KR20180072853A

KR20180072853A - 리소그래피용 린스액 및 이를 사용한 패턴 형성 방법

Info

Publication number: KR20180072853A
Application number: KR1020187017360A
Authority: KR
Inventors: 샤오웨 왕; 유리코 마쓰우라; 게오르크 피블로브스키
Original assignee: 메르크 파텐트 게엠베하
Priority date: 2010-08-13
Filing date: 2011-08-09
Publication date: 2018-06-29
Also published as: WO2012020747A1; MY161562A; TWI619808B; KR101959206B1; CN103080844B; CN103080844A; TW201213540A; US20130164694A1; EP2605069A1; JP5591623B2; KR20130102558A; EP2605069A4; JP2012042531A; EP2605069B1

Abstract

[과제] 패턴 붕괴와 멜팅을 동시에 개량할 수 있는, 리소그래피용 린스액 및 이를 사용한 패턴 형성 방법의 제공. [해결수단] 알킬아민 등의 특정한 함질소 화합물과 물을 함유하는 리소그래피용 린스액과, 이를 사용한 패턴 형성 방법. 린스액은 필요에 따라 비이온성 계면활성제를 함유할 수도 있다.

Description

리소그래피용 린스액 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 {RINSE LIQUID FOR LITHOGRAPHY AND METHOD FOR FORMING PATTERN USING SAME}

본 발명은 리소그래피용 린스액에 관한 것이다. 더욱 상세하게, 본 발명은 반도체 디바이스, 액정 표시 소자 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD), 컬러 필터 등의 제조에 사용되는 감광성 수지 조성물의 현상 공정에서 적합하게 사용되는 리소그래피용 린스액 및 이 리소그래피용 린스액을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.

LSI 등의 반도체 집적 회로나, FPD의 표시면의 제조, 컬러 필터, 써멀 헤드 등의 회로 기판의 제조 등을 비롯한 폭넓은 분야에 있어서, 미세 소자의 형성 또는 미세 가공을 실시하기 위해, 종래부터 포토리소그래피 기술이 이용되고 있다. 포토리소그래피법에 있어서는, 레지스트 패턴을 형성하기 위해 포지티브형 또는 네가티브형의 감광성 수지 조성물이 사용되고 있다. 이들 감광성 수지 조성물 중, 포지티브형 포토레지스트로서는, 예를 들면, 알칼리 가용성 수지와 감광성 물질인 퀴논디아지드 화합물로 이루어지는 감광성 수지 조성물이 널리 이용되고 있다.

그런데, 최근, LSI의 고집적화의 니즈가 높아지고 있어, 레지스트 패턴의 미세화가 요구되고 있다. 이러한 니즈에 대응하기 위해, 단파장의, KrF 엑시머 레이저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm), 극단 자외선(EUV; 13nm), X선, 전자선 등을 사용하는 리소그래피 프로세스가 실용화되고 있다. 이러한 패턴의 미세화에 대응하기 위해, 미세 가공시에 포토레지스트로서 사용되는 감광성 수지 조성물에도 고해상성의 것이 요구되고 있다. 또한, 감광성 수지 조성물에는, 해상성에 더하여, 감도, 패턴 형상, 화상 치수의 정확성 등의 성능 향상도 동시에 요구되고 있다. 이에 대해, 단파장의 방사선에 감광성을 갖는 고해상도의 감방사선성 수지 조성물로서, 「화학 증폭형 감광성 수지 조성물」이 제안되어 있다. 이 화학 증폭형 감광성 수지 조성물은, 방사선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 함유하고, 방사선의 조사에 의해 이 산 발생 화합물로부터 산이 발생되고, 발생된 산에 의한 촉매적인 화상 형성 공정에 의해, 높은 감도가 수득되는 점 등에서 유리하기 때문에, 종래의 감광성 수지 조성물 대신 보급되고 있다.

그러나 상기한 바와 같이 미세화가 진행되면, 패턴 붕괴나 패턴 거칠기 악화 등의 문제가 일어나는 경향이 있다. 이러한 문제에 대해, 예를 들면 레지스트 조성물의 성분 변경 등에 의한 개량 등이 검토되고 있다.

또한, 패턴 붕괴는 현상 후에 순수로 패턴을 세정할 때에, 순수의 표면 장력에 의해 패턴간에 부압(負壓)이 발생함으로써도 일어나는 것으로 생각되고 있다. 이러한 관점에서, 패턴 붕괴를 개량하기 위해, 종래의 순수 대신 특정한 성분을 함유하는 린스액에 의해 세정하는 것이 제안되어 있다(특허문헌 1 내지 4 참조). 이들 특허문헌에는 특정한 비이온성 계면활성제를 함유하는 리소그래피용 린스액을 세정에 사용하는 것이 제안되어 있다.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 제2004-184648호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 제(평)05-299336호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 제(평)07-140674호 특허문헌 4: 일본 공개특허공보 제2008-146099호

그러나, 이들 인용문헌에 기재된 방법은, 패턴 붕괴에 대해서는 개량 효과가 확인되지만, 더욱 개량이 요망되고, 또한 패턴을 미세화함으로써 일어나는 패턴의 멜팅에 대해서도 개량의 여지가 있었다. 이로 인해, 패턴 붕괴와 멜팅의 문제를 동시에 해결할 수 있는 리소그래피용 린스액 또는 레지스트 기판의 처리 방법이 요망되고 있었다.

본 발명에 의한 포토리소그래피용 린스액은,

하기 화학식 1 내지 3:

(상기 화학식 1에서, R¹, R² 및 R³은 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 10의 포화 또는 불포화의 탄화수소 쇄이며, 여기서, 상기 탄화수소 쇄를 구성하는 탄소 원자에 결합한 수소가, -OH, -F, =O 또는 -NH₂로 치환되어 있어도 좋고, 상기 탄화수소 쇄의 도중에, -(CO)-, -(COO)-, -(CONH)-, -O-, -NH-, 또는 -N=을 포함하고 있어도 좋고,

R¹, R² 및 R³ 중 2개가 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 좋고,

R¹, R², 및 R³ 중 1개의 말단이, 탄소수 20,000 이하의 중합체 주쇄에 결합하고 있어도 좋고,

단, R¹, R², 및 R³ 중 적어도 1개는 탄소수가 2 이상이다)

(상기 화학식 2에서, R⁴, R⁵, R⁶, 및 R⁷은 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 10의 포화 또는 불포화의 탄화수소 쇄이며, 여기서, 상기 탄화수소 쇄를 구성하는 탄소 원자에 결합한 수소가, -OH, -F, =O 또는 -NH₂로 치환되어 있어도 좋고, 상기 탄화수소 쇄의 도중에, -(CO)-, -(COO)-, -(CONH)-, -O-, -NH-, 또는 -N=을 포함하고 있어도 좋고,

R⁴, R⁵, R⁶, 및 R⁷ 중 2개가 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 좋고,

단, R⁴, R⁵, R⁶, 및 R⁷ 모두는 동시에 수소가 아니며,

L은 탄소수 1 내지 10의 탄화수소 쇄이다)

(상기 화학식 3에서, R⁸, R⁹, R¹⁰, 및 R¹¹은 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 10의 포화 또는 불포화의 탄화수소 쇄이며, 여기서, 상기 탄화수소 쇄를 구성하는 탄소 원자에 결합한 수소가, -OH, -F, =O 또는 -NH₂로 치환되어 있어도 좋고, 상기 탄화수소 쇄의 도중에, -(CO)-, -(COO)-, -(CONH)-, -O-, -NH-, 또는 -N=을 포함하고 있어도 좋고,

R⁸, R⁹, R¹⁰, 및 R¹¹ 중 2개가 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 좋고,

단, R⁸, R⁹, R¹⁰, 및 R¹¹ 모두는 동시에 수소가 아니며,

L'는 탄소수 1 내지 10의 탄화수소 쇄이며,

m은 1 내지 1000의 반복 수를 나타내는 수이다)

으로부터 선택되는 적어도 1종의 함질소 화합물과 물을 함유하는 것을 특징으로 하는 것이다.

또한, 본 발명에 의한 패턴 형성 방법은,

(1) 기판에 감광성 수지 조성물을 도포하여 감광성 수지 조성물 층을 형성시키고,

(2) 상기 감광성 수지 조성물 층을 노광하고,

(3) 노광 완료된 감광성 수지 조성물 층을 현상액에 의해 현상하고,

(4) 상기의 리소그래피용 린스액으로 처리하는 것

을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명에 의한 리소그래피용 린스액을 사용함으로써, 미세화된 레지스트 패턴, 특히 ArF용 레지스트나 극자외선용 레지스트에 의한 미세화된 패턴의 패턴 붕괴의 방지와, 멜팅의 방지를 동시에 달성하여, 보다 세밀하고 정확한 레지스트 패턴의 형성이 가능해진다.

본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명하면 이하와 같다.

본 발명에 의한 리소그래피용 린스액은, 유기기를 갖는, 특정한 함질소 화합물과 물을 함유하여 이루어진다. 본 발명에서 사용되는 함질소 화합물은 하기 화학식 1 내지 3중 어느 하나로 표시되는 것이다.

화학식 1

단, R¹, R², 및 R³ 중 적어도 1개는 탄소수가 2 이상이다)

화학식 2

(상기 화학식 2에서, R⁴, R⁵, R⁶, 및 R⁷은 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 10, 바람직하게는 1 내지 4의 포화 또는 불포화의 탄화수소 쇄이며, 여기서, 상기 탄화수소 쇄를 구성하는 탄소 원자에 결합한 수소가, -OH, -F, =O 또는 -NH₂로 치환되어 있어도 좋고, 상기 탄화수소 쇄의 도중에, -(CO)-, -(COO)-, -(CONH)-, -O-, -NH-, 또는 -N=을 포함하고 있어도 좋고,

단, R⁴, R⁵, R⁶, 및 R⁷ 모두는 동시에 수소가 아니며, R⁴, R⁵, R⁶, 및 R⁷ 중 3개 이상이 탄화수소 쇄인 것이 바람직하며, R⁴, R⁵, R⁶, 및 R⁷ 모두가 탄화수소 쇄인 것이 가장 바람직하며,

L은 탄소수 1 내지 10, 바람직하게는 1 내지 6, 특히 바람직하게는 1 내지 4의 탄화수소 쇄이다)

화학식 3

단, R⁸, R⁹, R¹⁰, 및 R¹¹ 모두는 동시에 수소가 아니며,

L'는 탄소수 1 내지 10, 바람직하게는 1 내지 5의 탄화수소 쇄이며,

m은 1 내지 1000, 바람직하게는 1 내지 50의 반복 수를 나타내는 수이다)

또한, 화학식 1 내지 3의 각각에서, 1개의 분자 중에 포함되는 R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹, R¹⁰, 및 R¹¹ 중 어느 2개가 결합하여 환상 구조를 형성하고 있어도 좋다. 즉, 예를 들면 피페라진환, 피페리딘환, 피리딘환, 피라졸린환, 피라졸리딘환, 피롤린환, 또는 모르폴린환 등을 형성하고 있어도 좋다.

또한, 화학식 1에서 R¹, R², 및 R³ 중 1개의 말단이, 중합체 주쇄에 결합하고 있어도 좋다. 이 경우에는, 화학식 1의 함질소 화합물이 중합체 주쇄에 결합한 측쇄를 구성한다. 중합체 주쇄의 구조는 특별히 한정되지 않으며, 비닐기의 부가 중합, 산 아미드 결합에 의한 축중합, 산기의 탈수 축합 등, 일반적인 방법으로 중합시킨 중합체를 사용할 수 있다. 이 때, 중합체 주쇄가 과잉으로 길고, 소수성이 높은 경우에는 수용성이 떨어져 패턴 표면에 잔류물이 남거나 하는 경우가 있기 때문에, 중합체 주쇄의 탄소수가 20,000 이하인 것이 바람직하며, 10,000 이하인 것이 보다 바람직하며, 1,000 이하인 것이 가장 바람직하다.

또한, 각 식에서, R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹, R¹⁰, 및 R¹¹ 모두는 동시에 수소가 아니다. 즉, 각 식에서의 R¹, R², R³, R⁴, R⁵, R⁶, R⁷, R⁸, R⁹, R¹⁰, 및 R¹¹ 중 적어도 1개는 상기한 탄화수소 쇄이고, 모두 탄화수소 쇄인 것이 바람직하다.

이러한 화학식 1 내지 3으로 표시되는 함질소 화합물 중, 화학식 2의 것은 본 발명의 효과가 현저하기 때문에 바람직하다. 이 중에서도, 테트라알킬알킬렌디아민은 입수도 용이하고 효과가 현저하기 때문에 바람직한 것이다. 구체적인 바람직한 함질소 화합물로서,

N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라에틸에틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라프로필에틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라이소프로필에틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라부틸에틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라이소부틸에틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라메틸-1,2-프로필렌디아민,

N,N,N',N'-테트라에틸-1,2-프로필렌디아민,

N,N,N',N'-테트라프로필-1,2-프로필렌디아민,

N,N,N',N'-테트라이소프로필-1,2-프로필렌디아민,

N,N,N',N'-테트라부틸-1,2-프로필렌디아민,

N,N,N',N'-테트라이소부틸-1,2-프로필렌디아민,

N,N,N',N'-테트라메틸-1,3-프로필렌디아민,

N,N,N',N'-테트라에틸-1,3-프로필렌디아민,

N,N,N',N'-테트라프로필-1,3-프로필렌디아민,

N,N,N',N'-테트라이소프로필-1,3-프로필렌디아민,

N,N,N',N'-테트라부틸-1,3-프로필렌디아민,

N,N,N',N'-테트라이소부틸-1,3-프로필렌디아민,

N,N,N',N'-테트라메틸-1,2-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라에틸-1,2-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라프로필-1,2-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라이소프로필-1,2-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라부틸-1,2-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라이소부틸-1,2-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라메틸-1,3-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라에틸-1,3-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라프로필-1,3-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라이소프로필-1,3-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라부틸-1,3-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라이소부틸-1,3-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라메틸-1,4-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라에틸-1,4-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라프로필-1,4-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라이소프로필-1,4-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라부틸-1,4-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라이소부틸-1,4-부틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라메틸-1,5-펜틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라에틸-1,5-펜틸렌디아민,

N,N,N',N'-테트라메틸-1,6-헥실렌디아민, 및

N,N,N',N'-테트라에틸-1,6-헥실렌디아민

으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것이 바람직하다.

기타 함질소 화합물로서, 하기 화학식 a1 내지 a8로 표시되는 것도 바람직하다.

화학식 a1

화학식 a2

화학식 a3

화학식 a4

화학식 a5

화학식 a6

화학식 a7

화학식 a8

상기 화학식 a1 내지 화학식 a8에서, 각각의 R'는 독립적으로, 수소, 탄소수 1 내지 10의 포화 또는 불포화의 탄화수소 쇄이며, 여기서, 상기 탄화수소 쇄를 구성하는 탄소 원자에 결합한 수소가, -OH, -F, =O 또는 -NH₂로 치환되어 있어도 좋다. R'는, 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 메톡시기, 에톡시기, 트리플루오로메틸기 등이다.

또한, x는 환에 결합하는 치환기의 수이며, n은 1 또는 2이다. 즉, 화학식 a5 내지 a7로 표시되는 환상 구조는, 5원환 또는 6원환이다. 또한, x의 최소값은 0이며, 최대값은 환의 크기 및 그 밖의 치환기에 의해 결정되는 수이다.

또한, 기타 바람직한 함질소 화합물로서, 하기 화학식 b1 내지 b4로 표시되는 것도 들 수 있다.

화학식 b1

화학식 b2

화학식 b3

화학식 b4

상기 화학식 b1 내지 b4에서, R', x, 및 n은 상기한 바와 같으며,

p는 0 내지 2이며,

q는 1 내지 10,000이며, 바람직하게는 1 내지 1,000이다.

이들 화학식 b1 내지 b4로 표시되는 함질소 화합물은 상기 화학식 1로 표시되는 함질소 화합물을 탄소쇄의 측쇄로서 갖는 중합체이다.

이러한 함질소 화합물은 필요에 따라 2종류 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.

또한, 본 발명에 의한 리소그래피용 린스액은, 상기한 함질소 화합물 이외에 용매로서 물을 함유하여 이루어진다. 사용되는 물로서는, 증류, 이온 교환 처리, 필터 처리, 각종 흡착 처리 등에 의해, 유기 불순물, 금속 이온 등이 제거된 것, 특히 순수가 바람직하다.

본 발명에 의한 리소그래피용 린스액은, 추가로 계면활성제를 함유할 수 있다. 계면활성제는 린스액에 의한 레지스트 표면의 젖음성을 개량하고, 또한 표면 장력을 조정함으로써, 패턴 붕괴나 패턴 박리를 개량하기 때문에, 사용하는 것이 바람직하다.

계면활성제로서는, 비이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 쌍성 계면활성제 등 어느 것이라도 사용할 수 있다. 그러나, 이들 중 비이온성 계면활성제, 특히 알킬렌옥시 기를 갖는 비이온성 계면활성제는, 상기한 함질소 화합물과 조합했을 때에 본 발명의 효과를 보다 강하게 발현시키기 때문에 바람직하다. 구체적으로 하기 화학식 S1 또는 S2로 표시되는 계면활성제가 바람직하다.

화학식 S1

화학식 S2

여기서, EO는 -(CH₂)₂-O-, PO는 -CH₂-CH(CH₃)-O-을 나타내고, EO 및 PO의 단위는 각각이 랜덤하게 결합하고 있어도, 블록을 형성하고 있어도 좋다.

L¹은 탄소수 1 내지 30의 탄화수소 쇄이며, 불포화 결합을 포함하고 있어도 좋다. L¹은 바람직하게는 하기 화학식으로 표시되는 탄화수소 쇄이다.

상기 화학식에서, 각각의 R^b는 독립적으로 탄소수 3 내지 10의 직쇄 또는 분기상(分岐狀)의 포화 또는 불포화의 탄화수소 쇄이며, 상기 탄화수소 쇄를 구성하는 탄소 원자에 결합한 수소가 -OH에 의해 치환되어 있어도 좋다.

또한, R^a는 탄소수 5 내지 30의 포화 또는 불포화의 탄화수소 쇄이다.

또한, r1 내지 r3 및 s1 내지 s3은 EO 또는 PO의 반복 수를 나타내는, 20 이하의 정수이다. 여기서, r1+s1, 및 r2+s2는, 각각 독립적으로 0 내지 20의 정수이며, 단, r1+s1+r2+s2는 1 이상의 정수이다. r1+s1, 및 r2+s2는, 바람직하게는 2 내지 10의 정수이다. 또한, r3+s3은 1 내지 20의 정수이며, 바람직하게는 2 내지 10의 정수이다.

이러한 계면활성제 중, 비교적 친수성이 높은 EO기 또는 PO기가 적고, L¹ 또는 R^a의 탄소수가 많고, 소수성이 높은 것이 멜팅 방지 효과가 강한 경향이 있기 때문에 바람직하다.

이러한 계면활성제는 필요에 따라 2종류 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.

본 발명에 의한 리소그래피용 린스액은, 필요에 따라 추가로 첨가제를 함유할 수 있다. 이러한 첨가제로서는, 예를 들면, 산, 염기, 또는 유기 용제 등을 들 수 있다.

산 또는 염기는 처리액의 pH를 조정하거나, 각 성분의 용해성을 개량하기 위해 사용된다. 사용되는 산 또는 염기는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 임의로 선택할 수 있지만, 예를 들면 카복실산, 아민류, 암모늄염을 들 수 있다. 이들에는 지방산, 방향족 카복실산, 제1급 아민, 제2급 아민, 제3급 아민, 암모늄 화합물류가 포함되고, 이들은 임의의 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋다. 보다 구체적으로 포름산, 아세트산, 프로피온산, 벤조산, 프탈산, 살리실산, 락트산, 말산, 시트르산, 옥살산, 말론산, 석신산, 푸말산, 말레산, 아코니트산, 글루타르산, 아디프산, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 트리이소프로판올아민, 테트라메틸암모늄 등을 들 수 있다.

또한, 물 이외의 유기 용매를 공용매로서 사용할 수도 있다. 유기 용제는 린스액의 표면 장력을 조정하는 작용을 갖고, 또한 레지스트 표면으로의 젖음성을 개량할 수 있는 경우가 있다. 이러한 경우에 사용할 수 있는 유기 용매는, 물에 가용인 유기 용매로부터 선택된다. 구체적으로 메틸알코올, 에틸알코올, 이소프로필알코올, 및 t-부틸알코올 등의 알코올류, 에틸렌글리콜 및 디에틸렌글리콜 등의 글리콜류, 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤류, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 락트산에틸 등의 에스테르류, 디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 메틸셀로솔브, 셀로솔브, 부틸셀로솔브, 셀로솔브아세테이트, 알킬셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜알킬에테르, 프로필렌글리콜알킬에테르아세테이트, 부틸카르비톨, 카르비톨아세테이트, 테트라하이드로푸란 등의 용매를 들 수 있다.

그러나, 이러한 유기 용매는 패턴을 구성하는 레지스트를 용해하거나, 변성시키는 경우가 있기 때문에, 사용하는 경우에는 소량으로 한정된다. 구체적으로 유기 용매의 함유량은 린스액의 전체 중량을 기준으로 하여 통상 15% 이하이며, 바람직하게는 0.1% 이상이다. 단, 레지스트의 용해 또는 변성을 방지하는 목적을 위해, 유기 용매는 전혀 사용하지 않는 것이 바람직하다.

본 발명에 의한 리소그래피용 린스액은, 추가로 살균제, 항균제, 방부제, 및/또는 곰팡이 방지제를 함유해도 좋다. 이들 약제는 박테리아 또는 균류가 시간 경과한 린스액 중에서 번식하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 이러한 예로는, 페녹시에탄올, 이소티아졸론 등의 알코올이 포함된다. 니혼소다 가부시키가이샤에서 시판하고 있는 베스트사이드(상품명)는 특히 유효한 방부제, 곰팡이 방지제, 및 살균제이다. 전형적으로 이들 약제는 리소그래피용 린스액의 성능에는 영향을 주지 않는 것이며, 통상 린스액의 전체 중량을 기준으로 하여 1% 이하, 바람직하게는 0.1% 미만, 또한 바람직하게는 0.001중량 이상의 함유량이 된다.

본 발명에 의한 리소그래피용 린스액은, 용매인 물에 각 성분이 용해된 것이다. 각 성분의 함유율은 린스액의 용도, 처리하고자 하는 레지스트의 종류, 각 성분의 용해도 등에 따라 임의로 결정된다. 일반적으로, 함질소 화합물의 함유율이 높은 편이 패턴 붕괴의 개량 효과가 크기 때문에 바람직하며, 함질소 화합물의 함유율이 낮은 편이 멜팅이 우수한 경향이 있기 때문에 바람직하다. 실제로는 이들의 밸런스나 린스액의 성분에 의해 적당한 함유율이 선택된다. 구체적으로 린스액의 전체 중량을 기준으로 하여, 0.005% 이상 5% 이하인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로 본 발명에 의한 린스액이 계면활성제를 함유하지 않는 경우에는, 함질소 화합물의 함유율은, 린스액의 전체 중량을 기준으로 하여, 0.01% 이상이 바람직하며, 0.05% 이상인 것이 보다 바람직하며, 또한 5% 이하인 것이 바람직하며, 2% 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 발명에 의한 린스액이 계면활성제를 함유하는 경우에는, 함질소 화합물의 함유율은, 린스액의 전체 중량을 기준으로 하여, 0.005% 이상인 것이 바람직하며, 0.01% 이상인 것이 보다 바람직하며, 또한 1% 이하인 것이 바람직하며, 0.5% 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 계면활성제의 함유율은 일반적으로 0.01% 이상이며, 0.03% 이상인 것이 바람직하며, 0.1% 이상인 것이 보다 바람직하며, 또한 일반적으로 10% 이하이며, 1% 이하인 것이 바람직하며, 0.5% 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, 어느 경우에도, 물, 함질소 화합물, 및 계면활성제가 주성분이 되고, 그 이외의 성분의 함유율은, 린스액의 전체 중량을 기준으로 하여 1% 이하인 것이 바람직하며, 0.5% 이하인 것이 보다 바람직하다.

다음에, 본 발명에 의한 패턴의 형성 방법에 대해 설명한다. 본 발명의 패턴 형성 방법에 있어서의 리소그래피 공정은, 공지의 포지티브형의 감광성 수지 조성물, 네가티브형의 감광성 수지 조성물을 사용하여 레지스트 패턴을 형성하는 방법으로서 알려진 어느 것이라도 좋다. 본 발명의 리소그래피용 린스액이 적용되는 대표적인 패턴 형성 방법을 들자면, 다음과 같은 방법을 들 수 있다.

우선, 필요에 따라 전처리된, 실리콘 기판, 유리 기판 등의 기판의 표면에, 감광성 수지 조성물을 스핀 코트법 등 종래부터 공지된 도포법에 의해 도포하여, 감광성 수지 조성물 층을 형성시킨다. 감광성 수지 조성물의 도포에 앞서, 레지스트 상층 또는 하층에 반사 방지막이 도포 형성되어도 좋다. 이러한 반사 방지막에 의해 단면 형상 및 노광 마진을 개선할 수 있다.

본 발명의 패턴 형성 방법에는, 종래 알려져 있는 어느 감광성 수지 조성물을 사용할 수도 있다. 본 발명의 패턴 형성 방법에 사용할 수 있는 감광성 수지 조성물의 대표적인 것을 예시하면, 포지티브형은, 예를 들면, 퀴논디아지드계 감광제와 알칼리 가용성 수지로 이루어지는 것, 화학 증폭형 감광성 수지 조성물 등을 들 수 있고, 네가티브형은, 예를 들면, 폴리신남산비닐 등의 감광성기를 갖는 고분자 화합물을 함유하는 것, 방향족 아지드 화합물을 함유하는 것 또는 환화 고무와 비스아지드 화합물로 이루어지는 것과 같은 아지드 화합물을 함유하는 것, 디아조 수지를 함유하는 것, 부가 중합성 불포화 화합물을 함유하는 광중합성 조성물, 화학 증폭형 네가티브형 감광성 수지 조성물 등을 들 수 있다.

여기서 퀴논디아지드계 감광제와 알칼리 가용성 수지로 이루어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 있어서 사용되는 퀴논디아지드계 감광제의 예로서는, 1,2-벤조퀴논디아지드-4-설폰산, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설폰산, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설폰산, 이들 설폰산의 에스테르 또는 아미드 등을 들 수 있고, 또한 알칼리 가용성 수지의 예로서는, 노볼락 수지, 폴리비닐페놀, 폴리비닐알코올, 아크릴산 또는 메타크릴산의 공중합체 등을 들 수 있다. 노볼락 수지로서는, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 크실레놀 등의 페놀류의 1종 또는 2종 이상과, 포름알데히드, 파라포름알데히드 등의 알데히드류의 1종 이상으로 제조되는 것을 바람직한 것으로서 들 수 있다.

또한, 화학 증폭형의 감광성 수지 조성물은, 포지티브형 및 네가티브형 중 어느 것이라도 본 발명의 패턴 형성 방법에 사용할 수 있다. 화학 증폭형 레지스트는 방사선 조사에 의해 산을 발생시키고, 이 산의 촉매 작용에 의한 화학 변화에 의해 방사선 조사 부분의 현상액에 대한 용해성을 변화시켜 패턴을 형성하는 것으로, 예를 들면, 방사선 조사에 의해 산을 발생시키는 산 발생 화합물과, 산의 존재 하에 분해하여 페놀성 수산기 또는 카르복실기와 같은 알칼리 가용성기가 생성되는 산 감응성기 함유 수지로 이루어지는 것, 알칼리 가용 수지와 가교제, 산 발생제로 이루어지는 것을 들 수 있다.

기판 위에 형성된 감광성 수지 조성물 층은, 예를 들면 핫플레이트 위에서 프리베이크되어 감광성 수지 조성물 중의 용제가 제거되고, 두께가 통상 0.5 내지 2.5미크론 정도인 포토레지스트막이 된다. 프리베이크 온도는, 사용하는 용제 또는 감광성 수지 조성물에 따라 상이하지만, 통상 20 내지 200℃, 바람직하게는 50 내지 150℃ 정도의 온도에서 실시된다.

포토레지스트막은 그 후, 고압 수은등, 메탈할라이드 램프, 초고압 수은 램프, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, 난 X선 조사 장치, 전자선 묘화 장치 등 공지의 조사 장치를 사용하여 필요에 따라 마스크를 개재하여 노광이 실시된다.

노광 후, 필요에 따라 베이킹을 실시한 후, 예를 들면 패들 현상 등의 방법으로 현상이 실시되고, 레지스트 패턴이 형성된다. 레지스트의 현상은 통상 알칼리성 현상액을 사용하여 실시된다. 알칼리성 현상액으로서는, 예를 들면 수산화나트륨, 수산화테트라메틸암모늄(TMAH) 등의 수용액 또는 수성 용액이 사용된다. 현상 처리 후, 린스액을 사용하여 레지스트 패턴의 린스(세정)가 실시된다. 또한, 형성된 레지스트 패턴은, 에칭, 도금, 이온 확산, 염색 처리 등의 레지스트로서 사용되고, 그 후 필요에 따라 박리된다.

본 발명에 의한 패턴 형성 방법은, 특히, 미세하고, 종횡비가 높은 레지스트 패턴에 대해서도 유효하게 패턴 붕괴 및 멜팅을 개선할 수 있는 것이다. 여기서, 종횡비는 레지스트 패턴의 폭에 대한 높이의 비이다. 따라서, 본 발명에 의한 패턴 형성 방법은, 이러한 미세한 레지스트 패턴이 형성되는 리소그래피 공정, 즉, 노광 광원으로서, KrF 엑시머 레이저나 ArF 엑시머 레이저, 또한 X선, 전자선 등을 사용하는, 250nm 이하의 노광 파장으로의 노광을 포함하는 리소그래피 공정을 조합하는 것이 바람직하다. 또한, 레지스트 패턴의 패턴 치수로 보면, 라인·앤드·스페이스·패턴에 있어서의 선폭, 또는 콘택트 홀·패턴에 있어서의 구멍 직경이 300nm 이하, 특히 50nm 이하의 레지스트 패턴을 형성하는 리소그래피 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명에 의한 패턴 형성 방법에 있어서는, 레지스트 패턴을 현상 후, 상기의 리소그래피용 린스액으로 처리한다. 리소그래피용 린스액을 레지스트 기판에 접촉시키는 시간, 즉 처리 시간은 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 처리 시간을 1초 이상으로 함으로써 본 발명의 효과가 발현된다. 린스액을 레지스트에 접촉시키는 방법도 임의적이며, 예를 들면 레지스트 기판을 린스액에 침지하거나, 회전하고 있는 레지스트 기판 표면에 린스액을 적하, 분무 또는 분사에 의해 공급함으로써 실시할 수 있다.

본 발명에 의한 패턴 형성 방법에 있어서는, 현상 후, 본 발명에 의한 특정한 린스액에 의해 처리하기 전에 및/또는 본 발명에 의한 린스액에 의한 처리를 실시한 후에 순수에 의해 세정 처리를 실시할 수 있다. 전자의 세정 처리는 레지스트 패턴에 부착된 현상액을 세정하기 위해 실시되는 것이며, 후자의 세정 처리는 린스액을 세정하기 위해 실시되는 것이다. 순수에 의한 세정 처리의 방법은 임의의 방법에 의해 실시할 수 있고, 예를 들면 레지스트 기판을 순수에 침지하거나, 회전하고 있는 레지스트 기판 표면에 순수를 적하, 분무 또는 분사에 의해 공급함으로써 실시할 수 있다. 이러한 순수에 의한 세정 처리는 어느 한쪽만, 또는 양쪽 실시할 수 있다. 현상 처리 후에는 현상 후에 잔존하는 레지스트 잔사나 현상액을 세정 처리에 의해 제거함으로써, 본 발명의 효과를 보다 강하게 발현시킬 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 본 발명에서, 후자의 세정 처리는 린스액의 제거를 위해 실시할 수 있다. 특히 1%를 초과하는 농도의 린스액을 사용한 경우에는, 린스액으로 처리한 후에 순수에 의해 세정 처리함으로써, 멜팅 개량 효과가 강해져 본 발명의 효과를 최대한 발휘할 수 있는 경우가 있다.

본 발명에 의한 리소그래피용 린스액을 사용하여 현상 후의 레지스트를 처리한 경우에 멜팅이 개량되는 이유는, 현재 완전하게 해명되지 않고 있지만 이하와 같이 추찰되고 있다.

현상 처리 후의 레지스트 표면에는, 탈보호된 카복실산기가 다수 존재하는 것으로 생각된다. 이 레지스트를 린스액 등의 수성 용액에 접촉시키면, 카복실산기가 이온화되고, 이에 의해 수용성이 높아지기 때문에 멜팅이 일어나기 쉽다. 그러나, 본 발명에 의한 린스액으로 처리한 경우에는, 카복실산기에 함질소 화합물이 결합한다. 이러한 결합은 유기염의 구조와 같으며, 카복실산기와 같이 이온화되기 어려워 수성 용매에 대한 용해도는 상대적으로 낮아진다. 이로 인해, 본 발명에 의해 린스액에 의한 멜팅이 개량된다. 따라서, 카복실산기에 결합하는 함질소 화합물에 함유되는 소수성 부분, 즉 탄화수소 쇄가 길수록 멜팅 방지 효과가 강하게 발현되는 경향이 있다.

또한, 1개의 분자 중에 염기성 기를 2개 이상 포함하는 함질소 화합물을 사용한 경우에는, 레지스트 표면에 존재하는 복수의 카복실산기가 함질소 화합물에 의해 가교된다. 이로 인해, 더욱 멜팅 개량의 효과가 강해진다. 이로 인해, 1개의 분자 중에 존재하는 염기성 기의 수가 많을수록 경화가 강해지는 경향이 있다.

한편, 함질소 화합물의 분자량이 작은 경우에는, 린스액 중의 함질소 화합물이 린스 처리시에 레지스트 표면에서 내부까지 침투하여, 레지스트 내부의 카복실산기로까지 결합하기 때문에, 이 경우에도 멜팅 개량의 효과가 강해진다.

본 발명을 제 예를 사용하여 설명하면 이하와 같다. 또한, 본 발명의 형태는 이들 예로 한정되는 것은 아니다.

비교예 A101

실리콘 기판 위에 KrF 노광에 대응한 저면 반사 방지막용 조성물(AZ 일렉트로닉머티리얼즈 가부시키가이샤 제조 KrF-17B(상품명))을 사용하여 80nm의 막 두께로 반사 방지막을 제막하였다. 그 위에 ArF 레지스트 조성물(AZ 일렉트로닉머티리얼즈 가부시키가이샤 제조 DX6270(상품명))을 막 두께 620nm이 되도록 도포하고, 130℃/90초의 조건으로 베이크 처리하여 레지스트막을 갖는 기판을 준비하였다. 수득된 기판을 KrF 노광 장치(캐논 가부시키가이샤 제조 FPA-EX5(상품명))로 노광하고, 현상하여, 라인 패턴을 갖는 현상 완료된 레지스트 기판을 제작하였다. 또한, 노광시에 노광 조건을 변화시킴으로써 라인 폭을 변화시켜 종횡비가 상이한 복수의 패턴을 형성시켰다.

우선, 형성된 패턴을 관찰하여, 패턴 붕괴가 일어나고 있지 않은 최대의 종횡비가 몇인지를 평가하였다. 비교예 A101에 있어서, 패턴 붕괴가 일어나지 않는 종횡비는 3.0이었다.

다음에, 형성된 패턴의 멜팅을 평가하였다. 형성된 패턴을 가열로에 도입하고 130℃에서 70초간 가열한 후 패턴 형상을 확인한 결과 약간 멜팅이 확인되었다.

비교예 A102 내지 A105 및 실시예 A101 내지 A108

비교예 A101에 대해, 현상 후에 린스액으로 처리하는 공정을 추가하고, 평가를 실시하였다. 린스 처리는 현상 후의 레지스트 패턴을, 순수에 의한 세정을 실시한 후, 표 1에 기재한 함질소 화합물을 함유하는 린스액에 8 내지 10초간 침지시킴으로써 실시하였다. 수득된 결과는 표 1에 기재된 바와 같았다.

주

테트라메틸에틸렌디아민 = N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민

테트라에틸에틸렌디아민 = N,N,N',N'-테트라에틸에틸렌디아민

테트라메틸프로필렌디아민 = N,N,N',N'-테트라메틸-1,3-프로필렌디아민

테트라에틸부틸렌디아민 = N,N,N',N'-테트라메틸-1,4-부틸렌디아민

테트라메틸헥실렌디아민 = N,N,N',N'-테트라메틸-1,6-헥실렌디아민

테트라에틸프로판디아민 = N,N,N',N'-테트라에틸-1,3-프로필렌디아민

표 중의 패턴 붕괴의 평가 기준은 이하와 같다.

A: 패턴 붕괴가 일어나는 종횡비가 4.0을 초과하고, 패턴 붕괴 개량 효과가 현저하다

B: 패턴 붕괴가 일어나는 종횡비가 3.4 이상 4.0 이하이며, 패턴 붕괴 개량 효과가 확인된다

C: 패턴 붕괴가 일어나는 종횡비가 3.4 미만이며, 패턴 붕괴 개량 효과가 거의 없거나, 전혀 확인되지 않는다

또한, 표 중의 멜팅의 평가 기준은 이하와 같다.

A: 전혀 멜팅이 일어나고 있지 않다

B: 약간 멜팅이 일어나고 있지만, 실용상 문제가 없다

C: 멜팅이 현저하여 실용 불가능

비교예 A201 내지 A206 및 실시예 A201 내지 A204

함질소 화합물로서 트리메틸아민 또는 N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민을 함유하는 린스액을 사용하고, 비교예 A101과 같은 평가를 실시하였다. 이 때, 함질소 화합물의 농도를 표 2에 기재한 바와 같이 변화시켰다. 수득된 결과는 표 2에 기재한 바와 같았다.

표 중, 멜팅의 평가 기준은 상기한 바와 같다.

비교예 B101 내지 B104 및 실시예 B101 내지 B104

함질소 화합물 및/또는 비이온성 계면활성제를 함유하는 린스액을 사용하여, 비교예 A101과 같은 평가를 실시하였다. 이 때 함질소 화합물로서는 N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민을 사용하였다. 또한, 계면활성제로서는, 하기 화학식 S-1, S-2, 또는 S-3으로 표시되는 것을 사용하였다. 수득된 결과는 표 3에 기재한 바와 같았다.

화학식 S-1

화학식 S-2

화학식 S-3

상기 화학식 S-1 내지 S-3에서, R^b1은 메틸기, R^b2는 이소부틸기이며, r11, s11, r21, 및 s21은 r11+r21=5, s11+s21=2를 각각 만족시키는 정수이며,

R^a2는, C₁₈H₃₇, r12=15이며,

R^a3은, C₁₈H₃₇, r13=10, s13=5이다.

비교예 B201 내지 B202 및 실시예 B201 내지 B220

실리콘 기판 위에 ArF 노광에 대응한 저면 반사 방지막용 조성물(AZ 일렉트로닉머티리얼즈 가부시키가이샤 제조 ArF1C5D(상품명))을 사용하여 37nm의 막 두께로 반사 방지막을 제막하였다. 그 위에 ArF 레지스트 조성물(AZ 일렉트로닉머티리얼즈 가부시키가이샤 제조 AX2110P(상품명))을 막 두께 90nm이 되도록 도포하고, 110℃/60초의 조건으로 베이크 처리하여 레지스트막을 갖는 기판을 준비하였다. 수득된 기판을 ArF 노광 장치(니콘 가부시키가이샤 제조 NSR-S306C(상품명))로 노광하고, 현상하여, 라인 패턴을 갖는 현상 완료된 레지스트 기판을 제작하였다. 또한, 노광시에 노광 조건을 변화시킴으로써 라인 폭을 변화시키고, 종횡비가 상이한 복수의 패턴을 형성시켰다(비교예 B101). 비교예 B101에 대해서, 비교예 A101과 같이 패턴 붕괴 및 멜팅의 평가를 실시하였다.

또한, 함질소 화합물 및/또는 비이온성 계면활성제를 함유하는 린스액을 사용하여, 비교예 B101과 같은 평가를 실시하였다. 이 때 비이온성 계면활성제로서는 계면활성제(S-1)를 사용하였다. 또한, 함질소 화합물은 표 4에 기재한 것을 사용하였다. 수득된 결과는 표 4에 기재한 바와 같았다.

실시예 C101 내지 C102

이하의 예는, 리소그래피 린스액의 저장 수명을 개량하는 살균제 첨가의 효과를 나타내는 예이다.

2L의 실시예 B217의 린스액을 2등분하였다(실시예 C101 및 C102). 실시예 C102의 린스액에는 시판 살균제인 베스트사이드 600C(상품명, 니혼소다 가부시키가이샤 제조)의 5% 수용액을 0.2g 첨가하였다. 이러한 린스액을 각각 9개로 분할하고, 뚜껑을 덮지 않은 비이커 중에서 12시간 방치하였다. 계속해서, 이들 비이커를 밀폐하고, 표 5에 기재한 바와 같이 일정 온도로 일정 시간 보존하였다. 그 후, 노무라마이크로·사이언스 가부시키가이샤에 의한 독자의 배양 방법을 사용하여 평가하고, 린스액 중의 박테리아수를 측정하였다. 살균제를 함유하는 린스액 C102는, 살균제를 함유하지 않는 C101에 대해 매우 긴 저장 수명을 갖는다는 것을 알 수 있었다.

실시예 D101 내지 D102

1L의 실시예 B218의 린스액에 대해, N,N,N',N'-테트라부틸에틸렌디아민의 농도를 1.0%로 변경한 린스액을 1리터 준비하고, 이 린스액을 2등분하였다(실시예 D101 및 D102). 이들 중 실시예 D102의 린스액에는 10ml의 이소프로판올을 첨가하고, 실시예 D101의 린스액에는 10ml의 물을 첨가하였다. 각각의 린스액을 잘 교반한 후, 유리 병에 넣고 실온에서 7일간 방치하였다. 육안 관찰한 결과, 어느 린스액도 투명하였다.

그러나, 이들 린스액을, 비교예 A101과 같은 방법으로 준비한 레지스트가 도포된 미노광의 8인치 웨이퍼에 손으로 도포하여 육안 관찰한 결과, 실시예 D102의 린스액의 젖음성이 우수하다는 것을 알 수 있었다.

Claims

N,N,N',N'-테트라메틸에틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라에틸에틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라프로필에틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라이소프로필에틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라부틸에틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라이소부틸에틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라메틸-1,2-프로필렌디아민,
N,N,N',N'-테트라에틸-1,2-프로필렌디아민,
N,N,N',N'-테트라프로필-1,2-프로필렌디아민,
N,N,N',N'-테트라이소프로필-1,2-프로필렌디아민,
N,N,N',N'-테트라부틸-1,2-프로필렌디아민,
N,N,N',N'-테트라이소부틸-1,2-프로필렌디아민,
N,N,N',N'-테트라메틸-1,3-프로필렌디아민,
N,N,N',N'-테트라에틸-1,3-프로필렌디아민,
N,N,N',N'-테트라프로필-1,3-프로필렌디아민,
N,N,N',N'-테트라이소프로필-1,3-프로필렌디아민,
N,N,N',N'-테트라부틸-1,3-프로필렌디아민,
N,N,N',N'-테트라이소부틸-1,3-프로필렌디아민,
N,N,N',N'-테트라메틸-1,2-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라에틸-1,2-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라프로필-1,2-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라이소프로필-1,2-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라부틸-1,2-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라이소부틸-1,2-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라메틸-1,3-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라에틸-1,3-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라프로필-1,3-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라이소프로필-1,3-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라부틸-1,3-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라이소부틸-1,3-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라메틸-1,4-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라에틸-1,4-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라프로필-1,4-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라이소프로필-1,4-부틸렌디아민,
N,N,N',N'-테트라부틸-1,4-부틸렌디아민, 및
N,N,N',N'-테트라이소부틸-1,4-부틸렌디아민
으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 함질소 화합물과 물을 함유하는 것을 특징으로 하는, 리소그래피용 린스액.
제1항에 있어서, 상기 함질소 화합물의 함유율이, 린스액의 전체 중량을 기준으로 하여, 0.005% 이상 5% 이하인, 리소그래피용 린스액.
제1항에 있어서, 알킬렌옥시 기를 갖는 비이온성 계면활성제를 추가로 함유하여 이루어지는, 리소그래피용 린스액.
제3항에 있어서, 상기 비이온성 계면활성제가 하기 화학식 S1 및 S2로 표시되는, 리소그래피용 린스액.
[화학식 S1]

[화학식 S2]

상기 화학식 S1 및 S2에 있어서, EO는 -(CH₂)₂-O-이고, PO는 -CH₂-CH(CH₃)-O-이고, EO 및 PO의 단위는 각각이 랜덤하게 결합하고 있어도, 블록을 형성하고 있어도 좋고,
L¹은 탄소수 1 내지 30의 탄화수소 쇄이며, 불포화 결합을 포함하고 있어도 좋고,
R^a는, 탄소수 5 내지 30의 포화 또는 불포화의 탄화수소 쇄이며,
r1 내지 r3 및 s1 내지 s3은 EO 또는 PO의 반복 수를 나타내는, 20 이하의 정수이며, r1+s1, 및 r2+s2는, 각각 독립적으로 0 내지 20의 정수이며, 단, r1+s1+r2+s2는 1 이상의 정수이며,
r3+s3은 1 내지 20의 정수이다.
제4항에 있어서, 상기 리소그래피용 린스액의 전체 중량을 기준으로 하여, 상기 비이온성 계면활성제의 함유율이 0.01 내지 10%인, 리소그래피용 린스액.
제1항 또는 제5항에 있어서, 살균제, 항균제, 방부제, 또는 곰팡이 방지제를 추가로 함유하여 이루어지는, 리소그래피용 린스액.
제6항에 있어서, 상기 살균제, 항균제, 방부제, 또는 곰팡이 방지제의 함유량이, 린스액의 전체 중량을 기준으로 하여 0.001% 이상 1% 이하인, 리소그래피용 린스액.
제1항에 있어서, 물에 가용인 유기 용매를 추가로 함유하여 이루어지는, 리소그래피용 린스액.
제8항에 있어서, 상기 유기 용매의 함유량이, 린스액의 전체 중량을 기준으로 하여 0.1% 이상 15% 이하인, 리소그래피용 린스액.
(1) 기판에 감광성 수지 조성물을 도포하여 감광성 수지 조성물 층을 형성시키고,
(2) 상기 감광성 수지 조성물 층을 노광하고,
(3) 노광 완료된 감광성 수지 조성물 층을 현상액에 의해 현상하고,
(4) 제1항 또는 제5항에 기재된 리소그래피용 린스액으로 처리하는 것
을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 방법.