JPS62244017A - 強誘電性液晶素子の配向方法 - Google Patents
強誘電性液晶素子の配向方法Info
- Publication number
- JPS62244017A JPS62244017A JP8874386A JP8874386A JPS62244017A JP S62244017 A JPS62244017 A JP S62244017A JP 8874386 A JP8874386 A JP 8874386A JP 8874386 A JP8874386 A JP 8874386A JP S62244017 A JPS62244017 A JP S62244017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal layer
- layer
- insulating layer
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 5
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は強誘電性液晶を用いた光学ｆ１４素子に関する
。
。
「従来の技術」
強誘電性液晶上用い友液晶素子の配向には従来ポリイミ
ド、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレン、テフロンなど有機高分
子材料が用いられて来た。また、ＴＮ型液晶素子に対し
ては斜め蒸着法によるＳ１０．配向膜の実施例があるが
、電極間の短絡を防止する為電極を被うようにつけられ
九無機誘電体薄膜を直接ラビングし配向させることは、
ブレティルトの方向が一定になりにくい為信頼性の高い
液晶素子會得る事が出来ず、いずれかの表面に前記有機
高分子材料の薄膜を塗布しその上？ラビング処理する方
法が取られて来た。
ド、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリエチレン
テレフタレート、ポリエチレン、テフロンなど有機高分
子材料が用いられて来た。また、ＴＮ型液晶素子に対し
ては斜め蒸着法によるＳ１０．配向膜の実施例があるが
、電極間の短絡を防止する為電極を被うようにつけられ
九無機誘電体薄膜を直接ラビングし配向させることは、
ブレティルトの方向が一定になりにくい為信頼性の高い
液晶素子會得る事が出来ず、いずれかの表面に前記有機
高分子材料の薄膜を塗布しその上？ラビング処理する方
法が取られて来た。
「発明が解決しようとする問題」
強誘電性液晶素子においては、従来の有機高分子材料の
配向ｌａ七用い友場合、高分子膜と液晶層界面で分極が
発生しその分極が高分子膜表面に蓄積される為、長時間
安定な特性全得る事が出来ない。さらに、前記高分子膜
は無機誘電体膜と比較してぬれ性が小さく、ブレティル
ト角の小さな配向が得られない為マルチプレックス駆動
した場合の非選択期間つまりメモリー状態での開き角が
狭くなり、コントラスト比が充分確保出来ない。また、
ぬれ性の分散成分が大きくメモリー状態での開き角が広
がる事が期待出来るが、グレインサイズが４００Ａ以上
と荒れた表面においては該誘電体膜を直接ラビング処理
しても、ラビング軸方向に分子長軸方向がそろわず均一
な配向が得られず、実用には適さないと考えられていた
。
配向ｌａ七用い友場合、高分子膜と液晶層界面で分極が
発生しその分極が高分子膜表面に蓄積される為、長時間
安定な特性全得る事が出来ない。さらに、前記高分子膜
は無機誘電体膜と比較してぬれ性が小さく、ブレティル
ト角の小さな配向が得られない為マルチプレックス駆動
した場合の非選択期間つまりメモリー状態での開き角が
狭くなり、コントラスト比が充分確保出来ない。また、
ぬれ性の分散成分が大きくメモリー状態での開き角が広
がる事が期待出来るが、グレインサイズが４００Ａ以上
と荒れた表面においては該誘電体膜を直接ラビング処理
しても、ラビング軸方向に分子長軸方向がそろわず均一
な配向が得られず、実用には適さないと考えられていた
。
「問題全解決する為の手段」
本発明は無機誘電体薄膜の絶縁層における平滑度金４０
０Ａ以下と上げる事により、無機誘電体膜上全直接ラビ
ングしても安定な配向１得、それと同時に液晶と配向層
とのぬれ性會改善する事によりメモリー状態での開き角
を広げ、さらには高分子配向膜における表面付近での分
極の蓄積効果？なくする事により経時変化のない良好な
特性金持つ＠誘電性液晶素子？提供する手金特徴とする
。
０Ａ以下と上げる事により、無機誘電体膜上全直接ラビ
ングしても安定な配向１得、それと同時に液晶と配向層
とのぬれ性會改善する事によりメモリー状態での開き角
を広げ、さらには高分子配向膜における表面付近での分
極の蓄積効果？なくする事により経時変化のない良好な
特性金持つ＠誘電性液晶素子？提供する手金特徴とする
。
第１図は本発明における液晶素子の構造を示すものであ
り、１は透明基板（ガラス＆）、２は電極（工ＴＯ）、
３は無機誘電体薄膜、４は強誘電性液晶１１１％ ｓ
ｕｍ晶を囲むシール（エポキシ）を示している。ラビン
グ処理ｉｌ″ｌｔ３の無機誘電体薄嗅表面の両刃かある
いはどちらか片側のみ処理したものが用いられるが本実
施例では片側のみ処理勿施した。父、本実施列では６の
無機誘電体薄膜の材料として、８１０１ 、 Ａｔ２０
Ｂ 、 ＢａＴｉＯ３、Ｔｉｅ、 、 ＰＬＺＴ。
り、１は透明基板（ガラス＆）、２は電極（工ＴＯ）、
３は無機誘電体薄膜、４は強誘電性液晶１１１％ ｓ
ｕｍ晶を囲むシール（エポキシ）を示している。ラビン
グ処理ｉｌ″ｌｔ３の無機誘電体薄嗅表面の両刃かある
いはどちらか片側のみ処理したものが用いられるが本実
施例では片側のみ処理勿施した。父、本実施列では６の
無機誘電体薄膜の材料として、８１０１ 、 Ａｔ２０
Ｂ 、 ＢａＴｉＯ３、Ｔｉｅ、 、 ＰＬＺＴ。
ＰＺＴ＊ Ｚｎ Ｏ＊ Ｓ ｉ Ｃ，Ｓ ｒ Ｔ ｉ
ＯＨの９糧類について検討し、Ｓ１０．のグレインサイ
ズが４０ＯＡ以上のもの及びポリイミドの薄膜を配向層
としたものとの配向及び特性の差を示し念。
ＯＨの９糧類について検討し、Ｓ１０．のグレインサイ
ズが４０ＯＡ以上のもの及びポリイミドの薄膜を配向層
としたものとの配向及び特性の差を示し念。
無機誘電体薄膜は、スパッター及びＭ液塗布により表−
１の条件で付着した。
１の条件で付着した。
表−１
（注−１） ｘｙ−ｙｔＳ高周波マグネトロンスパッ
ターＤＣ！−ＭＥ＋ 直流マグネトロンスパッター溶
液 溶液塗布後高温 ５００℃で焼成 前記誘電体薄膜上付着した電極付き透明基板七間隙約２
μｍに保ってシーリングしたパネルに、下記の特性會持
つ強誘電性液晶材料を封入し、その配向特性及び電気光
学特性の評価を行なった。
ターＤＣ！−ＭＥ＋ 直流マグネトロンスパッター溶
液 溶液塗布後高温 ５００℃で焼成 前記誘電体薄膜上付着した電極付き透明基板七間隙約２
μｍに保ってシーリングしたパネルに、下記の特性會持
つ強誘電性液晶材料を封入し、その配向特性及び電気光
学特性の評価を行なった。
（転移温度）
（自発分極） １１．４ｎＣ／ｃｊ （５０℃）
（ピッチ） 五９μｍ （５０℃）（−開き角
２θ） ３８０ （５０℃）評価結果を表
−２に示す。
（ピッチ） 五９μｍ （５０℃）（−開き角
２θ） ３８０ （５０℃）評価結果を表
−２に示す。
表−２
〔発明の効果〕
表−２の結果に見られるように、表面が平滑な無機誘電
体薄膜の絶縁層全直接ラビングして配向する事によシ安
定で良好な特性が得られ、かつ有機高分子嗅の塗布？省
略する事が出来工程短縮が可能となった。
体薄膜の絶縁層全直接ラビングして配向する事によシ安
定で良好な特性が得られ、かつ有機高分子嗅の塗布？省
略する事が出来工程短縮が可能となった。
第１肉は本発明に用いた強誘電性液晶素子の構成全断面
図によシ示したものである。 以上 第１ し
図によシ示したものである。 以上 第１ し
Claims (1)
- 液晶層と該液晶層を挾持するように配置された複数の透
明基板と液晶層に電圧印加が可能となるように前記透明
基板に付設した電極と該電極間での短絡を防止する為該
電極をおおうように設けられた無機誘電体薄膜による絶
縁層を具備してなる液晶素子において、前記液晶層が強
誘電性を有し、かつ前記薄膜絶縁層がグレインサイズで
４００Å以下であり、該絶縁層をラビング処理すること
により前記液晶層を配向制御することを特徴とする強誘
電性液晶素子の配向方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8874386A JPS62244017A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 強誘電性液晶素子の配向方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8874386A JPS62244017A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 強誘電性液晶素子の配向方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62244017A true JPS62244017A (ja) | 1987-10-24 |
Family
ID=13951394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8874386A Pending JPS62244017A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 強誘電性液晶素子の配向方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62244017A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03160415A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-10 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶素子 |
| JP2002055348A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液晶デバイス、液晶デバイスの製造装置、液晶デバイスの製造方法および配向膜形成方法 |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP8874386A patent/JPS62244017A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03160415A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-10 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶素子 |
| JP2002055348A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液晶デバイス、液晶デバイスの製造装置、液晶デバイスの製造方法および配向膜形成方法 |
| JP4485027B2 (ja) * | 2000-07-28 | 2010-06-16 | エーユー オプトロニクス コーポレイション | 液晶デバイス、液晶デバイスの製造装置、液晶デバイスの製造方法および配向膜形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0654368B2 (ja) | 液晶セル | |
| JPH03177819A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS62244017A (ja) | 強誘電性液晶素子の配向方法 | |
| JPH08220518A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPS61159627A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPS63191129A (ja) | カイラルスメクチック液晶素子 | |
| JP3013260B2 (ja) | 液晶装置 | |
| JPS62161123A (ja) | 液晶素子及びその製法 | |
| KR100958254B1 (ko) | 면내 스위칭 모드의 액정표시장치와 그 제조방법 | |
| JP2548592B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPS62299815A (ja) | 強誘電性液晶表示素子の製造方法 | |
| JP3080123B2 (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
| US4980041A (en) | Method of making liquid crystal devices with improved adherence | |
| JP2785144B2 (ja) | カイラルスメクチック液晶素子 | |
| JPH0553115A (ja) | 強誘電液晶表示素子 | |
| JP2815415B2 (ja) | 強誘電性液晶パネルの製造方法 | |
| JP3131814B2 (ja) | 液晶パネルの製造法 | |
| JPS63311231A (ja) | 液晶素子 | |
| JPS61186932A (ja) | 液晶素子 | |
| KR0161377B1 (ko) | 강유전성 액정표시소자 | |
| JP2775494B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPS61203426A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06118418A (ja) | 光学変調素子 | |
| JPS63214718A (ja) | 強誘電液晶表示素子 | |
| JPH11183912A (ja) | 液晶素子 |