CN110530825A - 蚀刻时间侦测方法及蚀刻时间侦测系统 - Google Patents
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Abstract
一种蚀刻时间侦测方法，包括以下步骤：依据配方数据执行蚀刻制程；于蚀刻时间中的判断时间内接收由数组光感测元件所传输的透光率数值；依据配方数据，分别撷取由各组光感测元件所传输的数个透光率数值，以产生相应的数个计算数值；于判断时间内处理计算数值，以产生相应各组光感测元件的数值分布数据；以及比对数值分布数据，以决定一过蚀刻时间。此外，一种蚀刻时间侦测系统亦被提出。
Description
技术领域
本发明是有关于一种制程方法与制程系统，且特别是有关于一种用于湿制程的蚀刻时间侦测方法与蚀刻时间侦测系统。
背景技术
在湿制程蚀刻（湿法付蚀工艺或湿法刻蚀工艺）中，制程（工艺）溶液浓度越高或温度越高，基板上的薄膜被移除的速率就越快，但是过高的蚀刻率会造成严重的底切(under-cutting)现象，或过低的蚀刻率会造成蚀刻不足(under-etching)而发生局部完成的现象，因此蚀刻率必须被适当的控制。
再者，蚀刻（付蚀或刻蚀）的时间与制程溶液对薄膜材质的蚀刻率有关，为避免蚀刻速率不均的情况，因此需要一过蚀刻制程的方式以移除残余的薄膜，而现有技术是以在设定固定的时间的后执行过蚀刻(Over-etching)的制程，但因制程中其他参数变化(例如：被蚀刻物、腔内温度、药液浓度、基板倾斜程度或板面残余药液)而时常有残余薄膜厚度在蚀刻期间的不均。现有技术是由工程人员依其经验法则替换制程溶液来调整配方，以维持过蚀刻时间在一定控制范围内，但不同产品会有不同的过蚀刻时间，亦无法通用上述经验法则去替换，或者工程人员必须视产品特性去控管制程溶液的品质；又或者，即便是同一产品，制程溶液衰退时，过蚀刻时间的判断点会偏移(shift)，因而无法精确判断过蚀刻的起始时间，造成过度蚀刻或蚀刻不全，进而影响产品品质与良率（合格率），且也徒增制程监控与制程药液操作上的困难度，并且花费时程高。
另外，现有技术侦测基板时，基板的薄膜厚度在蚀刻制程期间会不断变化，如何有效判读有效信号亦是一大难题。又或者，现有技术容易受到喷洒溶液或残存于基板上的水气的影响，导致接收到无效的光噪声，而基板若进行左右摇摆时或基板的摆放位置或倾斜情况，亦会造成无效侦测信号的反馈，因此这些情况均会造成判读有效侦测信号的困难度，进而降低对于蚀刻时间侦测的判断。
因此，如何改良并能提供一种“蚀刻时间侦测方法与蚀刻时间侦测系统”来避免上述所遭遇到的问题，系业界所亟待解决的课题。
发明内容
本发明的一目的在于，能精确判断过蚀刻时间，同时降低制程监控与制程药液操作上的困难度。
本发明的一目的在于，借由过蚀刻时间的判断，达到完整蚀刻基板的目的。
本发明的另一目的在于，能有效判读透光率数值的侦测信号，可借此滤除不必要的噪声，这些不必要的噪声包含因喷洒溶液或位于基板上的水气造成的反馈信号，因基板摆放位置与方位造成反馈信号误差，或因基板左右摇摆的影响造成侦测位置不定。
本发明的一实施例提出一种蚀刻时间侦测方法，包括以下步骤：依据一配方数据执行一蚀刻制程，其中配方数据包括一蚀刻时间；于蚀刻时间中的一判断时间内接收由数组光感测元件所传输的数个透光率数值；依据配方数据，分别撷取由各组光感测元件所传输的数个透光率数值，以产生相应的数个计算数值；于判断时间内处理计算数值，以产生相应各组光感测元件的一数值分布数据；以及比对数值分布数据，以决定一过蚀刻时间。
本发明的一实施例提出一种蚀刻时间侦测系统，包括一参数储存单元、一制程单元以及一数据处理单元。参数储存单元用以提存一配方数据。制程单元包括数组光感测元件。数据处理单元连接参数储存单元与制程单元，数据处理单元将配方数据传输至制程单元，制程单元依据配方数据执行一蚀刻制程，且数据处理单元接收由各组光感测元件所传输的数个透光率数值，其中数据处理单元包括一滤波模块与一演算模块，滤波模块依据配方数据分别撷取由各组光感测元件所传输的数个透光率数值，以产生相应数个计算数值，演算模块处理计算数值，以产生相应各组光感测元件的数值分布数据，演算模块比对数值分布数据，以决定一过蚀刻时间。
基于上述，在本发明的蚀刻时间侦测方法与蚀刻时间侦测系统，系以数组光感测元件侦测基板的透光率数值，借由配方数据并比对各组光感测元件的数值分布数据，来过滤出无效或不合理的噪声与数值分布数据，以判断出过蚀刻时间，并经由过蚀刻时间的判断，达到完整蚀刻基板的目的。
再者，本发明系依据时间区间的透光率数值状态，以计算出预测时间区间的预测数值范围，进而判定预测时间区间接收的透光率数值是否符合预设数值范围，使得预测时间区间接收的透光率数值系能与时间区间的透光率数值有较佳的关联程度，如此一来，若受到喷洒溶液或残存于基板上的水气的影响，导致光感测元件侦测的透光率数值有噪声的状况，使得接收的透光率数值与时间区间的透光率数值差异甚大而导致接收到无效的透光率数值，或者前后时间的透光率数值的走向有误而导致接收到不合理的透光率数值，本发明可借此滤除无效或不合理的透光率数值，来降低造成无效侦测信号的反馈的情况；更甚者，基板若进行左右摇摆时，透光率数值亦会随着基板摆动状况而有变动，但本发明仍可有效维持透光率数值的走向，达到滤除噪声的目的，进而提升对于蚀刻时间侦测的判断。
为让本发明能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明的蚀刻时间侦测系统的示意图。
图2为图1的制程单元的一实施例的示意图。
图3为本发明的蚀刻时间侦测方法的流程图。
图4为图3中依据配方数据撷取透光率数值的流程图。
图5为图3中产生光感测元件的数值分布数据的流程图。
图6为图5中产生初步分布数据的流程图。
图7为图5中筛选出数值分布数据的流程图。
图8为图7中撷取第二撷取点的流程图。
图9为图7中判断各第二撷取点是否符合路径条件的流程图。
图10为图3中比对数个数值分布数据的流程图。
图11A为透光率数据分布数据一实施例的示意图。
图11B为产生初步分布数据一实施例的示意图。
图11C为计算斜率一实施例的示意图。
图11D为数值分布数据一实施例的示意图。
图11E为产生特征曲线一实施例的示意图。
图11F为产生过蚀刻时间一实施例的示意图。
符号说明：
10 蚀刻时间侦测系统，11 制程单元，112 光感测元件，12 参数储存单元，
122 配方数据，13 数据处理单元，132 滤波模块，134 演算模块，14 外部设备，
B1 光信号发射装置，B2 光信号接收装置，C 命令，
D1 第一时域曲线，D2 第二时域曲线，D3 第三时域曲线，
D4 第四时域曲线，D5 第五时域曲线，D6 第六时域曲线，
E1 特征曲线，F1 基板，F2 薄膜，F3 无效区，L1 光信号，
M1、M11 第一斜率，M2、M21 第二斜率，M3、M31 第三斜率，
M4、M41 第四斜率，M5、M51 第五斜率，M6、M61 第六斜率，
M7 第七斜率，N1 计算点，P1 第一撷取点，P2 第二撷取点，PN 计算点，
PN1 第一计算点，PN2 第二计算点，
T1 第一时间区间，T2 第二时间区间，T3 第三时间区间，
T4 第四时间区间，T5 第五时间区间，T6 第六时间区间，
TN1 第一过蚀刻时间，TN2 第二过蚀刻时间，TE 过蚀刻时间，
R1 上限值，R2 下限值，V1 蚀刻槽，
S10 蚀刻时间侦测方法，
S11~S15 步骤，S132~S136 步骤，S142~S144 步骤，S21~S24 步骤，
S232~S236 步骤，S242~S246 步骤，S151~S159 步骤。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此限制本发明的保护范围。
图1为本发明的蚀刻时间侦测系统的示意图。图2为图1的制程单元的一实施例的示意图。请先参阅图1。在本实施例中，蚀刻时间侦测系统10系适用于各种湿蚀刻制程，蚀刻时间侦测系统10包括一制程单元11、一参数储存单元12以及一数据处理单元13。
制程单元11中设有数组光感测元件112，光感测元件112于本实施例中为一穿透式光感测元件，以图2为例，本发明制程单元11例如为一蚀刻槽V1，待蚀刻的基板F1自制程单元11一侧被送入来进行蚀刻，基板F1于其边缘具有无效区F3，无效区F3的范围可依实际产品的不同需求而设定，基板F1上具有待蚀刻的薄膜F2，基板F1底下可配置滚轮(未绘示)来使基板F1来回摆动，基板F1于蚀刻槽V1内进行蚀刻制程。光感测元件112例如为一穿透式光感测元件，其包含数组对应的一光信号发射装置B1与一光信号接收装置B2，光信号发射装置B1用以对基板F1发射光信号L1，光信号接收装置B2用以接收光信号发射装置B1发射并穿透基板F1的光信号L1，以光信号L1的强弱以判读透光率数值，而基板F1的薄膜F2厚度是与透光率数值成反比，故可借由光感测元件112收集这些透光率数值，以取得薄膜F2被蚀刻移除的程度。在本实施例中，光感测元件112例如为3组，然本发明不限制光感测元件112的数量与配置。
请复参见图1，参数储存单元12是作为一数据库，可通过硬件(例如集成电路)、软件(例如处理器执行的程序指令)或其组合来实现通讯连线与提存的功能，例如存储器。参数储存单元12是用以提存一配方数据122，使用者可依据实际机台与制程的不同需求而设定或预先存储配方数据122的参数，举例而言，参数包括蚀刻液种类，例如为铝酸；参数包括药液种类，例如为硝酸、醋酸及磷酸等组成物；参数包括蚀刻时间，例如为120秒；参数可为判断时间，此判断时间中，数据处理单元13，判断是否达到过蚀刻时间，例如为40秒；参数可为制程数值，在此以蚀刻率为200/秒为例，在其他实施例中，制程数值可为透光率；参数可为单位时间，例如以1秒作为单位时间；参数可为每单位时间数据量，例如以每秒读取光感测元件112传输信号数据量为10笔；参数可为取样范围，以界定所需撷取制程数值的上、下限值；参数可为允许误差值，例如为20%；参数可为药液使用时间或循环次数；参数可为各组光感测元件112的补偿值，以补偿光感测元件112与基板F1的配置角度造成的误差值。
数据处理单元13连接制程单元11，数据处理单元13系可通过硬件(例如集成电路)、软件(例如处理器执行的程序指令)或其组合来实现通讯连线与逻辑判断的功能，例如电脑或其他计算机装置。在本实施例中，数据处理单元13系接收外部设备14的连线请求并等待接收外部设备14的命令C，外部设备14可为一电脑或其他计算机装置输入介面。数据处理单元13接收该命令C后并传输至制程单元11，例如对基板F1进行蚀刻的命令。
另一方面，数据处理单元13连接参数储存单元12，数据处理单元13包括一滤波模块132与一演算模块134，滤波模块132连接演算模块134。数据处理单元13用以接收由参数储存单元12所传输的配方数据122，并将配方数据122传输至制程单元11，制程单元11依据配方数据122，以对基板F1执行蚀刻制程，与此同时，数据处理单元13用以收集或接收由前述数组光感测元件112所传输的数个透光率数值，滤波模块132依据配方数据122分别撷取由各组光感测元件112所传输的数个透光率数值，滤波模块132可依据一时间区间的制程数值与允许误差值，以产生一预测时间区间的一预测数值范围，滤波模块132依据预测数值范围，撷取符合预测数值范围内每个光感测元件112的透光率数值，以产生相应各组光感测元件112的数个计算数值，并将计算数值存取至演算模块134。演算模块134处理处理各组光感测元件112的数个计算数值，以产生各组光感测元件112的一数值分布数据，演算模块134比对各组光感测元件112的数值分布数据，以决定一过蚀刻时间(Over- Etching Time)，亦即决定开始过蚀刻制程的时间点。需说明的是，蚀刻终点在于一蚀刻制程结束蚀刻一基板的时间点，本发明在于推定过蚀刻时间来判断蚀刻终点，在其他实施例中，蚀刻终点可为基板结束蚀刻进入风干阶段的时间点等。
图3为本发明的蚀刻时间侦测方法的流程图。请参阅图3，本实施例的蚀刻时间侦测方法S10可用于如图1所示蚀刻时间侦测系统10。蚀刻时间侦测方法S10包括以下步骤S11~S15。进行步骤S11，依据一配方数据122执行一蚀刻制程，其中配方数据122包括一蚀刻时间。以图1为例，数据处理单元13接收外部设备14的连线请求并等待接收外部设备14的命令C，数据处理单元13接收该命令C后并传输至制程单元11，制程单元11依据配方数据122执行蚀刻制程，配方数据122的参数包括蚀刻液种类、药液种类、蚀刻时间、判断时间、制程数值、单位时间、每单位时间数据量、取样范围、允许误差值、药液使用时间或循环次数以及各组光感测元件112的补偿值。
接着进行步骤S12，于蚀刻时间中的一判断时间内接收由数组光感测元件112所传输的数个透光率数值。以图1与图2为例，每一组光感测元件112对基板F1撷取透光率数值，并传输至数据处理单元13。接着，进行步骤S13，依据配方数据122，分别撷取由各组光感测元件112所传输的数个透光率数值，以产生相应的数个计算数值。以图1为例，滤波模块132依据配方数据122分别撷取由各组光感测元件112所传输的数个透光率数值，据以计算出各组光感测元件112相对应的数个计算数值。此外，滤波模块132依据配方数据122中每单位时间数据量的数量来撷取光感测元件112传输的透光率数值。
具体而言，步骤S13可包括以下步骤S132至步骤S136，请参阅图4，图4为图3中依据配方数据撷取透光率数值的流程图。蚀刻时间依据一单位时间区分成数个时间区间，蚀刻时间包含连续的一时间区间与一预测时间区间，其中预测时间区间为时间区间加上单位时间。进行步骤S132，依据配方数据122中的一制程数值与一允许误差值，以产生预测时间区间的一预测数值范围，其中制程数值系为在时间区间的各组光感测元件112相应的计算数值，允许误差值系在预测时间区间依据配方数据所调整。以图1为例，滤波模块132依据时间区间的状态，由参数储存单元12提取配方数据122而具有一动态参数矩阵，动态参数矩阵系依据配方数据122(包含制程条件)对应不同的时间所计算出的一线性物理模型，并借由配方数据122中的制程数值与允许误差值计算出预测时间区间的一预测数值范围，其中配方数据112中的制程数值系为在时间区间的各组光感测元件112相应的计算数值，计算数值即符合预测数值范围内各组光感测元件112的透光率数值，而允许误差值系依据蚀刻时间及不同的时间而有不同的增益。具体为例，时间区间例如为蚀刻时间中的某一时间区间，预测时间区间则为某一时间区间的下一时间区间，其中下一时间区间为某一时间区间加上单位时间，光感测元件112在下一时间区间(预测时间区间)输入的透光率数值系与某一时间区间(时间区间)输入的透光率数值有关系。预测时间区间输入的透光率数值、时间区间输入的透光率数值以及允许误差值分别具有相应的动态参数矩阵，故可由现在时间(时间区间)的透光率数值来计算下一时间(预测时间区间)的预测数值范围，亦即，会以现在时间(时间区间)输入的透光率数值为基准，计算预测下一时间(预测时间区间)的透光率数值。
进行步骤S134，依据预测数值范围，撷取符合预测数值范围内各组光感测元件112的透光率数值，以作为预测时间区间的各组光感测元件112相应的计算数值。以图1为例，滤波模块132依据预测数值范围，滤波模块132将预测时间区间符合预测数值范围内各组光感测元件112的各透光率数值，作为预测时间区间的各组光感测元件112相应的各计算数值；反的，滤波模块132判断光感测元件112的某些透光率数值并未符合预测数值范围内，滤波模块132将会修正动态参数矩阵，例如使动态参数矩阵的数值为零，进而让此预测时间区间的透光率数值无法被读取至数据处理单元13，借此达到滤除噪声的目的。进行步骤S136，更新预测时间区间的各组光感测元件112相应的计算数值至制程数值。以图1为例，滤波模块132将步骤S134中预测时间区间的各组光感测元件112相应的计算数值更新至制程数值，作为下一次计算依据，直到蚀刻时间中的判断时间内为止。
由上述步骤S132至步骤S136可知，本实施例的蚀刻时间侦测方法S10系依据时间区间的透光率数值状态，以计算出预测时间区间的预测数值范围，进而判定预测时间区间接收的透光率数值是否符合预设数值范围，使得预测时间区间接收的透光率数值系能与时间区间的透光率数值有较佳的关联程度，如此一来，若受到喷洒溶液或残存于基板上的水气的影响，导致光感测元件112侦测的透光率数值有噪声的状况，使得接收的透光率数值与时间区间的透光率数值差异甚大而导致接收到无效的透光率数值，或者前后时间的透光率数值的走向有误而导致接收到不合理的透光率数值，本发明可借此滤除无效或不合理的透光率数值；又或者，本实施例的蚀刻时间侦测方法S10借由上述作法，不会受到基板的摆放位置或倾斜情况的影响，降低造成无效侦测信号的反馈的情况；更甚者，基板若进行左右摇摆时，透光率数值亦会随着基板摆动状况而有变动，但经由本实施例蚀刻时间侦测方法S10的上述作法，可有效维持透光率数值的走向，达到滤除噪声的目的，进而提升对于蚀刻时间侦测的判断。
请复参见图3，于步骤S13滤除无效或不合理的透光率数值后，以图11A为例，图11A为透光率数据分布数据一实施例的示意图，图11A的纵轴为透光率，图11A的纵轴横轴为时间，各计算点N1系对应于各时间区间各组光感测元件112相应的各计算数值，于图11A的横轴上依据单位时间区分有第一时间区间T1、第二时间区间T2、第三时间区间T3、第四时间区间T4、第五时间区间T5与第六时间区间T6，且第一时间区间T1、第二时间区间T2、第三时间区间T3、第四时间区间T4、第五时间区间T5与第六时间区间T6内分别有数个计算点N1；于图11A的纵轴上依据配方数据122设定的上限值R1与下限值R2。进行步骤S14，于判断时间内处理计算数值，以产生相应各组光感测元件112的数值分布数据。以图1为例，演算模块134接收由前述滤波模块132所传输各组光感测元件112的计算数值，演算模块134处理每个计算数值，以产生相应各组光感测元件112的数值分布数据。具体而言，步骤S14可包括以下步骤S142至步骤S144，请参阅图5，图5为图3中产生光感测元件的数值分布数据的流程图。进行步骤S142，在一取样范围内，演算模块134依据各时间区间内各组光感测元件112的各计算数值，以产生相应的一初步分布数据(见图11B)。步骤S142可包括以下步骤S21至步骤S22，请参阅图6，图6为图5中产生初步分布数据的流程图。进行步骤S21，于各时间区间比较各组光感测元件112的计算数值，以图11A为例。演算模块134分别于第一时间区间T1、第二时间区间T2、第三时间区间T3、第四时间区间T4、第五时间区间T5与第六时间区间T6内比较每个计算点N1的计算数值。接着，进行步骤S22，演算模块134选取各组光感测元件112在各时间区间数个计算点N1的计算数值的最大值，以作为相应的第一撷取数值，以图11B为例，图11B为产生初步分布数据一实施例的示意图，图11B的纵轴为透光率，图11B的横轴为时间，通过步骤S22，演算模块134分别于第一时间区间T1、第二时间区间T2、第三时间区间T3、第四时间区间T4、第五时间区间T5与第六时间区间T6内选取每个计算点N1的计算数值的最大值并作为第一撷取点P1，初步分布数据包括数个第一撷取点P1，各第一撷取点P1系对应于各时间区间各组光感测元件112的一第一撷取数值。
接着，进行步骤S144，演算模块134依据各组光感测元件112的初步分布数据中第一撷取点P1之间的数值变化关系，以筛选出相应的数值分布数据。步骤S144可包括以下步骤S23至步骤S24，请参阅图7，图7为图5中筛选出数值分布数据的流程图。进行步骤S23，在取样范围内，依各时间区间的时序，撷取符合一斜率条件的第一撷取点作为相应的一第二撷取点。步骤S23可包括以下步骤S232至步骤S236，请参阅图8，图8为图7中撷取第二撷取点的流程图。进行步骤S232，在取样范围内，演算模块134依各时间区间的时序，由各第一撷取点之间寻找一初始点与一最末点。以图11B为例，位于第一时间区间T1内的第一撷取点P1即为初始点，位于第六时间区间T6内的第一撷取点P1即为最末点。接着，进行步骤S234，由初始点开始至最末点，计算连续三个第一撷取点的两斜率，以图11C为例，图11C为计算斜率一实施例的示意图。演算模块134计算连续三个时间区间的第一撷取点的两斜率：由第一时间区间T1开始，演算模块134计算第一时间区间T1、第二时间区间T2与第三时间区间T3的第一撷取点P1的两斜率，第一时间区间T1的第一撷取点P1至第二时间区间T2的第一撷取点P1之间的斜率为第一斜率M1，第二时间区间T2的第一撷取点P1至第三时间区间T3的第一撷取点P1之间的斜率为第二斜率M2；接着，演算模块134计算第二时间区间T2、第三时间区间T3与第四时间区间T4的第一撷取点P1的两斜率，第二时间区间T2的第一撷取点P1至第三时间区间T3的第一撷取点P1之间的斜率为第二斜率M2，第三时间区间T3的第一撷取点P1至第四时间区间T4的第一撷取点P1之间的斜率为第三斜率M3；接着，演算模块134计算第三时间区间T3、第四时间区间T4与第五时间区间T5的第一撷取点P1的两斜率，第三时间区间T3的第一撷取点P1至第四时间区间T4的第一撷取点P1之间的斜率为第三斜率M3，第四时间区间T4的第一撷取点P1至第五时间区间T5的第一撷取点P1之间的斜率为第四斜率M4；接着，演算模块134计算第四时间区间T4、第五时间区间T5与第六时间区间T6的第一撷取点P1的两斜率，第四时间区间T4的第一撷取点P1至第五时间区间T5的第一撷取点P1之间的斜率为第四斜率M4，第五时间区间T5的第一撷取点P1至第六时间区间T6的第一撷取点P1之间的斜率为第五斜率M5。
进行步骤S236，参阅图11C与图11D，图11D为数值分布数据一实施例的示意图，演算模块134比较两斜率的方向，若两斜率的方向相同，将符合两斜率的方向相同的各第一撷取点作为相应的第二撷取点。以图11C为例，第一时间区间T1内的第一撷取点P1做为初始点，以第一斜率M1的方向为基准，第二斜率M2的方向不同于第一斜率M1的方向，故不会撷取第三时间区间T3的第一撷取点P1，进而需要将第二时间区间T2的第一撷取点P1连接到第四时间区间T4的第一撷取点P1，第二时间区间T2的第一撷取点P1至第四时间区间T4的第一撷取点P1之间的斜率为第六斜率M6，进而判断第一斜率M1与第六斜率M6的方向，由于第一斜率M1的方向相同于第六斜率M6的方向，故将第一时间区间T1的第一撷取点P1、第二时间区间T2的第一撷取点P1以及第四时间区间T4的第一撷取点P1作为相应的第二撷取点P2(如图11D所示)。同理，第四斜率M4的方向不同于第一斜率M1的方向，故不会撷取第五时间区间T5的第一撷取点P1，进而需要将第四时间区间T4的第一撷取点P1连接到第六时间区间T6的第一撷取点P1，第四时间区间T4的第一撷取点P1至第六时间区间T6的第一撷取点P1之间的斜率为第七斜率M7，进而判断第六斜率M6与第七斜率M7的方向，由于第六斜率M6的方向相同于第七斜率M7的方向，故将第四时间区间T4的第一撷取点P1以及第六时间区间T6的第一撷取点P1作为相应的第二撷取点P2(如图11D所示)。
在步骤S23找到第二撷取点P2的后，进行步骤S24，在取样范围内，演算模块134依各时间区间的时序，判断各第二撷取点P2是否符合一路径条件。步骤S24可包括以下步骤S242至步骤S246，请参阅图9，图9为图7中判断各第二撷取点是否符合路径条件的流程图，进行步骤S242，在取样范围内，演算模块134依各时间区间的时序，计算连续两个第二撷取点P2的一连线距离。接着，进行步骤S244，依各时间区间的时序，在各连线距离之间，搜寻各时间区间中各组光感测元件112的计算点N1与任一第二撷取点P2的距离是否小于相应的连线距离。以图11D为例，第一时间区间T1的第二撷取点P2至第二时间区间T2的第二撷取点P2的连线距离为基准，搜寻第二时间区间T2内的每个计算点N1与第一时间区间T1的第二撷取点P2的距离是否小于前述的连线距离，若有，进行步骤S246，将计算点取代为第二撷取点P2。
请复参阅图3，于步骤S14，产生每组光感测元件112的数值分布数据后，进行步骤S15，比对各数值分布数据，以决定一过蚀刻时间，亦即决定开始过蚀刻制程的时间点。需说明的是，蚀刻终点在于一蚀刻制程结束蚀刻一基板的时间点，本发明在于推定过蚀刻时间来判断蚀刻终点，在其他实施例中，蚀刻终点可为基板结束蚀刻进入风干阶段的时间点等。步骤S15可包括以下步骤S151至步骤S159，请参阅图10，图10为图3中比对数个数值分布数据的流程图，进行步骤S151，演算模块134将各数值分布数据中的各第二撷取点连线，以产生相应的一特征曲线E1，其中各特征曲线依据各时间区间区分成数个时域曲线。以图11E为例，图11E为产生特征曲线一实施例的示意图，特征曲线E1依据第一时间区间T1、第二时间区间T2、第三时间区间T3、第四时间区间T4、第五时间区间T5以及第六时间区间T6区分成一第一时域曲线D1、第二时域曲线D2、第三时域曲线D3、第四时域曲线D4、第五时域曲线D5以及第六时域曲线D6。
接着，进行步骤S153，演算模块134比对各数值分布数据中相邻的各时间区间的相应的各时域曲线的面积比率及斜率，借此搜寻相似的数值分布数据。针对斜率，以图11E为例，第一时域曲线D1的斜率为第一斜率M11；第二时域曲线D2的斜率为第二斜率M21；第三时域曲线D3的斜率为第三斜率M31；第四时域曲线D4的斜率为第四斜率M41；第五时域曲线D5的斜率为第五斜率M51；第六时域曲线D6的斜率为第六斜率M61。同理，另一组光感测元件132的数值分布数据也应有对应上述的各时域曲线的第一斜率、第二斜率、第三斜率、第四斜率、第五斜率以及第六斜率。在本实施例中，系将某一组光感测元件的数值分布数据的第一斜率比对至另一组光感测元件的数值分布数据的第一斜率；某一组光感测元件的数值分布数据的第二斜率比对至另一组光感测元件的数值分布数据的第二斜率；某一组光感测元件的数值分布数据的第三斜率比对至另一组光感测元件的数值分布数据的第三斜率；某一组光感测元件的数值分布数据的第四斜率比对至另一组光感测元件的数值分布数据的第四斜率；某一组光感测元件的数值分布数据的第五斜率比对至另一组光感测元件的数值分布数据的第五斜率；某一组光感测元件的数值分布数据的第六斜率比对至另一组光感测元件的数值分布数据的第六斜率，以此类推。针对面积比率，以图11E为例，第一时域曲线D1的面积为在第一时间区间T1内对应至透光率的积分面积；第二时域曲线D2的面积为在第二时间区间T2内对应至透光率的积分面积；第三时域曲线D3的面积为在第三时间区间T3内对应至透光率的积分面积；第四时域曲线D4的面积为在第四时间区间T4内对应至透光率的积分面积；第五时域曲线D5的面积为在第五时间区间T5内对应至透光率的积分面积；第六时域曲线D6的面积为在第六时间区间T6内对应至透光率的积分面积。第一时域曲线D1与第二时域曲线D2的面积比率为第一面积比率；第二时域曲线D2与第三时域曲线D3的面积比率为第二面积比率；第三时域曲线D3与第四时域曲线D4的面积比率为第三面积比率；第四时域曲线D4与第五时域曲线D5的面积比率为第四面积比率；第五时域曲线D5与第六时域曲线D6的面积比率为第五面积比率。同理，另一组光感测元件132的数值分布数据也应有对应上述的各时域曲线的第一面积比率、第二面积比率、第三面积比率、第四面积比率以及第五面积比率。在本实施例中，系将某一组光感测元件的数值分布数据的第一面积比率比对至另一组光感测元件的数值分布数据的第一面积比率；某一组光感测元件的数值分布数据的第二面积比率比对至另一组光感测元件的数值分布数据的第二面积比率；某一组光感测元件的数值分布数据的第三面积比率比对至另一组光感测元件的数值分布数据的第三面积比率；某一组光感测元件的数值分布数据的第四面积比率比对至另一组光感测元件的数值分布数据的第四面积比率；某一组光感测元件的数值分布数据的第五面积比率比对至另一组光感测元件的数值分布数据的第五面积比率，以此类推。由此可知，针对面积比率，本实施例的步骤S153是比对相邻的时间区间的相应的各时域曲线的面积比率，并非直接将某一组光感测元件的数值分布数据的特征曲线的面积与另一组光感测元件的数值分布数据的特征曲线的面积作比对。
接着，进行步骤S155，依据相邻的各时间区间的相应的各时域曲线的面积比率及斜率的变化，若至少任两个数值分布数据中相邻的各时间区间的相应的各该时域曲线的面积比率数值及斜率数值差异不大于一阀值，撷取至少两个数值分布数据。举例而言，某一组光感测元件的数值分布数据的各个时域曲线的面积比率及斜率作为基准，另一组光感测元件的的数值分布数据的各个时域曲线的面积比率及斜率的变化依据前述步骤S153作比对，若某一组光感测元件的各个时域曲线的面积比率数值及斜率数值与另一组光感测元件的各个时域曲线的面积比率数值及斜率数值的差异不大于一阀值，其中阀值例如为10%，亦即，某一组光感测元件的数值分布数据与另一组光感测分布数据的相似度要高达90%，则这两组光感测元件112的数值分布数据就为有效的数据，而可被演算模块134所撷取使用。举例而言，以图1为例，三组光感测元件112若有两组光感测元件112的数值分布数据相似度高达90%，则这两组光感测元件112的数值分布数据就被判定有效的数据。当然，上述系以三组光感测元件112作为举例，在其他较佳实施例中，若光感测元件112的组数大于三，则仍可依使用者设定的方式进行，例如若五组取三组符合判定标准，亦可视为有效的数值分布数据。
接着，进行步骤S157，若有相似的各数值分布数据，演算模块134搜寻各数值分布位在取样范围的一下限值的下一时序的时间区间的计算点的计算数值。以图11E为例，演算模块134搜寻位在取样范围的一下限值R2的下一时序的时间区间的计算点，即第六时间区间T6的后的计算点PN，该计算点PN同样依据前述步骤撷取第六时间区间T6的后各该计算点的计算数值的最大值。如图11F所示，图11F为产生过蚀刻时间一实施例的示意图，依据步骤S157找到第一计算点PN1与第二计算点PN2，其中第一计算点PN1对应于一组光感测元件112，第二计算点PN2系对应于另一组光感测元件112。接着，进行步骤S159，处理各计算数值对应的蚀刻时间的时序，以产生过蚀刻时间，在本实施例中，将各计算数值对应的蚀刻时间的时序平均。以图11F为例，第一计算点PN1对应的蚀刻时间的时序为第一过蚀刻时间TN1，第二计算点PN2对应的蚀刻时间的时序为第二过蚀刻时间TN2，将第一过蚀刻时间TN1与第二过蚀刻时间TN2的时间平均后，可产生一过蚀刻时间TE。然本发明不对此加以限制，于其他实施例，可取第一过蚀刻时间TN1与第二过蚀刻时间TN2的最大值作为过蚀刻时间TE。当然，上述系以演算模块134撷取至两组光感测元件112作为举例，若符合前述步骤S151至步骤S155的判定标准符合的有效的数值分布数据的光感测元件112的组数数量越多，演算模块134亦可依据前述步骤S157至步骤S159来产生过蚀刻时间。需说明的是，蚀刻终点在于一蚀刻制程结束蚀刻一基板的时间点，本发明在于推定过蚀刻时间来判断蚀刻终点，在其他实施例中，蚀刻终点可为基板结束蚀刻进入风干阶段的时间点等。
综上所述，在本发明的蚀刻时间侦测方法与蚀刻时间侦测系统，系以数组光感测元件侦测基板的透光率数值，借由配方数据并比对各组光感测元件的数值分布数据，来过滤出无效或不合理的噪声与数值分布数据，以判断出过蚀刻时间，并经由过蚀刻时间的判断，达到完整蚀刻基板的目的。
再者，本发明系依据时间区间的透光率数值状态，以计算出预测时间区间的预测数值范围，进而判定预测时间区间接收的透光率数值是否符合预设数值范围，使得预测时间区间接收的透光率数值系能与时间区间的透光率数值有较佳的关联程度，如此一来，若受到喷洒溶液或残存于基板上的水气的影响，导致光感测元件侦测的透光率数值有噪声的状况，使得接收的透光率数值与时间区间的透光率数值差异甚大而导致接收到无效的透光率数值，或者前后时间的透光率数值的走向有误而导致接收到不合理的透光率数值，本发明可借此滤除无效或不合理的透光率数值，来降低造成无效侦测信号的反馈的情况；更甚者，基板若进行左右摇摆时，透光率数值亦会随着基板摆动状况而有变动，但本发明仍可有效维持透光率数值的走向，达到滤除噪声的目的，进而提升对于蚀刻时间侦测的判断。
此外，本发明并非直接将某一组光感测元件的数值分布数据的特征曲线的面积与另一组光感测元件的数值分布数据的特征曲线的面积作比对，而是比对不同组光感测元件的数值分布数据中各时间区间的相应的各时域曲线的面积比率及斜率，故依据时序通过相邻时间区间的面积比率与斜率来判定不同组光感测元件的数值分布数据的趋势与走向，较能有效判定不同组光感测元件的数值分布数据是否相似，故本发明不会受到基板的摆放位置或倾斜情况的影响。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。
Claims (19)
1.一种蚀刻时间侦测方法，其特征在于，包括以下步骤：
依据一配方数据执行一蚀刻制程，其中该配方数据包括一蚀刻时间；
于该蚀刻时间中的一判断时间内接收由数组光感测元件所传输的数个透光率数值；
依据该配方数据，分别撷取由各组该光感测元件所传输的该些透光率数值，以产生相应的数个计算数值；
于该判断时间内处理该些计算数值，以产生相应各组该光感测元件的数值分布数据；以及
比对该些数值分布数据，以决定一过蚀刻时间。
2.如权利要求1所述的蚀刻时间侦测方法，其特征在于，该蚀刻时间依据一单位时间区分成数个时间区间，该蚀刻时间包含连续的一时间区间与一预测时间区间，该预测时间区间为该时间区间加上该单位时间，所述依据该配方数据，分别撷取由各组该光感测元件所传输的该些透光率数值，以产生相应的该些计算数值的步骤，包括以下步骤：
依据该配方数据中的一制程数值与一允许误差值，以产生该预测时间区间的一预测数值范围，其中该制程数值系为在该时间区间的各组该光感测元件相应的该些计算数值，该允许误差值系在该预测时间区间依据该配方数据所调整；
依据该预测数值范围，撷取符合该预测数值范围内各组该光感测元件的该些透光率数值，以作为该预测时间区间的各组该光感测元件相应的该些计算数值；以及
更新该预测时间区间的各组该光感测元件相应的该些计算数值至该制程数值。
3.如权利要求2所述的蚀刻时间侦测方法，其特征在于，所述于该判断时间内处理该些计算数值，以产生相应各组该光感测元件的该数值分布数据的步骤，包括以下步骤：
在一取样范围内，依据各该时间区间内各组该光感测元件的该些计算数值，以产生相应的一初步分布数据，其中该初步分布数据包括数个第一撷取点，各该第一撷取点对应于各该时间区间各组该光感测元件的一第一撷取数值；以及
依据各组该光感测元件的该初步分布数据中各该第一撷取点之间的数值变化关系，以筛选出相应的该数值分布数据。
4.如权利要求3所述的蚀刻时间侦测方法，其特征在于，所述依据各组该光感测元件的该初步分布数据中该些第一撷取点之间的数值变化关系，以筛选出相应的该数值分布数据的步骤，包括以下步骤：
于各该时间区间比较各组该光感测元件的该些计算数值；以及
选取各组该光感测元件在各该时间区间该些计算数值的最大值，以作为相应的该第一撷取数值。
5.如权利要求4所述的蚀刻时间侦测方法，其特征在于，所述依据各组该光感测元件的该初步分布数据中该些第一撷取点之间的数值变化关系，以筛选出相应的该数值分布数据的步骤，包括以下步骤：
在该取样范围内，依各该时间区间的时序，撷取符合一斜率条件的该些第一撷取点作为相应的一第二撷取点；以及
在该取样范围内，依各该时间区间的时序，判断该些第二撷取点是否符合一路径条件。
6.如权利要求5所述的蚀刻时间侦测方法，其特征在于，所述撷取符合该斜率条件的该些第一撷取点作为相应的该第二撷取的步骤，包括以下步骤：
在该取样范围内，依各该时间区间的时序，由该些第一撷取点之间寻找一初始点与一最末点；
由该初始点开始至该最末点，计算连续三个该第一撷取点的两斜率；以及
比较各该两斜率的方向，若该两斜率的方向相同，将符合该两斜率的方向相同的各该第一撷取点作为相应的该第二撷取点。
7.如权利要求5所述的蚀刻时间侦测方法，其特征在于，所述判断该些第二撷取点是否符合该路径条件的步骤，包括以下步骤：
在该取样范围内，依各该时间区间的时序，计算连续两个该第二撷取点的一连线距离；
依各该时间区间的时序，在该些连线距离之间，搜寻各该时间区间中各组该光感测元件的该些计算点与任一该第二撷取点的距离是否小于相应的该连线距离，其中该些计算点对应于各该时间区间各组该光感测元件相应的该些计算数值；以及
若有，将该计算点取代为该第二撷取点。
8.如权利要求7所述的蚀刻时间侦测方法，其特征在于，所述比对该些数值分布数据，以决定该过蚀刻时间的步骤，包括以下步骤：
将该些数值分布数据中的该些第二撷取点连线，以产生相应的一特征曲线，其中各该特征曲线依据各该时间区间区分成数个时域曲线；
比对该些数值分布数据中相邻的该些时间区间的相应的该时域曲线的面积比率及斜率；
依据相邻的各该时间区间的相应的该时域曲线的面积比率及斜率的变化，若至少任两个该数值分布数据中相邻的各该时间区间的相应的该时域曲线的面积比率数值及斜率数值差异不大于一阀值，撷取该至少两个该数值分布数据；以及
若有相似的该些数值分布数据，搜寻该些数值分布数据位在该取样范围的一下限值的下一时序的该时间区间的该计算数值；以及
处理该些计算数值对应的该蚀刻时间的时序，以产生该过蚀刻时间。
9.如权利要求8所述的蚀刻时间侦测方法，其特征在于，所述处理该些计算数值对应的该蚀刻时间的时序的步骤，包括以下步骤：
将该些计算数值对应的该蚀刻时间的时序平均。
10.一种蚀刻时间侦测系统，其特征在于，包括：
一参数储存单元，用以提存一配方数据；
一制程单元，包括数组光感测元件；以及
一数据处理单元，连接该参数储存单元与该制程单元，该数据处理单元将该配方数据传输至该制程单元，该制程单元依据该配方数据执行一蚀刻制程，且该数据处理单元接收由各组该光感测元件所传输的数个透光率数值，其中该数据处理单元包括一滤波模块与一演算模块，该滤波模块依据该配方数据分别撷取由各组该光感测元件所传输的该数个透光率数值，以产生相应数个计算数值，该演算模块处理该些计算数值，以产生相应各组该光感测元件的数值分布数据，该演算模块比对该些数值分布数据，以决定一过蚀刻时间。
11.如权利要求10所述的蚀刻时间侦测系统，其特征在于，该滤波模块依据该配方数据中的一制程数值与一允许误差值，以产生一预测时间区间的一预测数值范围，该制程数值系为在一时间区间的各组该光感测元件相应的该些计算数值，该允许误差值系在该预测时间区间依据该配方数据所调整，该滤波模块依据该预测数值范围，撷取符合该预测数值范围内各组该光感测元件的该些透光率数值，以作为该预测时间区间的各组该光感测元件相应的该些计算数值。
12.如权利要求11所述的蚀刻时间侦测系统，其特征在于，该滤波模块更新该预测时间区间的各组该光感测元件相应的该些计算数值至该制程数值。
13.如权利要求10所述的蚀刻时间侦测系统，其特征在于，在一取样范围内，该演算模块依据数个时间区间内各组该光感测元件的该些计算数值，以产生相应的一初步分布数据，该初步分布数据包括数个第一撷取点，各该第一撷取点系对应于各该时间区间各组该光感测元件的一第一撷取数值，该演算模块依据各组该光感测元件的该初步分布数据中各该第一撷取点之间的数值变化关系，以筛选出相应的该数值分布数据。
14.如权利要求13所述的蚀刻时间侦测系统，其特征在于，该演算模块于各该时间区间比较各组该光感测元件的该些计算数值的数值，该演算模块选取各组该光感测元件在各该时间区间该些计算数值的数值的最大值，以作为相应的该第一撷取数值。
15.如权利要求13所述的蚀刻时间侦测系统，其特征在于，在该取样范围内，依各该时间区间的时序，该演算模块撷取符合一斜率条件的该些第一撷取点作为相应的一第二撷取点，该演算模块在该取样范围内，依各该时间区间的时序，判断该些第二撷取点是否符合一路径条件。
16.如权利要求15所述的蚀刻时间侦测系统，其特征在于，在该取样范围内，依各该时间区间的时序，该演算模块由该些第一撷取点之间寻找一初始点与一最末点，该演算模块由该初始点开始至该最末点，计算连续三个该第一撷取点的两斜率，该演算模块比较各该两斜率的方向，若该两斜率的方向相同，将符合该两斜率的方向相同的各该第一撷取点作为相应的该第二撷取点。
17.如权利要求15所述的蚀刻时间侦测系统，其特征在于，在该取样范围内，依各该时间区间的时序，该演算模块计算连续两个该第二撷取点的一连线距离，该演算模块依各该时间区间的时序，在该些连线距离之间，搜寻各该时间区间中各组该光感测元件的该些计算点与任一该第二撷取点的距离是否小于相应的该连线距离，该些计算点系对应于各该时间区间各组该光感测元件相应的该些计算数值，若有，该演算模块将该计算点取代为该第二撷取点。
18.如权利要求17所述的蚀刻时间侦测系统，其特征在于，该演算模块将该些数值分布数据中的各该第二撷取点连线，以产生相应的一特征曲线，各该特征曲线依据各该时间区间区分成数个时域曲线，该演算模块比对该些数值分布数据中相邻的该些时间区间的相应的该时域曲线的面积比率及斜率，该演算模块依据相邻的各该时间区间的相应的该时域曲线的面积比率及斜率的变化，若至少任两个该数值分布数据中相邻的该时间区间的相应的各该时域曲线的面积比率数值及斜率数值差异不大于一阀值，该演算模块撷取该至少两个该数值分布数据，若有相似的该些数值分布数据，该演算模块搜寻该些数值分布数据位在该取样范围的一下限值的下一时序的该时间区间的该计算数值，该演算模块处理该些计算数值对应的该蚀刻时间的时序，以产生该过蚀刻时间。
19.如权利要求18所述的蚀刻时间侦测系统，其特征在于，该演算模块将该些计算数值对应的该蚀刻时间的时序平均。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220067762A1 (en) * | 2020-08-26 | 2022-03-03 | Coupang Corp. | System and method for predicting an optimal stop point during an experiment test |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60122945A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Hitachi Ltd | ホトマスク処理終点検出装置 |
| JPS6473621A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH01175741A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Nec Corp | エッチング方法 |
| TW466557B (en) * | 1999-09-30 | 2001-12-01 | Lam Res Corp | Methods and apparatuses for trench depth detection and control |
| JP2004079727A (ja) * | 2002-08-15 | 2004-03-11 | Fujitsu Ltd | エッチング終点検出方法、エッチング終点検出システム、エッチング装置、およびエッチング終点検出プログラム |
| EP1926125A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-28 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for photomask etching |
| TW200937518A (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-01 | Hitachi High Tech Corp | Etching endpoint determination method |
| KR20090102471A (ko) * | 2008-03-26 | 2009-09-30 | 엘지마이크론 주식회사 | 종말점 검출 장치 및 이를 구비한 식각 장치 그리고 종말점검출방법 |
| US20110292373A1 (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-01 | Applied Materials, Inc. | Thin film monitoring device and method |
| CN202601580U (zh) * | 2012-03-31 | 2012-12-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种刻蚀时间检测装置及刻蚀设备 |
| TW201331704A (zh) * | 2011-12-19 | 2013-08-01 | Applied Materials Inc | 抗反射塗層及吸收層蝕刻之蝕刻速率偵測 |
| CN103811291A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板制作方法、膜层刻蚀防损伤监控方法及设备 |
| JP2014143275A (ja) * | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Dainippon Printing Co Ltd | エッチングレート測定装置、エッチングレート測定方法 |
| CN203882952U (zh) * | 2013-12-20 | 2014-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种膜层刻蚀防损伤监控设备 |
| CN105575846A (zh) * | 2016-03-15 | 2016-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种金属湿式蚀刻终点的监控方法及其装置 |
| CN107924146A (zh) * | 2015-08-28 | 2018-04-17 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备对准传感器和方法 |
-
2018
- 2018-05-23 TW TW107117485A patent/TWI659258B/zh active
- 2018-09-12 CN CN201811063659.6A patent/CN110530825A/zh active Pending
Patent Citations (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60122945A (ja) * | 1983-12-07 | 1985-07-01 | Hitachi Ltd | ホトマスク処理終点検出装置 |
| JPS6473621A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH01175741A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-12 | Nec Corp | エッチング方法 |
| TW466557B (en) * | 1999-09-30 | 2001-12-01 | Lam Res Corp | Methods and apparatuses for trench depth detection and control |
| JP2004079727A (ja) * | 2002-08-15 | 2004-03-11 | Fujitsu Ltd | エッチング終点検出方法、エッチング終点検出システム、エッチング装置、およびエッチング終点検出プログラム |
| EP1926125A1 (en) * | 2006-10-30 | 2008-05-28 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for photomask etching |
| TW200937518A (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-01 | Hitachi High Tech Corp | Etching endpoint determination method |
| KR20090102471A (ko) * | 2008-03-26 | 2009-09-30 | 엘지마이크론 주식회사 | 종말점 검출 장치 및 이를 구비한 식각 장치 그리고 종말점검출방법 |
| US20110292373A1 (en) * | 2010-05-26 | 2011-12-01 | Applied Materials, Inc. | Thin film monitoring device and method |
| TW201331704A (zh) * | 2011-12-19 | 2013-08-01 | Applied Materials Inc | 抗反射塗層及吸收層蝕刻之蝕刻速率偵測 |
| CN202601580U (zh) * | 2012-03-31 | 2012-12-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种刻蚀时间检测装置及刻蚀设备 |
| WO2013143389A1 (zh) * | 2012-03-31 | 2013-10-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 用于刻蚀设备的刻蚀时间检测装置及方法 |
| US20140063503A1 (en) * | 2012-03-31 | 2014-03-06 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Etching time detection means and method for etching device |
| JP2014143275A (ja) * | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Dainippon Printing Co Ltd | エッチングレート測定装置、エッチングレート測定方法 |
| CN103811291A (zh) * | 2013-12-20 | 2014-05-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板制作方法、膜层刻蚀防损伤监控方法及设备 |
| CN203882952U (zh) * | 2013-12-20 | 2014-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种膜层刻蚀防损伤监控设备 |
| US20160268139A1 (en) * | 2013-12-20 | 2016-09-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for manufacturing array substrate, film-etching monitoring method and device |
| CN107924146A (zh) * | 2015-08-28 | 2018-04-17 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备对准传感器和方法 |
| CN105575846A (zh) * | 2016-03-15 | 2016-05-11 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种金属湿式蚀刻终点的监控方法及其装置 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| THOMAS REIS 等: ""In-Situ Plasma Etch Process Endpoint Control in Integrated Circuit Manufacturing", 《SEMI ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CONFERENCE》 * |
| 陶栋琦等: "基于多时段MPCA 的半导体蚀刻过程监测方法*", 《传感技术学报》 * |
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