用
することもできる。
されるチオフェン系化合物の使用量は、レジスト組成物
の固型分重量に対して、通常0.1〜20重量％、好ましく
は0.2〜10重量％である。レジスト組成物の固型分重量
に対して一般式（Ｉ）のチオフェン系化合物を0.1〜20
重量％の範囲で存在させることにより、このレジスト組
成物は、ハレーション防止効果に優れたものとなり、良
好なプロファイルおよび感度を示す。また本発明の組成
物において、一般式（Ｉ）のチオフェン系化合物に加
え、１種または２種以上の他の化合物（吸光剤）を併用
することもできる。
レジスト組成物の露光波長としては、ｇ線（436n
m）、ｉ線（365nm）等が挙げられるが、本発明の組成物
は特に、ｉ線（365nm）による露光に対して好適であ
る。このような露光波長に対して優れたハレーション防
止効果を発揮するためには、一般式（Ｉ）で示されるチ
オフェン系化合物の中でも、特に550nm以下、より好ま
しくは300〜450nm、さらに好ましくは300〜400nmの領域
の光に対して吸収極大をもつ化合物が、好ましく用いら
れる。
m）、ｉ線（365nm）等が挙げられるが、本発明の組成物
は特に、ｉ線（365nm）による露光に対して好適であ
る。このような露光波長に対して優れたハレーション防
止効果を発揮するためには、一般式（Ｉ）で示されるチ
オフェン系化合物の中でも、特に550nm以下、より好ま
しくは300〜450nm、さらに好ましくは300〜400nmの領域
の光に対して吸収極大をもつ化合物が、好ましく用いら
れる。
〈発明の効果〉 本発明のレジスト組成物を用いることにより、従来技
術の欠点を除去し、高反射率基板においても、生産性を
落とすことなく、ハレーションやノッチングのない高解
像度のパターンを安定的に形成することが可能となる。
したがって本発明のレジスト組成物は、その工業的利用
において、極めて価値の高いものである。
術の欠点を除去し、高反射率基板においても、生産性を
落とすことなく、ハレーションやノッチングのない高解
像度のパターンを安定的に形成することが可能となる。
したがって本発明のレジスト組成物は、その工業的利用
において、極めて価値の高いものである。
〈実施例〉 以下、本発明を合成例および実施例により具体的に説
明するが、これらによって本発明が制限されるものでは
ない。例中にある部は重量基準である。
明するが、これらによって本発明が制限されるものでは
ない。例中にある部は重量基準である。
合成例１ 下式（１） の製造を有するチオフェン−２−カルボアルデヒド1.12
gおよび下式（２） の構造を有するマロノニトリル0.66gを、ベンゼン100ml
中で混合し、ピペリジン0.1mlを加えて22〜25℃で30分
間攪拌した。この混合液からベンゼンを留去して、粗ケ
ーキを得た。さらにこの粗ケーキをｎ−ヘキサンより再
結晶して、下記式（３）で示される化合物の精製ケーキ
1.28gを得た。
gおよび下式（２） の構造を有するマロノニトリル0.66gを、ベンゼン100ml
中で混合し、ピペリジン0.1mlを加えて22〜25℃で30分
間攪拌した。この混合液からベンゼンを留去して、粗ケ
ーキを得た。さらにこの粗ケーキをｎ−ヘキサンより再
結晶して、下記式（３）で示される化合物の精製ケーキ
1.28gを得た。
融点:93.5〜95℃ λmax:347nm（エチルアルコール中） 合成例２ 前記式（１）の構造を有するチオフェン−２−カルボ
アルデヒド1.12gおよび下式（４） の構造を有するシアノ酢酸エチル1.13gを、ベンゼン100
ml中で混合し、ピペリジン0.1mlを加えて22〜25℃で30
分間攪拌した。この混合液からベンゼンを留去して、粗
ケーキを得た。さらにこの粗ケーキをｎ−ヘキサンとエ
チルアルコールの1:1混合溶媒より再結晶して、下記式
（５）で示される化合物の精製ケーキ1.69gを得た。
アルデヒド1.12gおよび下式（４） の構造を有するシアノ酢酸エチル1.13gを、ベンゼン100
ml中で混合し、ピペリジン0.1mlを加えて22〜25℃で30
分間攪拌した。この混合液からベンゼンを留去して、粗
ケーキを得た。さらにこの粗ケーキをｎ−ヘキサンとエ
チルアルコールの1:1混合溶媒より再結晶して、下記式
（５）で示される化合物の精製ケーキ1.69gを得た。
融点:92〜93℃ λmax:343nm（エチルアルコール中） 合成例３ 下式（６） の構造を有する３−メチルチオフェン−２−カルボアル
デヒド1.26gおよび前記式（４）の構造を有するシアノ
酢酸エチル1.13gを、ベンゼン100ml中で混合し、ピペリ
ジン0.1mlを加えて22〜25℃で１時間攪拌した。この混
合液からベンゼンを留去して、粗ケーキを得た。さらに
この粗ケーキをｎ−ヘキサンより再結晶して、下記式
（７）で示される化合物の精製ケーキ1.72gを得た。
デヒド1.26gおよび前記式（４）の構造を有するシアノ
酢酸エチル1.13gを、ベンゼン100ml中で混合し、ピペリ
ジン0.1mlを加えて22〜25℃で１時間攪拌した。この混
合液からベンゼンを留去して、粗ケーキを得た。さらに
この粗ケーキをｎ−ヘキサンより再結晶して、下記式
（７）で示される化合物の精製ケーキ1.72gを得た。
融点:106.5〜108℃ λmax:350nm（エチルアルコール中） 実施例１〜３および比較例 ゲル浸透クロマトグラフィー（GPC）によるポリスチ
レン換算重量平均分子量が9,600のクレゾールノボラッ
ク樹脂15部、下式 の構造を有する多価フェノール化合物と1,2−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸クロリドとの縮合物（上
記多価フェノール化合物の水酸基のうち、平均2.4個が
エステル化されている）４部、および表−１に示す各化
合物（吸光剤）を、エチルセロソルブアセテートに溶か
して、レジスト組成物を調合した。ただし比較例では、
吸光剤を添加しなかった。実施例１〜３で用いたそれぞ
れの化合物は、先の合成例１〜３で合成したものであ
る。
レン換算重量平均分子量が9,600のクレゾールノボラッ
ク樹脂15部、下式 の構造を有する多価フェノール化合物と1,2−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸クロリドとの縮合物（上
記多価フェノール化合物の水酸基のうち、平均2.4個が
エステル化されている）４部、および表−１に示す各化
合物（吸光剤）を、エチルセロソルブアセテートに溶か
して、レジスト組成物を調合した。ただし比較例では、
吸光剤を添加しなかった。実施例１〜３で用いたそれぞ
れの化合物は、先の合成例１〜３で合成したものであ
る。
上記のレジスト組成物を、アルミニウム膜の付いた４
インチシリコンウェハに膜厚が1.8μｍとなるようにス
ピナーで回転塗布し、ホットプレートにて100℃で１分
間プリベークした。これに、テストレチクルを介して、
微小投影露光装置（露光波長ｉ線:365nm）を用い、露光
量を段階的に変えて露光した。さらに、SOPD（商品名、
住友化学工業（株）製、ポジ型レジスト用現像液）を使
用し、自動現像機にて、23℃、60秒の静止パドル法で現
像した。
インチシリコンウェハに膜厚が1.8μｍとなるようにス
ピナーで回転塗布し、ホットプレートにて100℃で１分
間プリベークした。これに、テストレチクルを介して、
微小投影露光装置（露光波長ｉ線:365nm）を用い、露光
量を段階的に変えて露光した。さらに、SOPD（商品名、
住友化学工業（株）製、ポジ型レジスト用現像液）を使
用し、自動現像機にて、23℃、60秒の静止パドル法で現
像した。
得られたレジストパターンの評価結果を表−１に示
す。この表において、相対感度は、比較例のレジスト膜
を解像するのに必要な露光量を１としたときの比であ
り、吸光度比は、365nmにおける比較例のレジスト組成
物の吸光度を１としたときの比である。また、ハレーシ
ョン防止効果は、以下の方法で評価したものである。
す。この表において、相対感度は、比較例のレジスト膜
を解像するのに必要な露光量を１としたときの比であ
り、吸光度比は、365nmにおける比較例のレジスト組成
物の吸光度を１としたときの比である。また、ハレーシ
ョン防止効果は、以下の方法で評価したものである。
1.評価用段差基板の作成 １μｍ厚のSiO2膜を有するシリコン基板に、フォトリ
ソグラフィー、エッチングおよびアルミニウムスパッタ
リングにより、第１図に示す形状の段差パターンを形成
させた。代表的なパターンサイズは、ａ＝４μｍ、ｂ＝
２μｍ、ｃ＝１μｍ、ｄ＝１μｍである。
ソグラフィー、エッチングおよびアルミニウムスパッタ
リングにより、第１図に示す形状の段差パターンを形成
させた。代表的なパターンサイズは、ａ＝４μｍ、ｂ＝
２μｍ、ｃ＝１μｍ、ｄ＝１μｍである。
2.ハレーション防止効果の評価 上記の方法で作成した高反射率の段差基板上に、スピ
ンコート法により、厚さ1.8μｍのレジスト膜を形成す
る。第１図に示した段差パターンの中央の凹部を横切っ
て、第２図に示す段差のない部分の線幅（ｘ）が1.2μ
ｍのレジストラインが形成されるように、露光、現像を
行う。露光現像後の段差凹部中央に残るレジストの線幅
（ｙ）を測定し、ｙのｘに対する減少率〔Ｒ＝（ｘ−
ｙ）/x〕を求める。
ンコート法により、厚さ1.8μｍのレジスト膜を形成す
る。第１図に示した段差パターンの中央の凹部を横切っ
て、第２図に示す段差のない部分の線幅（ｘ）が1.2μ
ｍのレジストラインが形成されるように、露光、現像を
行う。露光現像後の段差凹部中央に残るレジストの線幅
（ｙ）を測定し、ｙのｘに対する減少率〔Ｒ＝（ｘ−
ｙ）/x〕を求める。
線幅の減少率（Ｒ）が10％以内の場合をハレーション
防止効果「優良」と判定し、11〜20％のものを「良」、
21％以上のものを「不良」と判定する。
防止効果「優良」と判定し、11〜20％のものを「良」、
21％以上のものを「不良」と判定する。
表−１に示すように、本発明によりチオフェン系化合
物を配合した実施例１〜３では、高感度でパターンが形
成できた。形成されたパターンはシャープに解像されて
おり、またパターン側面の反射光によるノッチングもな
く、アルミニウム表面からのハレーション防止効果に優
れていることがわかった。
物を配合した実施例１〜３では、高感度でパターンが形
成できた。形成されたパターンはシャープに解像されて
おり、またパターン側面の反射光によるノッチングもな
く、アルミニウム表面からのハレーション防止効果に優
れていることがわかった。
これに対して、比較例のレジスト組成物は、ハレーシ
ョン防止効果の点で不十分なものであった。
ョン防止効果の点で不十分なものであった。
第１図は、実施例で用いた評価用段差パターンの形状を
示す図である。 第２図は、第１図の段差パターン上にレジスト組成物を
塗布し、露光後、現像した状態を示す図である。
示す図である。 第２図は、第１図の段差パターン上にレジスト組成物を
塗布し、露光後、現像した状態を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹山 尚幹 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番 98号 住友化学工業株式会社内 (72)発明者 日置 毅 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番 98号 住友化学工業株式会社内 (72)発明者 高垣 宏 大阪府大阪市此花区春日出中３丁目１番 98号 住友化学工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−269346（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−275453（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−25446（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G03F 7/004
Claims (3)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） （式中、R1、R2およびR3は各々独立して、水素、置換さ
れてもよいアルキル基またはハロゲン原子を表し、Ｘお
よびＹは各々独立して、シアノ基、−COORまたは−CONH
R′を表し、ここにＲはアルキル基を、Ｒ′は水素また
はアリール基を表す） の化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。 - 【請求項２】一般式（Ｉ）の化合物に加えて、アルカリ
可溶性樹脂および1,2−キノンジアジド化合物を含有す
る請求項１記載のレジスト組成物。 - 【請求項３】ｉ線露光用である請求項１または２記載の
レジスト組成物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2115982A JP2921021B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | レジスト用組成物 |
| CA002041434A CA2041434A1 (en) | 1990-05-02 | 1991-04-29 | Resist composition |
| DE69112897T DE69112897T2 (de) | 1990-05-02 | 1991-04-30 | Resist-Zusammensetzung. |
| EP91107018A EP0455223B1 (en) | 1990-05-02 | 1991-04-30 | Resist composition |
| US07/694,372 US5198323A (en) | 1990-05-02 | 1991-04-30 | Resist composition containing alkali-soluble resin, 1,2-quinone diazide compound and anti-halation component |
| MX2558691A MX25586A (es) | 1990-05-02 | 1991-04-30 | Composicion de capa protectora y compuesto. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2115982A JP2921021B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | レジスト用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0413143A JPH0413143A (ja) | 1992-01-17 |
| JP2921021B2 true JP2921021B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=14675948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2115982A Expired - Fee Related JP2921021B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | レジスト用組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2921021B2 (ja) |
| MX (1) | MX25586A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9358331B2 (en) | 2007-09-13 | 2016-06-07 | Fresenius Medical Care Holdings, Inc. | Portable dialysis machine with improved reservoir heating system |
| US8114288B2 (en) | 2007-11-29 | 2012-02-14 | Fresenlus Medical Care Holdings, Inc. | System and method for conducting hemodialysis and hemofiltration |
| AU2009302327C1 (en) | 2008-10-07 | 2015-09-10 | Fresenius Medical Care Holdings, Inc. | Priming system and method for dialysis systems |
-
1990
- 1990-05-02 JP JP2115982A patent/JP2921021B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-04-30 MX MX2558691A patent/MX25586A/es unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0413143A (ja) | 1992-01-17 |
| MX25586A (es) | 1994-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2753921B2 (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JP3275075B2 (ja) | ポジティブホトレジスト組成物 | |
| US5602260A (en) | Selected O-quinonediazide sulfonic acid esters of phenolic compounds and their use in radiation-sensitive compositions | |
| JPS6210646A (ja) | ポジ型フオトレジスト組成物 | |
| JP2625882B2 (ja) | ポジ型レジスト用組成物 | |
| JP2625883B2 (ja) | ポジ型レジスト組成物 | |
| JPH08262712A (ja) | 感放射線性樹脂組成物 | |
| JP2921021B2 (ja) | レジスト用組成物 | |
| JP2629271B2 (ja) | ポジ型レジスト用組成物 | |
| JP2921022B2 (ja) | レジスト組成物 | |
| JP2921023B2 (ja) | レジスト用の組成物 | |
| JP2682126B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| US5198323A (en) | Resist composition containing alkali-soluble resin, 1,2-quinone diazide compound and anti-halation component | |
| US5278021A (en) | O-naphthoquinone diazide sulfonyl esters of 4-(4-hydroxyphenyl)cyclohexanone phenolic derivatives with associated radiation sensitive mixtures and articles | |
| GB2360600A (en) | Positive resist composition | |
| KR100535903B1 (ko) | 포지티브포토레지스트조성물 | |
| JP2000131835A (ja) | ポジ型ホトレジスト組成物 | |
| JP2595598B2 (ja) | フォトレジスト組成物 | |
| JPH0413146A (ja) | 新規レジスト組成物 | |
| JPH0859530A (ja) | ポリヒドロキシ化合物及びそれを含有するポジ型レジスト組成物 | |
| JP3133881B2 (ja) | 感電離放射線性樹脂組成物 | |
| JP2841596B2 (ja) | スチリル系化合物及びその製法、及びそれを含むことを特徴とするフォトレジスト組成物 | |
| US6140026A (en) | Photosensitive diazonaphthoquinone esters based on selected cyclic alkyl ether-containing phenolics and their use in radiation sensitive mixtures | |
| JP3664334B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト組成物 | |
| JP3633119B2 (ja) | 感放射線性樹脂組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |