JP2537349B2 - 液晶配向膜の形成方法 - Google Patents
液晶配向膜の形成方法Info
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- JP2537349B2 JP2537349B2 JP61183378A JP18337886A JP2537349B2 JP 2537349 B2 JP2537349 B2 JP 2537349B2 JP 61183378 A JP61183378 A JP 61183378A JP 18337886 A JP18337886 A JP 18337886A JP 2537349 B2 JP2537349 B2 JP 2537349B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、液晶表示素子の電極基板上に積層される液
晶配向膜の形成方法に関する。
晶配向膜の形成方法に関する。
（従来の技術） 従来、この種の液晶配向膜の形成方法として、例えば
ポリイミド等の電気絶縁性の耐熱性合成樹脂被膜の表面
をラビング処理する方法が知られているが、ラビング処
理時に該合成樹脂被膜が剥れたり、また該合成樹脂被膜
の表面や、これを擦する布にダスト等が付着している場
合には、該被膜表面に傷が付いたりし、更にまた大面積
の合成樹脂被膜を一様にラビング処理することが困難で
あるために大面積の液晶配向膜を形成できないという不
都合を有する。
ポリイミド等の電気絶縁性の耐熱性合成樹脂被膜の表面
をラビング処理する方法が知られているが、ラビング処
理時に該合成樹脂被膜が剥れたり、また該合成樹脂被膜
の表面や、これを擦する布にダスト等が付着している場
合には、該被膜表面に傷が付いたりし、更にまた大面積
の合成樹脂被膜を一様にラビング処理することが困難で
あるために大面積の液晶配向膜を形成できないという不
都合を有する。
（発明が解決しようとする問題点） 前記の不都合を解消するために、本出願人による特願
昭60−107016号において、電気絶縁性の耐熱性合成樹脂
被膜の表面に誘電体の島状不連続被膜を斜め入射スパツ
タリングによつて形成する液晶配向膜の形成方法が提案
されているが、この方法において、より優れた液晶配向
性を備えた液晶配向膜が製造できることが望まれる。
昭60−107016号において、電気絶縁性の耐熱性合成樹脂
被膜の表面に誘電体の島状不連続被膜を斜め入射スパツ
タリングによつて形成する液晶配向膜の形成方法が提案
されているが、この方法において、より優れた液晶配向
性を備えた液晶配向膜が製造できることが望まれる。
（問題点を解決するための手段） 本発明者らは、前記提案の液晶配向膜の製造方法を検
討の結果、得られる液晶の配向性は、誘電体の島状不連
続被膜の形状自体による配向規制もさることながら、誘
電体の分極による影響が非常に大きく、誘電体の分極率
の増加に従つて液晶配向性が向上するという知見を得
た。本発明はかかる知見に基づきなされたもので、その
発明は、電気絶縁性の耐熱性合成樹脂被膜の表面に誘電
体の島状不連続被膜を斜め入射スパツタリングによつて
形成する液晶配向膜の形成方法において、該誘電体とし
て強誘電体を用いることを特徴とする。
討の結果、得られる液晶の配向性は、誘電体の島状不連
続被膜の形状自体による配向規制もさることながら、誘
電体の分極による影響が非常に大きく、誘電体の分極率
の増加に従つて液晶配向性が向上するという知見を得
た。本発明はかかる知見に基づきなされたもので、その
発明は、電気絶縁性の耐熱性合成樹脂被膜の表面に誘電
体の島状不連続被膜を斜め入射スパツタリングによつて
形成する液晶配向膜の形成方法において、該誘電体とし
て強誘電体を用いることを特徴とする。
強誘電体の島状不連続被膜を形成する電気絶縁性の耐
熱性合成樹脂としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリ
尿素等が挙げられるが、ポリイミドが極めて優れた高電
気絶縁性、耐熱性並びに電気化学的安定性を有するので
好ましい。
熱性合成樹脂としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリ
尿素等が挙げられるが、ポリイミドが極めて優れた高電
気絶縁性、耐熱性並びに電気化学的安定性を有するので
好ましい。
島状不連続被膜に形成する強誘電体としては、チタン
酸バリウム、チタン酸鉛、ニオブ酸リチウム、ジルコン
酸チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛、ランタ
ン酸チタン酸鉛等に代表される強誘電体が用いられる。
酸バリウム、チタン酸鉛、ニオブ酸リチウム、ジルコン
酸チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛、ランタ
ン酸チタン酸鉛等に代表される強誘電体が用いられる。
該島状不連続被膜は前記強誘電体をターゲツトとして
これを直接に斜め入射スパツタリングすることによつて
形成しても、該強誘電体を構成する金属をターゲツトと
して酸素または水、或いはこれらを含む混合ガス雰囲気
下で斜め入射反応性スパツタリングすることによつて形
成してもよい。
これを直接に斜め入射スパツタリングすることによつて
形成しても、該強誘電体を構成する金属をターゲツトと
して酸素または水、或いはこれらを含む混合ガス雰囲気
下で斜め入射反応性スパツタリングすることによつて形
成してもよい。
該島状不連続被膜は、例えばポリイミド等の電気絶縁
性の耐熱性合成樹脂被膜上に直接スパツタリングして形
成しても、また例えばポリイミドの前駆体であるポリア
ミツク酸等の電気絶縁性の耐熱性合成樹脂の前駆体被膜
上にスパツタリングして形成してから該合成樹脂の重合
を完結せしめることによつて、得られた該合成樹脂被膜
上に形成されているようにしてもよい。
性の耐熱性合成樹脂被膜上に直接スパツタリングして形
成しても、また例えばポリイミドの前駆体であるポリア
ミツク酸等の電気絶縁性の耐熱性合成樹脂の前駆体被膜
上にスパツタリングして形成してから該合成樹脂の重合
を完結せしめることによつて、得られた該合成樹脂被膜
上に形成されているようにしてもよい。
電気絶縁性の耐熱性合成樹脂或いはその前駆体の被膜
面は、スパツタされた粒子が該被膜面に対して略水平乃
至45゜の角度で斜め入射するように、ターゲツトに対し
て位置決めするのが好ましい。
面は、スパツタされた粒子が該被膜面に対して略水平乃
至45゜の角度で斜め入射するように、ターゲツトに対し
て位置決めするのが好ましい。
（実施例） 以下、添付図面に従つて本発明の実施例に付き説明す
る。
る。
図面は本発明方法を実施するための装置の１例を示す
もので、１は処理室を示し、該処理室１は外部の真空ポ
ンプその他の真空排気系２に接続されて内部の真空度を
調節自在としてあると共に該処理室１に連通されたガス
導入管３からアルゴン等の不活性ガスや、或いは反応性
スパツタリングの場合には酸素または水、或いはこれら
を含む混合ガス等の所望のガスを導入できるようにして
ある。また、該処理室１内には、電極４、４が平行に対
向配置され、その負極側の電極４にターゲツト材５が支
持されていると共に、これら電極４、４間には、電気絶
縁性の耐熱性合成樹脂或いはその前駆体の被膜６を電極
側表面に積層された電極基板７を支持する支持部材８が
設けられている。尚、図中９は電極４、４の電源、10は
ガス導入管３の流量調整弁を示す。
もので、１は処理室を示し、該処理室１は外部の真空ポ
ンプその他の真空排気系２に接続されて内部の真空度を
調節自在としてあると共に該処理室１に連通されたガス
導入管３からアルゴン等の不活性ガスや、或いは反応性
スパツタリングの場合には酸素または水、或いはこれら
を含む混合ガス等の所望のガスを導入できるようにして
ある。また、該処理室１内には、電極４、４が平行に対
向配置され、その負極側の電極４にターゲツト材５が支
持されていると共に、これら電極４、４間には、電気絶
縁性の耐熱性合成樹脂或いはその前駆体の被膜６を電極
側表面に積層された電極基板７を支持する支持部材８が
設けられている。尚、図中９は電極４、４の電源、10は
ガス導入管３の流量調整弁を示す。
ここで、当該装置による液晶配向膜の製造例を実施例
１乃至４として示す。
１乃至４として示す。
実施例１ まず、刷毛塗り法、浸積法、スピンコート法、スプレ
ー法、真空蒸着法等の適宜の方法によつて電極側表面に
ポリイミドの前駆体である膜厚1000Åのポリアミツク酸
の被膜６を積層された、たて、よこ30cm×30cmの電極基
板７を、そのポリアミツク酸の被膜６表面が電極４、４
間に略水平に、即ち被膜６表面にターゲツト材５からス
パツタされた粒子が略水平に入射するように支持部材８
で支持した。
ー法、真空蒸着法等の適宜の方法によつて電極側表面に
ポリイミドの前駆体である膜厚1000Åのポリアミツク酸
の被膜６を積層された、たて、よこ30cm×30cmの電極基
板７を、そのポリアミツク酸の被膜６表面が電極４、４
間に略水平に、即ち被膜６表面にターゲツト材５からス
パツタされた粒子が略水平に入射するように支持部材８
で支持した。
次にターゲツト材５として、Ba及びTiを負極側の電極
４に支持してから、処理室１内を真空排気系２を介して
１×10-3〜１×10-5Torr程度に設定した後、該処理室１
内が0.01Torrとなるようにガス導入管３を介して容量比
で1:1のArとO2の混合ガスを導入した。
４に支持してから、処理室１内を真空排気系２を介して
１×10-3〜１×10-5Torr程度に設定した後、該処理室１
内が0.01Torrとなるようにガス導入管３を介して容量比
で1:1のArとO2の混合ガスを導入した。
その後、電極４、４間に−2KVの直流電圧を印加し
て、スパツタされたBa及びTiとO2とが反応して得られた
BaTiO3をポリアミツク酸の被膜６表面に60秒間入射させ
てその表面にBaTiO3の島状不連続被膜を形成した。即
ち、ポリアミツク酸の被膜６をBaTiO3の島状被膜間に露
出させるようにした。
て、スパツタされたBa及びTiとO2とが反応して得られた
BaTiO3をポリアミツク酸の被膜６表面に60秒間入射させ
てその表面にBaTiO3の島状不連続被膜を形成した。即
ち、ポリアミツク酸の被膜６をBaTiO3の島状被膜間に露
出させるようにした。
最後に電極基板７を処理室１から取り出して図示しな
い加熱室に収容し、該基板７上に積層されたポリアミツ
ク酸を200〜400℃に加熱してポリイミドに重合した。
い加熱室に収容し、該基板７上に積層されたポリアミツ
ク酸を200〜400℃に加熱してポリイミドに重合した。
かくして、剥離や傷の全くない非常に均一な配向性を
示す大面積の液晶配向膜が得られた。
示す大面積の液晶配向膜が得られた。
実施例２ ポリアミツク酸の被膜６に代えて膜厚1000Åのポリイ
ミドの被膜６を積層された電極基板７を用い、従つて最
後の加熱重合処理を行なわないこと以外は前記実施例１
と同様の処理を行なつて液晶配向膜を得た。
ミドの被膜６を積層された電極基板７を用い、従つて最
後の加熱重合処理を行なわないこと以外は前記実施例１
と同様の処理を行なつて液晶配向膜を得た。
やはり、前記実施例１と同様に、剥離や傷の全くない
非常に均一な配向性を示す大面積の液晶配向膜が得られ
た。
非常に均一な配向性を示す大面積の液晶配向膜が得られ
た。
実施例３ 実施例１と同様の膜厚1000Åのポリアミツク酸の被膜
６を積層された電極基板７を実施例１と同様にして支持
部材８で支持した。
６を積層された電極基板７を実施例１と同様にして支持
部材８で支持した。
次にターゲツト材５としてBaTiO3を負極側の電極４に
支持してから、処理室１内を真空排気系を介して１×10
-3〜１×10-5Torr程度に設定した後、該処理室１内が0.
01Torrとなるようにガス導入管３を介して容量比で1:1
のArとO2の混合ガスを導入した。
支持してから、処理室１内を真空排気系を介して１×10
-3〜１×10-5Torr程度に設定した後、該処理室１内が0.
01Torrとなるようにガス導入管３を介して容量比で1:1
のArとO2の混合ガスを導入した。
その後、電極４、４間に1W/cm2の高周波電圧を印加し
て、スパツタされたBaTiO3をポリアミツク酸の被膜６表
面に120秒間入射させてその表面にBaTiO3の島状不連続
被膜を形成した。
て、スパツタされたBaTiO3をポリアミツク酸の被膜６表
面に120秒間入射させてその表面にBaTiO3の島状不連続
被膜を形成した。
最後に実施例１と同様にしてポリアミツク酸をポリイ
ミドに重合した。
ミドに重合した。
かくして、剥離や傷の全くない非常に均一な配向性を
示す大面積の液晶配向膜が得られた。
示す大面積の液晶配向膜が得られた。
実施例４ ポリアミツク酸の被膜６に代えて膜厚1000Åのポリイ
ミドの被膜６を積層された電極基板７を用い、従つて最
後の加熱重合処理を行なわないこと以外は前記実施例３
と同様の処理を行なつて液晶配向膜を得た。
ミドの被膜６を積層された電極基板７を用い、従つて最
後の加熱重合処理を行なわないこと以外は前記実施例３
と同様の処理を行なつて液晶配向膜を得た。
やはり、前記実施例３と同様に、剥離や傷の全くない
非常に均一な配向性を示す大面積の液晶配向膜が得られ
た。
非常に均一な配向性を示す大面積の液晶配向膜が得られ
た。
前記の各実施例によつて得られた液晶配向膜を用いて
TNモードの液晶表示素子を作製したところ、電気絶縁性
の耐熱性合成樹脂被膜の表面にZrO2、TiO2等の普通の誘
電体の島状不連続被膜を斜め入射スパツタリングによつ
て形成した液晶配向膜を用いて作製したTNモードの液晶
表示素子と比して、数分の１程度のオーダの濃度のカイ
ラル材（コレステリツク液晶）の混入でシングルドメイ
ンが形成され同程度の鮮明度のものが得られた。
TNモードの液晶表示素子を作製したところ、電気絶縁性
の耐熱性合成樹脂被膜の表面にZrO2、TiO2等の普通の誘
電体の島状不連続被膜を斜め入射スパツタリングによつ
て形成した液晶配向膜を用いて作製したTNモードの液晶
表示素子と比して、数分の１程度のオーダの濃度のカイ
ラル材（コレステリツク液晶）の混入でシングルドメイ
ンが形成され同程度の鮮明度のものが得られた。
かくして、液晶を一方向にねじれるようにするために
加えるカイラル材の混入量が少なくて済む実施例による
液晶配向膜の方が配向規制力に優れることが確認され
た。
加えるカイラル材の混入量が少なくて済む実施例による
液晶配向膜の方が配向規制力に優れることが確認され
た。
尚、強誘電体として前記チタン酸バリウムに代えて、
チタン酸鉛、ニオブ酸リチウム、ジルコン酸チタン酸鉛
ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛、ランタン酸チタン酸
鉛を用いて前記実施例と同様にして液晶配向膜を形成
し、これを用いてTNモードの液晶表示素子を作製したと
ころ、やはり各液晶配向膜の配向規制力が普通の誘電体
を用いる場合よりも優れていることが確認された。
チタン酸鉛、ニオブ酸リチウム、ジルコン酸チタン酸鉛
ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛、ランタン酸チタン酸
鉛を用いて前記実施例と同様にして液晶配向膜を形成
し、これを用いてTNモードの液晶表示素子を作製したと
ころ、やはり各液晶配向膜の配向規制力が普通の誘電体
を用いる場合よりも優れていることが確認された。
（発明の効果） このように、本発明の液晶配向膜の形成方法によれ
ば、電気絶縁性の耐熱性合成樹脂被膜の表面に誘電体の
島状不連続被膜を斜め入射スパツタリングによつて形成
する液晶配向膜の形成方法において、該誘電体として強
誘電体を用いるようにしたので、剥離や傷の全くない非
常に均一な配向性を示し、しかも配向規制力に優れた大
面積の液晶配向膜を簡単に形成することができる効果を
有する。
ば、電気絶縁性の耐熱性合成樹脂被膜の表面に誘電体の
島状不連続被膜を斜め入射スパツタリングによつて形成
する液晶配向膜の形成方法において、該誘電体として強
誘電体を用いるようにしたので、剥離や傷の全くない非
常に均一な配向性を示し、しかも配向規制力に優れた大
面積の液晶配向膜を簡単に形成することができる効果を
有する。
図面は本発明液晶配向膜の形成方法を実施するための装
置の一例の一部を截除した正面図である。 １……処理室、２……真空排気系、３……ガス導入管、
４……電極、５……ターゲツト材、６……電気絶縁性の
耐熱性合成樹脂或いはその前駆体の被膜、７……電極基
板、８……支持部材、９……電源、10……流量調整弁
置の一例の一部を截除した正面図である。 １……処理室、２……真空排気系、３……ガス導入管、
４……電極、５……ターゲツト材、６……電気絶縁性の
耐熱性合成樹脂或いはその前駆体の被膜、７……電極基
板、８……支持部材、９……電源、10……流量調整弁
Claims (1)
- 【請求項１】電気絶縁性の耐熱性合成樹脂被膜の表面に
誘電体の島状不連続被膜を斜め入射スパッタリングによ
って形成する液晶配向膜の形成方法であって、該誘電体
として強誘電体を用いることを特徴とする液晶配向膜の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61183378A JP2537349B2 (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 液晶配向膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61183378A JP2537349B2 (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 液晶配向膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340120A JPS6340120A (ja) | 1988-02-20 |
| JP2537349B2 true JP2537349B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=16134718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61183378A Expired - Fee Related JP2537349B2 (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 液晶配向膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2537349B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52150648A (en) * | 1976-06-09 | 1977-12-14 | Toshiba Corp | Production of liquid crystal element |
| JPS5312346A (en) * | 1976-07-20 | 1978-02-03 | Asahi Glass Co Ltd | Method of surface treating electrode plate for liquid crystal display unit |
| JPH0774873B2 (ja) * | 1984-07-03 | 1995-08-09 | 株式会社ニコン | 液晶表示装置 |
| JPH0731324B2 (ja) * | 1985-01-07 | 1995-04-10 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶電気光学装置 |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP61183378A patent/JP2537349B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6340120A (ja) | 1988-02-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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