JPS6197835A - エッチング液の検査方法 - Google Patents
エッチング液の検査方法Info
- Publication number
- JPS6197835A JPS6197835A JP22001284A JP22001284A JPS6197835A JP S6197835 A JPS6197835 A JP S6197835A JP 22001284 A JP22001284 A JP 22001284A JP 22001284 A JP22001284 A JP 22001284A JP S6197835 A JPS6197835 A JP S6197835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- substrate
- thickness
- etchant
- interference color
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体ウェハーの酸化膜をエツチングするエ
ツチング液の化学反応の能力を簡易に判断する方法に関
するものである。
ツチング液の化学反応の能力を簡易に判断する方法に関
するものである。
従来例の溝側とその問題点
現在のシリコンを基本材とした半導体装置は、シリコン
の酸化膜を色々の形体で利用することによって、製造さ
れている。したがって酸化膜をエツチングする工程が多
く利用されている。ここで使用されるエツチング液の管
理は重要な工程管理の要素をしめている。
の酸化膜を色々の形体で利用することによって、製造さ
れている。したがって酸化膜をエツチングする工程が多
く利用されている。ここで使用されるエツチング液の管
理は重要な工程管理の要素をしめている。
通常ではエツチング液の反応能力を正確に調べることな
く工程を進める場合が多々発生する。
く工程を進める場合が多々発生する。
その場合、液の反応能力に従って、酸化膜のエツチング
スピードが変化する。しかるに工程を安定にし再現性良
い半導体装置を製造するには、エツチング液の管理を充
分に行なう必要がある。
スピードが変化する。しかるに工程を安定にし再現性良
い半導体装置を製造するには、エツチング液の管理を充
分に行なう必要がある。
発明の目的
本発明は、酸化膜の化学的エツチングに際し、そのエツ
チング液の能力を判定し得る方法を提供するものである
。
チング液の能力を判定し得る方法を提供するものである
。
発明の構成
本発明は、酸化膜の厚さを段階的に違えて付着させた半
導体基板をエツチング液で処理する工程をそなえた半導
体基板の処理方法であり、これにより、エツチング液の
処理能力を迅速、確実に判定することができ、半導体基
板上の酸化膜のエツチング工程の管理が容易になる。
導体基板をエツチング液で処理する工程をそなえた半導
体基板の処理方法であり、これにより、エツチング液の
処理能力を迅速、確実に判定することができ、半導体基
板上の酸化膜のエツチング工程の管理が容易になる。
実施例の説明
本発明を実施例によって詳しく説明する。
第１図の断面図に示す様なシリコン基板１上に付着され
た厚みの異なる酸化膜２は酸化膜の厚みに依存した干渉
色を示す。酸化膜の境界面で反射した白色光による干渉
色は、通常の工程作業環境で、酸化膜の厚さを知ること
に利用されている。
た厚みの異なる酸化膜２は酸化膜の厚みに依存した干渉
色を示す。酸化膜の境界面で反射した白色光による干渉
色は、通常の工程作業環境で、酸化膜の厚さを知ること
に利用されている。
異なった干渉色を有する基板を、本発明では利用する。
この基板を工程に使用しているエツチング液に一定時間
、浸すことによって、各酸化膜厚の異なった基板は、エ
ツチング液の化学反応能力に応じてエツチングされる。
、浸すことによって、各酸化膜厚の異なった基板は、エ
ツチング液の化学反応能力に応じてエツチングされる。
一定時間の酸化膜エッチスピードは、干渉色の変化を連
続的に一枚の基板で観測することによって、簡便かつ正
確に確認することができる。
続的に一枚の基板で観測することによって、簡便かつ正
確に確認することができる。
第２図に示す様に酸化膜の能力が充分ある場合は、人の
傾向を見ることができる。ここで異なった酸化膜を複数
以上比較することが可能となるので正確に化学反応能力
を見ることが可能である。
傾向を見ることができる。ここで異なった酸化膜を複数
以上比較することが可能となるので正確に化学反応能力
を見ることが可能である。
Ｂの傾向は液の能力が劣化していることを示しており、
ただちに液の能力の判定に決めることが可能となる。
ただちに液の能力の判定に決めることが可能となる。
発明の効果
以上、本発明では単一の半導体基板上に形成した厚さの
異なる酸化膜は、それぞれ異なる干渉色を有するので、
エツチング速度が異なると干渉色も大きく変化するため
センサーにてエツチング時間をモニターすることも容易
となる。
異なる酸化膜は、それぞれ異なる干渉色を有するので、
エツチング速度が異なると干渉色も大きく変化するため
センサーにてエツチング時間をモニターすることも容易
となる。
第１図は本発明における酸化膜厚の異なる半導体基板の
断面図、第２酸化膜の厚み変化とエツチング時間の関係
を示す特性図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・酸化膜。
断面図、第２酸化膜の厚み変化とエツチング時間の関係
を示す特性図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・酸化膜。
Claims (1)
- 酸化膜の厚さを段階的に違えて付着させた半導体基板を
エッチング液で処理する工程をそなえたことを特徴とす
る半導体基板の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22001284A JPS6197835A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | エッチング液の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22001284A JPS6197835A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | エッチング液の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197835A true JPS6197835A (ja) | 1986-05-16 |
| JPH0525172B2 JPH0525172B2 (ja) | 1993-04-12 |
Family
ID=16744545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22001284A Granted JPS6197835A (ja) | 1984-10-18 | 1984-10-18 | エッチング液の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5314576A (en) * | 1992-06-09 | 1994-05-24 | Sony Corporation | Dry etching method using (SN)x protective layer |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4837225A (ja) * | 1971-09-14 | 1973-06-01 | ||
| JPS4984377A (ja) * | 1972-12-18 | 1974-08-13 |
-
1984
- 1984-10-18 JP JP22001284A patent/JPS6197835A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4837225A (ja) * | 1971-09-14 | 1973-06-01 | ||
| JPS4984377A (ja) * | 1972-12-18 | 1974-08-13 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5314576A (en) * | 1992-06-09 | 1994-05-24 | Sony Corporation | Dry etching method using (SN)x protective layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0525172B2 (ja) | 1993-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4717446A (en) | Method of detecting the endpoint of the etch of epitaxially grown silicon | |
| US5814280A (en) | Semiconductor PH sensor and circuit and method of making same | |
| GB2334335A (en) | A temperature sensing element and method for manufacturing the same | |
| JPS6197835A (ja) | エッチング液の検査方法 | |
| JPS62283678A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5261998A (en) | Method for detecting an end point of etching in semiconductor manufacture using the emission spectrum of helium | |
| JPS6422051A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH11260609A (ja) | 白金抵抗温度計の検出素子の製造方法及びその方法で製造された検出素子 | |
| JPS57204146A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0645617A (ja) | 単結晶薄膜部材の製造方法 | |
| JPS60192330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100213759B1 (ko) | 반도체 센서용 마이크로 빔의 제조방법 | |
| KR920010752B1 (ko) | 콤팩트 인-라인 에치 모니터링 패턴 측정 방법 | |
| JPH01175741A (ja) | エッチング方法 | |
| JPS57100733A (en) | Etching method for semiconductor substrate | |
| FitzGibbons et al. | The Effect of a Silicon‐Boron Phase on Thermally Grown Silicon Oxide Films | |
| JPH0430518A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0430428A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS5768079A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
| JPH0574732A (ja) | コンタクトホールの形成方法 | |
| JPS59182517A (ja) | 半導体センサ | |
| JPH06307955A (ja) | 圧力センサ用ダイヤフラム及びその製造方法 | |
| JPH01298740A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61245576A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01223725A (ja) | 半導体装置の膜厚評価方法 |