JP2010243516A - ネガ型パターン形成方法およびそれに用いられる現像後処理液 - Google Patents
ネガ型パターン形成方法およびそれに用いられる現像後処理液 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010243516A JP2010243516A JP2009088554A JP2009088554A JP2010243516A JP 2010243516 A JP2010243516 A JP 2010243516A JP 2009088554 A JP2009088554 A JP 2009088554A JP 2009088554 A JP2009088554 A JP 2009088554A JP 2010243516 A JP2010243516 A JP 2010243516A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- solvents
- forming method
- pattern forming
- carbon atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 Cc1ccc(*)cc1 Chemical compound Cc1ccc(*)cc1 0.000 description 16
- HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N CCc1cc(O)ccc1 Chemical compound CCc1cc(O)ccc1 HMNKTRSOROOSPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
【解決手段】 架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を露光する工程(2)、露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程(4)、現像後に有機溶剤からなる現像後処理液を用いて処理する工程(5)をこの順番で有することを特徴とする、レジストパターンの形成方法。
【選択図】なし
Description
特にウェハー処理時間の短縮化のため、高感度化は非常に重要な課題であるが、高感度化を追求しようとすると、解像力の低下のみならず、ラインウィズスラフネスの悪化が起こり、これらの特性を同時に満足するレジストの開発が強く望まれている。
ここで、ラインウィズスラフネスとは、レジストのパターンと基板界面のエッジがレジストの特性に起因して、ライン方向と垂直な方向に不規則に変動するために、パターンを真上から見たときにエッジが凹凸に見えることを言う。この凹凸がレジストをマスクとするエッチング工程により転写され、電気特性を劣化させるため、歩留りを低下させる。
レジスト組成物には、アルカリ現像液に難溶性若しくは不溶性の樹脂を用い、放射線の露光によって露光部をアルカリ現像液に対し可溶化することでパターンを形成する「ポジ型」と、アルカリ現像液に可溶性の樹脂を用い、放射線の露光によって露光部をアルカリ現像液に対して難溶化若しくは不溶化することでパターンを形成する「ネガ型」とがある。
かかる電子線、X線、あるいはEUV光を用いたリソグラフィープロセスに適したレジストとしては、高感度化の観点から主に酸触媒反応を利用した化学増幅型ポジ型レジストが検討され、主成分としてアルカリ現像液には不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有するフェノール性樹脂(以下、フェノール性酸分解性樹脂と略す)、及び酸発生剤からなる化学増幅型ポジ型レジスト組成物が有効に使用されている。
この様な超微細パターンの形成においては、ラインウィズスラフネスの更なる改良が求められている。
これらの課題に対して、たとえば現像後に表面張力が低い溶剤をリンス液として用いることが報告されている(例えば特許文献3参照)。しかしながら、溶剤の選択によっては、リンス処理の際のパターン膨潤などの別の問題によって解像性能を低下させることになる。
すなわち本発明は以下の通りである。
架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を露光する工程(2)、露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程(4)、アルカリ現像後のウエハーを有機溶剤からなる現像後処理液を用いて処理する工程(5)をこの順番で有することを特徴とする、レジストパターンの形成方法。
2.
工程(5)で用いられる現像後処理液として用いられる有機溶剤が、エステル系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、炭化水素系溶剤の群から選ばれる1種以上を含有することを特徴とする上記1に記載のレジストパターン形成方法。
3.
工程(5)で用いられる現像後処理液として用いられる有機溶剤が、水酸基を含有しないエステル系溶剤、水酸基を含有しないケトン系溶剤、水酸基を含有しないエーテル系溶剤から選ばれる1種以上を含有することを特徴とする上記1に記載のレジストパターン形成方法。
4.
露光工程(2)と現像工程(4)の間にベーク工程(3)を有することを特徴とする、上記1〜3のいずれかに記載のパターン形成方法。
5.
露光工程(2)が、電子線又はEUV光により行われることを特徴とする上記1〜4のいずれかに記載のレジストパターン形成方法。
6.
半導体微細回路作成用であることを特徴とする上記1〜5のいずれかに記載のレジストパターン形成方法。
架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物が、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)酸の作用により樹脂(A)を架橋する架橋剤、および、(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とする、上記1〜6のいずれかに記載のパターン形成方法。
8.
樹脂(A)が一般式(1)で表される繰り返し単位を含有するアルカリ可溶性樹脂であることを特徴とする、上記7に記載のパターン形成方法。
式(1)中、
Aは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
Rは、複数存在する場合は各々独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基を表す。
aは1〜3の整数を表す。
bは0〜(3−a)の整数を表す。
9.
架橋剤(B)が、フェノール化合物であることを特徴とする上記7または8に記載のパターン形成方法。
架橋剤(B)が、分子内にベンゼン環を2個以上有するフェノール化合物であることを特徴とする上記9に記載のパターン形成方法。
11.
ネガ型化学増幅レジスト組成物中の架橋剤(B)の含有量が、レジスト組成物の全固形分中、3〜65質量%であることを特徴とする上記7〜10のいずれかに記載のパターン形成方法。
12.
化合物(C)が、活性光線又は放射線の照射により、スルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)イミド、トリス(アルキルスルホニル)メチドの少なくとも何れかの酸を発生する化合物であることを特徴とする、上記7〜11のいずれかに記載のレジストパターン形成方法。
13.
上記1〜12のいずれかに記載のパターン形成方法に用いられることを特徴とする、有機溶剤からなる現像後処理液。
14.
上記1〜12のいずれかに記載のパターン形成方法に用いられることを特徴とする、架橋性ネガ型化学増幅レジスト組成物。
尚、本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本発明において「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線(EUV光)、X線、電子線等を意味する。
また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、EUV光などによる露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
まず、本発明のネガ型レジスト組成物の使用形態を説明する。
本発明のパターン形成方法は、架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を露光する工程(2)、露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程(4)、アルカリ現像後のウエハーを有機溶剤からなる現像後処理液を用いて処理する工程(5)を有する。
ここでネガ化とは、架橋反応により樹脂の分子量が増大して、溶剤(現像液)に不溶化することである。
ネガ型化学増幅レジスト組成物膜を得るには、後述する各成分を溶剤に溶解し、必要に応じてフィルター濾過した後、支持体(基板)に塗布して用いる。フィルターとしては、ポアサイズ0.1ミクロン以下、より好ましくは0.05ミクロン以下、更に好ましくは0.03ミクロン以下のポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のものが好ましい。
組成物は、集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリコン、二酸化シリコン被覆)上にスピナー等の適当な塗布方法により塗布される。その後乾燥し、感光性の膜を形成する。
必要により、市販の無機あるいは有機反射防止膜を使用することができる。更にレジスト下層に反射防止膜を塗布して用いることもできる。
形成した該膜に、所定のマスクを通して活性光線又は放射線を照射する。なお、電子ビームの照射では、マスクを介さない描画(直描)が一般的である。
活性光線又は放射線としては特に限定されないが、例えばKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV光、電子線等であり、EUV光、電子線が好ましい。
露光後、現像を行う前にベーク(加熱)を行うことが好ましい。
加熱温度は80〜150℃で行うことが好ましく、90〜150℃で行うことがより好ましく、100〜140℃で行うことが更に好ましい。
加熱時間は30〜300秒が好ましく、30〜180秒がより好ましく、30〜90秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行っても良い。
ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。
使用するアルカリ現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一級アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三級アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノーアミン等のアルコ−ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液(通常0.1〜20質量%)を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
これらの現像液の中で好ましくは第四級アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンである。
アルカリ現像液のpHは通常10〜15である。
現像方法としては、たとえば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止することで現像する方法(パドル法)、基板表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出しつづける方法(ダイナミックディスペンス法)などを適用することができる。
また、現像を行う工程の後に、純水に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
現像時間は未露光部の樹脂、架橋剤などが十分に溶解する時間が好ましく、通常は10秒〜300秒が好ましい。さらに好ましくは、20秒〜120秒である。
現像液の温度は0℃〜50℃が好ましく、15℃〜35℃がさらに好ましい。
本発明においては、アルカリ現像後のウエハーに対して有機溶剤からなる現像後処理液を用いて処理を行う。
現像後処理液として用いられる有機溶剤の蒸気圧は、20℃に於いて、5kPa以下が好ましく、3kPa以下が更に好ましく、2kPa以下が特に好ましい。有機溶剤の蒸気圧を5kPa以下にすることにより、基板上あるいはカップ内での蒸発が抑制され、ウェハ面内の温度均一性が向上し、結果としてウェハ面内の寸法均一性が良化する。
現像後処理液として用いることができる有機溶剤には、種々の有機溶剤が広く使用されるが、たとえば、エステル系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、炭化水素系溶剤等の溶剤を用いることができる。これらの溶剤は、特に式(1)で表される繰り返し単位を含有する樹脂を成分(A)として用いた場合に好ましい。
特に、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する現像後処理液であることが好ましい。
エーテル系溶剤としては、例えば、上記グリコールエーテル系溶剤の他、ジオキサン、テトラヒドロフラン、テトラハイドロピラン等が挙げられる。
炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン等の脂肪族炭化水素系溶剤が挙げられる。
現像後処理液は、実質的に有機溶剤のみからなる。実質的に有機溶剤のみとは、微量の界面活性剤、酸化防止剤、安定剤、消泡剤、雰囲気中から非意図的に混入する水分などを含有する場合を含みうるものである。
現像後処理液中の含水率は、10質量%以下が好ましく、より好ましくは5質量%以下、特に好ましくは3質量%以下である。含水率を10質量%以下にすることで、良好な処理特性を得ることができる。
現像後処理液による処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上に現像後処理液を塗出しつづける方法(回転塗布法)、現像後処理液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面に現像後処理液を噴霧する方法(スプレー法)、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm〜4000rpmの回転数で回転させ、現像後処理液を基板上から除去することが好ましい。
処理の時間は、通常は10秒〜300秒が好ましい。さらに好ましくは、20秒〜120秒である。
現像後処理液の使用時の温度は0℃〜50℃が好ましく、15℃〜35℃がさらに好ましい。
本発明のパターン形成方法では、有機溶剤からなる現像後処理液による処理(5)の後に、必要に応じて、さらに有機溶剤からなる洗浄液を用いて洗浄する工程(6)を含むことできる。上記の現像後処理液による処理の際に、パターン中に微量の溶剤が浸透し、パターンの膨潤、たおれを引き起こす恐れがある場合には、上記の現像後処理液と相溶し、かつ、パターンを形成しているレジスト材料に相溶しない溶剤を洗浄液として用いることができる。
洗浄液として用いられる有機溶剤の蒸気圧は、20℃に於いて0.05kPa以上、5kPa以下が好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下が更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下が最も好ましい。洗浄液の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更には洗浄液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。
洗浄液としては、これらのうち疎水性が高い溶剤が好ましく、より好ましくは、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤又は炭化水素系溶剤から選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有する有機溶剤を用いる。更により好ましくは、現像の後に、炭化水素系溶剤を含有する洗浄液を用いて洗浄する工程を行う。
洗浄工程においては、現像後処理液による処理を行ったウェハを前記の有機溶剤からなる洗浄液を用いて洗浄処理する。
洗浄処理の方法は特に限定されないが、前記した現像後処理液による処理方法と同様の方法を用いることができる。
洗浄時間は前記の処理溶剤がウエハー上に残存しないようにすることが好ましく、通常は10秒〜300秒が好ましい。さらに好ましくは、20秒〜120秒である。
洗浄液の温度は0℃〜50℃が好ましく、15℃〜35℃がさらに好ましい。
アルカリ現像液、現像後処理液および洗浄液には、必要に応じて界面活性剤を適当量添加することができる。
界面活性剤としては、後述する、レジスト組成物に用いられる界面活性剤と同様のものを用いることができる。
界面活性剤の使用量は、アルカリ現像液、現像後処理液または洗浄液の全量に対して、通常0.001〜5質量%、好ましくは0.005〜2質量%、更に好ましくは0.01〜0.5質量%である。
以下に、本発明のパターン形成方法に用いる、架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物について説明する。
架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物は、
(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)酸の作用により樹脂(A)を架橋する架橋剤、(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することが好ましい。
本発明に用いるレジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂(A)を含有する。樹脂(A)は架橋剤(B)と架橋することができる公知の樹脂を(A)成分の樹脂として使用することができる。
アルカリ可溶性樹脂(A)は、アルカリ可溶性基を含有する。
アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。
好ましいアルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール)、スルホン酸基が挙げられる。
(A)成分の樹脂としては、ポリヒドロキシスチレン、部分水添ヒドロキシスチレンポリマー、ノボラック樹脂、(メタ)アクリル系ポリマー((メタ)アクリル酸含有ポリマーなど)、水酸基含有ポリマー、ポリ酢酸ビニル、ジエンコポリマー、エポキシ基含有ポリマー等が好ましい。
電子線やEUV露光における二次電子発生効率の観点から、(A)成分の樹脂はベンゼン環を有することが好ましく、一般式(1)で表される繰り返し単位を含有する樹脂であることが更に好ましい。
Aは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
Rは、複数存在する場合は各々独立して、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、アラルキル基、アルコキシ基又はアルキルカルボニルオキシ基を表す。
aは1〜3の整数を表す。aは好ましくは1である。
bは0〜(3−a)の整数を表す。bは好ましくは0または1であり、より好ましくは0である。
Rとしてはアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニルオキシ基又はアルキルスルホニルオキシ基を挙げることができ、さらに置換基を有していてもよい。Rとしてのハロゲン原子は、Cl、Br、F、I等を挙げることができる。また、複数のRを有する場合には、互いに共同して環を形成してもいてもよい。
Aは前記一般式(1)のAと同義である。
Xは単結合、−COO−基、−O−基、−CON(R16)−基を表し、R16は水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基等)を表す。Xとして好ましくは、単結合、−COO−、−CON(R16)−であり、特に好ましくは単結合、−COO−基である。
Yで示される環構造は、3環以上の多環芳香族炭化水素環構造を表し、好ましくは下記構造式で表されるいずれかを表す。
R101〜R106はそれぞれ独立に、水酸基、ハロゲン原子(Cl、Br、F、I)、置換基を有していてもよい炭素数1〜8の直鎖又は分岐状のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜8の直鎖又は分岐状のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜8の直鎖又は分岐状のアルキルカルボニルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜8の直鎖又は分岐状のアルキルスルホニルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜8のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数7〜15のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数7〜16のアラルキル基、カルボキシ基、水酸基を有していてもよい炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基を表す。
c〜hはそれぞれ独立に0〜3の整数を表す。
R101〜R106として好ましくは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭素数1〜4のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数1〜4のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数1〜4のアルキルカルボニルオキシ基であり、特に好ましくは、水素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素数1〜3のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基)、炭素数1〜3のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基)、炭素数1〜3のアルキルカルボニルオキシ基(アセチル基、プロピオニル基等)である。
これらの重合性モノマーの例としては、スチレン、アルキル置換スチレン、アルコキシ置換スチレン、O−アルキル化スチレン、O−アシル化スチレン、水素化ヒドロキシスチレン、無水マレイン酸、アクリル酸誘導体(アクリル酸、アクリル酸エステル等)、メタクリル酸誘導体(メタクリル酸、メタクリル酸エステル等)、N−置換マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
(A)成分の樹脂において、一般式(1)で表される繰り返し単位と、一般式(2)〜(4)で表される繰り返し単位の比率は、モル比で100/0〜50/50が好ましく、より好ましくは100/0〜60/40であり、特に好ましくは100/0〜70/30である。(A)成分の樹脂の好ましい分子量は、質量平均分子量として1000〜50000であり、さらに好ましくは2000〜20000である。
(A)成分の樹脂の好ましい分子量分布(Mw/Mn)は、1.0〜2.0であり、より好ましくは1.0〜1.35である。
(A)成分の樹脂の添加量は組成物の全固形分に対して、通常30〜95質量%、好ましくは40〜90質量%、特に好ましくは50〜80質量%で用いられる。なお、樹脂の分子量及び分子量分布は、GPC測定によるポリスチレン換算値として定義される。
具体例中のnは正の整数を表す。
x、y、zは樹脂組成のモル比を表し、2成分からなる樹脂では、x=10〜95、y=5〜90、好ましくはx=40〜90、y=10〜60の範囲で使用される。3成分からなる樹脂では、 x=10〜90、y=5〜85、z=5〜85、好ましくはx=40〜80、y=10〜50、z=10〜50の範囲で使用される。また、これらは単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。
本発明においては、(A)樹脂とともに、酸の作用により樹脂(A)を架橋する化合物(以下、架橋剤と称する)を使用する。ここでは公知の架橋剤を有効に使用することができる。
架橋剤(B)は、例えば、樹脂(A)を架橋しうる架橋性基を有している化合物または樹脂であり、好ましくは架橋性基として、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、アシルオキシメチル基、又はアルコキシメチルエーテル基を2個以上有する化合物あるいは樹脂、又はエポキシ化合物である。
更に好ましくは、アルコキシメチル化、アシルオキシメチル化メラミン化合物あるいは樹脂、アルコキシメチル化、アシルオキシメチル化ウレア化合物あるいは樹脂、ヒドロキシメチル化又はアルコキシメチル化フェノール化合物あるいは樹脂、及びアルコキシメチルエーテル化フェノール化合物あるいは樹脂等が挙げられる。
架橋剤(B)は、分子内にベンゼン環を有するフェノール化合物であることが好ましく、分子内にベンゼン環を2個以上有するフェノール化合物であることがより好ましく、また、窒素原子を含まないフェノール化合物であることが好ましい。
架橋剤(B)は、樹脂(A)を架橋しうる架橋性基を1分子あたり2〜8個有するフェノール化合物であることが好ましく、架橋性基を3〜6個有することがより好ましい。
例えば、ヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物(上記式においてL1〜L8が水素原子である化合物)とホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を60℃以下で行うことが好ましい。具体的には、特開平6−282067号、特開平7−64285号等に記載されている方法にて合成することができる。
RNM1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はオキソアルキル基を表す。
RNM1は、各々独立に、一般式(CLNM−1)に於ける、RNM1と同様のものである。
RNM2は、各々独立に、水素原子、アルキル基(炭素数1〜6が好ましい)、又はシクロアルキル基(炭素数5〜6が好ましい)を表す。
RNM1は、各々独立に、一般式(CLNM−1)に於ける、RNM1と同様のものである。
RNM3は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシル基、直鎖又は分岐のアルキル基(炭素数1〜6が好ましい)、シクロアルキル基(炭素数5〜6が好ましい)、オキソアルキル基(炭素数3〜6が好ましい)、アルコキシ基(炭素数1〜6が好ましい)又はオキソアルコキシ基(炭素数2〜6が好ましい)を表す。
Gは、単結合、酸素原子、硫黄原子、アルキレン基(炭素数1〜3が好ましい)又はカルボニル基を表す。より具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、1−メチルエチレン基、ヒドロキシメチレン基、シアノメチレン基等が挙げられる。
RNM1は、各々独立に、一般式(CLNM−1)に於ける、RNM1と同様のものである。
RNM4は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基、シクロアルキル基又はアルコキシ基を表す。
RNM1は、各々独立に、一般式(CLNM−1)に於ける、RNM1と同様のものである。
RNM5は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は下記一般式(CLNM−5´)で表される原子団を表す。
RNM6は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は下記一般式(CLNM−5´´)で表される原子団を表す。
RNM1は、一般式(CLNM−1)に於ける、RNM1と同様のものである。
一般式(CLNM−5´´)において、
RNM1は、一般式(CLNM−1)に於ける、RNM1と同様のものであり、RNM5は、一般式(CLNM−5)に於けるRNM5と同様のものである。
REP1〜REP3は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、該アルキル基およびシクロアルキル基は置換基を有していてもよい。またREP1とREP2、REP2とREP3は、互いに結合して環構造を形成していてもよい。
アルキル基およびシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては例えば、ヒドロキシル基、シアノ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルスルホン基、アルキルスルホニル基、アルキルアミノ基、アルキルアミド基、などが挙げられる。
QEPは単結合若しくはnEP価の有機基を表す。REP1〜REP3は、これら同士だけでなくQEPとも結合して環構造を形成していても良い。
nEPは2以上の整数を表し、好ましくは2〜10、さらに好ましくは2〜6である。但しQEPが単結合の場合、nEPは2である。
本発明において、架橋剤は単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。例えば、上記のフェノール誘導体に加え、他の架橋剤、例えば上述の(i)、(ii)等を併用する場合、上記のフェノール誘導体と他の架橋剤の比率は、モル比で100/0〜20/80、好ましくは90/10〜40/60、更に好ましくは80/20〜50/50である。
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、「酸発生剤」ともいう)を含有する。
酸発生剤としては、公知のものであれば特に限定されないが、活性光線又は放射線の照射により、スルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)イミド、又はトリス(アルキルスルホニル)メチド少なくとものいずれかを発生する化合物が好ましい。
より好ましくは下記一般式(ZI)、(ZII)、(ZIII)で表される化合物を挙げることができる。
R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
Z-は、非求核性アニオン(求核反応を起こす能力が著しく低いアニオン)を表す。
また、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおけるアルキル基は、互いに結合して環構造を形成してもよい。これにより、酸強度が増加する。
Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、及び、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基から選ばれる基を表し、複数存在する場合のR1、R2は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Lは、単結合又は二価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。
Aは、環状構造を有する基を表す。
xは1〜20の整数を表し、yは0〜10の整数を表し、zは0〜10の整数を表す。
Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、好ましくは炭素数1〜10であり、より好ましくは炭素数1〜4である。また、Xfのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基であることが好ましい。
Xfとして好ましくは、フッ素原子又は炭素数1〜4のパーフルオロアルキル基である。具体的には、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、CF3が好ましい。
xは1〜10が好ましく、1〜5がより好ましい。
yは0〜4が好ましく、0がより好ましい。
zは0〜5が好ましく、0〜3がより好ましい。
Lの2価の連結基としては特に限定されず、―COO−、−OCO−、−CO−、−O−、−S―、−SO―、―SO2−、アルキレン基、シクロアルキレン基、アルケニレン基などがあげられる。このなかでも―COO−、−OCO−、−CO−、−O−がこのましく、―COO−、−OCO−がより好ましい。
脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基等の炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、露光後加熱工程での膜中拡散性を抑制でき、MEEF向上の観点から好ましい。
アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、アントラセン環が挙げられる。
複素環構造を有する基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ピリジン環が挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環が好ましい。
上記環状構造を有する基は、置換基を有していてもよく、該置換基としては、アルキル基(直鎖、分岐、環状のいずれであっても良く、炭素数1〜12が好ましい)、アリール基(炭素数6〜14が好ましい)、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、スルホン酸エステル基等が挙げられる。
R201、R202及びR203のうち、少なくとも1つがアリール基であることが好ましく、三つ全てがアリール基であることがより好ましい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基などの他に、インドール残基、ピロール残基などのヘテロアリール基も可能である。これらアリール基は更に置換基を有していてもよい。その置換基としては、ニトロ基、フッ素原子などのハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜15)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜15)、アリール基(好ましくは炭素数6〜14)、アルコキシカルボニル基(好ましくは炭素数2〜7)、アシル基(好ましくは炭素数2〜12)、アルコキシカルボニルオキシ基(好ましくは炭素数2〜7)等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
R1a〜R13aは、各々独立に、水素原子又は置換基を表す。
R1a〜R13aのうち、1〜3つが水素原子でないことが好ましく、R9a〜R13aのいずれか1つが水素原子でないことがより好ましい。
Zaは、単結合または2価の連結基である。
X-は、一般式(ZI)におけるZ-と同義である。
R1a〜R13aが水素原子でない場合としては、水酸基で置換された直鎖、分岐、環状のアルキル基であることが好ましい。
R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R204〜R207のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としても、前述の化合物(ZI−1)におけるR201〜R203のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基が有していてもよいものが挙げられる。
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
2種以上を併用する場合、例えば、(1)酸強度の異なる2種のPAGを併用する場合、(2)発生酸のサイズ(分子量や炭素数)が異なる2種の酸発生剤を併用する場合、などの態様が好ましい。
(1)の態様としては、例えば、フッ素を有するスルホン酸発生剤とトリス(フルオロアルキルスルホニル)メチド酸発生剤の併用、フッ素を有するスルホン酸発生剤とフッ素を有さないスルホン酸発生剤の併用、アルキルスルホン酸発生剤とアリールスルホン酸発生剤の併用、などが考えられる。
(2)の態様としては、例えば、発生酸アニオンの炭素数が4以上異なる2種の酸発生剤の併用などが考えられる。
酸発生剤の組成物中の含有量(複数併用する場合は合計の量)は、組成物の全固形分を基準として、0.1〜30質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜20質量%、更に好ましくは1〜15質量%である。
本願発明のレジスト組成物は、塩基性化合物を含有することが好ましい。
塩基性化合物は、含窒素有機塩基性化合物であることが好ましい。
使用可能な化合物は特に限定されないが、例えば以下の(1)〜(4)に分類される化合物が好ましく用いられる。
Rbs1は、各々独立に、水素原子、アルキル基(直鎖又は分岐)、シクロアルキル基(単環又は多環)、アリール基、アラルキル基の何れかを表す。但し、三つのRの全てが水素原子とはならない。
Rbs1としてのアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常1〜20、好ましくは1〜12である。
Rbs1としてのシクロアルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常3〜20、好ましくは5〜15である。
Rbs1としてのアリール基の炭素数は特に限定されないが、通常6〜20、好ましくは6〜10である。具体的にはフェニル基やナフチル基などが挙げられる。
Rbs1としてのアラルキル基の炭素数は特に限定されないが、通常7〜20、好ましくは7〜11である。具体的にはベンジル基等が挙げられる。
Rbs1としてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル基は、水素原子が置換基により置換されていてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
一般式(BS−1)で表される化合物は、3つのRの1つのみが水素原子、あるいは全てのRが水素原子でないことが好ましい。
また、一般式(BS−1)において、少なくとも1つのRが、ヒドロキシル基で置換されたアルキル基である化合物が、好ましい態様の1つとして挙げられる。具体的化合物としては、トリエタノールアミン、N,N−ジヒドロキシエチルアニリンなどが挙げられる。
複素環構造としては、芳香族性を有していてもいなくてもよい。また、窒素原子を複数有していてもよく、さらに、窒素以外のヘテロ原子を含有していてもよい。具体的には、イミダゾール構造を有する化合物(2−フェニルベンゾイミダゾール、2,4,5−トリフェニルイミダゾールなど)、ピペリジン構造を有する化合物(N−ヒドロキシエチルピペリジン、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケートなど)、ピリジン構造を有する化合物(4−ジメチルアミノピリジンなど)、アンチピリン構造を有する化合物(アンチピリン、ヒドロキシアンチピリンなど)が挙げられる。
また、環構造を2つ以上有する化合物も好適に用いられる。具体的には1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−5−エン、1,8−ジアザビシクロ〔5.4.0〕−ウンデカ−7−エンなどが挙げられる。
フェノキシ基を有するアミン化合物とは、アミン化合物のアルキル基の窒素原子と反対側の末端にフェノキシ基を有するものである。フェノキシ基は、例えば、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アリール基、アラルキル基、アシロキシ基、アリールオキシ基等の置換基を有していてもよい。
より好ましくは、フェノキシ基と窒素原子との間に、少なくとも1つのオキシアルキレン鎖を有する化合物である。1分子中のオキシアルキレン鎖の数は、好ましくは3〜9個、さらに好ましくは4〜6個である。オキシアルキレン鎖の中でも−CH2CH2O−が好ましい。
具体例としては、2−[2−{2―(2,2―ジメトキシ−フェノキシエトキシ)エチル}−ビス−(2−メトキシエチル)]−アミンや、米国特許出願公開第2007/0224539A1号明細書の段落[0066]に例示されている化合物(C1−1)〜(C3−3)などが挙げられる。
アンモニウム塩も適宜用いられる。好ましくはヒドロキシドまたはカルボキシレートである。より具体的にはテトラブチルアンモニウムヒドロキシドに代表されるテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。これ以外にも上記(1)〜(3)のアミンから誘導されるアンモニウム塩を使用可能である。
塩基性化合物の使用量は、組成物の固形分を基準として、通常、0.001〜10質量%、好ましくは0.01〜5質量%である。
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA;1−メトキシ−2−アセトキシプロパン)など)、アルキレングリコールモノアルキルエーテル(プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME;1−メトキシ−2−プロパノール)など)、乳酸アルキルエステル(乳酸エチル、乳酸メチルなど)、環状ラクトン(γ−ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数4〜10)、鎖状又は環状のケトン(2−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート(エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、カルボン酸アルキル(酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい)、アルコキシ酢酸アルキル(エトキシプロピオン酸エチル)などが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。
水酸基を有する溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルが好ましく、水酸基を有しない溶剤としてはアルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートが好ましい。
本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有することが好ましい。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
これらに該当する界面活性剤としては、大日本インキ化学工業(株)製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル(株)製のトロイゾルS−366、住友スリーエム(株)製のフロラードFC430、信越化学工業(株)製のポリシロキサンポリマーKP−341などが挙げられる。
また、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類などが挙げられる。
界面活性剤の使用量は、組成物の全固形分に対し、好ましくは0.0001〜2質量%、より好ましくは0.001〜1質量%である。
本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸、カルボン酸オニウム塩、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、酸化防止剤などを適宜含有することができる。
特にカルボン酸は、性能向上のために好適に用いられる。カルボン酸としては、安息香酸、ナフトエ酸などの、芳香族カルボン酸が好ましい。
カルボン酸の含有量は、組成物の全固形分濃度中、0.01〜10質量%が好ましく、より好ましくは0.01〜5質量%、さらに好ましくは0.01〜3質量%である。
本発明のパターン形成方法は、超LSIや高容量マイクロチップの製造などの半導体微細回路作成に好適に用いられる。尚、半導体微細回路作成時には、パターンを形成されたレジスト膜は回路形成やエッチングに供された後、残ったレジスト膜部は、最終的には溶剤等で除去されるため、プリント基板等に用いられるいわゆる永久レジストとは異なり、マイクロチップ等の最終製品には、本発明に記載のレジスト組成物に由来するレジスト膜は残存しない。
(1)樹脂(A成分)
合成例1(樹脂例(29)の合成)
4−アセトキシスチレン3.9g(0.024モル)、4−メトキシスチレン0.8g(0.006モル)を1−メトキシ−2−プロパノール30mlに溶解し、窒素気流及び撹拌下、70℃にて重合開始剤2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)(和光純薬工業(株)製;商品名V−65)50mg、4−アセトキシスチレン9.1g(0.056モル)、4−メトキシスチレン1.9g(0.014モル)の1−メトキシ−2−プロパノール70ml溶液を2時間かけて滴下した。2時間後開始剤50mgを追加し、更に2時間反応を行った。その後90℃に昇温し撹拌を1時間続けた。反応液を放冷後、イオン交換水1Lに激しく撹拌しながら投入することにより、白色樹脂を析出させた。得られた樹脂を乾燥後、メタノール100mLに溶解し、25%テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを加え、樹脂中のアセトキシ基を加水分解した後、塩酸水溶液にて中和して白色樹脂を析出させた。イオン交換水にて水洗、減圧下で乾燥後、本発明の樹脂(29)11.6gを得た。GPCにて分子量を測定したところ、重量平均(Mw:ポリスチレン換算)で9,200、分散度(Mw/Mn)で2.0であった。
以下、同様にして本発明(A)成分の各樹脂を合成した。
1−〔α−メチル−α−(4−ヒドロキシフェニル)エチル〕−4−〔α,α−ビス(4−ヒドロキシフェニル)エチル〕ベンゼン20g(本州化学工業(株)製Trisp−PA)を10%水酸化カリウム水溶液に加え、撹拌、溶解した。次にこの溶液を撹伴しながら、37%ホルマリン水溶液60mlを室温下で1時間かけて徐々に加えた。さらに室温下で6時間撹伴した後、希硫酸水溶液に投人した。析出物をろ過し、十分水洗した後、メタノール30mlより再結晶することにより、下記構造のヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体〔HM−1〕の白色粉末20gを得た。純度は92%であった(液体クロマトグラフィー法)。
上記合成例で得られたヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体〔HM−1〕20gを1リットルのメタノールに加え、加熱撹拌し、溶解した。次に、この溶液に濃硫酸1mlを加え、12時間加熱還流した。反応終了後、反応液を冷却し、炭酸カリウム2gをを加えた。この混合物を十分濃縮した後、酢酸エチル300mlを加えた。この溶液を水洗した後、濃縮乾固させることにより、下記構造のメトキシメチル基を有するフェノール誘導体〔MM−1〕の白色固体22gを得た。純度は90%であった(液体クロマトグラフィー法)。
2.1 EB露光
(1)ネガレジストの塗液調製及び塗設
表に示した組成を有する塗液組成物を0.1μm孔径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。尚、表に於いて、成分を2種類以上用いた場合の比率は、質量比である。
このレジスト溶液をHMDS処理を施した6インチSiウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、110℃、90秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚0.2μmのレジスト膜を得た。
上記(1)で得られたレジスト膜に、電子線描画装置((株)日立製作所製HL750、加速電圧50 KeV)を用いて、パターン照射を行った。照射後に、120℃、90秒間ホットプレート上で加熱した。
続いて、アルカリ水溶液(TMAH;水酸化テトラメチルアンモニウム(2.38質量%)水溶液)をウエハー上に盛り、30秒間アルカリ現像を行い、その後にウエハーを2000回転で10秒間回転させながら純水で洗浄し、さらに2000回転で20秒間高速回転させて乾燥させた。
その後、1500回転(rpm)でウエハーを回転させながら表に指定されている指定されている処理液を200mL/minの流量で30秒間スプレーし、その後2000回転(rpm)で20秒間高速回転して乾燥させた。
洗浄液の項目に溶剤が指定されている場合は、1500回転(rpm)でウエハーを回転させながら洗浄液を200mL/minの流量で30秒間スプレーした後、更に1500回転(rpm)でウエハーを回転させながら指定されている洗浄液を200mL/minの流量で30秒間スプレーすることで洗浄を行い、その後2000回転(rpm)で20秒間高速回転させて乾燥させた。
得られたパターンを走査型電子顕微鏡(日立社製S−9220)を用いて観察した。0.10μm(ライン:スペース=1:1)を解像するときの電子線照射量を感度(E0)とした。
上記の感度を示す露光量における限界解像力(ラインとスペースが分離解像する最小の線幅)を解像力とした。
上記の感度を示す照射量における0.10μmラインパターンの長さ方向50μmにおける任意の30点について線幅を測定し、そのバラツキを3σで評価した。
表に示すように、有機溶剤処理を行わなかった以外は、実施例1と同様にしてレジスト溶液の調製、パターン形成を行った。
(1) Mw=2500 Mw/Mn=1.15
(2) Mw=5000 Mw/Mn=1.18
(25) Mw=5000 Mw/Mn=1.1 x/y=60/40
(27) Mw=3500 Mw/Mn=1.2 x/y=85/15
(29) Mw=9200 Mw/Mn=2.0 x/y=80/20
(32) Mw=7500 Mw/Mn=1.6 x/y=80/20
(58) Mw=3500 Mw/Mn=2.0 x/y=80/20
(76) Mw=9500 Mw/Mn=5000 x/y=60/40
(93) Mw=7600 Mw/Mn=1.78 x/y/z=30/50/20
(94) Mw=4700 Mw/Mn=1.63 x/y/z=75/10/15
(95) Mw=10500 Mw/Mn=1.79 x/y=50/50
D−1:テトラ-(n-ブチル)アンモニウムヒドロキシド
D−2:1、8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン
D−3:2,4,5−トリフェニルイミダゾール
D−4:トリドデシルアミン
F−1:安息香酸
F−2:2−ナフトエ酸
S−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
S−2:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
S−3:シクロヘキサノン
S−4:酢酸ブチル
S−5:デカン
S−6:ドデカン
S−7:1−ヘキサノール
S−8:メチルアミルケトン
S−9:乳酸エチル
S−10:デカン
S−11:イソプロピルアルコール
W−1: PF6320(OMNOVA(株)製)
W−2: メガフアツクF176(大日本インキ(株)製)
Claims (14)
- 架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を露光する工程(2)、露光後にアルカリ現像液を用いて現像する工程(4)、現像後に有機溶剤からなる現像後処理液を用いて処理する工程(5)をこの順番で有することを特徴とする、レジストパターンの形成方法。
- 工程(5)で用いられる有機溶剤からなる現像後処理液が、エステル系溶剤、ケトン系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、炭化水素系溶剤の群から選ばれる1種以上を含有することを特徴とする請求項1に記載のレジストパターン形成方法。
- 工程(5)で用いられる有機溶剤からなる現像後処理液が、水酸基を含有しないエステル系溶剤、水酸基を含有しないケトン系溶剤、水酸基を含有しないエーテル系溶剤から選ばれる1種以上を含有することを特徴とする請求項1に記載のレジストパターン形成方法。
- 露光工程(2)と現像工程(4)の間にベーク工程(3)を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 露光工程(2)が、電子線又はEUV光により行われることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のレジストパターン形成方法。
- 半導体微細回路作成用であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のレジストパターン形成方法。
- 架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物が、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)酸の作用により樹脂(A)を架橋する架橋剤、および、(C)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 架橋剤(B)が、フェノール化合物であることを特徴とする請求項7または8に記載のパターン形成方法。
- 架橋剤(B)が、分子内にベンゼン環を2個以上有するフェノール化合物であることを特徴とする請求項9に記載のパターン形成方法。
- ネガ型化学増幅レジスト組成物中の架橋剤(B)の含有量が、レジスト組成物の全固形分中、3〜65質量%であることを特徴とする請求項7〜10のいずれかに記載のパターン形成方法。
- 化合物(C)が、活性光線又は放射線の照射により、スルホン酸、ビス(アルキルスルホニル)イミド、トリス(アルキルスルホニル)メチドの少なくとも何れかの酸を発生する化合物であることを特徴とする、請求項7〜11のいずれかに記載のレジストパターン形成方法。
- 請求項1〜12のいずれかに記載のパターン形成方法に用いられることを特徴とする、有機溶剤からなる現像後処理液。
- 請求項1〜12のいずれかに記載のパターン形成方法に用いられることを特徴とする、架橋性ネガ型化学増幅レジスト組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009088554A JP5352320B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | ネガ型パターン形成方法およびそれに用いられる現像後処理液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009088554A JP5352320B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | ネガ型パターン形成方法およびそれに用いられる現像後処理液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010243516A true JP2010243516A (ja) | 2010-10-28 |
JP5352320B2 JP5352320B2 (ja) | 2013-11-27 |
Family
ID=43096645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009088554A Active JP5352320B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | ネガ型パターン形成方法およびそれに用いられる現像後処理液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5352320B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015016089A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法及びそれに用いられる表面処理剤、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
CN105990104A (zh) * | 2015-03-16 | 2016-10-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造一半导体装置的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07140674A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジストリンス液、及びレジスト現像処理法 |
JP2000321789A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-11-24 | Somar Corp | レジストパターン形成用処理液及びレジストパターン形成方法 |
JP2008268935A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
-
2009
- 2009-03-31 JP JP2009088554A patent/JP5352320B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07140674A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-06-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レジストリンス液、及びレジスト現像処理法 |
JP2000321789A (ja) * | 1999-03-08 | 2000-11-24 | Somar Corp | レジストパターン形成用処理液及びレジストパターン形成方法 |
JP2008268935A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015016089A1 (ja) * | 2013-08-02 | 2015-02-05 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法及びそれに用いられる表面処理剤、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
CN105990104A (zh) * | 2015-03-16 | 2016-10-05 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制造一半导体装置的方法 |
US9810990B2 (en) | 2015-03-16 | 2017-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Chemical treatment for lithography improvement in a negative tone development process |
KR101861898B1 (ko) * | 2015-03-16 | 2018-05-28 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 네거티브 톤 현상 프로세스에서의 리소그래피 개선을 위한 새로운 화학적 처리 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5352320B2 (ja) | 2013-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5656413B2 (ja) | ネガ型レジストパターン形成方法、それに用いられる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びにレジストパターン | |
JP5358369B2 (ja) | レジストパターン形成方法及びそれに用いられる現像液 | |
JP5514759B2 (ja) | レジストパターン形成方法、レジストパターン、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、レジスト膜、及びレジスト塗布マスクブランクス | |
TWI600967B (zh) | 使用電子束或euv射線之有機溶劑顯影或多次顯影圖案形成法 | |
JP6247858B2 (ja) | パターン形成方法、及びこれを用いた電子デバイスの製造方法 | |
JP6353681B2 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の製造方法、感活性光線性又は感放射線性膜の製造方法、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクスの製造方法、フォトマスクの製造方法、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 | |
WO2014156524A1 (ja) | 化合物、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス | |
TWI645253B (zh) | 感光化射線性或感放射線性樹脂組成物、抗蝕劑膜及圖案的形成方法、以及使用它們的電子元件的製造方法及電子元件 | |
WO2015159830A1 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイス | |
JP5358630B2 (ja) | レジストパターン形成方法、ナノインプリント用モールドの製造方法、及びフォトマスクの製造方法 | |
JP2013029554A (ja) | 化学増幅型レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク | |
TWI522736B (zh) | 感光化射線或感放射線樹脂組成物及使用其之圖案形成方法 | |
JP5352320B2 (ja) | ネガ型パターン形成方法およびそれに用いられる現像後処理液 | |
JPWO2016056418A1 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性組成物、並びに、これを用いた、レジスト膜、マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 | |
TWI536095B (zh) | 感光化射線或感放射線樹脂組成物及使用該組成物之圖案形成方法 | |
WO2015087676A1 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス | |
JP2018189758A (ja) | 感活性光線性又は感放射線性組成物、レジスト膜、マスクブランクス、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
JP5377596B2 (ja) | レジストパターン形成方法、レジストパターン、ナノインプリント用モールドの製造方法、及びフォトマスクの製造方法 | |
JP2019008281A (ja) | オーバーコートされたフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 | |
JP2011154054A (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法並びにレジスト膜 | |
JP5548526B2 (ja) | 感活性光線または感放射線樹脂組成物および該組成物を用いたパターン形成方法 | |
JP2010271585A (ja) | 感活性光線または感放射線樹脂組成物および該組成物を用いたパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110708 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110805 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111216 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120914 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20121004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121211 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130507 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130515 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130730 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130826 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5352320 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |