JP2002055348A - 液晶デバイス、液晶デバイスの製造装置、液晶デバイスの製造方法および配向膜形成方法 - Google Patents
液晶デバイス、液晶デバイスの製造装置、液晶デバイスの製造方法および配向膜形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜と同時に液晶を配向させることが可能な
炭素膜を用いる液晶デバイス、液晶デバイスを製造する
ための装置、液晶デバイスの製造方法および配向膜形成
方法を提供する。 【解決手段】 互いに対向し電極を含む基板１ａ，１ｂ
と、該対向電極の間に形成された光学的セルと、光学的
セルに充填された液晶材料２と、基板１ａ，１ｂの液晶
材料２に接する側に、液晶材料２を配向させるように付
着された炭素膜５ａ，５ｂとを含む。
炭素膜を用いる液晶デバイス、液晶デバイスを製造する
ための装置、液晶デバイスの製造方法および配向膜形成
方法を提供する。 【解決手段】 互いに対向し電極を含む基板１ａ，１ｂ
と、該対向電極の間に形成された光学的セルと、光学的
セルに充填された液晶材料２と、基板１ａ，１ｂの液晶
材料２に接する側に、液晶材料２を配向させるように付
着された炭素膜５ａ，５ｂとを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶デバイスに関
し、より詳細には炭素膜を液晶の配向膜として用いる液
晶デバイス、液晶デバイスの製造装置、液晶デバイスの
製造方法および配向膜形成方法に関する。
し、より詳細には炭素膜を液晶の配向膜として用いる液
晶デバイス、液晶デバイスの製造装置、液晶デバイスの
製造方法および配向膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶デバイスは、近年においては広く用
いられており、その適用範囲はますます広がりを見せて
いる。液晶デバイスは、概ねガラスといった透明な基板
にＩＴＯといった透明電極材料により電極を形成し、こ
の電極を形成した基板の間に液晶材料を充填し、シール
材により液晶材料を封止した構成とされている。基板上
に形成される電極の液晶材料に向いた側には、通常では
ポリイミド膜や、炭素膜といった材料から配向膜が形成
されていて、液晶を基板付近において配向させ必要な光
学的特性を付与するようにされている。
いられており、その適用範囲はますます広がりを見せて
いる。液晶デバイスは、概ねガラスといった透明な基板
にＩＴＯといった透明電極材料により電極を形成し、こ
の電極を形成した基板の間に液晶材料を充填し、シール
材により液晶材料を封止した構成とされている。基板上
に形成される電極の液晶材料に向いた側には、通常では
ポリイミド膜や、炭素膜といった材料から配向膜が形成
されていて、液晶を基板付近において配向させ必要な光
学的特性を付与するようにされている。
【０００３】このような配向膜を製造する場合について
説明すると、ポリイミドといった有機膜を用いる場合に
は、ポリアミック酸といったポリイミド前駆体を透明電
極上に塗布し、ポリアミック酸を仮焼成し、さらに本焼
成を行いポリイミド膜を形成する。このようにして形成
されたポリイミド膜は、まだ液晶を配向させるには充分
ではないので、ラビングを行って液晶を配向させるため
の処理が必要とされる。
説明すると、ポリイミドといった有機膜を用いる場合に
は、ポリアミック酸といったポリイミド前駆体を透明電
極上に塗布し、ポリアミック酸を仮焼成し、さらに本焼
成を行いポリイミド膜を形成する。このようにして形成
されたポリイミド膜は、まだ液晶を配向させるには充分
ではないので、ラビングを行って液晶を配向させるため
の処理が必要とされる。
【０００４】一方、炭素膜といった無機材料から配向膜
を形成する場合には、炭素膜を蒸着、ＣＶＤ、スパッタ
リングといった方法により透明電極上に形成した後、充
分な配向性を付与するためには、イオンビーム（ＩＢ）
を照射して、配向処理を施すことが必要である。このよ
うにポリイミド膜といった有機膜や、炭素膜といった無
機質の膜を配向膜として利用しようとすると、いずれに
しても成膜工程と、配向処理工程といった２つの異なっ
た工程を必要とし、液晶を製造する際のコストおよび歩
留まりといった点で無駄が多い工程となっている。
を形成する場合には、炭素膜を蒸着、ＣＶＤ、スパッタ
リングといった方法により透明電極上に形成した後、充
分な配向性を付与するためには、イオンビーム（ＩＢ）
を照射して、配向処理を施すことが必要である。このよ
うにポリイミド膜といった有機膜や、炭素膜といった無
機質の膜を配向膜として利用しようとすると、いずれに
しても成膜工程と、配向処理工程といった２つの異なっ
た工程を必要とし、液晶を製造する際のコストおよび歩
留まりといった点で無駄が多い工程となっている。
【０００５】液晶ディスプレイにおいて用いられる配向
膜としては、上述した材料を用いるものの他、ポリイミ
ド、並びに種々の構造を含む炭素膜などが提案されてい
る。例えば、シリコン酸化物膜や、窒化膜などの透明材
料を基板に対して斜めから蒸着し、物理的に形成される
その形状を用いて液晶を配向させる試みもなされてい
る。しかしながら、このような斜め蒸着により形成され
た配向膜は、プレチルト角が高すぎたこと、アンカリン
グエネルギー（配向力）が弱いということもあり、実用
化には結びついてはいないのが現状である。
膜としては、上述した材料を用いるものの他、ポリイミ
ド、並びに種々の構造を含む炭素膜などが提案されてい
る。例えば、シリコン酸化物膜や、窒化膜などの透明材
料を基板に対して斜めから蒸着し、物理的に形成される
その形状を用いて液晶を配向させる試みもなされてい
る。しかしながら、このような斜め蒸着により形成され
た配向膜は、プレチルト角が高すぎたこと、アンカリン
グエネルギー（配向力）が弱いということもあり、実用
化には結びついてはいないのが現状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点に鑑みてなされたものであり、本発明は、上述した
ように２段階の工程を経て製造することなく、成膜と同
時に液晶を配向させることが可能な構造を含む炭素膜を
用いる液晶デバイス、該液晶デバイスを製造するための
装置、液晶デバイスの製造方法、および配向膜形成方法
を提供することにある。
題点に鑑みてなされたものであり、本発明は、上述した
ように２段階の工程を経て製造することなく、成膜と同
時に液晶を配向させることが可能な構造を含む炭素膜を
用いる液晶デバイス、該液晶デバイスを製造するための
装置、液晶デバイスの製造方法、および配向膜形成方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するべく鋭意検討を加えた結果、液晶デバイスに
用いられる配向膜として、不活性ガス雰囲気下における
ＤＣマグネトロン・スパッタリングにより形成される炭
素膜を用いることにより、炭素膜に対し、特に配向処理
を別途施すことなく成膜を終了した段階で充分に液晶材
料を配向させることができる配向特性を付与することが
可能であることを見出し、本発明に至ったものである。
を解決するべく鋭意検討を加えた結果、液晶デバイスに
用いられる配向膜として、不活性ガス雰囲気下における
ＤＣマグネトロン・スパッタリングにより形成される炭
素膜を用いることにより、炭素膜に対し、特に配向処理
を別途施すことなく成膜を終了した段階で充分に液晶材
料を配向させることができる配向特性を付与することが
可能であることを見出し、本発明に至ったものである。
【０００８】上述した特性を有する炭素膜が形成される
理由は、種々考えられるが本発明により形成される炭素
膜は、成膜時にマグネットのＮＳ方向に異方性を有した
まま付着されるものと推定される。このＮＳ方向への異
方性が液晶分子を拘束する効果を示すことにより、この
結果として液晶を配向させることになるものと推定して
いる。本発明の炭素膜は、ポリイミド膜やシリコン酸化
膜、または窒化膜などの配向膜に比較して液晶材料に対
するアンカリングエネルギーが特異的に高いことが界面
ネマチック−アイソトロピック点（ＮＩ点）における測
定により判明し、配向膜として特に優れていることが見
出された。
理由は、種々考えられるが本発明により形成される炭素
膜は、成膜時にマグネットのＮＳ方向に異方性を有した
まま付着されるものと推定される。このＮＳ方向への異
方性が液晶分子を拘束する効果を示すことにより、この
結果として液晶を配向させることになるものと推定して
いる。本発明の炭素膜は、ポリイミド膜やシリコン酸化
膜、または窒化膜などの配向膜に比較して液晶材料に対
するアンカリングエネルギーが特異的に高いことが界面
ネマチック−アイソトロピック点（ＮＩ点）における測
定により判明し、配向膜として特に優れていることが見
出された。
【０００９】すなわち、本発明によれば、互いに対向し
少なくとも一方が電極を含む基板と、該基板の間に形成
された光学的セルと、前記光学的セルに充填された液晶
材料と、前記基板の前記液晶材料に接する側に、前記液
晶材料を配向させるように付着された炭素膜とを含む液
晶デバイスが提供される。本発明においては、前記炭素
膜は、マグネットにより与えられる磁場を作用させ、不
活性ガス雰囲気中で形成される。また、本発明において
は、前記不活性ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ
またはこれらの混合物から選択される。さらに、本発明
においては、前記炭素膜は、２５０ｎｍ以下の厚さとさ
れる。
少なくとも一方が電極を含む基板と、該基板の間に形成
された光学的セルと、前記光学的セルに充填された液晶
材料と、前記基板の前記液晶材料に接する側に、前記液
晶材料を配向させるように付着された炭素膜とを含む液
晶デバイスが提供される。本発明においては、前記炭素
膜は、マグネットにより与えられる磁場を作用させ、不
活性ガス雰囲気中で形成される。また、本発明において
は、前記不活性ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ
またはこれらの混合物から選択される。さらに、本発明
においては、前記炭素膜は、２５０ｎｍ以下の厚さとさ
れる。
【００１０】また、本発明によれば、互いに対向し少な
くとも一方が電極を含む基板と、該対基板の間に形成さ
れた光学的セルと、前記光学的セルに保持された液晶材
料と、を含む液晶デバイスの製造装置であって、前記基
板を処理するための容器と、炭素供給源と、前記基板の
前記液晶材料に接する側に、液晶材料を配向する炭素膜
を成膜するためのマグネットを備えるＤＣマグネトロン
・スパッタリング手段とを含む、液晶デバイスの製造装
置が提供される。
くとも一方が電極を含む基板と、該対基板の間に形成さ
れた光学的セルと、前記光学的セルに保持された液晶材
料と、を含む液晶デバイスの製造装置であって、前記基
板を処理するための容器と、炭素供給源と、前記基板の
前記液晶材料に接する側に、液晶材料を配向する炭素膜
を成膜するためのマグネットを備えるＤＣマグネトロン
・スパッタリング手段とを含む、液晶デバイスの製造装
置が提供される。
【００１１】さらに、本発明によれば、少なくとも一方
が電極を含む基板を互いに対向して配置する工程と、該
基板の間に光学的セルを形成する工程と、前記光学的セ
ルに液晶材料を保持させる工程とを含み、前記基板の前
記液晶材料に接する側に、該液晶材料を配向させるよう
な炭素膜を形成する工程を含む、液晶デバイスの製造方
法が提供される。本発明では、前記炭素膜をマグネット
により与えられる磁場を作用させ、不活性ガス雰囲気中
で形成することができる。また、前記不活性ガスは、Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅまたはこれらの混合物から
選択される。さらに、本発明では、前記炭素膜を、２５
０ｎｍ以下の厚さに形成する。
が電極を含む基板を互いに対向して配置する工程と、該
基板の間に光学的セルを形成する工程と、前記光学的セ
ルに液晶材料を保持させる工程とを含み、前記基板の前
記液晶材料に接する側に、該液晶材料を配向させるよう
な炭素膜を形成する工程を含む、液晶デバイスの製造方
法が提供される。本発明では、前記炭素膜をマグネット
により与えられる磁場を作用させ、不活性ガス雰囲気中
で形成することができる。また、前記不活性ガスは、Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅまたはこれらの混合物から
選択される。さらに、本発明では、前記炭素膜を、２５
０ｎｍ以下の厚さに形成する。
【００１２】また、本発明によれば、基板を容器内に配
置する工程と、前記容器内に不活性ガスを導入し、マグ
ネットにより与えられる磁場を作用させながら、前記基
板上に炭素膜を付着する工程とを含み、前記付着された
炭素膜は、配向を有している。前記炭素膜は、２５０ｎ
ｍ以下の厚さとして形成される。本発明では、前記不活
性ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅまたはこれら
の混合物から選択することができる。
置する工程と、前記容器内に不活性ガスを導入し、マグ
ネットにより与えられる磁場を作用させながら、前記基
板上に炭素膜を付着する工程とを含み、前記付着された
炭素膜は、配向を有している。前記炭素膜は、２５０ｎ
ｍ以下の厚さとして形成される。本発明では、前記不活
性ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅまたはこれら
の混合物から選択することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に示した実施
の形態をもって説明するが、本発明は、これらの実施の
形態に限定されるものではない。図１には、本発明の液
晶デバイスを示す。図１に示された本発明の液晶デバイ
スは、対向して配置されたガラス基板１ａ，１ｂの間に
液晶材料２が充填されており、これらのガラス基板１
ａ，１ｂの間に充填された液晶材料２が漏れ出さないよ
うに、ガラス基板１ａ，１ｂの両端部には、シール材／
封止材（以下、シール材と記す。）３ａ，３ｂが配設さ
れていて光学的セルを形成している。ガラス基板１ａ，
１ｂとしては、ソーダ石灰ガラスといったアルカリガラ
ス、ホウケイ酸ガラス、アルミノ・ホウケイ酸ガラス、
石英ガラス、サファイアガラスなどを含む無アルカリガ
ラスなどを挙げることができるが、（１）透明であり、
（２）均質で、サイズ依存性が無く、（３）耐熱性を有
し、（４）化学的に安定であれば、いかなるものでも本
発明においては用いることができる。
の形態をもって説明するが、本発明は、これらの実施の
形態に限定されるものではない。図１には、本発明の液
晶デバイスを示す。図１に示された本発明の液晶デバイ
スは、対向して配置されたガラス基板１ａ，１ｂの間に
液晶材料２が充填されており、これらのガラス基板１
ａ，１ｂの間に充填された液晶材料２が漏れ出さないよ
うに、ガラス基板１ａ，１ｂの両端部には、シール材／
封止材（以下、シール材と記す。）３ａ，３ｂが配設さ
れていて光学的セルを形成している。ガラス基板１ａ，
１ｂとしては、ソーダ石灰ガラスといったアルカリガラ
ス、ホウケイ酸ガラス、アルミノ・ホウケイ酸ガラス、
石英ガラス、サファイアガラスなどを含む無アルカリガ
ラスなどを挙げることができるが、（１）透明であり、
（２）均質で、サイズ依存性が無く、（３）耐熱性を有
し、（４）化学的に安定であれば、いかなるものでも本
発明においては用いることができる。
【００１４】上述したシール材３ａ，３ｂとしては、こ
れまで知られたいかなる材料でも用いることができ、具
体的には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂、紫
外線硬化樹脂などを挙げることができるが、本発明にお
いてはこれ以外にも適切な特性を提供することができる
限り、いかなる樹脂材料でも用いることができる。
れまで知られたいかなる材料でも用いることができ、具
体的には例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂、紫
外線硬化樹脂などを挙げることができるが、本発明にお
いてはこれ以外にも適切な特性を提供することができる
限り、いかなる樹脂材料でも用いることができる。
【００１５】図１を参照してさらに本発明の液晶デバイ
スについて説明すると、ガラス基板１ａ，１ｂの液晶材
料２に向いた側には、透明電極４ａ，４ｂが形成されて
いて、液晶材料２に対して電界を引加することができる
構成とされている。この透明電極４ａ，４ｂは、種々の
材料から構成することができ、具体的には金属、ＩＴ
Ｏ、ＡＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３といった金
属酸化物を挙げることができるが、透明性、着色性とい
った点から、ＩＴＯを用いることが好ましい。また、こ
れらの透明電極４ａ，４ｂは、適切に透明電極４ａ，４
ｂを形成できる限り、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、
例えばＤＣマグネトロン・スパッタリングといったいか
なる方法でも形成することができる。
スについて説明すると、ガラス基板１ａ，１ｂの液晶材
料２に向いた側には、透明電極４ａ，４ｂが形成されて
いて、液晶材料２に対して電界を引加することができる
構成とされている。この透明電極４ａ，４ｂは、種々の
材料から構成することができ、具体的には金属、ＩＴ
Ｏ、ＡＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３といった金
属酸化物を挙げることができるが、透明性、着色性とい
った点から、ＩＴＯを用いることが好ましい。また、こ
れらの透明電極４ａ，４ｂは、適切に透明電極４ａ，４
ｂを形成できる限り、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、
例えばＤＣマグネトロン・スパッタリングといったいか
なる方法でも形成することができる。
【００１６】上述した透明電極４ａ，４ｂのさらに液晶
に向いた側には、液晶を拘束して配向を与えるための炭
素膜５ａ，５ｂが形成されている。この炭素膜５ａ，５
ｂは、本発明においては、不活性ガス雰囲気中で、ＤＣ
マグネトロン・スパッタリングにより形成された炭素膜
とされている。本発明において用いられる不活性ガスと
は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅといったいわゆる希
ガス、およびこられのいかなる混合物を含むものであ
る。また、本発明においては、必要に応じて上述した以
外の化学的に不活性な窒素といったガスを添加して用い
ることができる。さらに、図１に示した本発明の液晶デ
バイスにおいては、スペーサ６がガラス電極１ａ，１ｂ
の間隔を維持しているのが示されている。図１に示され
る液晶デバイスには、さらに図示しないＴＦＴといった
スイッチング素子が形成されており、これらの要素が対
向した偏光板７ａ，７ｂの間に配置されて、バックライ
ト８により与えられる光と、ガラス電極１ａ，１ｂに引
加される電界により配向する液晶材料２とにより、表示
素子として機能する構成とされている。また、図１に示
した本発明の液晶デバイスにおいては、カラー表示を行
わせるために図示しないカラーフィルターを用いること
もできる。
に向いた側には、液晶を拘束して配向を与えるための炭
素膜５ａ，５ｂが形成されている。この炭素膜５ａ，５
ｂは、本発明においては、不活性ガス雰囲気中で、ＤＣ
マグネトロン・スパッタリングにより形成された炭素膜
とされている。本発明において用いられる不活性ガスと
は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅといったいわゆる希
ガス、およびこられのいかなる混合物を含むものであ
る。また、本発明においては、必要に応じて上述した以
外の化学的に不活性な窒素といったガスを添加して用い
ることができる。さらに、図１に示した本発明の液晶デ
バイスにおいては、スペーサ６がガラス電極１ａ，１ｂ
の間隔を維持しているのが示されている。図１に示され
る液晶デバイスには、さらに図示しないＴＦＴといった
スイッチング素子が形成されており、これらの要素が対
向した偏光板７ａ，７ｂの間に配置されて、バックライ
ト８により与えられる光と、ガラス電極１ａ，１ｂに引
加される電界により配向する液晶材料２とにより、表示
素子として機能する構成とされている。また、図１に示
した本発明の液晶デバイスにおいては、カラー表示を行
わせるために図示しないカラーフィルターを用いること
もできる。
【００１７】本発明において用いることができる液晶材
料２としては、ツイスト・ネマチック型、スーパー・ツ
イスト・ネマチック型、コレステリック型などを挙げる
ことができ、これらには、種々のカイラル添加剤、染料
などを添加して所望する特性を付与して用いることがで
きる。
料２としては、ツイスト・ネマチック型、スーパー・ツ
イスト・ネマチック型、コレステリック型などを挙げる
ことができ、これらには、種々のカイラル添加剤、染料
などを添加して所望する特性を付与して用いることがで
きる。
【００１８】図２には、本発明の液晶デバイスに用いら
れ、配向膜として用いられる炭素膜５ａ，５ｂを製造す
るための装置を示す。図２に示す装置は、炭素膜５ａ，
５ｂを成膜するための容器９と、この容器９を排気する
ための排気装置１０と、炭素膜を堆積させるための基板
１１を、移動させつつ保持するための基板保持手段１２
と、ターゲット取付部１３と、容器９に隣接して容器９
の外部に配設されたマグネット１４ａ，１４ｂ，１４ｃ
とを含んで構成されている。基板保持手段１２には、図
示しないヒータが設けられていて、成膜の効率を向上さ
せるようにされていてもよい。この基板保持部材１２
は、基板１１に対して均一に成膜を行うことができるよ
うに、回転または、並進運動を行うようにされていても
よい。
れ、配向膜として用いられる炭素膜５ａ，５ｂを製造す
るための装置を示す。図２に示す装置は、炭素膜５ａ，
５ｂを成膜するための容器９と、この容器９を排気する
ための排気装置１０と、炭素膜を堆積させるための基板
１１を、移動させつつ保持するための基板保持手段１２
と、ターゲット取付部１３と、容器９に隣接して容器９
の外部に配設されたマグネット１４ａ，１４ｂ，１４ｃ
とを含んで構成されている。基板保持手段１２には、図
示しないヒータが設けられていて、成膜の効率を向上さ
せるようにされていてもよい。この基板保持部材１２
は、基板１１に対して均一に成膜を行うことができるよ
うに、回転または、並進運動を行うようにされていても
よい。
【００１９】ターゲット取付部１３は、適切な手段によ
り容器９から絶縁されている。このターゲット取付部１
３には直流（ＤＣ）電源が接続されて放電によるプラズ
マを発生させ、ターゲット取付部１３に取り付けられる
ターゲット１５の材料を、スパッタリングする構成とさ
れている。本発明において用いるターゲット１５として
は、焼結炭素製のターゲットを挙げることができる。図
２に示した本発明の液晶デバイスの製造装置には、Ａｒ
といった適切な不活性ガスのキャリアガスを供給するた
めのガス供給源１６が接続されている。
り容器９から絶縁されている。このターゲット取付部１
３には直流（ＤＣ）電源が接続されて放電によるプラズ
マを発生させ、ターゲット取付部１３に取り付けられる
ターゲット１５の材料を、スパッタリングする構成とさ
れている。本発明において用いるターゲット１５として
は、焼結炭素製のターゲットを挙げることができる。図
２に示した本発明の液晶デバイスの製造装置には、Ａｒ
といった適切な不活性ガスのキャリアガスを供給するた
めのガス供給源１６が接続されている。
【００２０】本発明の配向膜として用いられる炭素膜
は、Ｎ元素、Ｏ元素、水素（Ｈ２）、炭化水素化合物と
いった成分を含有しない不活性ガス雰囲気下で炭素膜の
製造を行うことで、液晶材料２に対する適切な配向を与
える構造が付与される。本発明の製造装置により形成さ
れる炭素膜は、特に具体的な構造を特定するものではな
く、グラファイト、非晶質炭素膜、単結晶または多結晶
炭素膜、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）といったい
かなる構造、またはこれらの構造の混合物とされていて
もよい。また、図２においては、容器９、基板保持手段
１２は、接地されているのが示されているが、本発明に
おいては必ずしも基板保持手段１２を接地する必要はな
い。
は、Ｎ元素、Ｏ元素、水素（Ｈ２）、炭化水素化合物と
いった成分を含有しない不活性ガス雰囲気下で炭素膜の
製造を行うことで、液晶材料２に対する適切な配向を与
える構造が付与される。本発明の製造装置により形成さ
れる炭素膜は、特に具体的な構造を特定するものではな
く、グラファイト、非晶質炭素膜、単結晶または多結晶
炭素膜、ダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）といったい
かなる構造、またはこれらの構造の混合物とされていて
もよい。また、図２においては、容器９、基板保持手段
１２は、接地されているのが示されているが、本発明に
おいては必ずしも基板保持手段１２を接地する必要はな
い。
【００２１】図２に示した本発明の液晶デバイスの製造
装置においては、マグネット１４ａ，１４ｂ，１４ｃ
は、互いに隣接するマグネットの磁極が反対となるよう
に交互に配置されていて、図２に破線により示される磁
界をＤＣマグネトロン放電プラズマへと作用させると共
に、磁場の作用下で、ガラス基板といった透明電極がす
でに形成された基板１１へと、炭素膜を付着させてい
る。
装置においては、マグネット１４ａ，１４ｂ，１４ｃ
は、互いに隣接するマグネットの磁極が反対となるよう
に交互に配置されていて、図２に破線により示される磁
界をＤＣマグネトロン放電プラズマへと作用させると共
に、磁場の作用下で、ガラス基板といった透明電極がす
でに形成された基板１１へと、炭素膜を付着させてい
る。
【００２２】図２に示す本発明の液晶デバイスの製造装
置において用いられるマグネット１４ａ，１４ｂ，１４
ｃは、磁束密度が、０．０１Ｔ〜０．２Ｔ程度の磁石を
用いることができ、取扱い性、成膜される炭素膜の配向
特性を考慮すると、０．０２Ｔ〜０．１５Ｔ程度の磁束
密度の磁石を用いることが好ましく、さらには、０．０
２５〜０．１Ｔ程度の磁束密度の磁石を用いることが、
配向効果を示す炭素膜を得るためには好ましく用いられ
る。このような磁石としては、永久磁石を用いることも
可能であるが、必要に応じて電磁石を用いることも可能
である。
置において用いられるマグネット１４ａ，１４ｂ，１４
ｃは、磁束密度が、０．０１Ｔ〜０．２Ｔ程度の磁石を
用いることができ、取扱い性、成膜される炭素膜の配向
特性を考慮すると、０．０２Ｔ〜０．１５Ｔ程度の磁束
密度の磁石を用いることが好ましく、さらには、０．０
２５〜０．１Ｔ程度の磁束密度の磁石を用いることが、
配向効果を示す炭素膜を得るためには好ましく用いられ
る。このような磁石としては、永久磁石を用いることも
可能であるが、必要に応じて電磁石を用いることも可能
である。
【００２３】また、本発明の液晶デバイスの製造装置に
おいては、上述した磁石１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、成
膜される炭素膜に対して適切な配向特性を与えることが
できるように、基板１１に対して磁場を作用させる必要
がある。このため、上述した各磁石１４ａ，１４ｂ，１
４ｃの間隔と、基板１１までの配置が配向特性に影響を
与えることになる。すなわち、磁石間の間隔Ｍが大き
く、磁石１４ａ，１４ｂ，１４ｃと基板１１との間の距
離が大きい場合には、充分に基板に対して磁界を作用さ
せることができず、また、磁石１４ａ，１４ｂ，１４ｃ
と基板１１の間の距離があまりに短いと、ターゲット１
５との間の距離も小さくなり、放電といった問題が生じ
ることにより、良好な成膜ができなくなる。
おいては、上述した磁石１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、成
膜される炭素膜に対して適切な配向特性を与えることが
できるように、基板１１に対して磁場を作用させる必要
がある。このため、上述した各磁石１４ａ，１４ｂ，１
４ｃの間隔と、基板１１までの配置が配向特性に影響を
与えることになる。すなわち、磁石間の間隔Ｍが大き
く、磁石１４ａ，１４ｂ，１４ｃと基板１１との間の距
離が大きい場合には、充分に基板に対して磁界を作用さ
せることができず、また、磁石１４ａ，１４ｂ，１４ｃ
と基板１１の間の距離があまりに短いと、ターゲット１
５との間の距離も小さくなり、放電といった問題が生じ
ることにより、良好な成膜ができなくなる。
【００２４】上述した観点から、各磁石の間隔Ｍと、磁
石と基板との間の距離ｄとが、下記式（１）を満たすよ
うに配置することが好ましい。
石と基板との間の距離ｄとが、下記式（１）を満たすよ
うに配置することが好ましい。
【００２５】
【数１】
【００２６】以下、図３を用いて本発明の製造方法を詳
細に説明する。図３は、本発明の液晶デバイスの製造方
法を、アクティブ・マトリックス型液晶ディスプレイを
例として示したフローチャートを示す。本発明の液晶デ
バイスの製造方法は、ステップ３０１から開始し、ステ
ップ３０１において、アクティブ・マトリックス型トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）が形成された基板（ＡＭ（ＴＦＴ）
基板）を製造する。ついで、ステップ３０２においてＤ
Ｃマグネトロン・スパッタリング法を用いて配向膜とし
て用いる炭素膜を成膜する。
細に説明する。図３は、本発明の液晶デバイスの製造方
法を、アクティブ・マトリックス型液晶ディスプレイを
例として示したフローチャートを示す。本発明の液晶デ
バイスの製造方法は、ステップ３０１から開始し、ステ
ップ３０１において、アクティブ・マトリックス型トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）が形成された基板（ＡＭ（ＴＦＴ）
基板）を製造する。ついで、ステップ３０２においてＤ
Ｃマグネトロン・スパッタリング法を用いて配向膜とし
て用いる炭素膜を成膜する。
【００２７】ついで、本発明の液晶ディスプレイの製造
方法は、ステップ３０３においてトランスファ材の塗布
およびスペーサ散布を行い、ステップ３０４においてシ
ール材を塗布し、ＡＭ（ＴＦＴ）基板と対向するカラー
フィルタなどが形成された基板とを貼り合わせてシール
材を硬化させる。この後、ステップ３０５において各基
板を分断して液晶を注入し注入口を封止した後、ステッ
プ３０６において偏光板を貼付け、ステップ３０７にお
いて液晶デバイスのためのパネルの製造が終了する。
方法は、ステップ３０３においてトランスファ材の塗布
およびスペーサ散布を行い、ステップ３０４においてシ
ール材を塗布し、ＡＭ（ＴＦＴ）基板と対向するカラー
フィルタなどが形成された基板とを貼り合わせてシール
材を硬化させる。この後、ステップ３０５において各基
板を分断して液晶を注入し注入口を封止した後、ステッ
プ３０６において偏光板を貼付け、ステップ３０７にお
いて液晶デバイスのためのパネルの製造が終了する。
【００２８】以下、図３に示した製造方法におけるＤＣ
マグネトロン・スパッタリング法を用い、配向処理を行
わずに配向膜として用いることができる炭素膜の製造プ
ロセスについて詳細に説明する。図３に示した製造方法
におけるＤＣマグネトロン・スパッタリング法は、まず
基板１１を、図２に示した製造装置の容器９内の基板保
持部材１２上に載置して、容器９を密閉した後、排気装
置１０を起動して容器９内を排気する。ついで、Ａｒと
いった適切なキャリアガスを供給して、所定の圧力とし
た後、ＤＣ電源から電流を供給してＤＣマグネトロン放
電を生じさせ、容器９内に配置されたターゲットからＣ
元素を含む活性種を形成し、配設された磁石による磁界
の作用下で成膜を行う。
マグネトロン・スパッタリング法を用い、配向処理を行
わずに配向膜として用いることができる炭素膜の製造プ
ロセスについて詳細に説明する。図３に示した製造方法
におけるＤＣマグネトロン・スパッタリング法は、まず
基板１１を、図２に示した製造装置の容器９内の基板保
持部材１２上に載置して、容器９を密閉した後、排気装
置１０を起動して容器９内を排気する。ついで、Ａｒと
いった適切なキャリアガスを供給して、所定の圧力とし
た後、ＤＣ電源から電流を供給してＤＣマグネトロン放
電を生じさせ、容器９内に配置されたターゲットからＣ
元素を含む活性種を形成し、配設された磁石による磁界
の作用下で成膜を行う。
【００２９】この際、ＤＣマグネトロン・スパッタリン
グの条件としては、例えば、ターゲットを、焼結炭素タ
ーゲットとし、キャリアガスとしてＡｒを用い、圧力を
０．５〜２Ｐａとし、１〜２ｋＷの出力として行うこと
ができる。このとき、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅと
いった不活性ガス雰囲気中において成膜することが好ま
しい。また、このような成膜プロセスにおいては、基板
１１に対して均一に炭素膜を堆積させるため、基板保持
部材１２を、上述したように往復運動、一方向への並進
運動といったように運動させることにより、この基板保
持部材１２に保持された基板１１を運動させてもよい。
グの条件としては、例えば、ターゲットを、焼結炭素タ
ーゲットとし、キャリアガスとしてＡｒを用い、圧力を
０．５〜２Ｐａとし、１〜２ｋＷの出力として行うこと
ができる。このとき、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅと
いった不活性ガス雰囲気中において成膜することが好ま
しい。また、このような成膜プロセスにおいては、基板
１１に対して均一に炭素膜を堆積させるため、基板保持
部材１２を、上述したように往復運動、一方向への並進
運動といったように運動させることにより、この基板保
持部材１２に保持された基板１１を運動させてもよい。
【００３０】このようなＤＣマグネトロン・スパッタリ
ングの条件は、充分な配向特性を有し、かつ光学的特性
に優れた炭素膜が形成されるに必要な時間、およびＤＣ
電源の出力、およびキャリア・フローレートに設定する
ことができる。本発明においては、上述した炭素膜が、
２５０ｎｍ以下、より具体的には少なくとも０．３ｎｍ
〜２５０ｎｍの膜厚の範囲で、配向特性および光学的特
性とを双方とも満足する炭素膜が得られることが見出さ
れた。さらにいえば、成膜の安定性および光学的特性の
点では、０．３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲、特に０．３ｎ
ｍ〜５０ｎｍとすることが好ましい。
ングの条件は、充分な配向特性を有し、かつ光学的特性
に優れた炭素膜が形成されるに必要な時間、およびＤＣ
電源の出力、およびキャリア・フローレートに設定する
ことができる。本発明においては、上述した炭素膜が、
２５０ｎｍ以下、より具体的には少なくとも０．３ｎｍ
〜２５０ｎｍの膜厚の範囲で、配向特性および光学的特
性とを双方とも満足する炭素膜が得られることが見出さ
れた。さらにいえば、成膜の安定性および光学的特性の
点では、０．３ｎｍ〜１００ｎｍの範囲、特に０．３ｎ
ｍ〜５０ｎｍとすることが好ましい。
【００３１】以下、本発明を詳細な実施例を用いて説明
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。
するが、本発明は下記実施例に制限されるものではな
い。
【００３２】
【実施例】本発明の図１に示す液晶デバイスを、図２に
示す製造装置を用いてＤＣマグネトロン・スパッタリン
グ法による炭素膜を配向膜として成膜することにより形
成した。配向特性、電気光学的特性、配向と膜質との関
連性、膜厚依存性について検討を加えた。
示す製造装置を用いてＤＣマグネトロン・スパッタリン
グ法による炭素膜を配向膜として成膜することにより形
成した。配向特性、電気光学的特性、配向と膜質との関
連性、膜厚依存性について検討を加えた。
【００３３】以下に代表的なＤＣマグネトロン・スパッ
タリング条件を示す。 ターゲット： 焼結炭素ターゲット キャリア ： Ａｒ、圧力１Ｐａ ＤＣ放電出力： １ｋＷ マグネット間隔： ６ｃｍ 磁石／基板間隔： ５ｃｍ 磁石の磁束密度： ０．０２５０Ｔ
タリング条件を示す。 ターゲット： 焼結炭素ターゲット キャリア ： Ａｒ、圧力１Ｐａ ＤＣ放電出力： １ｋＷ マグネット間隔： ６ｃｍ 磁石／基板間隔： ５ｃｍ 磁石の磁束密度： ０．０２５０Ｔ
【００３４】＜液晶デバイスの作成＞上述のように形成
された膜厚約１０ｎｍの炭素膜を配向膜として用いてセ
ル厚５μｍの液晶デバイスを形成した。この液晶デバイ
スは、光学的セルの間に、カイラルピッチが１８μｍお
よび１００μｍのツイスト・ネマチック型の液晶材料、
ＭＪ９７１１８９（メルク社製）を注入し、ネマティッ
ク−アイソトロピック（ＮＩ）点以上に加熱し、その後
冷却してアモルファス配向状態として製造した。
された膜厚約１０ｎｍの炭素膜を配向膜として用いてセ
ル厚５μｍの液晶デバイスを形成した。この液晶デバイ
スは、光学的セルの間に、カイラルピッチが１８μｍお
よび１００μｍのツイスト・ネマチック型の液晶材料、
ＭＪ９７１１８９（メルク社製）を注入し、ネマティッ
ク−アイソトロピック（ＮＩ）点以上に加熱し、その後
冷却してアモルファス配向状態として製造した。
【００３５】また、比較例として配向膜としてポリイミ
ド膜（以下ＰＩ）を用い、ラビングを行なわなかったこ
とを除き、上述した光学的セルと同様にしてカイラルピ
ッチが１８μｍと１００μｍの液晶デバイスを製造し
た。
ド膜（以下ＰＩ）を用い、ラビングを行なわなかったこ
とを除き、上述した光学的セルと同様にしてカイラルピ
ッチが１８μｍと１００μｍの液晶デバイスを製造し
た。
【００３６】＜ＰＩ配向膜との光学特性の比較＞液晶材
料を配向させない場合には、液晶分子は、配向膜に対し
てランダムに配向し、そのねじれ角は、カイラルピッチ
により決定される。炭素膜が配向特性を有していない場
合には、カイラルピッチが１８μｍの場合に５μｍのセ
ルギャップとすれば、約９０°のツイストを与える。通
常、液晶の複屈折Δｎ（Ｎｅ−Ｎｏ）は、波長５５０ｎ
ｍに対して第１の極小値がくるように設計されるため、
平行ニコルで観察すると緑色が吸収され青色がかったマ
ゼンタに着色する。カイラルピッチが１００μｍの場合
には、セルギャップ５μｍに対して約１８°のツイスト
角を生じ、平行ニコルでは、３８０〜７８０ｎｍの可視
光は概ね透過するので着色しない。
料を配向させない場合には、液晶分子は、配向膜に対し
てランダムに配向し、そのねじれ角は、カイラルピッチ
により決定される。炭素膜が配向特性を有していない場
合には、カイラルピッチが１８μｍの場合に５μｍのセ
ルギャップとすれば、約９０°のツイストを与える。通
常、液晶の複屈折Δｎ（Ｎｅ−Ｎｏ）は、波長５５０ｎ
ｍに対して第１の極小値がくるように設計されるため、
平行ニコルで観察すると緑色が吸収され青色がかったマ
ゼンタに着色する。カイラルピッチが１００μｍの場合
には、セルギャップ５μｍに対して約１８°のツイスト
角を生じ、平行ニコルでは、３８０〜７８０ｎｍの可視
光は概ね透過するので着色しない。
【００３７】図４には、本発明の液晶デバイスの平行ニ
コル下での光学的特性を示す。図４（ａ）がカイラルピ
ッチ１８μｍのサンプルについて得られた光学特性であ
り、図４（ｂ）がカイラルピッチ１００μｍのサンプル
の光学特性につき、偏光板を基板の角度を変えて最も強
く着色したときに観測された着色を示す写真である。図
４に示されるように、本発明により炭素膜を配向膜とし
た実施例では、特に炭素膜に対して配向処理を別途施さ
ないにもかかわらず、各サンプルについて青色がかった
着色が観測された。カイラルピッチが１００μｍのサン
プルを平行ニコル下で観測した場合、緑色が吸収されて
青色がかった色に着色したことから、本発明により製造
された炭素膜が、配向処理を特に施さなくとも配向特性
を有していることが示される。
コル下での光学的特性を示す。図４（ａ）がカイラルピ
ッチ１８μｍのサンプルについて得られた光学特性であ
り、図４（ｂ）がカイラルピッチ１００μｍのサンプル
の光学特性につき、偏光板を基板の角度を変えて最も強
く着色したときに観測された着色を示す写真である。図
４に示されるように、本発明により炭素膜を配向膜とし
た実施例では、特に炭素膜に対して配向処理を別途施さ
ないにもかかわらず、各サンプルについて青色がかった
着色が観測された。カイラルピッチが１００μｍのサン
プルを平行ニコル下で観測した場合、緑色が吸収されて
青色がかった色に着色したことから、本発明により製造
された炭素膜が、配向処理を特に施さなくとも配向特性
を有していることが示される。
【００３８】また、２対の偏光板をクロスニコルとし、
その間でセルを回転させて色の変化を観察したところ、
偏光板の消光軸と、セルの角度とによって透過色が変化
することが確認された。液晶材料が配向されておらず、
アモルファス状態にある場合には、角度によらず色は変
化しないことから考えても、本発明の炭素膜により液晶
材料が配向していることがわかる。上述したように、図
４（ａ）、図４（ｂ）に示した色に差がないこと、およ
び偏光顕微鏡下でのモルフォロジーの観測の結果から、
本発明の炭素膜は成膜段階ですでに配向特性を有する構
造を含んでいるものと考えられる。
その間でセルを回転させて色の変化を観察したところ、
偏光板の消光軸と、セルの角度とによって透過色が変化
することが確認された。液晶材料が配向されておらず、
アモルファス状態にある場合には、角度によらず色は変
化しないことから考えても、本発明の炭素膜により液晶
材料が配向していることがわかる。上述したように、図
４（ａ）、図４（ｂ）に示した色に差がないこと、およ
び偏光顕微鏡下でのモルフォロジーの観測の結果から、
本発明の炭素膜は成膜段階ですでに配向特性を有する構
造を含んでいるものと考えられる。
【００３９】図５には、比較例として作成した液晶デバ
イスの光学的特性を示す。この場合、ＰＩには、配向処
理を施していないが、適当なアニール処理を施すことに
よってアモルファス配向が与えられ、平行ニコル下での
観察では、カイラルピッチ１８μｍのサンプルは図５
（ｂ）のように青色がかったマゼンタに着色するが、カ
イラルピッチ１００μｍのサンプルでは、図５（ａ）に
示すように光が透過してしまうために着色しない。これ
らの比較例の結果から見ても、液晶デバイスの光学的特
性から、本発明に用いる炭素膜は、成膜時に配向特性を
有する構造を含んでいるものと判断される。
イスの光学的特性を示す。この場合、ＰＩには、配向処
理を施していないが、適当なアニール処理を施すことに
よってアモルファス配向が与えられ、平行ニコル下での
観察では、カイラルピッチ１８μｍのサンプルは図５
（ｂ）のように青色がかったマゼンタに着色するが、カ
イラルピッチ１００μｍのサンプルでは、図５（ａ）に
示すように光が透過してしまうために着色しない。これ
らの比較例の結果から見ても、液晶デバイスの光学的特
性から、本発明に用いる炭素膜は、成膜時に配向特性を
有する構造を含んでいるものと判断される。
【００４０】＜電気光学的特性＞本発明の液晶デバイス
の電気光学的特性を、配向処理を行わないＰＩを用いて
作成した液晶デバイスの電気光学的特性と比較した。使
用した液晶材料は、カイラルピッチが１８μｍのツイス
ト・ネマチック型の液晶、ＭＪ９７１１８９であり、セ
ルギャップは５μｍとした。液晶デバイスの作成は、セ
ルに液晶材料を注入し、ＮＩ点以上に加熱を行った後冷
却し、液晶をアモルファス状態とした。本発明の炭素膜
を用いた液晶デバイスを、加熱条件を１３０℃および１
６０℃として液晶をアモルファス配向させた。これらの
サンプルをそれぞれ炭素膜１３０、炭素膜１６０として
示す。また、比較のため無配向処理のＰＩを用いたサン
プルについて測定を行った。また、さらに、下地の透明
電極であるＩＴＯの影響を検討するための配向処理しな
いＩＴＯを直接用いた液晶デバイスを比較例とした。な
お表１中には、配向処理したＰＩについての各特性につ
いて参考のため示してある。
の電気光学的特性を、配向処理を行わないＰＩを用いて
作成した液晶デバイスの電気光学的特性と比較した。使
用した液晶材料は、カイラルピッチが１８μｍのツイス
ト・ネマチック型の液晶、ＭＪ９７１１８９であり、セ
ルギャップは５μｍとした。液晶デバイスの作成は、セ
ルに液晶材料を注入し、ＮＩ点以上に加熱を行った後冷
却し、液晶をアモルファス状態とした。本発明の炭素膜
を用いた液晶デバイスを、加熱条件を１３０℃および１
６０℃として液晶をアモルファス配向させた。これらの
サンプルをそれぞれ炭素膜１３０、炭素膜１６０として
示す。また、比較のため無配向処理のＰＩを用いたサン
プルについて測定を行った。また、さらに、下地の透明
電極であるＩＴＯの影響を検討するための配向処理しな
いＩＴＯを直接用いた液晶デバイスを比較例とした。な
お表１中には、配向処理したＰＩについての各特性につ
いて参考のため示してある。
【００４１】図６には、上述した各サンプルの透過率ｖ
ｓ．印加電圧特性を示す。図６（ａ）は、透過率ｖｓ．
印加電圧特性であり、図６（ｂ）が図６（ａ）の一部分
を拡大して示したグラフである。図６に示されるよう
に、本発明の液晶デバイスは、低印加電圧において僅か
に透過率が低いものの、印加電圧に対して充分なコント
ラスト比を示している。図６示された結果を表１にまと
める。
ｓ．印加電圧特性を示す。図６（ａ）は、透過率ｖｓ．
印加電圧特性であり、図６（ｂ）が図６（ａ）の一部分
を拡大して示したグラフである。図６に示されるよう
に、本発明の液晶デバイスは、低印加電圧において僅か
に透過率が低いものの、印加電圧に対して充分なコント
ラスト比を示している。図６示された結果を表１にまと
める。
【００４２】なお、ＰＩを用いたアモルファス配向セル
は、互いに少しずつ配向方向の異なる数１０μｍ程度の
グレインが存在し、単一配向のラビングが施されたセル
では観測されない黒レベルの劣化、すなわち光抜けが見
られた。この光抜けは、グレインどうしの境界部におい
て発生するディスクリネーションラインに起因するもの
と考えられる。これに対し、本発明の炭素膜を用いた液
晶セルは、黒レベルの劣化が少なく、顕微鏡観察におい
てもディスクリネーションラインは観測されなかった。
すなわち、本発明は、電気光学的にもＰＩの単一方向の
配向処理がなされた液晶デバイスと同等の特性を有して
いた。
は、互いに少しずつ配向方向の異なる数１０μｍ程度の
グレインが存在し、単一配向のラビングが施されたセル
では観測されない黒レベルの劣化、すなわち光抜けが見
られた。この光抜けは、グレインどうしの境界部におい
て発生するディスクリネーションラインに起因するもの
と考えられる。これに対し、本発明の炭素膜を用いた液
晶セルは、黒レベルの劣化が少なく、顕微鏡観察におい
てもディスクリネーションラインは観測されなかった。
すなわち、本発明は、電気光学的にもＰＩの単一方向の
配向処理がなされた液晶デバイスと同等の特性を有して
いた。
【００４３】
【表１】
【００４４】表１には、上述した各サンプルについて、
６Ｖにおけるコントラストおよび５Ｖにおけるコントラ
スト、並びに透過率がそれぞれ１０％、５０％、９０％
となる電圧をまとめる。表１に示されるように、ＰＩお
よびＩＴＯを配向処理しないで用いたサンプルでは、コ
ントラストは５Ｖの場合で１００未満となっているのに
対して、本発明の炭素膜を用いた液晶デバイスでは、２
００に近い値を示しており、明らかに本発明の炭素膜が
配向特性を有しており、充分に実用化レベルのコントラ
スト比が得られることを示している。また、透過率のデ
ータを見ても、本発明の液晶デバイスは充分に実用レベ
ルにある特性を示しているのがわかる。
６Ｖにおけるコントラストおよび５Ｖにおけるコントラ
スト、並びに透過率がそれぞれ１０％、５０％、９０％
となる電圧をまとめる。表１に示されるように、ＰＩお
よびＩＴＯを配向処理しないで用いたサンプルでは、コ
ントラストは５Ｖの場合で１００未満となっているのに
対して、本発明の炭素膜を用いた液晶デバイスでは、２
００に近い値を示しており、明らかに本発明の炭素膜が
配向特性を有しており、充分に実用化レベルのコントラ
スト比が得られることを示している。また、透過率のデ
ータを見ても、本発明の液晶デバイスは充分に実用レベ
ルにある特性を示しているのがわかる。
【００４５】＜配向と膜質の関連性＞Ｈ２の効果を確認
するため、Ｈ２を含有する雰囲気中で炭素膜をスパッタ
成膜し、約３０ａｔ％のＨが含有された炭素膜を成膜し
た。この炭素膜を配向処理を行わずにそのままセルを作
成し、上述と同様にしてカイラルピッチ１８μｍの液晶
を注入して液晶デバイスを作成し比較例のサンプルとし
た。また、ＣＶＤ法により作成した炭素膜をラビング処
理しないで配向膜として用いたサンプルを作成し同様に
比較例とした。
するため、Ｈ２を含有する雰囲気中で炭素膜をスパッタ
成膜し、約３０ａｔ％のＨが含有された炭素膜を成膜し
た。この炭素膜を配向処理を行わずにそのままセルを作
成し、上述と同様にしてカイラルピッチ１８μｍの液晶
を注入して液晶デバイスを作成し比較例のサンプルとし
た。また、ＣＶＤ法により作成した炭素膜をラビング処
理しないで配向膜として用いたサンプルを作成し同様に
比較例とした。
【００４６】図７には、ぞれぞれの比較例について、光
学的特性を観測した結果を示す。図７（ａ）が、約３０
ａｔ％のＨを含有する炭素膜をＤＣマグネトロン・スパ
ッタリング法により得られた比較例の炭素膜を配向膜と
した場合の結果であり、図７（ｂ）が、ＣＶＤ法により
作成した炭素膜を配向膜とした場合に得られた結果であ
る。図７に示されるように、Ｈを含有させた炭素膜は、
ＤＣマグネトロン・スパッタ法により形成しても、配向
特性を示さないことがわかった。また、同様の組成の炭
素膜をＣＶＤ法により形成した場合も、配向特性を発現
していないことがわかる。
学的特性を観測した結果を示す。図７（ａ）が、約３０
ａｔ％のＨを含有する炭素膜をＤＣマグネトロン・スパ
ッタリング法により得られた比較例の炭素膜を配向膜と
した場合の結果であり、図７（ｂ）が、ＣＶＤ法により
作成した炭素膜を配向膜とした場合に得られた結果であ
る。図７に示されるように、Ｈを含有させた炭素膜は、
ＤＣマグネトロン・スパッタ法により形成しても、配向
特性を示さないことがわかった。また、同様の組成の炭
素膜をＣＶＤ法により形成した場合も、配向特性を発現
していないことがわかる。
【００４７】＜炭素膜の膜厚の影響＞図８には、炭素膜
の成膜時に基板を移動させずに、制止させた状態で膜を
成膜することで、炭素膜に膜厚分布を形成させ、配向特
性の膜厚による依存性を検討した結果を示した図であ
る。図８に示した液晶デバイスにおいては、カイラルピ
ッチが１００μｍの液晶材料を用いた。図８（ａ）は、
観測された着色状態を示した図であり、図８（ｂ）は、
膜厚分布を示した図である。図８（ａ）に示されるよう
に、膜厚分布があるにもかかわらず、着色性はほとんど
変化しておらず、本発明の炭素膜を用いた配向膜は、製
造時の膜厚に対して充分な許容性を有しているものと考
えられる。
の成膜時に基板を移動させずに、制止させた状態で膜を
成膜することで、炭素膜に膜厚分布を形成させ、配向特
性の膜厚による依存性を検討した結果を示した図であ
る。図８に示した液晶デバイスにおいては、カイラルピ
ッチが１００μｍの液晶材料を用いた。図８（ａ）は、
観測された着色状態を示した図であり、図８（ｂ）は、
膜厚分布を示した図である。図８（ａ）に示されるよう
に、膜厚分布があるにもかかわらず、着色性はほとんど
変化しておらず、本発明の炭素膜を用いた配向膜は、製
造時の膜厚に対して充分な許容性を有しているものと考
えられる。
【００４８】これまで、本発明を実施の形態および詳細
な実施例を例に取り説明してきたが、本発明は上述した
実施の形態および実施例に制限されるものではない。
な実施例を例に取り説明してきたが、本発明は上述した
実施の形態および実施例に制限されるものではない。
【図１】本発明の液晶デバイスを示した図。
【図２】本発明の液晶デバイスの製造装置を示した図。
【図３】本発明の液晶デバイスの製造方法を示したフロ
ーチャート。
ーチャート。
【図４】本発明の液晶デバイスの光学的特性を示した
図。
図。
【図５】配向膜として配向処理していない液晶デバイス
の光学的特性を示した図。
の光学的特性を示した図。
【図６】本発明の液晶デバイスおよび比較例の液晶デバ
イスの電気光学的特性を示したグラフ。
イスの電気光学的特性を示したグラフ。
【図７】ＤＣマグネトロン・スパッタリング法により形
成された炭素膜およびＣＶＤ法により形成された炭素膜
を配向処理しないで配向膜とした場合の光学的特性を示
した図。
成された炭素膜およびＣＶＤ法により形成された炭素膜
を配向処理しないで配向膜とした場合の光学的特性を示
した図。
【図８】本発明の液晶デバイスの配向膜として用いる炭
素膜の光学的特性に対する膜厚依存性を示した図。
素膜の光学的特性に対する膜厚依存性を示した図。
１ａ，１ｂ…ガラス基板 ２…液晶材料 ３ａ，３ｂ…シール材 ４ａ，４ｂ…透明電極 ５ａ，５ｂ…炭素膜 ６…スペーサ ７ａ，７ｂ…偏光板 ８…バックライト ９…容器 １０…排気装置 １１…基板 １２…基板保持手段 １３…ターゲット取付部 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ…マグネット １５…ターゲット １６…ガス供給源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神谷 洋之 神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア イ・ビー・エム株式会社 大和事業所内 Ｆターム(参考） 2H090 HB04Y HC01 JB02 KA04 KA05 KA08 LA04 LA09 LA15 LA16 4K029 AA09 AA24 BA34 BB02 BC07 CA05 DC39 EA01 EA05
Claims (12)
- 【請求項１】 互いに対向し少なくとも一方が電極を含
む基板と、 該基板の間に形成された光学的セルと、 前記光学的セルに充填された液晶材料と、 前記基板の前記液晶材料に接する側に、液晶材料を配向
させるように付着された炭素膜とを含む液晶デバイス。 - 【請求項２】 前記炭素膜は、マグネットにより与えら
れる磁場を作用させ、不活性ガス雰囲気中で形成され
る、請求項１の液晶デバイス。 - 【請求項３】 前記不活性ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、
Ｋｒ、Ｘｅまたはこれらの混合物から選択される請求項
２に記載の液晶デバイス。 - 【請求項４】 前記炭素膜は、２５０ｎｍ以下の厚さで
ある、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶デバイ
ス。 - 【請求項５】 互いに対向し少なくとも一方が電極を含
む基板と、 該基板の間に形成された光学的セルと、 前記光学的セルに保持された液晶材料と、を含む液晶デ
バイスの製造装置であって、 前記基板を処理するための容器と、 炭素供給源と、 前記基板の前記液晶材料に接する側に、液晶材料を配向
する炭素膜を成膜するためのマグネットを備えるＤＣマ
グネトロン・スパッタリング手段とを含む、液晶デバイ
スの製造装置。 - 【請求項６】 少なくとも一方が電極を含む基板を互い
に対向して配置する工程と、 該基板の間に光学的セルを形成する工程と、 前記光学的セルに液晶材料を保持させる工程と、 を含み、前記基板の前記液晶材料に接する側に、該液晶
材料を配向させるような炭素膜を形成する工程を含む、
液晶デバイスの製造方法。 - 【請求項７】 前記炭素膜をマグネットにより与えられ
る磁場を作用させ、不活性ガス雰囲気中で形成する、請
求項６に記載の液晶デバイスの製造方法。 - 【請求項８】 前記不活性ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、
Ｋｒ、Ｘｅまたはこれらの混合物から選択される請求項
７に記載の液晶デバイスの製造方法。 - 【請求項９】 前記炭素膜を、２５０ｎｍ以下の厚さに
形成する、請求項６〜８のいずれか１項に記載の液晶デ
バイスの製造方法。 - 【請求項１０】 基板を容器内に配置する工程と、 前記容器内に不活性ガスを導入し、マグネットにより与
えられる磁場を作用させながら、前記基板上に炭素膜を
付着する工程とを含み、前記付着された炭素膜は、配向
を有する、配向膜形成方法。 - 【請求項１１】 前記炭素膜を、２５０ｎｍ以下の厚さ
で形成する、請求項１０に記載の配向膜形成方法。 - 【請求項１２】 前記不活性ガスは、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａ
ｒ、Ｋｒ、Ｘｅまたはこれらの混合物から選択される請
求項１０または１１に記載の配向膜形成方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000228748A JP4485027B2 (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | 液晶デバイス、液晶デバイスの製造装置、液晶デバイスの製造方法および配向膜形成方法 |
| US09/908,194 US7184116B2 (en) | 2000-07-28 | 2001-07-18 | LCD having an alignment film comprising sintered carbon |
| TW90118202A TW573187B (en) | 2000-07-28 | 2001-07-25 | Method for forming an alignment film for LCD |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000228748A JP4485027B2 (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | 液晶デバイス、液晶デバイスの製造装置、液晶デバイスの製造方法および配向膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002055348A true JP2002055348A (ja) | 2002-02-20 |
| JP4485027B2 JP4485027B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=18721982
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000228748A Expired - Lifetime JP4485027B2 (ja) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | 液晶デバイス、液晶デバイスの製造装置、液晶デバイスの製造方法および配向膜形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7184116B2 (ja) |
| JP (1) | JP4485027B2 (ja) |
| TW (1) | TW573187B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006058895A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示パネル及びそれを用いた液晶表示装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060272938A1 (en) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Ta-Shuang Kuan | Method of manufacturing a liquid crystal alignment film utilizing long-throw sputtering |
| JP2008304608A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Canon Inc | 液晶素子およびその製造方法 |
| JP4775968B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2011-09-21 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 配向膜形成装置及び方法 |
| TW200914951A (en) * | 2007-09-20 | 2009-04-01 | Univ Nat Chiao Tung | Horizontal and vertical alignment method of liquid crystals employing magnetic thin films |
| KR100935425B1 (ko) * | 2008-01-31 | 2010-01-06 | 성균관대학교산학협력단 | 염료감응형 태양전지 및 그의 제조방법 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115423A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Ricoh Co Ltd | 液晶配向膜 |
| JPS62244017A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-24 | Seiko Epson Corp | 強誘電性液晶素子の配向方法 |
| JPS63121022A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-25 | Ricoh Co Ltd | 液晶素子 |
| JPH02259725A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH11271773A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-10-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 粒子ビ―ム配向を用いる液晶ディスプレイの乾式製法 |
| JPH11271774A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-10-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液晶配向層の形成方法 |
| JP2002062532A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-02-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 配向膜形成方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH660246A5 (de) * | 1983-07-08 | 1987-03-31 | Bbc Brown Boveri & Cie | Fluessigkristallzelle. |
| JPS61195178A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 異方導電性接着剤 |
| US5013139A (en) * | 1989-10-30 | 1991-05-07 | General Electric Company | Alignment layer for liquid crystal devices and method of forming |
| US5256456A (en) * | 1990-09-17 | 1993-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal alignment film and method of manufacturing the same |
| DE69429388T2 (de) * | 1993-07-23 | 2002-08-14 | Sharp Kk | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US5567512A (en) * | 1993-10-08 | 1996-10-22 | Hmt Technology Corporation | Thin carbon overcoat and method of its making |
| US5864452A (en) * | 1994-08-03 | 1999-01-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Thin-film magnetic head and method of forming carbon film |
| TW515926B (en) * | 1996-07-10 | 2003-01-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal alignment film and method for producing the same, and liquid crystal display apparatus using the same and method for producing the same |
| KR100208475B1 (ko) * | 1996-09-12 | 1999-07-15 | 박원훈 | 자기장 처리에 의한 액정배향막의 제조방법 |
| JPH10268309A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Furontetsuku:Kk | 液晶表示装置 |
| US6548173B2 (en) * | 1998-04-20 | 2003-04-15 | Argonne National Laboratory | Method of produce ultra-low friction carbon films |
| JPH11307782A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| KR100386003B1 (ko) * | 1998-12-15 | 2003-10-17 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사형 액정 표시장치 및 그 제조방법_ |
-
2000
- 2000-07-28 JP JP2000228748A patent/JP4485027B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-18 US US09/908,194 patent/US7184116B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-25 TW TW90118202A patent/TW573187B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62115423A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-27 | Ricoh Co Ltd | 液晶配向膜 |
| JPS62244017A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-24 | Seiko Epson Corp | 強誘電性液晶素子の配向方法 |
| JPS63121022A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-25 | Ricoh Co Ltd | 液晶素子 |
| JPH02259725A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH11271773A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-10-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 粒子ビ―ム配向を用いる液晶ディスプレイの乾式製法 |
| JPH11271774A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-10-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液晶配向層の形成方法 |
| JP2002062532A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-02-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 配向膜形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006058895A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示パネル及びそれを用いた液晶表示装置 |
| US7875323B2 (en) | 2004-08-20 | 2011-01-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a substrate and method of crystal display panel having the same |
| KR101095643B1 (ko) * | 2004-08-20 | 2011-12-19 | 삼성전자주식회사 | 버퍼층을 포함하는 액정 표시 패널 및 이를 갖는 액정표시장치 |
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| JP4485027B2 (ja) | 2010-06-16 |
| TW573187B (en) | 2004-01-21 |
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