JPS63301024A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPS63301024A JPS63301024A JP13606587A JP13606587A JPS63301024A JP S63301024 A JPS63301024 A JP S63301024A JP 13606587 A JP13606587 A JP 13606587A JP 13606587 A JP13606587 A JP 13606587A JP S63301024 A JPS63301024 A JP S63301024A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、表示素子、ライトバルブ、光シヤツター、光
メモリーなどの用途を有する強誘電性液晶ぐ用いた液晶
素子に関する。
メモリーなどの用途を有する強誘電性液晶ぐ用いた液晶
素子に関する。
強誘電性液晶を用いた液晶表示素子、液晶シャッター、
液晶ライトバルブ、光情報処理用スイッチング素子、光
メモリーなどの液晶素子では、液晶を一方向に優先的に
配向させる必要がある。この配向処理はこれらの液晶素
子の品質に大きな影響を与えることから多くの研究がな
されている。
液晶ライトバルブ、光情報処理用スイッチング素子、光
メモリーなどの液晶素子では、液晶を一方向に優先的に
配向させる必要がある。この配向処理はこれらの液晶素
子の品質に大きな影響を与えることから多くの研究がな
されている。
液晶の基板表面での配向状態には、基板面に平行に配向
するホモジニアス配向と、基板面に垂直に配向するホメ
オトロピック配向とに大きくわけられる。
するホモジニアス配向と、基板面に垂直に配向するホメ
オトロピック配向とに大きくわけられる。
実際の液晶は、このように配向された強誘電性液晶に電
界などを印加することにより、液晶の配向状態を変化さ
せ、複屈折、２色性等を利用して、光の０Ｎ−ＯＦＦを
行う。
界などを印加することにより、液晶の配向状態を変化さ
せ、複屈折、２色性等を利用して、光の０Ｎ−ＯＦＦを
行う。
従来の配向方法としては、無機物の斜方蒸着、シランカ
ップリング剤塗膜や有機高分子塗膜のラビングなどが知
られているが、いずれも満足のいくものではない。無機
物の斜方蒸着はバッチ処理のため時間がかかり、生産性
が悪い。また、シランカップリング剤の塗膜をラビング
する方法は、信頼性に乏しい。さらに、有機高分子塗膜
をラビングして配向膜とする方法では、耐熱性の悪いも
のが多く、耐熱性が良好で広く用いられているポリイミ
ドの場合では、均質なモノドメインを得ることは困難で
ある。
ップリング剤塗膜や有機高分子塗膜のラビングなどが知
られているが、いずれも満足のいくものではない。無機
物の斜方蒸着はバッチ処理のため時間がかかり、生産性
が悪い。また、シランカップリング剤の塗膜をラビング
する方法は、信頼性に乏しい。さらに、有機高分子塗膜
をラビングして配向膜とする方法では、耐熱性の悪いも
のが多く、耐熱性が良好で広く用いられているポリイミ
ドの場合では、均質なモノドメインを得ることは困難で
ある。
本発明は、特定の配向制御膜を用いることにより５強誘
電性液晶の配向性を改良し、高密度、大容量、高速応答
性を具備する液晶素子を提供することを目的とする。
電性液晶の配向性を改良し、高密度、大容量、高速応答
性を具備する液晶素子を提供することを目的とする。
本発明によれば、対向する基板間に強誘電性液晶が挾持
され、少なくとも一方の該基板面に強電性液晶を基板面
に対して略水平配向させるための配向膜を有する液晶素
子において、前記配向膜が強誘電体からなることを特徴
とする液晶素子が提供される。
され、少なくとも一方の該基板面に強電性液晶を基板面
に対して略水平配向させるための配向膜を有する液晶素
子において、前記配向膜が強誘電体からなることを特徴
とする液晶素子が提供される。
以下、添付図面に沿って本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の液晶素子の構成例を示す断面図であ
る。上基板１１と下基板２１とが対向して配設され、外
周部がシール剤３１でシールされ内部に強誘電性液晶３
３が封入されて液晶セル１０を構成している６液晶とし
て、強誘電性液晶に２色性色素を混入したものも用いる
ことができる。下基板２１の表面には透明電極２３が設
けられ、さらにその上に配向膜２５が形成されている。
る。上基板１１と下基板２１とが対向して配設され、外
周部がシール剤３１でシールされ内部に強誘電性液晶３
３が封入されて液晶セル１０を構成している６液晶とし
て、強誘電性液晶に２色性色素を混入したものも用いる
ことができる。下基板２１の表面には透明電極２３が設
けられ、さらにその上に配向膜２５が形成されている。
また、上基板１１の対向面には透明電極１３が設けられ
、さらにその上に配向膜１５が形成されている。
、さらにその上に配向膜１５が形成されている。
配向膜１５，２５は強誘電体からなり、その自発分極の
ために液晶分子は配向膜１５，２５に対して水平方向に
配向している。
ために液晶分子は配向膜１５，２５に対して水平方向に
配向している。
このようにして形成した液晶素子においては、その電極
１３．２３に高電圧を印加すると、自発分極の向きが電
場印加方向にそろい、液晶分子は配向膜１５，２５に対
し水平に配向する６配向膜１５，２５として、強誘電体
のみを用いた場合には、液晶分子を水平に配向させるだ
けであるが、これに従来公知のラビング処理やＳｉＯ□
等の斜方蒸着処理等のｌ軸配向処理を併用することによ
って、１軸配向させることができる。この場合、■＠配
向処理は、通常、配向膜１５，２５の両方に対して行う
が、場合によっては、その一方のみに行った方が良好な
結果を与える場合がある。
１３．２３に高電圧を印加すると、自発分極の向きが電
場印加方向にそろい、液晶分子は配向膜１５，２５に対
し水平に配向する６配向膜１５，２５として、強誘電体
のみを用いた場合には、液晶分子を水平に配向させるだ
けであるが、これに従来公知のラビング処理やＳｉＯ□
等の斜方蒸着処理等のｌ軸配向処理を併用することによ
って、１軸配向させることができる。この場合、■＠配
向処理は、通常、配向膜１５，２５の両方に対して行う
が、場合によっては、その一方のみに行った方が良好な
結果を与える場合がある。
本発明で配向膜素材として用いる強誘電体の具体例とし
ては１例えば、ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデ
ンと三フッ化エチレンとの共重合体等の含フツ素高分子
等の有機系の他、ＰｂＴｉ０．、ＬｉＴａ０．、Ｐｂ、
Ｇｅｍ１．、 ＢａＴｉ０．、ＬｉＮｂＯ３、ＰｂＺｒ
ｘＴｉ、−ｚｏｚ （Ｚ ：０．２〜０．６）等の無機
系のものが挙げられる。有機系のものは溶液として基板
に塗布乾燥することにより、無機系のものはスパッタリ
ング法、蒸着法等により配向膜とすることができる。
ては１例えば、ポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデ
ンと三フッ化エチレンとの共重合体等の含フツ素高分子
等の有機系の他、ＰｂＴｉ０．、ＬｉＴａ０．、Ｐｂ、
Ｇｅｍ１．、 ＢａＴｉ０．、ＬｉＮｂＯ３、ＰｂＺｒ
ｘＴｉ、−ｚｏｚ （Ｚ ：０．２〜０．６）等の無機
系のものが挙げられる。有機系のものは溶液として基板
に塗布乾燥することにより、無機系のものはスパッタリ
ング法、蒸着法等により配向膜とすることができる。
また、強誘電性液晶としては、従来公知のもの、例えば
、アゾキシ系や、エステル系のもの等が用いられる。
、アゾキシ系や、エステル系のもの等が用いられる。
本発明の液晶素子は、前記の如き構成であり。
配向膜として強、誘電体を用い、液晶の配向性を改善し
たことから、高密度、大容量、高速応答性を具備するも
のである。
たことから、高密度、大容量、高速応答性を具備するも
のである。
次に本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例１
透明電極付きのガラス基板に、ビニリデンフルオライド
とトリフルオロエチレンとの共重合体のジメチルホルム
アミド溶液をスピンコードし、約４０００人の薄膜を形
成させる。これを１５０℃で熱処理し、更にラビングし
た基板とラビングしない基板それぞれ一枚ずつを用いて
、セル厚が２μｍのセルを作製した。電極に高電圧を印
加し、分極処理をした後、チッソ社製、液晶Ｃ３−Ｌｏ
ｌｌ（強誘電性液晶）を封入したところ、良好な液晶の
水平配向が得られた。
とトリフルオロエチレンとの共重合体のジメチルホルム
アミド溶液をスピンコードし、約４０００人の薄膜を形
成させる。これを１５０℃で熱処理し、更にラビングし
た基板とラビングしない基板それぞれ一枚ずつを用いて
、セル厚が２μｍのセルを作製した。電極に高電圧を印
加し、分極処理をした後、チッソ社製、液晶Ｃ３−Ｌｏ
ｌｌ（強誘電性液晶）を封入したところ、良好な液晶の
水平配向が得られた。
実施例２
スパッタリングにより形成させたＰｂＺｒｘ４ｉ、−ｘ
ｏｖ （ｘ ：０．５２）の薄膜を配向膜として用い、
実施例１と同様の液晶セルを作ったところ、良好な液晶
の水平配向が得られた。
ｏｖ （ｘ ：０．５２）の薄膜を配向膜として用い、
実施例１と同様の液晶セルを作ったところ、良好な液晶
の水平配向が得られた。
第１図は、強誘電性液晶を用いた本発明の液晶素子の構
成例を示す断面図である。 １１・・・上基板 １３．２３・・・透明電極１
５．２５・・・配向膜 ２１・・・下基板。
成例を示す断面図である。 １１・・・上基板 １３．２３・・・透明電極１
５．２５・・・配向膜 ２１・・・下基板。
Claims (1)
- （１）対向する基板間に強誘電性液晶が挾持され、少な
くとも一方の該基板面に、強誘電性液晶分子を基板面に
対して略水平配向させるための配向膜を有する液晶素子
において、前記配向膜が強誘電体からなることを特徴と
する液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13606587A JPS63301024A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13606587A JPS63301024A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63301024A true JPS63301024A (ja) | 1988-12-08 |
Family
ID=15166389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13606587A Pending JPS63301024A (ja) | 1987-05-30 | 1987-05-30 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63301024A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117129A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 液晶表示装置 |
| JPS61159627A (ja) * | 1985-01-07 | 1986-07-19 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
| JPS62124525A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
| JPS62175710A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
-
1987
- 1987-05-30 JP JP13606587A patent/JPS63301024A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6117129A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-25 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 液晶表示装置 |
| JPS61159627A (ja) * | 1985-01-07 | 1986-07-19 | Seiko Epson Corp | 液晶電気光学装置 |
| JPS62124525A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
| JPS62175710A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
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