JPH0430428A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPH0430428A JPH0430428A JP13569390A JP13569390A JPH0430428A JP H0430428 A JPH0430428 A JP H0430428A JP 13569390 A JP13569390 A JP 13569390A JP 13569390 A JP13569390 A JP 13569390A JP H0430428 A JPH0430428 A JP H0430428A
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Landscapes
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路用のゲート電極バタン及びＸ
線露光マスク用の吸収体バタン等を高精度に形成するた
めのドライエツチング方法に関するものである。
線露光マスク用の吸収体バタン等を高精度に形成するた
めのドライエツチング方法に関するものである。
半導体デバイスやＸ線マスクの製造では、例えば、薄い
ゲート絶縁膜の上に堆積されたゲート電極材料や薄いマ
スク基板の上に堆積されたＸ線吸収体材料をエツチング
することか必要である。それらのエツチングは下地膜に
過度のオーバーエツチングを与えないようにするために
、例えば、プラズマによるエツチング現象に伴って発生
する発光の光量（特定波長の分光の光量；発光強度）の
変化をモニターしながらエツチング終点を正確に検出す
ることが要求される。
ゲート絶縁膜の上に堆積されたゲート電極材料や薄いマ
スク基板の上に堆積されたＸ線吸収体材料をエツチング
することか必要である。それらのエツチングは下地膜に
過度のオーバーエツチングを与えないようにするために
、例えば、プラズマによるエツチング現象に伴って発生
する発光の光量（特定波長の分光の光量；発光強度）の
変化をモニターしながらエツチング終点を正確に検出す
ることが要求される。
例えば、プラズマ発光現象を観測するエツチング終点検
出法には、発光強度そのものを用いる方式（第３図）と
同強度の時間微分値を用いる方式（第４図）がある。
出法には、発光強度そのものを用いる方式（第３図）と
同強度の時間微分値を用いる方式（第４図）がある。
第３図は、従来のように下地膜と異なる材料からなるエ
ツチングマスクを用いて被エツチング材料をエツチング
する場合に観測される発光強度とエツチング時間との関
係を示す模式図である。実線および破線は、エツチング
面積が異なる試料Ａおよび試料Ｂに対する場合である。
ツチングマスクを用いて被エツチング材料をエツチング
する場合に観測される発光強度とエツチング時間との関
係を示す模式図である。実線および破線は、エツチング
面積が異なる試料Ａおよび試料Ｂに対する場合である。
例えば実線で示した試料Ａの場合のように、発光強度と
エツチング時間の関係は、被エツチング材料のエツチン
グ開始〔時刻１＋）とともに徐々に上昇し、エツチング
面積全域において被エツチング材料のエツチングが行わ
れる期間〔時刻ｔ２〜ｔｓ〕に第１の飽和電流値（Ｖｌ
１２）を示す。また、下地膜露出開始とともに発光強度
は減少し始め、下地膜露出完了後〔時刻ｔ、以後〕に第
２の飽和電流値（ＶＯ４）を示すようになる。この傾向
はエツチング面積が異なる試料Ｂにおいても同様であり
、エツチング面積全域において被エツチング材料のエツ
チングが行われる時刻において第１の飽和電流値（ＶＯ
２）を示し、また、下地膜露出完了後に第２の飽和電流
値（ＶＯ４）を示すようになる。
エツチング時間の関係は、被エツチング材料のエツチン
グ開始〔時刻１＋）とともに徐々に上昇し、エツチング
面積全域において被エツチング材料のエツチングが行わ
れる期間〔時刻ｔ２〜ｔｓ〕に第１の飽和電流値（Ｖｌ
１２）を示す。また、下地膜露出開始とともに発光強度
は減少し始め、下地膜露出完了後〔時刻ｔ、以後〕に第
２の飽和電流値（ＶＯ４）を示すようになる。この傾向
はエツチング面積が異なる試料Ｂにおいても同様であり
、エツチング面積全域において被エツチング材料のエツ
チングが行われる時刻において第１の飽和電流値（ＶＯ
２）を示し、また、下地膜露出完了後に第２の飽和電流
値（ＶＯ４）を示すようになる。
しかし、例えば、下地膜露出完了後の第２の飽和電流値
（ＶＯ４およびＶ。４ ）はエツチング面積条件によっ
て変化するため、下地膜露出完了後の飽和電流値を判定
条件とする従来の発光強度判定法では、下地膜とエツチ
ングマスクの面積の違いに応じて変更しなければならな
いという欠点があった。
（ＶＯ４およびＶ。４ ）はエツチング面積条件によっ
て変化するため、下地膜露出完了後の飽和電流値を判定
条件とする従来の発光強度判定法では、下地膜とエツチ
ングマスクの面積の違いに応じて変更しなければならな
いという欠点があった。
一方第４図は、発光強度の時間微分値とエツチング時間
の関係を示す模式的である。第４図（ａ）は発光強度の
電気処理信号にノイズが混じらない場合の例であり、第
４図（ｂ）はノイズが混じった場合の例である。ノイズ
の無い場合第４図（ａ）では、エツチング開始時に最初
の正のパルス信号ＳＩが得られ、下地膜露出完了時（エ
ツチング完了時）に２番目の正のパルス信号Ｓ２が得ら
れるため、エツチング終了時刻判定条件を２番目の正の
パルス信号が検出された時刻と定義していた。
の関係を示す模式的である。第４図（ａ）は発光強度の
電気処理信号にノイズが混じらない場合の例であり、第
４図（ｂ）はノイズが混じった場合の例である。ノイズ
の無い場合第４図（ａ）では、エツチング開始時に最初
の正のパルス信号ＳＩが得られ、下地膜露出完了時（エ
ツチング完了時）に２番目の正のパルス信号Ｓ２が得ら
れるため、エツチング終了時刻判定条件を２番目の正の
パルス信号が検出された時刻と定義していた。
しかし、第４図（ｂ）のようにノイズが混じった場合に
は、ノイズに伴う正のパルス信号Ｎ１またはＮ２が、真
のエツチング開始時刻及び終了時刻を示す正のパルス信
号Ｓ１と８２の間で検出されることになるため、Ｎ１ま
たはＮ２を真のエツチング終了信号Ｓ２と誤認してしま
っていた。このように、時間微分値を判定条件として用
いる方法（２次微分値だけでな（１次微分値も同様）は
ノイズに非常に弱いという欠点を有していた。
は、ノイズに伴う正のパルス信号Ｎ１またはＮ２が、真
のエツチング開始時刻及び終了時刻を示す正のパルス信
号Ｓ１と８２の間で検出されることになるため、Ｎ１ま
たはＮ２を真のエツチング終了信号Ｓ２と誤認してしま
っていた。このように、時間微分値を判定条件として用
いる方法（２次微分値だけでな（１次微分値も同様）は
ノイズに非常に弱いという欠点を有していた。
また、第５図はノイズは無いが被エツチング材料が複合
構造膜（例えば、ポリサイドのような２層膜）である場
合の発光強度の時間微分値と・エツチング時間の関係で
ある。
構造膜（例えば、ポリサイドのような２層膜）である場
合の発光強度の時間微分値と・エツチング時間の関係で
ある。
上層材料のエツチングが完了し下層材料のエツチングが
開始する時刻を示す正のパルス信号Ｍｌが、正のパルス
信号Ｓ１と８２の間で検出されることになるため、Ｍｌ
を、真のエツチング終了信号Ｓ２と誤認してしまうとい
う欠点かあった。
開始する時刻を示す正のパルス信号Ｍｌが、正のパルス
信号Ｓ１と８２の間で検出されることになるため、Ｍｌ
を、真のエツチング終了信号Ｓ２と誤認してしまうとい
う欠点かあった。
本発明は、プラズマによる発光強度をモニターしながら
そのエツチング終了時刻を判定するドライエツチング方
法において、ノイズや膜構造によってエツチング終了時
刻を誤認したりエツチング面積の違いによって判定条件
を変更しなければならないという従来の欠点を解決した
正確なエツチング終点検出を可能とするドライエツチン
グ方法を提供することにある。
そのエツチング終了時刻を判定するドライエツチング方
法において、ノイズや膜構造によってエツチング終了時
刻を誤認したりエツチング面積の違いによって判定条件
を変更しなければならないという従来の欠点を解決した
正確なエツチング終点検出を可能とするドライエツチン
グ方法を提供することにある。
本発明は、エツチングマスク材料として下地膜と同一ま
たは同一元素のほぼ同一組成からなる材料を使用して被
エツチング材料をエツチングすることを特徴とするドラ
イエツチング方法である。
たは同一元素のほぼ同一組成からなる材料を使用して被
エツチング材料をエツチングすることを特徴とするドラ
イエツチング方法である。
従来技術とは、エツチング面積の異なる試料でも複合膜
でも瞬間的なノイズが混じる場合でも、エツチング終了
判定条件を変更することなく各種の試料のエツチング終
了時刻を正確に判定できるという点が異なる。
でも瞬間的なノイズが混じる場合でも、エツチング終了
判定条件を変更することなく各種の試料のエツチング終
了時刻を正確に判定できるという点が異なる。
即ち、本発明の構成は下記に示す通りである。
本発明は、下地膜と、その上に堆積した被エツチング材
料と、さらにその上に設けたエツチングマスクから成る
試料を、プラズマ発光スペクトルによるエツチング終点
検出機能を備えたドライエツチング装置内に置き、反応
性ガスのプラズマに接触させて前記試料の被エツチング
材料をエツチングする方法において、下地膜と同一また
は同一元素のほぼ同一組成から成る材料をエツチングマ
スクとして用いてエツチングすることを特徴とするドラ
イエツチング方法としての構成を有するものであり、或
いはまた、 下地膜が熱酸化法によって形成されたシリコン酸化膜で
あり、エツチングマスクが化学気相成長法（ＣＶＤ）に
よって堆積したシリコン酸化膜であることを特徴とする
ドライエツチング方法としての構成を有するものであり
、或いはまた下地膜がＣＶＤ法によって形成されたシリ
コン窒化膜であり、エツチングマスクが同様または同一
のＣＶＤ法によって堆積したシリコン窒化膜であること
を特徴とするドライエツチング方法としての構成を有す
るものである。
料と、さらにその上に設けたエツチングマスクから成る
試料を、プラズマ発光スペクトルによるエツチング終点
検出機能を備えたドライエツチング装置内に置き、反応
性ガスのプラズマに接触させて前記試料の被エツチング
材料をエツチングする方法において、下地膜と同一また
は同一元素のほぼ同一組成から成る材料をエツチングマ
スクとして用いてエツチングすることを特徴とするドラ
イエツチング方法としての構成を有するものであり、或
いはまた、 下地膜が熱酸化法によって形成されたシリコン酸化膜で
あり、エツチングマスクが化学気相成長法（ＣＶＤ）に
よって堆積したシリコン酸化膜であることを特徴とする
ドライエツチング方法としての構成を有するものであり
、或いはまた下地膜がＣＶＤ法によって形成されたシリ
コン窒化膜であり、エツチングマスクが同様または同一
のＣＶＤ法によって堆積したシリコン窒化膜であること
を特徴とするドライエツチング方法としての構成を有す
るものである。
第１図（ａ）乃至（ｃ）は本発明の第１の実施例の説明
図である。第１図（ａ）は本発明の第１の実施例による
ドライエツチングに用いる試料の模式的断面構造図であ
る。第１図（ｂ）及び（Ｃ）は、プラズマ発光スペクト
ルによるエツチング終点検８機能を備えたＥＣＲエツチ
ング装置内に、第１図（ａ）に図示した構造、即ちポリ
Ｓｉ単層膜（３０００Ａ厚）１２の上にゲート下地膜（
シリコン熱酸化膜、１００Ａ厚ＮＯとほぼ同一材料であ
るＣＶＤシリコン酸化膜（１５００Ａ厚）１４をエツチ
ングマスクとして配置した試料、を置いてエツチングし
た場合のエツチング面積の違いによる発光強度とエツチ
ング時間の関係の違いを比較した結果である。
図である。第１図（ａ）は本発明の第１の実施例による
ドライエツチングに用いる試料の模式的断面構造図であ
る。第１図（ｂ）及び（Ｃ）は、プラズマ発光スペクト
ルによるエツチング終点検８機能を備えたＥＣＲエツチ
ング装置内に、第１図（ａ）に図示した構造、即ちポリ
Ｓｉ単層膜（３０００Ａ厚）１２の上にゲート下地膜（
シリコン熱酸化膜、１００Ａ厚ＮＯとほぼ同一材料であ
るＣＶＤシリコン酸化膜（１５００Ａ厚）１４をエツチ
ングマスクとして配置した試料、を置いてエツチングし
た場合のエツチング面積の違いによる発光強度とエツチ
ング時間の関係の違いを比較した結果である。
第１図（ａ）はエツチング面積が大きい試料、第１図（
ｂ）はエツチング面積が小さい試料の結果である。なお
、エツチング条件は同一（マイクロ波パワー：６００Ｗ
、エツチングガス・ＣＡ ２．ガス流量： ２０ ｓｅ
ｃｍ、 −ｆ−ツチング圧カニ ０．５＋ｎＴｏｒｒ）
である。
ｂ）はエツチング面積が小さい試料の結果である。なお
、エツチング条件は同一（マイクロ波パワー：６００Ｗ
、エツチングガス・ＣＡ ２．ガス流量： ２０ ｓｅ
ｃｍ、 −ｆ−ツチング圧カニ ０．５＋ｎＴｏｒｒ）
である。
例えば第１図（ｂ）に示すように、エツチング面積が大
きい試料における発光強度の電気信号値は、エツチング
開始を示す時刻ｔｌ＋より増加し始め、その後、時刻ｔ
１２で第１の飽和信号値（Ｖ Ｉ ２ ＝ ４．０（Ｖ
））を示した。その後、信号値は下地酸化膜露出開始時
刻ｔ、３から減少し始め、開完了時刻ｔ１４以降は次の
第２の飽和信号値（Ｖ Ｉ ４ ＝ ０．５（Ｖ））
を示した。一方、第１図（Ｃ）に示すエツチング面積の
小さい試料Ｂにおいては、時刻ｔ２１から時刻ｔ２２の
間に前者の値（Ｖ１２’）と異なる第１の飽和信号値（
Ｖ ２２ ＝ １．８（Ｖ））を示し、下地酸化膜露出
完了時刻ｔ２４以後においては前者の値と等しい飽和信
号値（Ｖ ｚ４＝ −０，５（”Ｉ’））を示してエツ
チングを終了した。
きい試料における発光強度の電気信号値は、エツチング
開始を示す時刻ｔｌ＋より増加し始め、その後、時刻ｔ
１２で第１の飽和信号値（Ｖ Ｉ ２ ＝ ４．０（Ｖ
））を示した。その後、信号値は下地酸化膜露出開始時
刻ｔ、３から減少し始め、開完了時刻ｔ１４以降は次の
第２の飽和信号値（Ｖ Ｉ ４ ＝ ０．５（Ｖ））
を示した。一方、第１図（Ｃ）に示すエツチング面積の
小さい試料Ｂにおいては、時刻ｔ２１から時刻ｔ２２の
間に前者の値（Ｖ１２’）と異なる第１の飽和信号値（
Ｖ ２２ ＝ １．８（Ｖ））を示し、下地酸化膜露出
完了時刻ｔ２４以後においては前者の値と等しい飽和信
号値（Ｖ ｚ４＝ −０，５（”Ｉ’））を示してエツ
チングを終了した。
このように、下地酸化膜露出完了後の第２の飽和信号値
が同一値（−０，５（Ｖ））を示したのは、エツチング
面積が異なる試料でも下地膜とエツチングマスク材料を
同一材料にすれば、下地膜露出完了以後にプラズマに曝
される試料面条件（材料および面積条件）が常に一定に
保たれるためである。
が同一値（−０，５（Ｖ））を示したのは、エツチング
面積が異なる試料でも下地膜とエツチングマスク材料を
同一材料にすれば、下地膜露出完了以後にプラズマに曝
される試料面条件（材料および面積条件）が常に一定に
保たれるためである。
従って、エツチング面積が異なる試料でもエツチング終
了時の発光強度は変化しないため、終了判定条件を変更
することなく多数の試料を精度良く連続処理することが
できる。
了時の発光強度は変化しないため、終了判定条件を変更
することなく多数の試料を精度良く連続処理することが
できる。
第２図（ａ）乃至（ｂ）は本発明の第２の実施例の説明
図である。第２図（ａ）は本発明の第２の実施例による
ドライエツチングに用いる試料の模式的断面構造図であ
る。第２図（ｂ）は、ゲート下地膜（熱酸化膜； １０
０Ａ厚）１０とほぼ同一材料であるＣＶＤ酸化膜（１５
００Ａ厚）１４をエツチングマスクとして配置してＷポ
リサイド膜（１８，１６）（Ｗシリサイド／ポリシリコ
ン＝ １５００Ａ ／ １５００Ａ ）をエツチングし
た場合の発光強度とエツチング時間の関係を調べた結果
である。エツチング条件は実施例１と同一条件で行った
。
図である。第２図（ａ）は本発明の第２の実施例による
ドライエツチングに用いる試料の模式的断面構造図であ
る。第２図（ｂ）は、ゲート下地膜（熱酸化膜； １０
０Ａ厚）１０とほぼ同一材料であるＣＶＤ酸化膜（１５
００Ａ厚）１４をエツチングマスクとして配置してＷポ
リサイド膜（１８，１６）（Ｗシリサイド／ポリシリコ
ン＝ １５００Ａ ／ １５００Ａ ）をエツチングし
た場合の発光強度とエツチング時間の関係を調べた結果
である。エツチング条件は実施例１と同一条件で行った
。
Ｗポリサイド膜（１８，１６）の上層であるＷシリサイ
ド１８のエツチングが開始（時刻ｔ、１）するとともに
、発光強度の電気信号値は徐々に上昇し始め、時刻ｔｓ
！からＷシリサイド１８のエツチングに対応する最初の
飽和信号値（Ｖ ｓｚ＝ ３．５（Ｖ））を示した。そ
の後、下層のポリシリコン１６のエツチングが始まる（
時刻１．）とともに飽和信号値（Ｖ。
ド１８のエツチングが開始（時刻ｔ、１）するとともに
、発光強度の電気信号値は徐々に上昇し始め、時刻ｔｓ
！からＷシリサイド１８のエツチングに対応する最初の
飽和信号値（Ｖ ｓｚ＝ ３．５（Ｖ））を示した。そ
の後、下層のポリシリコン１６のエツチングが始まる（
時刻１．）とともに飽和信号値（Ｖ。
）は上昇し４． Ｏ（■）に変化した。その後、電気信
号値は下地酸化膜露出開始時刻ｈ３から減少し始め下地
膜露出完了（時刻ｔ３．）とともにその値Ｖ３４は実施
例１で述べた実験例と同一の飽和値−０，５（Ｖ）を示
した。
号値は下地酸化膜露出開始時刻ｈ３から減少し始め下地
膜露出完了（時刻ｔ３．）とともにその値Ｖ３４は実施
例１で述べた実験例と同一の飽和値−０，５（Ｖ）を示
した。
このように、Ｗポリサイド（１８，１６）のような複合
膜をエツチングした場合における下地膜露出完了以後の
飽和信号値が被エツチング材料をポリＳｉ単層膜１２と
した場合（実施例１）の値と同一となるのは、やはり下
地膜露出完了以後にプラズマにさらされる試料面条件（
材料と面積）が被エツチング材料や構造に関わらず一定
であるためである。
膜をエツチングした場合における下地膜露出完了以後の
飽和信号値が被エツチング材料をポリＳｉ単層膜１２と
した場合（実施例１）の値と同一となるのは、やはり下
地膜露出完了以後にプラズマにさらされる試料面条件（
材料と面積）が被エツチング材料や構造に関わらず一定
であるためである。
従って、被エツチング材料の構造か異なる試料でもエツ
チング終了時の発光強度が変化しないため、被エツチン
グ材料が複合膜である試料においてもエツチング終了判
定条件を変更することなく多数の試料を精度良く容易に
連続処理することができる。
チング終了時の発光強度が変化しないため、被エツチン
グ材料が複合膜である試料においてもエツチング終了判
定条件を変更することなく多数の試料を精度良く容易に
連続処理することができる。
なお、実施例１では被エツチング材料が同一であってエ
ツチング面積の異なる場合について比較したが、被エツ
チング材料の種類そのものか異なる場合においても、下
地膜とエツチングマスクを同一材料とすれば最終飽和信
号値は同一になるため、実施例■と同様の理由によって
判定条件を変更することなく連続処理が可能である。
ツチング面積の異なる場合について比較したが、被エツ
チング材料の種類そのものか異なる場合においても、下
地膜とエツチングマスクを同一材料とすれば最終飽和信
号値は同一になるため、実施例■と同様の理由によって
判定条件を変更することなく連続処理が可能である。
また、実施例１および実施例２では、下地膜およびエツ
チングマスク材料がシリコン酸化膜の場合について述べ
たが、下地膜（マスク基板）としてシリコン窒化膜を用
いるＸ線マスクにおける吸収体パタンをドライエツチン
グする場合にも、エツチングマスク材料としてほぼ同様
のシリコン窒化膜を用いるようにすれば、例えば、エツ
チング面積が異なる多数のＸ線マスクを同一のエツチン
グ終了判定条件で処理することが可能である。
チングマスク材料がシリコン酸化膜の場合について述べ
たが、下地膜（マスク基板）としてシリコン窒化膜を用
いるＸ線マスクにおける吸収体パタンをドライエツチン
グする場合にも、エツチングマスク材料としてほぼ同様
のシリコン窒化膜を用いるようにすれば、例えば、エツ
チング面積が異なる多数のＸ線マスクを同一のエツチン
グ終了判定条件で処理することが可能である。
以上説明したように、被エツチング材料の面積や被エツ
チング材料の種類や構造（複合膜）が異なる試料におい
ても、本発明のドライエツチング方法によればエツチン
グ終了判定条件を変更する必要がない。そのため、本発
明は種々の試料のエツチング終了時刻を判定条件を変更
せずに正確に横比しつつ連続処理ができるという利点が
ある。
チング材料の種類や構造（複合膜）が異なる試料におい
ても、本発明のドライエツチング方法によればエツチン
グ終了判定条件を変更する必要がない。そのため、本発
明は種々の試料のエツチング終了時刻を判定条件を変更
せずに正確に横比しつつ連続処理ができるという利点が
ある。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例に用いる試料の模
式的断面構造図、 第１図（ｂ）は、本発明の第１の実施例において、ゲー
ト下地膜とほぼ同一材料であるＣＶＤシリコン酸化膜を
エツチングマスクとして配置してポリＳｉ単層膜をエツ
チングした場合の発光強度とエツチング時間の関係を示
した模式図、 第１図（ｃ）は、第１図（ａ）と比較するために行った
エツチング面積が異なる試料における発光強度とエツチ
ング時間の関係を示した模式図である。 第２図（ａ）は本発明の第２の実施例に用いる試料の模
式的断面構造図、 第２図（ｂ）は、本発明の第２の実施例であって、ゲー
ト下地膜（熱酸化膜）とほぼ同一材料であるＣＶＤ酸化
膜をエツチングマスクとして配置してＷポリサイド膜（
Ｗシリサイド／ポリシリコン）をエツチングした場合の
発光強度とエツチング時間の関係を示す模式図である。 第３図は、エツチングマスクとして下地膜と異なる材料
を用いる従来の試料をドライエツチングした場合のエツ
チング面積の違いによる発光強度とエツチング時間の関
係の違いを示す模式図であり、 第４図（ａ）は、従来技術における発光強度の電気処理
信号にノイズが混じらない場合の時間微分値とエツチン
グ時間の関係を示す模式図であり、第４図（ｂ）は、従
来技術における発光強度の電気処理信号にノイズが混じ
った場合の時間微分値とエツチング時間の関係を示す模
式図であり、第５図は、従来技術における被エツチング
材料がＷポリサイドのような２層構造である場合の発光
強度の時間微分値とエツチング時間の関係を示す模式図
である。 １０・・・ゲート下地膜、１２・・・ポリシリコン単層
膜、１４・・・ＣＶＤ５ ｉｏ２．１６・・・ポリシリ
コン、１８・・・Ｗシリサイド（（１６，１８）・・・
Ｗポリサイド膜）特許出願人日本電信電話株式会社
式的断面構造図、 第１図（ｂ）は、本発明の第１の実施例において、ゲー
ト下地膜とほぼ同一材料であるＣＶＤシリコン酸化膜を
エツチングマスクとして配置してポリＳｉ単層膜をエツ
チングした場合の発光強度とエツチング時間の関係を示
した模式図、 第１図（ｃ）は、第１図（ａ）と比較するために行った
エツチング面積が異なる試料における発光強度とエツチ
ング時間の関係を示した模式図である。 第２図（ａ）は本発明の第２の実施例に用いる試料の模
式的断面構造図、 第２図（ｂ）は、本発明の第２の実施例であって、ゲー
ト下地膜（熱酸化膜）とほぼ同一材料であるＣＶＤ酸化
膜をエツチングマスクとして配置してＷポリサイド膜（
Ｗシリサイド／ポリシリコン）をエツチングした場合の
発光強度とエツチング時間の関係を示す模式図である。 第３図は、エツチングマスクとして下地膜と異なる材料
を用いる従来の試料をドライエツチングした場合のエツ
チング面積の違いによる発光強度とエツチング時間の関
係の違いを示す模式図であり、 第４図（ａ）は、従来技術における発光強度の電気処理
信号にノイズが混じらない場合の時間微分値とエツチン
グ時間の関係を示す模式図であり、第４図（ｂ）は、従
来技術における発光強度の電気処理信号にノイズが混じ
った場合の時間微分値とエツチング時間の関係を示す模
式図であり、第５図は、従来技術における被エツチング
材料がＷポリサイドのような２層構造である場合の発光
強度の時間微分値とエツチング時間の関係を示す模式図
である。 １０・・・ゲート下地膜、１２・・・ポリシリコン単層
膜、１４・・・ＣＶＤ５ ｉｏ２．１６・・・ポリシリ
コン、１８・・・Ｗシリサイド（（１６，１８）・・・
Ｗポリサイド膜）特許出願人日本電信電話株式会社
Claims (3)
- （１）下地膜と、その上に堆積した被エッチング材料と
、さらにその上に設けたエッチングマスクから成る試料
を、プラズマ発光スペクトルによるエッチング終点検出
機能を備えたドライエッチング装置内に置き、反応性ガ
スのプラズマに接触させて前記試料の被エッチング材料
をエッチングする方法において、下地膜と同一または同
一元素のほぼ同一組成から成る材料をエッチングマスク
として用いてエッチングすることを特徴とするドライエ
ッチング方法。 - （２）下地膜が熱酸化法によって形成されたシリコン酸
化膜であり、エッチングマスクが化学気相成長法（ＣＶ
Ｄ）によって堆積したシリコン酸化膜であることを特徴
とする請求項１記載のドライエッチング方法。 - （３）下地膜がＣＶＤ法によって形成されたシリコン窒
化膜であり、エッチングマスクが同様または同一のＣＶ
Ｄ法によって堆積したシリコン窒化膜であることを特徴
とする請求項２記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13569390A JPH0430428A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13569390A JPH0430428A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0430428A true JPH0430428A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15157706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13569390A Pending JPH0430428A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0430428A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7428955B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-09-30 | Shigematsu Co. | Clutch mechanism |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP13569390A patent/JPH0430428A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7428955B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-09-30 | Shigematsu Co. | Clutch mechanism |
| US7516825B2 (en) | 2003-05-28 | 2009-04-14 | Shigematsu Co. | Clutch mechanism |
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