JPH01175741A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
- Publication number
- JPH01175741A JPH01175741A JP33601287A JP33601287A JPH01175741A JP H01175741 A JPH01175741 A JP H01175741A JP 33601287 A JP33601287 A JP 33601287A JP 33601287 A JP33601287 A JP 33601287A JP H01175741 A JPH01175741 A JP H01175741A
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- Japan
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- etching
- film
- etched
- semiconductor substrate
- wet etching
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- Pending
Links
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Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はエツチング方法に関し、特にウェットエツチン
グ方法に関する。
グ方法に関する。
エツチング液の入ったエツチング槽に半導体基板を浸し
て所定のパターンを形成するウェットエツチング法は、
バッチ処理が行え、処理能力が高い事、又装置が単純で
廉価な事から厳しいパターン精度を要求されない工程に
広く使用されている。
て所定のパターンを形成するウェットエツチング法は、
バッチ処理が行え、処理能力が高い事、又装置が単純で
廉価な事から厳しいパターン精度を要求されない工程に
広く使用されている。
しかしながら、リン酸と硝酸の混液によるアルミニウム
のウェットエツチングや硝酸とフッ酸の混液による多結
晶シリコンのウェットエツチングは、エツチング処理枚
数が増えていくにつれて、エツチング液が疲労し、工、
チングレートが低下する。そのため適正なエツチング時
間はエツチング液の疲労度に依存し、その時々によって
エツチング時間は変化する。従って、人がいちいち半導
体ウェハー゛を見てエツチングの終点を判断しているの
であり、エツチング装置自動化の大きな障害となってい
る。又酸化シリコン膜をエツチングする為のフッ酸緩衝
液はエツチングレートにはあまり変化がないのでエツチ
ング時間を指定する事が可能であるが、この場合におい
ても被工、チング膜のばらつき等によってエツチング不
足やオーバーエツチングが発生するという欠点があった
。
のウェットエツチングや硝酸とフッ酸の混液による多結
晶シリコンのウェットエツチングは、エツチング処理枚
数が増えていくにつれて、エツチング液が疲労し、工、
チングレートが低下する。そのため適正なエツチング時
間はエツチング液の疲労度に依存し、その時々によって
エツチング時間は変化する。従って、人がいちいち半導
体ウェハー゛を見てエツチングの終点を判断しているの
であり、エツチング装置自動化の大きな障害となってい
る。又酸化シリコン膜をエツチングする為のフッ酸緩衝
液はエツチングレートにはあまり変化がないのでエツチ
ング時間を指定する事が可能であるが、この場合におい
ても被工、チング膜のばらつき等によってエツチング不
足やオーバーエツチングが発生するという欠点があった
。
本発明のウェットエツチング方法は、半導体基板上の被
エツチング膜をホトレジストパターンをマスクとして、
パターン化するウェットエツチング方法において、前記
被エツチング膜と同じ膜を表面に形成した透明板を前記
半導体基板と一緒にウェットエツチングを行い、前記透
明板の光の透過度を測定してエツチング終点を検出しエ
ツチング時間を決定するものである。
エツチング膜をホトレジストパターンをマスクとして、
パターン化するウェットエツチング方法において、前記
被エツチング膜と同じ膜を表面に形成した透明板を前記
半導体基板と一緒にウェットエツチングを行い、前記透
明板の光の透過度を測定してエツチング終点を検出しエ
ツチング時間を決定するものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
アルミニウムをリン酸と硝酸の混合液にてエツチングす
る場合を説明する。第１図（ａ）にて、表面にアルミニ
ウムをスパッタリングで形成した半導体ウェハー１と、
それらのウェハーと同時にアルミニウムをスパッタリン
グされた石英ガラスウェハー２とをウェハーキャリア３
に入れ、リン酸と硝酸の混合液４のはいったエツチング
槽５に浸す。ある程度エツチングが進んだ後第１図（ｂ
）の様にウェハーキャリアを数秒おきに持ち上げフォト
センサー６にて石英ガラスウェハーをチエツクする。も
し石英ガラス板のアルミニウムがエツチング終了してい
れば光が石英ガラスを透過しフォトセンサーにてエツチ
ングの終了を検出する。又、アルミニウムのエツチング
の場合はそのエツチング液に浸されない物質、例えば石
英ガラスの窓を持つフォトセンサー６を用いｈばエツチ
ング液中で連続的に測定が可能であり、より判断が正確
となる。
る場合を説明する。第１図（ａ）にて、表面にアルミニ
ウムをスパッタリングで形成した半導体ウェハー１と、
それらのウェハーと同時にアルミニウムをスパッタリン
グされた石英ガラスウェハー２とをウェハーキャリア３
に入れ、リン酸と硝酸の混合液４のはいったエツチング
槽５に浸す。ある程度エツチングが進んだ後第１図（ｂ
）の様にウェハーキャリアを数秒おきに持ち上げフォト
センサー６にて石英ガラスウェハーをチエツクする。も
し石英ガラス板のアルミニウムがエツチング終了してい
れば光が石英ガラスを透過しフォトセンサーにてエツチ
ングの終了を検出する。又、アルミニウムのエツチング
の場合はそのエツチング液に浸されない物質、例えば石
英ガラスの窓を持つフォトセンサー６を用いｈばエツチ
ング液中で連続的に測定が可能であり、より判断が正確
となる。
上記の方法は多結晶シリコン膜を硝酸とフッ酸の混液で
エツチングする場合にも利用でき、その他多くの物質の
膜のエツチングに活用できる。
エツチングする場合にも利用でき、その他多くの物質の
膜のエツチングに活用できる。
以上説明したように本発明によれば、被エツチング膜の
ばらつきやエツチング液のエツチングレ、−トの変化に
よらず適正なエツチング時間を検出でき、エツチング装
置の自動化を推進する事が可能である。又能力がかなり
低下したエツチング液も使うことができるので薬液を節
約することができる。
ばらつきやエツチング液のエツチングレ、−トの変化に
よらず適正なエツチング時間を検出でき、エツチング装
置の自動化を推進する事が可能である。又能力がかなり
低下したエツチング液も使うことができるので薬液を節
約することができる。
第１図は本発明の実施例を示す図であり、第１図（ａ）
はウェハーキャリアをエツチング槽に浸した縦断面図、
第１図（ｂ）はウェハーキャリアを上に持ち上げて測定
している縦断面図である。 １・・・・・・半導体ウェハー、２・・・・・・石英ガ
ラスウェハー、３・・・・・・ウェハーキャリア、４・
・・・・・エツチング液、５・・・・・・エツチング槽
、６・・・・・・フォトセンサー。 代理人 弁理士 内 原 音
はウェハーキャリアをエツチング槽に浸した縦断面図、
第１図（ｂ）はウェハーキャリアを上に持ち上げて測定
している縦断面図である。 １・・・・・・半導体ウェハー、２・・・・・・石英ガ
ラスウェハー、３・・・・・・ウェハーキャリア、４・
・・・・・エツチング液、５・・・・・・エツチング槽
、６・・・・・・フォトセンサー。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 半導体基板上の被エッチング膜をホトレジストパター
ンをマスクとしてパターン化するウェットエッチング方
法において、前記被エッチング膜と同じ膜を表面に形成
した透明板を前記半導体基板と一緒にウェットエッチン
グを行い、前記透明板の光の透過度を測定してエッチン
グ終点を決定する事を特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33601287A JPH01175741A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33601287A JPH01175741A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01175741A true JPH01175741A (ja) | 1989-07-12 |
Family
ID=18294782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33601287A Pending JPH01175741A (ja) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01175741A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562254B2 (en) | 1998-03-02 | 2003-05-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Etching method |
| JP2007142228A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 湿式異方性エッチングにおける終点検出方法および終点検出装置ならびに半導体装置の製造方法 |
| CN110530825A (zh) * | 2018-05-23 | 2019-12-03 | 亚智科技股份有限公司 | 蚀刻时间侦测方法及蚀刻时间侦测系统 |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP33601287A patent/JPH01175741A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562254B2 (en) | 1998-03-02 | 2003-05-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Etching method |
| JP2007142228A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 湿式異方性エッチングにおける終点検出方法および終点検出装置ならびに半導体装置の製造方法 |
| CN110530825A (zh) * | 2018-05-23 | 2019-12-03 | 亚智科技股份有限公司 | 蚀刻时间侦测方法及蚀刻时间侦测系统 |
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