JP3275075B2 - ポジティブホトレジスト組成物 - Google Patents

ポジティブホトレジスト組成物

Info

Publication number
JP3275075B2
JP3275075B2 JP2001014513A JP2001014513A JP3275075B2 JP 3275075 B2 JP3275075 B2 JP 3275075B2 JP 2001014513 A JP2001014513 A JP 2001014513A JP 2001014513 A JP2001014513 A JP 2001014513A JP 3275075 B2 JP3275075 B2 JP 3275075B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoresist
formula
resin
hydroxyphenyl
positive photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001014513A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001240589A (ja
Inventor
シュルツ ラインハルト
ミュンツェル ノルベルト
ロス マルチン
クノープロッホ ヴィルヘルム
Original Assignee
オリン マイクロエレクトロニック ケミカルズ インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by オリン マイクロエレクトロニック ケミカルズ インコーポレーテッド filed Critical オリン マイクロエレクトロニック ケミカルズ インコーポレーテッド
Publication of JP2001240589A publication Critical patent/JP2001240589A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3275075B2 publication Critical patent/JP3275075B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
    • C07C309/63—Esters of sulfonic acids
    • C07C309/72—Esters of sulfonic acids having sulfur atoms of esterified sulfo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
    • C07C309/76—Esters of sulfonic acids having sulfur atoms of esterified sulfo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton containing nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups, bound to the carbon skeleton
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C303/00—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides
    • C07C303/26—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of esters of sulfonic acids
    • C07C303/28—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of esters of sulfonic acids by reaction of hydroxy compounds with sulfonic acids or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C39/00—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C39/12—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings
    • C07C39/15—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings with all hydroxy groups on non-condensed rings, e.g. phenylphenol
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D413/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D413/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D413/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D513/04—Ortho-condensed systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
    • G03F7/037—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyamides or polyimides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、感光性を増強するため
の化合物（速度増強剤）として特定のテトラ（ヒドロキ
シフェニル）アルカン（このうちの幾つかは新規であ
る）を使用する増強された分解能及び減少された結晶化
傾向を有するポジティブホトレジストに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ホトレジストは、ホトリトグラフィー法
及び関連技術において、代表的には印刷板、印刷電気回
路及び回路板を形成するために、又は好ましくは、集積
された半導体成分を形成するためのミクロ電子工学にお
いて使用される光画像化可能な有機ポリマー材料に対し
て一般的に与えられた名称である。
【０００３】集積されたミクロ電子工学的半導体成分の
二次加工において回路板を製造するために、半導体基材
材料にホトレジストを塗布し、次いでホトレジスト層を
画像化暴露し続いて現像することによって、ポジティブ
又はネガティブホトレジスト構造が得られる。前記ホト
レジスト構造は、半導体基材上に実用構造を製造するた
めの、代表的には金属又は他の半導体若しくは絶縁材料
を用いて蝕刻、ドーピング、塗布するための技術用のマ
スクとして作用する。その後、ホトレジストマスクは通
常除かれる。前記プロセスサイクルの多くは、その結果
基材上にミクロチップの回路構造を形成する。
【０００４】慣用のポジティブホトレジストは基本的に
は、有機溶媒中に、水性アルカリに可溶性の少なくとも
１種の樹脂、及びアルカリ中への前記樹脂の溶解度を減
少させる感光性キノンジアジド、並びに他の付加的添加
剤を含む。前記組成物を用いて製造されたホトレジスト
層は、照射に付され、アルカリ中への前記樹脂の溶解度
はキノンジアジドのカルボン酸誘導体への光誘起構造に
よって増加され、その結果水性アルカリ現像浴中での現
像後、ポジティブホトレジストレリーフ構造が得られ
る。
【０００５】ホトレジストの基本特性の中でも、輻射線
感受性、解像度、コントラスト及び貯蔵安定性は特に重
要である。
【０００６】高い感度は、例えば用いられる装置が低い
強度の輻射線を前記レジストに付与することができるの
みである場合でさえも、プロセスサイクルにおける短い
照射時間を確保するために重要である。解像度は、どの
程度の寸法まで微細画像構造例えば線及び間隔がホトレ
ジストによって明確に分離されて再生産され得るかとい
うことを特徴とする。例えば、ＶＬＳＩ回路の二次加工
は、１μｍ及びそれよりも小さい寸法次元での細部構造
の再生産を要求する。コントラストは、現像後に得られ
るホトレジストレリーフ構造のエッジ先鋭度及び輪郭鮮
明度を特徴とする。
【０００７】半導体技術における増大している小形化及
びミクロ電子工学は、ホトレジスト材料及び再生産され
るべきレリーフ構造に、特に感度、解像度及びコントラ
スト、並びに更に結合強度、機械的及び化学的安定性、
寸法精度及び高められた温度における耐性又は、別のプ
ロセス工程の進行中にホトレジストレリーフ構造に応じ
て作用し得る他の影響に関して最も厳しい要求をする。
【０００８】この最後の点に関しては、慣用のポジティ
ブホトレジストは通常基本的なアルカリ可溶性樹脂及び
キノンジアジドに加えて、上記要求に関してホトレジス
トの性質を最適化するための広範な変性剤を含む。それ
故、例えば、芳香族Ｎ−複素環式化合物（ベンゾトリア
ゾール又はハロゲン化ベンゾトリアゾール誘導体を包含
する）は、感度増強性添加剤としてＵＳ−Ａ−３６６１
５８２及びＵＳ−Ａ−３３６５０１９中に開示されてい
る。ＵＳ−Ａ−４０３６６４４及びＵＳ−Ａ−４１１５
１２８の教示に基づいて、１個又はそれより多くのカル
ボキシル基を含む脂肪族化合物が同一目的のために使用
される。テトラヒドロキシフェノールは添加剤としてＥ
Ｐ−Ａ−０４１６５４４中に提案された。ＵＳ−Ａ−４
６２６４９２中には、トリヒドロキシベンゾフェノン、
特に２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンが感度
及び現像速度を増強するための有用な添加剤として開示
されている。最後にＥＰ−Ａ−０４３５４３７において
は感光性を増強するために、特定のヒドロキシル化ビス
（ジフェニル）メタン化合物を使用することが提案され
ている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記化
合物は全ての点において増大する要求を満たすことがで
きない。ポリヒドロキシル化ベンゼン誘導体の場合の如
く親水性又は酸基を持つ添加剤による現像速度の増大効
果は、水性アルカリ媒体への前記レジストの溶解度の増
大に特に基づいている。ホトレジストへの溶解度増強性
添加剤の単純な添加、及び更に高いイオン濃度の高速現
像液の使用は、現像中にレジストの非暴露領域への増大
された攻撃が起こるという欠点を有している。非暴露領
域からのレジスト塗膜の損失が増大する、換言すれば残
存しているホトレジストレリーフ構造の層厚が減少す
る。更に、暴露領域と非暴露領域との間の溶解度の差が
一層小さくなり、その結果コントラストの低下、換言す
ればエッジ先鋭度及び輪郭鮮明度、そしてこれにより画
像品質の減少が起こる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】ポジティブホトレジスト
組成物における特定のテトラ（ヒドロキシフェニル）ア
ルカンの使用は、慣用の性質を損なうことなう感光性及
び／又は現像速度を著しく増大させるということが今や
判った。
【００１１】本発明は、１，２−ナフトキノン−２−ジ
アジド−４−又は５−スルホン酸或いは２，１−ナフト
キノン−１−ジアジド−４−又は５−スルホン酸と次式
Ｉ：
【化１】 〔式中、各Ｒは水素原子、炭素原子数１ないし４のアル
キル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、−ＯＣ
Ｈ2 Ｃ6 Ｈ5 基、−ＯＣ6 Ｈ5 基又は−ＣＯＯ−炭素原
子数１ないし４のアルキル−基を表わし、そしてＲ1 及
びＲ2 は互いに独立して水素原子、炭素原子数１ないし
４のアルキル基、−Ｃ6 Ｈ5 基又は脂環式５−若しくは
６−員環を表わし、ａは０ないし４の整数を表わし、そ
してｍ及びｎは互いに独立して０，１又は２を表わす〕
で表わされる化合物とのエステル化生成物を提供する。
特に本発明は、式Ｉで表わされる化合物が次式ＩＩ：
【化２】 〔式中、ｍ及びｎは互いに独立して１，２又は３を表わ
す〕で表わされる化合物である式ＩＩで表わされる化合
物から得られた上記エステル化生成物を提供する。
【００１２】上記エステル化生成物は、ポジティブホト
レジスト組成物の光活性化成分として有用である。式Ｉ
で表わされる化合物を用いてポジティブホトレジスト組
成物を構成することができる。例えば該組成物は有機溶
媒中に、少なくとも ａ）１種のアルカリ可溶性樹脂、 ｂ）１種の感光性キノンジアジド、 ｃ）次式Ｉ：
【化３】 〔式中、各Ｒは水素原子、炭素原子数１ないし４のアル
キル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、−ＯＣ
Ｈ2 Ｃ6 Ｈ5 基、−ＯＣ6 Ｈ5 基又は−ＣＯＯ−炭素原
子数１ないし４のアルキル−基を表わし、そしてＲ1 及
びＲ2 は互いに独立して水素原子、炭素原子数１ないし
４のアルキル基、−Ｃ6 Ｈ5 基又は脂環式５−若しくは
６−員環を表わし、ａは０ないし４の整数を表わし、そ
してｍ及びｎは互いに独立して０，１又は２を表わす〕
で表わされる１種の芳香族ヒドロキシ化合物であって、
感光性及び／又は現像速度を増強する化合物、及び所望
により、 ｄ）付加的な慣用の変性剤、を含んでなる。
【００１３】炭素原子数１ないし４のアルキル基及び炭
素原子数１ないし４のアルコキシ基は、代表的にはメチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ
−ブチル基又は第三ブチル基及び、個々には、メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基又は第三ブトキシ基である。式Ｉで
表わされる好ましい化合物は、式中、Ｒ1 及びＲ2 が水
素原子を表わし、そしてａが０を表わし、そしてｍ及び
ｎが１又は２を表わす化合物である。
【００１４】成分ｃ）は最も好ましくは次式ＩＩ：
【化４】 〔式中、ｍ及びｎは互いに独立して１，２又は３を表わ
す〕で表わされる化合物である。
【００１５】本発明は、アルカリ可溶性樹脂及び感光性
キノンジアジドをベースとするポジティブホトレジスト
における感光性及び／又は現像速度を増強するための添
加剤としての式Ｉで表わされる化合物の使用にも関する
ものである。
【００１６】主成分に関しては、新規ポジティブホトレ
ジスト組成物は公知で且つ市販されているホトレジスト
に実質的に相当する。それらは、有機溶媒中に、アルカ
リ可溶性樹脂、感光性キノンジアジド及び他の慣用の所
望の添加剤（これを用いることにより、ホトレジストの
性質を特定の最終用途の要求に合致させることができ
る）を含む。
【００１７】ホトレジスト組成物は、都合良くは前記ホ
トレジスト組成物の全固形分含量に対して濃度１ないし
２０％で成分ｃ）を含む。
【００１８】式中、ｍ及びｎが２を表わす式ＩＩで表わ
される化合物が特に好ましい。
【００１９】新規ポジティブホトレジスト組成物は樹脂
成分ａ）としてアルカリ可溶性樹脂、代表的にはフェノ
ール又はフェノール系化合物とアルデヒドから得られる
ノボラック樹脂を含む。
【００２０】フェノール系化合物の具体例は、フェノー
ル、クレゾール、キシレノール；エチル，プロピル，ブ
チル及びフェニルフェノール；レゾルシノール、ピロカ
テコール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ及びピロガ
ロールである。
【００２１】アルデヒドの具体例は、ホルムアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド及びテレフタ
ルアルデヒドである。
【００２２】好ましい樹脂はクレゾール−ホルムアルデ
ヒド樹脂であり、その製造のためにｏ−，ｍ−若しくは
ｐ−クレゾール又は前記異性体の混合物が何れかの若し
くは与えられた比率で使用される。前記樹脂及びポジテ
ィブホトレジストにおけるそれらの使用はＵＳ−Ａ−４
３７７６３１に記載されている。
【００２３】新規ホトレジスト組成物は、通常前記ホト
レジスト組成物の全固形分含量に対して約５０−９５％
の量樹脂成分を含む。
【００２４】ポジティブホトレジストにおいてしばしば
使用される他のアルカリ可溶性樹脂が使用されてもよ
い。前記樹脂はポリビニルフェノール及びポリグルタル
イミド、スチレン及びα−メチルスチレンとマレイミド
とのコポリマー、並びにＮ−（ｐ−ヒドロキシフェニ
ル）マレイミドとオレフィンとのコポリマーを包含す
る。プラズマ蝕刻に対して大きな耐性を有するシリル化
アルカリ可溶性ポリマーを使用することもできる。
【００２５】他の適するアルカリ可溶性樹脂は、アクリ
ル酸、メタクリル酸、スチレン、マレイン酸無水物、マ
レイミド、酢酸ビニル、アクリロニトリル及び前記化合
物の誘導体、並びに相当するコポリマーを製造するため
のその混合物である。
【００２６】それらの全般にわたる性質、例えば貯蔵安
定性、現像速度及び／又は耐熱性を増強するために、当
業者に公知の別の変性剤が本発明の態様において使用す
るために適する前記樹脂に添加されてよい。
【００２７】ポジティブホトレジスト中に含まれる感光
性キノンジアジドは、キノンジアジドスルホン酸エステ
ル、代表的には２，１−ナフトキノン−１−ジアジド−
４−若しくは−５−スルホン酸又は、好ましくは、１，
２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−若しくは−５−
スルホン酸と低分子量芳香族又は脂肪族ヒドロキシ化合
物とのエステル化生成物である。前記ナフトキノンジア
ジドスルホン酸エステルは、例えば、アメリカ合衆国特
許明細書第３０４６１１２号、同第３１０６４６２号、
同第３１４８９８３号及び同第３２０１２３９号、並び
にヨーロッパ特許明細書第００８５７６１号に開示され
ている。ポジティブホトレジスト中で主に使用される感
光性成分は、ヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノン
ジアジドスルホン酸エステル、特に２，３，４−トリヒ
ドロキシベンゾフェノン又は２，３，４，４′−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンである。更に有用なものは、
トリヒドロキシベンゼン、代表的には１，２，３−、
１，２，４−及び、好ましくは、１，３，５−トリヒド
ロキシベンゼンの異性体を包含するポリヒドロキシル化
ベンゼンの、及び更にポリヒドロキシル化ビフェニル、
例えば１，３′，４，５′，６−ペンタヒドロキシビフ
ェニルの相当するエステルである。前記ベンゾフェノン
及びビフェニルの具体例はＥＰ−Ａ−３３５８３６に開
示されている。
【００２８】ヒドロキシ化合物の例は、クレゾール、キ
シレノール、レゾルシノール、ピロカテコール、２，
２′−及び４，４′−ジヒドロキシビフェニル、ヒドロ
キノン、ピロガロール、フロログルシノール、４，４′
−ジヒドロキシベンゾフェノン、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）
スルフィド、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，
４′−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，
４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，
４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，
２′，３，４，４′−ペンタヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，２′，３，４，５′−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、２，３，３′，４，５−ペンタヒドロキシベ
ンゾフェノン、２，３，３′，４，４′，５−ヘキサヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，３′，４，４′，５′，
６−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン；メチル，エチル
及びプロピルガレート；２，２−ビス（２，４−ジヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（２，３，４
−トリヒドロキシフェニル）プロパン、クレゾール−ノ
ボラック樹脂、レゾルシノール−アセトン樹脂、ピロガ
ロール−アセトン樹脂又はポリビニル−フェノール樹脂
である。上記ナフトキノンジアジドの組み合わせ及び混
合物も使用されてよい。
【００２９】感光性ナフトキノンジアジドのうちでも、
５−スルホン酸エステルが主に使用される。前記化合物
は、約４００ｎｍ及び約３４０ｎｍの極大とともに、中
間範囲の紫外線波長の近傍に広範な吸収を有する。投影
装置において通常使用される水銀ランプの強い放射線
は、約３８０ｎｍ、３６５ｎｍ及び４０５ｎｍを包含す
る前記波長範囲に存在する。４−スルホン酸エステル
は、約３８０ｎｍ及び３００ｎｍに吸収極大を有し、そ
れ故、中間−ないし短−波長紫外線、例えば３１３ｎｍ
の水銀放射線のために更に適している。
【００３０】ポジティブホトレジストは通常、ホトレジ
スト溶液の全固形物含量に対して、約５−５０重量％の
量キノンジアジドを含む。
【００３１】使用されてもよい他のキノンジアジドは、
代表的にはモノマー状及びポリマー状２−ジアゾ−１，
３−ジケトン、α−ホスホリルジアゾカルボニル化合物
及び更にベンゾキノンジアジド誘導体である。
【００３２】特に好ましいエステル化生成物は、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，
４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルホン、４，４′−ジヒドロキシ
ベンゾフェノン又はビス（２，４−ジヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、並びに好ましくは、２，３，４−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン及び２，３，４，４′−テト
ラヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノンスルホン酸
エステルである。
【００３３】１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５
−スルホン酸とポリヒドロキシル化ベンゾフェノン又は
ビフェニルとのエステル化生成物は特に好ましい。
【００３４】１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−４
−スルホン酸若しくは１，２−ナフトキノン−２−ジア
ジド−５−スルホン酸と又は２，１−ナフトキノン−１
−ジアジド−４−若しくは−５−スルホン酸と上記式Ｉ
で表わされるポリヒドロキシル化化合物とのエステル化
生成物は、ポジティブホトレジスト組成物における感光
性キノンジアジドとして使用されてよい。前記エステル
化生成物は新規であり、それ故、本発明の目的をも成
す。
【００３５】好ましいエステル化生成物は１，２−ナフ
トキノン−２−ジアジド−５−スルホン酸と式Ｉ〔式
中、ｍ及びｎが１又は２を表わす〕で表わされる化合物
とのエステル化生成物である。
【００３６】前記エステル化生成物は、ポジティブホト
レジストにおけるとりわけ好適な光活性化成分であり、
そして良好な全般的な特性、特に前記組成物における増
強された解像能及び増強された貯蔵安定性、並びに更に
減少された結晶化傾向を有してる。
【００３７】新規エステル化生成物は、２，１−ナフト
キノン−１−ジアジド−４−若しくは−５−スルホニル
ハライド又は２−ナフトキノン−２−ジアジド−４−若
しくは−５−スルホニルハライド、好ましくはスルホニ
ルクロリドと式Ｉで表わされる化合物とを、約化学量論
比率又は過剰量で、都合良くは不活性有機溶媒中で且つ
高められた温度で反応させることによって；又は代わり
に適切なナフトキノンジアジド−４−若しくは−５−ス
ルホン酸の低級アルキルエステル、代表的にはメチル又
はエチルエステルと、高められた温度で、都合良くは反
応中に生成する低級アルコールを除きながら反応させる
ことによって、公知方法により製造され得る。
【００３８】適する有機溶媒は基本的には不活性溶媒、
代表的には脂肪族ケトン、例えばアセトン、メチルエチ
ルケトン又はメチルイソブチルケトン、更にシクロヘキ
サノン、脂肪族エステル例えばエチル、プロピル又はブ
チルアセテート、加えてジオキサン、ジエチルエーテル
又はテトラヒドロフラン及びγ−ブチロラクトン、脂肪
族又は芳香族炭化水素、代表的にはヘキサン、オクタ
ン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トルエン、キ
シレン又はニトロベンゼン、及びホルムアミド、ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン又は前記溶媒の
混合物である。
【００３９】多数の式Ｉで表わされる化合物、即ち非置
換及び３−クロロ−５−メチル−又は５−エチル−置換
１，２，２，３−テトラキス（２−又は４−ヒドロキシ
フェニル）プロパン誘導体〔Ｒ1 ，Ｒ2 ＝水素原子；ｍ
及びｎ＝０；ａ＝０又は１〕は公知であり、そしてＵＳ
−Ａ−２９６５６１１に開示されている。しかしなが
ら、式Ｉで表わされる他の化合物は新規である。それら
は、不飽和カルコン化合物を得るためにヒドロキシベン
ズアルデヒド（例えばｐ−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド）と脂肪族ケトン、代表的にはアセトンとを反応さ
せ、これをケトン基中の両Ｃ−Ｃ二重結合の部位選択的
還元によって反応させ、続いて得られたビス（ヒドロキ
シフェニル）ケトン例えば１，５−ビス（ｐ−ヒドロキ
シフェニル）ペンタン−３−オンを、式Ｉで表わされる
テトラ（ヒドロキシフェニル）アルカン、都合良くは
１，３，３，５−テトラ（ｐ−ヒドロキシフェニル）ペ
ンタンを得るために、フェノールの過剰量と酸触媒によ
って反応させることによって慣用的に得られてよい。
【００４０】必要な出発物質ビス（ヒドロキシフェニ
ル）ケトンのうちの幾つかは公知であり、且つ公知方法
によって得ることができる。この例は、Chem. Ber. 52
（１９１９），ｐ．２０７８又はＵＳ−Ａ−４５５２８
７６中の実施例１７に記載されている。
【００４１】式Ｉ及びＩＩで表わされる化合物は、既に
述べた用途（ナフトキノンジアジドエステルの合成及び
ホトレジストにおける添加剤としての用途）のためのみ
ならず、式Ｉで表わされる（テトラヒドロキシフェニ
ル）アルカンをグリシジル化し、続いて硬化することに
よる高架橋性エポキシ樹脂の製造のためにも使用され得
る有用な出発物質である。前記テトラヒドロキシフェノ
ールは、エポキシ樹脂のための硬化剤としても使用する
ことができる；そしてそれらを用いて硬化された生成物
は高いガラス転移温度（Ｔｇ）及び良好な機械的性質並
びに優れた耐薬品性を有している。更に、前記ポリフェ
ノールは、耐熱性の熱硬化性樹脂を製造するための樹脂
として又はＤＥ−ＯＳ３０３５２０４に記載されたラン
ダム分岐鎖状ポリカーボネートのための鎖分岐剤として
のテトラシアネートを製造するために使用することがで
きる。
【００４２】前記ホトレジスト溶液の製造のために適す
る溶媒は、基本的には全ての溶媒（これに、固体ホトレ
ジスト成分例えばアルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド
及び付加的な所望の添加剤は充分に可溶性であり、且つ
それは前記成分と可逆反応を起こさない）である。前記
の好適な溶媒の例は、脂肪族ケトン、代表的にはメチル
エチルケトン又はシクロヘキサノン、脂肪族エステル、
代表的にはブチルアセテート、エーテル例えばテトラヒ
ドロフラン、アルコール例えばｎ−プロパノール又はイ
ソプロパノール、モノ−若しくはジエーテル並びにグリ
コール化合物の混合エーテル−エステル、例えばエチレ
ングリコール、ジエチレングリコール又はプロピレング
リコール、及び更にモノオキソカルボキシレート、都合
良くはエチルラクテート又はエチル２−エトキシプロピ
オネートである。脂肪族及び芳香族炭化水素例えばｎ−
ヘキサン及びキシレンを溶媒として使用してもよい。上
記溶媒の混合物もしばしば使用される。ホトレジスト溶
媒はしばしばエトキシエチルアセテート、プロピレング
リコールメチルエチルアセテート又はエチレングリコー
ルジメチルエーテルを含む。溶媒の量は、通常全ホトレ
ジスト溶液の４０−９５％である。
【００４３】新規ホトレジスト組成物に添加してよい別
の慣用の変性剤は、代表的には散乱輻射線に対する保護
を行う物質及び染料、流れ調整剤、可塑剤、接着促進
剤、更にフィルム形成剤、速度増強剤、界面活性剤及び
安定剤を包含する。当業者は前記変性剤（これらは、関
連技術文献に広く記載されている）に付いて充分に精通
している。前記変性剤の全量は、前記ホトレジスト溶液
の全固形分含量に対して２５重量％を越えない。
【００４４】新規ホトレジスト組成物は代表的には各々
全固形分含量に対して、アルカリ可溶性樹脂５０−９０
重量％、好ましくは６０−８０重量％、キノンジアジド
〔成分ｂ）〕５−３０重量％、好ましくは１０−２５重
量％、成分ｃ）５−２０重量％、及び他の変性剤０−３
０重量％、好ましくは０．１−５重量％を含む。
【００４５】新規ホトレジスト組成物は、溶媒又は溶媒
混合物中に前記成分を混合又は溶解し、次いで成分ｃ）
を添加することによって公知方法で製造される。成分
ｃ）の適量を市販の既に調製されたポジティブホトレジ
スト組成物に添加することも同様に可能である。成分を
溶媒に溶解した後、ホトレジスト溶液を−任意粒径で作
られる要求に応じて−細孔径０．１−１μｍを有する膜
フィルターを通して濾過する。通常、ホトレジストの全
固形分含量は、任意層厚及び塗布法のために調整される
であろう。
【００４６】新規ポジティブホトレジスト組成物の使用
は、公知技術及び前記目的のための慣用の装置を使用し
て行われる。最初に、ホトレジストは基材に塗布され、
次いで乾燥される。適する基材は半導体ウェファー、例
えば二酸化珪素、窒化珪素又はアルミニウムからなる層
を被覆されてよいシリコンウェファーである。小形化回
路を形成するために使用される他の標準材料、例えばゲ
ルマニウム、ガリウム砒素、セラミック又は金属被覆セ
ラミックも適している。
【００４７】塗布は、通常浸漬、噴霧、ローラー塗布又
はスピン塗布によって行われる。この最後の記載で且つ
最も頻繁に使用される塗布方法において、得られた層厚
はホトレジスト溶液の粘度、固形分含量及びスピン塗布
速度に依存する。所謂スピニング曲線は、個々のホトレ
ジストに対してプロットされ、この曲線から、粘度及び
スピン速度の関数としてレジスト層厚を決定することが
できる。ポジティブホトレジストの層厚は、代表的には
０．５−４μｍ、最も好ましくは０．６−２．０μｍの
範囲内にある。
【００４８】基材上にホトレジストを塗布後、通常それ
は７０ないし１３０℃の範囲の温度で乾燥される。オー
ブン又はホットプレートが乾燥のために使用され得る。
オーブン中の乾燥時間は通常、約１５ないし４５分であ
り、そしてホットプレートを使用する場合には０．５な
いし４分である。厚さ０．５−２μｍを有するレジスト
層は、好ましくはホットプレート上で約１００℃で約１
分間乾燥される。
【００４９】次いで、乾燥されたホトレジストは約３０
０ないし４５０ｎｍの範囲内の波長を有する輻射線を用
いてマスクを通して画像化暴露される。暴露は、多色的
に又は単色的に行われてよい。市販の装置例えば走査投
影暴露装置、接触及び隔離暴露装置又はウェファーステ
ッパーを使用することが好ましい。
【００５０】ホトレジストを塗布された照射基材は、最
後に水性アルカリ現像溶液を用いて、代表的には画像化
暴露領域から前記レジストが完全に溶解されるまで浸漬
又は噴霧することによって現像される。金属イオン含有
現像液は、代表的にはｐＨ調整剤及び緩衝剤例えばホス
フェート又はシリケート、並びに界面活性剤及び安定剤
を付加的に含んでよい水酸化ナトリウム又は水酸化カリ
ウムの水性溶液である。金属イオンを含まない現像液
は、代表的には有機塩基例えばテトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド又はテトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド又は塩素原子、及び更に第一，第二又は第三アミン
例えばエチルアミン、プロピルアミン、ジエチルアミ
ン、ジプロピルアミン、トリメチルアミン及びトリエチ
ルアミン、及びアミノアルコール例えばジエタノールア
ミン及びトリエタノールアミンの水性溶液である。現像
時間は暴露エネルギー、現像液の強さ、現像の種類、予
備現像乾燥温度及び現像温度に依存する。浸漬現像にお
いては、現像時間は代表的には約１分である。現像は通
常、脱イオン水中への浸漬、又は脱イオン水の噴霧によ
って停止される。現像にはしばしば約１２０−１８０℃
での暴露後焼付が続く。
【００５１】新規ホトレジスト組成物を用いて得られる
レリーフ構造は、高いコントラスト、優れた端部先鋭度
及び輪郭鮮明度とともに１μｍ以下の優れた解像度を示
す。非暴露領域における層厚の損失は最小である。更
に、新規ホトレジスト組成物は増強された解像能及び減
少された結晶化傾向、並びに増強された感光性を有す
る。集積化された半導体回路の製造のための下記方法、
例えば酸を用いるか又はプラズマ中での蝕刻、ドーピン
グ又は塗布において、それらは優れた性質を示し且つホ
トレジストレリーフ構造を用いて被覆された基材領域の
有効な保護を保証する。
【００５２】
【実施例及び発明の効果】実施例 ナフトキノンジアジドの製造 例１ ２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン１
２．３ｇ及び１，２−ナフトキノン−２−ジアジド−５
−スルホニルクロリド４０．３ｇを、γ−ブチロラクト
ン３００ｍｌに溶解する。攪拌しながら、アセトン５０
ｍｌに溶解したトリエチルアミン１５．２ｇを前記溶液
に滴下する。反応中、温度を２５℃に保持し、そして３
０分後に滴下が完了する。反応混合物を３時間攪拌し、
次いで１％ＨＣｌ，１５００ｍｌに添加する。沈澱を濾
過によって単離し、水を用いて洗浄し、次いで乾燥する
と、エステル化生成物３９．７ｇ（これは、モノ−及び
テトラエステルの混合物、並びにジ−及びトリエステル
からなる異なる異性体からなる）を得る。
【００５３】例２ ２，４，６，３′，５′−ビフェニルペントール（ペン
タヒドロキシビフェニル）１０ｇ及び１，２−ナフトキ
ノン−２−ジアジド−５−スルホニルクロリド４０．２
ｇを、アセトン５００ｍｌに溶解する。アセトン５０ｍ
ｌ中のトリエチルアミン１５．２ｇの溶液を３０分かけ
て滴下する。反応混合物を２５℃で３時間攪拌する。生
成物を１％ＨＣｌ，２．５リットル中で沈澱させ、次い
でこの沈澱を濾過によって単離し、次いで乾燥すると、
エステル化生成物３８．７ｇ（これは、モノ−及びテト
ラエステルの混合物、並びにジ−及びトリエステルから
なる異なる異性体からなる）を得る。
【００５４】ノボラックの製造 例３（樹脂１） 蓚酸二水和物０．１３ｇを、三つ口フラスコ中のｍ−ク
レゾール４０ｇ、ｐ−クレゾール６０ｇ及びホルムアル
デヒドの３７％水性溶液４９．０ｇに添加し、次いでこ
の混合物を１００℃で１５時間還流する。室温に冷却
後、真空を用い（５トル；＝６．６６５×１０2 Ｐ
ａ）、次いで反応混合物から水及び残ったモノマーを蒸
留しながら温度をゆっくり２００℃に上昇させる。平均
分子量（Ｍｗ）７１００（＝樹脂１）を有するノボラッ
クが得られる。
【００５５】例４（樹脂２） 蓚酸二水和物０．０５ｇを、三つ口フラスコ中のｍ−ク
レゾール６０ｇ、ｐ−クレゾール４０ｇ及びホルムアル
デヒドの３７％水性溶液４８．６ｇに添加し、次いでこ
の混合物を１００℃で１５時間還流する。室温に冷却
後、真空を用い（３０トル；＝３９．９９×１０2 Ｐ
ａ）、次いで反応混合物から水及び残ったモノマーを蒸
留しながら温度をゆっくり１５０℃に上昇させる。平均
分子量（Ｍｗ）７３５０を有するノボラックが得られ
る。このノボラックを、下記の如く分画する。
【００５６】ノボラック３０ｇを、エチルセロソルブア
セテート１５ｇとメタノール９０ｇとの混合物に溶解
し、次いで水３０ｇを添加し、そしてこの混合物を攪拌
する。混合物を放置すると、層分離が起こる。下層を分
離し、次いで残った水及びメタノールを真空蒸留によっ
てそれから除去する。平均分子量１０２５０を有するノ
ボラック分画されたノボラックが得られる（＝樹脂
２）。
【００５７】リトグラフィー試験 組成物 例１及び２のキノンジアジド各５ｇ、ノボラック２０ｇ
及び表１に示す式Ｉで表わされる化合物〔ＴＨＰＰ〕を
エチルセロソルブアセテート７５ｇに溶解し、次いでこ
のレジスト溶液を細孔径０．２μｍのミクロフィルター
を通して濾過する。
【表１】 ＴＨＰＰ＝１，３，３，５−テトラ（ｐ−ヒドロキシフ
ェニル）ペンタン〔式中、ｍ及びｎが２を表わす式ＩＩ
で表わされる化合物〕
【００５８】リトグラフィー結果 表１のホトレジスト溶液をシリコンウェファー上に約５
０００分-1の速度でスピン塗布し、その結果、真空ホッ
トプレート上で９０℃／６０秒で乾燥後に、１．２３ミ
クロンの層厚が得られる。塗布されたウェファーを、モ
デルＦＰＡ−１５５０キャノンラインステッパー（mode
l FPA-1550 Canon line stepper ）を用いて解像度試験
マスクを通して暴露し、次いでホットプレート上で１１
０℃で１２０秒間暴露後焼付をする。次いで、水性の
２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液
を用いて６０秒間パドル法によって現像を行う。水を用
いて濯ぎ次いでスピン乾燥した後、感度、解像度及びレ
ジスト線の間の現像残部に関して前記ウェファーを走査
電子顕微鏡下で観察する。最小暴露エネルギー（ｍＪ／
ｃｍ2 による感光度Ｅｏ）及び解像度（μｍによる）を
測定する。結果を表２に示す。
【表２】
【００５９】公知の芳香族ヒドロキシ化合物、例えば
２，４，６，３′，５′−ペンタヒドロキシビフェニル
又は２，３，４，３′，４′，５′−ヘキサヒドロキシ
ベンゾフェノンと比較すると、本発明において使用され
るＴＨＰＰ〔１，３，３，５−テトラ（ｐ−ヒドロキシ
フェニル）ペンタン〕を用いて得られたポジティブホト
レジスト組成物及びそれから得られた生成物は、残部を
生成することのない優れた解像度を特徴とする。ヒドロ
キシ化合物を添加しないで製造されたレジストと比較す
ると、感光性が非常に増強されている。
【００６０】例１３：１，２−ナフトキノン−２−ジア
ジド−５−スルホン酸及び１，３，３，５−テトラ（ｐ
−ヒドロキシフェニル）ペンタンからの新規キノンジア
ジドの製造 １，３，３，５−テトラ（ｐ−ヒドロキシフェニル）ペ
ンタン（ＴＨＰＰ）５．０ｇ及び１，２−ナフトキノン
−２−ジアジド−５−スルホニルクロリド９．１６ｇ
を、γ−ブチロラクトン５０ｍｌに溶解する。攪拌しな
がら、アセトン４０ｍｌに溶解したトリエチルアミン
３．５２ｇを前記溶液に滴下する。反応中、温度を２５
℃に保持する。反応混合物を５時間攪拌し、次いで１％
ＨＣｌ，４００ｍｌに添加する。沈澱を濾過によって単
離し、水を用いて洗浄し、次いで乾燥すると、エステル
化生成物１１．５ｇ（これは、モノ−及びテトラエステ
ルの混合物、並びにジ−及びトリエステルからなる異な
る異性体からなる）を得る。
【００６１】例１４及び１５：組成物（リトグラフィー
試験） 例１及び２のキノンジアジド各５ｇと、ノボラック（例
３及び４からのもの）２０ｇと、例１５においては、更
にＴＨＰＰ（式ＩＩで表わされる化合物）とからなる試
験組成物を表３に示す。
【表３】
【００６２】例１６及び１７：リトグラフィー結果 リトグラフィー試験は、例９−１２の方法に基づいて行
う。加えて、例１３の個々のナフトキノンジアジドの結
晶化傾向を、４０℃で３０日後に促進老化試験において
評価する。結果を表４に要約する。
【表４】
【００６３】得られたポジティブホトレジストは、４０
℃で３０日貯蔵後に結晶化傾向を有することがない非常
に高い解像度を特徴とする。樹脂１と例１又は２のエス
テル化生成物とを含むがしかしＴＨＰＰを使用しないポ
ジティブホトレジスト組成物とは対照的に、新規組成物
は結晶化傾向を全く示さなかった。
【００６４】例１８：ＴＨＰＰの製造 １，５−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニルペンタ−１，４
−ジエン−３−オン（これは、ｐ−ヒドロキシベンズア
ルデヒド２モルとアセトン１モルとを酸触媒を用いて縮
合させることによって得られた）５ｋｇ（１８．７モ
ル）を、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）３２リットル
に溶解し、次いでこの溶液を圧力５bar （＝５×１０5
Ｐａ）で触媒としてラネーニッケル（エタノールを用い
て湿潤）２５０ｇを使用して室温で水素を用いて水素添
加する。水素吸収量は８４１．１６リットルである（水
素添加時間２．５時間）。溶媒を蒸留によって除くと、
褐色の粘稠油状物〔１，５−ビス（ｐ−ヒドロキシフェ
ニル）ペンタン−３−オン〕５ｋｇが残り、これは次工
程で直接使用される。こうして得られた中間体〔１，５
−ビス（ｐ−ヒドロキシフェニル）ペンタン−３−オ
ン〕１０１５．５ｇ（３．７６モル）、フェノール１７
６７．７ｇ（２４．１モル）及び３−メルカプトプロピ
オン酸２６．３ｍｌを、攪拌機、還流コンデンサー、温
度計、及びＨＣｌガス用ガス導入口及びガス排出口、及
び付属のＨＣｌ吸収ユニットを備えた６リットル反応フ
ラスコに投入し、次いでこの混合物をサーモスタットに
より制御された油浴上で６０℃に加熱する。温度を７０
℃に保持しながら、ＨＣｌガスを１時間にわたって穏や
かな流れとして導入する。次いで、反応混合物をＨＣｌ
を導入することなく前記温度で３時間攪拌する。１時間
ガスを導入し次いで３時間攪拌するという前記手順を３
回繰り返す。次いで、更にフェノール５００ｇを添加
し、そして上記手順を１０回繰り返す。全反応時間は５
６時間である。暗紫色の粘稠反応塊状物を溶融フェノー
ル２０００ｍｌを用いて希釈し、次いで固体生成物を濾
過によって単離する。固体濾過残部を熱水３０００ｍｌ
に懸濁し、この懸濁液を濾過し、次いで濾過ケークを熱
水を用いて良く洗浄する。残部を２４時間１２０℃で真
空下で乾燥すると、１，３，３，５−テトラ（ｐ−ヒド
ロキシフェニル）ペンタンからなる白紫色の結晶１４５
１．４ｇ（＝ケトンを基準として収率８７．６％）を得
る。
【００６５】融点：２５２℃（ＤＳＣによって決定）；
生成物はアセトンに易溶性である。 フェノール性ＨＯ基：９．４６９モル／ｋｇ（理論量９．０８０モル／ｋｇ） 元素分析： 計算値 Ｃ７９．０７％；Ｈ６．４１％ 測定値 Ｃ７７．９６％；Ｈ６．４５％
【００６６】例１９：〔１，５−ビス（ｐ−ヒドロキシ
フェニル）−３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチ
ルフェニル）ペンタン〕 上記例１８（最初の部分）の中間体１，５−ビス（ｐ−
ヒドロキシフェニル）ペンタン−３−オン２７．００ｇ
（０．１０モル）、ｏ−クレゾール１０８．１４ｇ
（１．００モル）及び３−メルカプトプロピオン酸１．
５０ｍｌを、例１８に記載した如き７５０ｍｌ反応フラ
スコに投入し、次いでこの混合物を６０℃に加熱する。
例１８に記載した方法に基づいて、周期的間隔で４８時
間にわたってボンベからＨＣｌガスを導入する。この反
応は、シリカゲル板上の薄層クロマトグラフィー（溶離
液＝メチレンクロリド：メタノール９５：５）によって
監視することができる。反応の停止の際に、別の遊離体
は全く検出されない。
【００６７】反応生成物を酢酸エチルに溶解し、次いで
この溶液を反応物が中性になるまで炭酸水素ナトリウム
の飽和水溶液を用いて抽出する。有機相を硫酸マグネシ
ウム上で乾燥し、濾過し、次いで溶媒をロータリーエバ
ポレーター上で除去する。過剰のｏ−クレゾールを高真
空蒸留によって除去すると、暗色の粗生成物６０．６８
ｇを得、これを最初にトルエン中で攪拌し、次いでこの
固体をメチレンクロリドに溶解し、生成物を濾過し、次
いで５０℃で真空乾燥すると、１，５−ビス（ｐ−ヒド
ロキシフェニル）−３，３−ビス（４−ヒドロキシ−３
−メチルフェニル）ペンタンの橙色結晶２９．８５ｇ
（理論量の６３．７％）を得る。キャラクタリゼーショ
ンのために、試料をメタノール／水から３回再結晶する
と無色結晶を得る。
【００６８】 融点：２１５．７℃（ＤＳＣによって決定） 元素分析： 計算値 Ｃ７９．４６％；Ｈ６．８８％ 測定値 Ｃ７８．０４％；Ｈ６．９１％
【００６９】例２０：硬化剤としての例１８のＴＨＰＰ
の使用 耐燃性エポキシ樹脂（ビスフェノールＡのグリシジルエ
ーテルと相当する臭素化ビスフェノールＡとの反応生成
物）（エポキシ価：２当量／ｋｇ；ＦＲ４樹脂）を、硬
化剤としてのＴＨＰＰ及び促進剤としての２−メチルイ
ミダゾールとともに標準法によって硬化させ、次いでそ
れからラミネートを製造する。
【００７０】使用された樹脂量： １００％固体樹脂
に対して２５％ 当量比： エポキシ樹脂対ＴＨＰＰ対２−メチルイミ
ダゾール：１．０モル対０．２５モル対０．００３２重
量％
【００７１】前記ラミネートのガラス転移温度Ｔｇは１
３３℃であり、そしてＮ−メチルピロリドンの吸収率
（％による）は０．５０である。前記ラミネートは低い
水及びＮＭＰ吸収率を有している。
【００７２】例２１：１，３，３，５−テトラ（ｐ−グ
リシジルオキシフェニル）ペンタン テトラフェノールＴＨＰＰ（例１８からのもの）３１
３．０ｇ（０．７１モル）、エピクロロヒドリン１５７
７．９ｇ（１７．０５モル）及び１−メトキシ−２−プ
ロパノール７７０ｍｌを、攪拌機、温度計、滴下ロート
及び加熱浴を備えた４．５リットル反応フラスコに投入
し、次いでこの混合物を５０℃に加熱する。良く攪拌し
ながら、５０％水酸化ナトリウム水溶液２３３ｇ（２．
９１モル）を、温度が６０℃以上に上昇しないように
（時々、氷−水を用いて冷却することが必要）２．５時
間かけて滴下する。この懸濁液を５０−６０℃で２時間
攪拌し、少量のドライアイスを添加し（幾分かの過剰の
塩基を中和するため）、次いで過剰のエピクロロヒドリ
ン及び溶媒を減圧下（８０−１３０mbar）で留去する。
まだ温かい蒸留残部に、イソブチルメチルケトン５００
ｍｌを添加し、次いでこの懸濁液を室温で０．５時間攪
拌し、次いで濾過する。濾液をロータリーエバポレータ
ー上で蒸発乾固し、次いで１５０℃ジャケット温度で且
つ０．０１mbarの真空下で、残った褐色の残部（５２
９．７ｇ）からフラッシュ蒸留によって揮発性成分を除
く。収量：固体褐色樹脂として、１，３，３，５−テト
ラ（ｐ−グリシジルオキシフェニル）ペンタン３６１．
７ｇ（テトラフェノールＴＨＰＰに対して、理論量の７
６％）を得る。
【００７３】 キャラクタリゼーション： エポキシ価： ５．５モル／ｋｇ（理論量の９１％） 粘度： １２０℃で６４０mPa.s. ＧＰＣ（ポリスチレン キャリブレーション）： Ｍｗ＝８０９；Ｍｎ＝７３３；Ｍｗ／Ｍｎ＝１．１０
【００７４】例２２：例２１の生成物２１重量％を、ビ
スフェノールＡのジグリシジルエーテルと相当するテト
ラブロモビスフェノールＡ（エポキシ価：２当量／ｋ
ｇ；ＦＲ４樹脂）との反応生成物とブレンドし、次いで
硬化剤／促進剤混合物（ジシアンジアミド／２−メチル
イミダゾール：固体樹脂１００重量部に対して、ジシア
ンジアミド３．５重量％及び２−メチルイミダゾール
０．０４重量％）を標準法によって添加すると、１６０
℃の高いＴｇ及び０％のＮＭＰ吸収率を有するラミネー
ト（成形温度１７０℃；成形時間９０分）を得る。
フロントページの続き (72)発明者 マルチン ロス スイス国，1735 ギッフェルス，オーベ ルドルフ（番地表示なし) (72)発明者 ヴィルヘルム クノープロッホ ドイツ連邦共和国，7881 シュヴェルシ ュタット，ブレスラウエルストラーセ 15アー (56)参考文献 特開 平４−12356（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−12357（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−303199（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−303200（ＪＰ，Ａ) 欧州特許出願公開435437（ＥＰ，Ａ １) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 １，２−ナフトキノン−２−ジアジド−
    ４−又は５−スルホン酸或いは２，１−ナフトキノン−
    １−ジアジド−４−又は５−スルホン酸と次式Ｉ： 【化１】 〔式中、各Ｒは水素原子、炭素原子数１ないし４のアル
    キル基、炭素原子数１ないし４のアルコキシ基、−ＯＣ
    Ｈ2 Ｃ6 Ｈ5 基、−ＯＣ6 Ｈ5 基又は−ＣＯＯ−炭素原
    子数１ないし４のアルキル−基を表わし、そしてＲ1 及
    びＲ2 は互いに独立して水素原子、炭素原子数１ないし
    ４のアルキル基、−Ｃ6 Ｈ5 基又は脂環式５−若しくは
    ６−員環を表わし、ａは０ないし４の整数を表わし、そ
    してｍ及びｎは互いに独立して０，１又は２を表わす〕
    で表わされる化合物とのエステル化生成物。
  2. 【請求項２】 式Ｉで表わされる化合物が次式ＩＩ： 【化２】 〔式中、ｍ及びｎは互いに独立して１，２又は３を表わ
    す〕で表わされる化合物である式ＩＩで表わされる化合
    物から得られた請求項１記載のエステル化生成物。
  3. 【請求項３】 ポジティブホトレジスト組成物の光活性
    化成分としての請求項１記載のエステル化生成物の使用
    方法。
JP2001014513A 1991-08-30 2001-01-23 ポジティブホトレジスト組成物 Expired - Fee Related JP3275075B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH255091 1991-08-30
CH413/92-2 1992-02-12
CH2550/91-4 1992-02-12
CH41392 1992-02-12

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25583792A Division JP3236942B2 (ja) 1991-08-30 1992-08-31 ポジティブホトレジスト組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001240589A JP2001240589A (ja) 2001-09-04
JP3275075B2 true JP3275075B2 (ja) 2002-04-15

Family

ID=25684504

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25583792A Expired - Fee Related JP3236942B2 (ja) 1991-08-30 1992-08-31 ポジティブホトレジスト組成物
JP2001014513A Expired - Fee Related JP3275075B2 (ja) 1991-08-30 2001-01-23 ポジティブホトレジスト組成物
JP2001178638A Expired - Fee Related JP3433321B2 (ja) 1991-08-30 2001-06-13 新規テトラ（ヒドロキシフェニル）アルカン

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25583792A Expired - Fee Related JP3236942B2 (ja) 1991-08-30 1992-08-31 ポジティブホトレジスト組成物

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001178638A Expired - Fee Related JP3433321B2 (ja) 1991-08-30 2001-06-13 新規テトラ（ヒドロキシフェニル）アルカン

Country Status (6)

Country Link
US (3) US5296330A (ja)
EP (1) EP0530148B1 (ja)
JP (3) JP3236942B2 (ja)
KR (2) KR0173966B1 (ja)
AT (1) ATE175033T1 (ja)
DE (1) DE59209597D1 (ja)

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5296330A (en) * 1991-08-30 1994-03-22 Ciba-Geigy Corp. Positive photoresists containing quinone diazide photosensitizer, alkali-soluble resin and tetra(hydroxyphenyl) alkane additive
JP2753917B2 (ja) * 1992-04-27 1998-05-20 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JP2761823B2 (ja) * 1992-04-27 1998-06-04 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JPH0643636A (ja) * 1992-07-22 1994-02-18 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性平版印刷版
EP0599779A1 (de) * 1992-10-29 1994-06-01 OCG Microelectronic Materials AG Hochauflösender negativ arbeitender Photoresist mit grossem Prozessspielraum
DE69407879T2 (de) * 1993-06-30 1998-04-30 Fuji Photo Film Co Ltd Phenolverbindungen, die Methoxymethylgruppen oder Hydroxymethylgruppen enthalten
JP3503839B2 (ja) 1994-05-25 2004-03-08 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP3278306B2 (ja) 1994-10-31 2002-04-30 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
CA2228654A1 (en) * 1997-02-18 1998-08-18 James J. Briguglio Positive-tone photoimageable crosslinkable coating
CA2243727A1 (en) * 1998-01-30 1999-07-30 James J. Briguglio Positive-tone photoimageable crosslinkable coating
US6127086A (en) * 1998-10-01 2000-10-03 Arch Specialty Chemicals, Inc. Photosensitive resin compositions
US6214516B1 (en) * 1998-10-01 2001-04-10 Arch Specialty Chemicals, Inc. Photosensitive resin compositions
KR100434485B1 (ko) 1999-10-08 2004-06-05 삼성전자주식회사 포토레지스트 스트립퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 스트립 방법
US6395449B1 (en) * 2000-03-31 2002-05-28 Microchem Corp. Poly-hydroxy aromatic dissolution modifiers for lift-off resists
US7192681B2 (en) 2001-07-05 2007-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
US20030054616A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-20 Honeywell International Inc. Electronic devices and methods of manufacture
KR100783603B1 (ko) * 2002-01-05 2007-12-07 삼성전자주식회사 포토레지스트 조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성방법
US6939662B2 (en) 2002-05-31 2005-09-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive-working resist composition
JP4517723B2 (ja) * 2003-05-22 2010-08-04 住友ベークライト株式会社 ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル、それを用いたポジ型感光性樹脂組成物、半導体装置及び表示素子
JP4612999B2 (ja) 2003-10-08 2011-01-12 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4448705B2 (ja) 2004-02-05 2010-04-14 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4551704B2 (ja) 2004-07-08 2010-09-29 富士フイルム株式会社 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4621451B2 (ja) 2004-08-11 2011-01-26 富士フイルム株式会社 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4524154B2 (ja) 2004-08-18 2010-08-11 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US7504193B2 (en) 2004-09-02 2009-03-17 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP4469692B2 (ja) 2004-09-14 2010-05-26 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いられる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4474256B2 (ja) 2004-09-30 2010-06-02 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4452632B2 (ja) 2005-01-24 2010-04-21 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
TWI530759B (zh) 2005-01-24 2016-04-21 富士軟片股份有限公司 適用於浸漬曝光之正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
JP4562537B2 (ja) 2005-01-28 2010-10-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物に用いる化合物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4439409B2 (ja) 2005-02-02 2010-03-24 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI471699B (zh) 2005-03-04 2015-02-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
US7960087B2 (en) 2005-03-11 2011-06-14 Fujifilm Corporation Positive photosensitive composition and pattern-forming method using the same
JP4579019B2 (ja) 2005-03-17 2010-11-10 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
EP1720072B1 (en) 2005-05-01 2019-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositons and processes for immersion lithography
JP4724465B2 (ja) 2005-05-23 2011-07-13 富士フイルム株式会社 感光性組成物及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4565156B2 (ja) * 2005-06-20 2010-10-20 独立行政法人産業技術総合研究所 ポジ型感光性ポリイミド組成物及びそれを用いたポリイミドパターンの形成方法
JP4861767B2 (ja) 2005-07-26 2012-01-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP4580841B2 (ja) 2005-08-16 2010-11-17 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4695941B2 (ja) 2005-08-19 2011-06-08 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI403843B (zh) 2005-09-13 2013-08-01 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
KR101280019B1 (ko) * 2005-12-01 2013-06-28 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물
EP1795960B1 (en) 2005-12-09 2019-06-05 Fujifilm Corporation Positive resist composition, pattern forming method using the positive resist composition, use of the positive resit composition
JP4911456B2 (ja) 2006-11-21 2012-04-04 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物、該ポジ型感光性組成物に用いられる高分子化合物、該高分子化合物の製造方法及びポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP4905786B2 (ja) 2007-02-14 2012-03-28 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
EP1962139A1 (en) 2007-02-23 2008-08-27 FUJIFILM Corporation Negative resist composition and pattern forming method using the same
JP5162290B2 (ja) 2007-03-23 2013-03-13 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
US8088566B2 (en) 2007-03-26 2012-01-03 Fujifilm Corporation Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent
US7592118B2 (en) 2007-03-27 2009-09-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
US8182975B2 (en) 2007-03-28 2012-05-22 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
EP1975716B1 (en) 2007-03-28 2013-05-15 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
EP1975714A1 (en) 2007-03-28 2008-10-01 FUJIFILM Corporation Positive resist composition and pattern forming method
JP4982228B2 (ja) 2007-03-30 2012-07-25 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP5039622B2 (ja) 2007-03-30 2012-10-03 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP4562784B2 (ja) 2007-04-13 2010-10-13 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液
EP1980911A3 (en) 2007-04-13 2009-06-24 FUJIFILM Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
JP4617337B2 (ja) 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
EP2159641A1 (en) 2007-06-15 2010-03-03 Fujifilm Corporation Surface treatment agent for forming pattern and pattern forming method using the treatment agent
JP2008311474A (ja) 2007-06-15 2008-12-25 Fujifilm Corp パターン形成方法
US8088550B2 (en) 2007-07-30 2012-01-03 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
JP5066405B2 (ja) 2007-08-02 2012-11-07 富士フイルム株式会社 電子線、ｘ線又はｅｕｖ用レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
EP2020617A3 (en) 2007-08-03 2009-04-29 FUJIFILM Corporation Resist composition containing a sulfonium compound, pattern-forming method using the resist composition, and sulfonium compound
US7923196B2 (en) 2007-08-10 2011-04-12 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method using the same
JP5449675B2 (ja) 2007-09-21 2014-03-19 富士フイルム株式会社 感光性組成物、該感光性組成物を用いたパターン形成方法及び該感光性組成物に用いられる化合物
JP4911469B2 (ja) 2007-09-28 2012-04-04 富士フイルム株式会社 レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
JP2009122325A (ja) 2007-11-14 2009-06-04 Fujifilm Corp トップコート組成物、それを用いたアルカリ現像液可溶性トップコート膜及びそれを用いたパターン形成方法
US9519216B2 (en) * 2008-02-04 2016-12-13 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Positive photosensitive resin compositions
JP5150296B2 (ja) 2008-02-13 2013-02-20 富士フイルム株式会社 電子線、ｘ線またはｅｕｖ用ポジ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
US9046773B2 (en) 2008-03-26 2015-06-02 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern forming method using the same, polymerizable compound and polymer compound obtained by polymerizing the polymerizable compound
JP5244711B2 (ja) 2008-06-30 2013-07-24 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5997873B2 (ja) 2008-06-30 2016-09-28 富士フイルム株式会社 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5746818B2 (ja) 2008-07-09 2015-07-08 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5106285B2 (ja) 2008-07-16 2012-12-26 富士フイルム株式会社 光硬化性組成物、インク組成物、及び該インク組成物を用いたインクジェット記録方法
JP5277128B2 (ja) 2008-09-26 2013-08-28 富士フイルム株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法
EP2356517B1 (en) 2008-12-12 2017-01-25 FUJIFILM Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and pattern forming method using the same
KR20110094054A (ko) 2008-12-12 2011-08-19 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 그 조성물을 이용한 패턴 형성 방법
US8895032B2 (en) * 2009-03-27 2014-11-25 Central Michigan University Dendritic nano-antioxidants
JP5377172B2 (ja) 2009-03-31 2013-12-25 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5762977B2 (ja) * 2009-12-15 2015-08-12 本州化学工業株式会社 新規な多核ポリ（フェノール）類
CN106957217B (zh) 2011-08-12 2020-07-24 三菱瓦斯化学株式会社 用于抗蚀剂组合物的多元酚化合物
US9182666B2 (en) 2011-11-18 2015-11-10 Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. Cyclic compound, method for producing the same, radiation-sensitive composition, and resist pattern formation method
KR101986544B1 (ko) 2011-11-18 2019-06-07 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 환상 화합물, 그 제조 방법, 감방사선성 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
US9354516B2 (en) 2012-10-17 2016-05-31 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition
JP5764589B2 (ja) 2012-10-31 2015-08-19 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
WO2014123032A1 (ja) 2013-02-08 2014-08-14 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及びそれに用いるポリフェノール誘導体
JP6519469B2 (ja) 2013-06-07 2019-05-29 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物
US20170066208A1 (en) 2015-09-08 2017-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10488753B2 (en) 2015-09-08 2019-11-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography
US10134588B2 (en) 2016-03-31 2018-11-20 Canon Kabushiki Kaisha Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10620539B2 (en) 2016-03-31 2020-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
US10095106B2 (en) 2016-03-31 2018-10-09 Canon Kabushiki Kaisha Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography
US10509313B2 (en) 2016-06-28 2019-12-17 Canon Kabushiki Kaisha Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US20200247739A1 (en) 2017-02-23 2020-08-06 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, composition, pattern formation method, and purification method
US10317793B2 (en) 2017-03-03 2019-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography
KR20190129907A (ko) 2017-03-31 2019-11-20 더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티 레지스트 조성물 및 이를 이용하는 패턴형성방법, 그리고, 화합물 및 수지
KR20190129901A (ko) 2017-03-31 2019-11-20 더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티 화합물, 화합물을 포함하는 레지스트 조성물 및 이를 이용하는 패턴형성방법
KR20200022391A (ko) 2017-06-28 2020-03-03 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 막형성재료, 리소그래피용 막형성용 조성물, 광학부품 형성용 재료, 레지스트 조성물, 레지스트패턴 형성방법, 레지스트용 영구막, 감방사선성 조성물, 아몰퍼스막의 제조방법, 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막의 제조방법 및 회로패턴 형성방법
KR20200054998A (ko) 2017-09-29 2020-05-20 더 스쿨 코포레이션 칸사이 유니버시티 리소그래피용 조성물, 패턴 형성방법, 및 화합물
KR20200078543A (ko) 2017-11-20 2020-07-01 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 리소그래피용 막형성용 조성물, 리소그래피용 막, 레지스트패턴형성방법, 및 회로패턴형성방법
WO2019142897A1 (ja) 2018-01-22 2019-07-25 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、組成物及びパターン形成方法
CN111655662B (zh) 2018-01-31 2023-09-26 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、树脂、组合物、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法和树脂的纯化方法
EP3747954A4 (en) 2018-01-31 2021-02-17 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING A RESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING AN INSULATING FILM
US20210331994A1 (en) 2018-08-24 2021-10-28 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, composition containing the same, method for forming resist pattern and method for forming insulating film
CN114450631A (zh) 2019-09-30 2022-05-06 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
WO2021200056A1 (ja) 2020-03-30 2021-10-07 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、フォトマスク製造用感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びフォトマスクの製造方法
WO2021200179A1 (ja) 2020-03-31 2021-10-07 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
TW202248755A (zh) 2021-03-22 2022-12-16 日商富士軟片股份有限公司 負型感光性樹脂組成物、硬化物、積層體、硬化物的製造方法以及半導體元件

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3046112A (en) * 1951-06-30 1962-07-24 Azoplate Corp Quinone diazide printing plates
US2965611A (en) * 1958-08-26 1960-12-20 Shell Oil Co Polyphenol glycidyl ethers
US3106462A (en) * 1958-09-12 1963-10-08 Phillips Petroleum Co Purification of gases by absorption
NL255348A (ja) * 1959-08-29
NL130926C (ja) * 1959-09-04
US3365019A (en) * 1965-07-23 1968-01-23 Continental Oil Co Seismic vibrator for marshland and submarine use
US3661582A (en) * 1970-03-23 1972-05-09 Western Electric Co Additives to positive photoresists which increase the sensitivity thereof
US4036644A (en) * 1973-03-16 1977-07-19 International Business Machines Corporation Photoresist process and photosensitive O-quinone diazide article with aliphatic carboxylic acid as adhesion promotor
JPS5280022A (en) * 1975-12-26 1977-07-05 Fuji Photo Film Co Ltd Light solubilizable composition
US4277600A (en) * 1979-09-20 1981-07-07 General Electric Company Tetraphenolic compounds and polycarbonates containing the same
US4397937A (en) * 1982-02-10 1983-08-09 International Business Machines Corporation Positive resist compositions
US4552876A (en) * 1984-07-09 1985-11-12 Usv Pharmaceutical Corp. Bisbenzoxazines and pharmaceutical use
US4626492A (en) * 1985-06-04 1986-12-02 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Positive-working o-quinone diazide photoresist composition containing a dye and a trihydroxybenzophenone compound
DE3811040A1 (de) * 1988-03-31 1989-10-19 Ciba Geigy Ag Im nahen uv hochaufloesende positiv-fotoresists
GB8826323D0 (en) * 1988-11-10 1988-12-14 Shell Int Research Process for manufacture of polyglycidyl-ethers
JPH0651777B2 (ja) * 1989-02-21 1994-07-06 株式会社日立製作所 熱硬化性樹脂組成物及びそれを用いたコイル、パネル
CA2024312A1 (en) * 1989-09-05 1991-03-06 Haruyoshi Osaki Radiation-sensitive positive resist composition
JPH061377B2 (ja) * 1989-12-28 1994-01-05 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
US5238775A (en) * 1990-02-20 1993-08-24 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition
US5296330A (en) * 1991-08-30 1994-03-22 Ciba-Geigy Corp. Positive photoresists containing quinone diazide photosensitizer, alkali-soluble resin and tetra(hydroxyphenyl) alkane additive

Also Published As

Publication number Publication date
JP3433321B2 (ja) 2003-08-04
EP0530148A1 (de) 1993-03-03
JP3236942B2 (ja) 2001-12-10
JPH05265211A (ja) 1993-10-15
EP0530148B1 (de) 1998-12-23
ATE175033T1 (de) 1999-01-15
KR930004807A (ko) 1993-03-23
KR0180933B1 (ko) 1999-04-01
JP2002053511A (ja) 2002-02-19
US5554797A (en) 1996-09-10
JP2001240589A (ja) 2001-09-04
US5296330A (en) 1994-03-22
US5436098A (en) 1995-07-25
DE59209597D1 (de) 1999-02-04
KR0173966B1 (ko) 1999-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3275075B2 (ja) ポジティブホトレジスト組成物
JP2753921B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
US5238775A (en) Radiation-sensitive resin composition
JP2929684B2 (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH0450851A (ja) ポジ型感放射線性レジスト組成物
JP2814721B2 (ja) ポジ型感放射線性レジスト組成物
JPH04174438A (ja) ポジ型レジスト組成物
JPH05297582A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2761822B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH03128959A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2761823B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05158233A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05297583A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2676902B2 (ja) トリフェニルメタン誘導体及びその製法
JPH05341510A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05224409A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05297581A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH02300752A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP3834852B2 (ja) ペンタフェノール系化合物およびその用途
JP2753917B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH04211257A (ja) ポリフェノール化合物
JPH05323601A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH0534915A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH03279957A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05142770A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees