JP2686548B2 - ロウ付け用材料 - Google Patents
ロウ付け用材料Info
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- JP2686548B2 JP2686548B2 JP63315981A JP31598188A JP2686548B2 JP 2686548 B2 JP2686548 B2 JP 2686548B2 JP 63315981 A JP63315981 A JP 63315981A JP 31598188 A JP31598188 A JP 31598188A JP 2686548 B2 JP2686548 B2 JP 2686548B2
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- brazing
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
- B23K35/3006—Ag as the principal constituent
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はロウ付け用材料に関し、より詳細には電子部
品における外部リード端子のロウ付けに使用されるロウ
材の改良に関するものである。
品における外部リード端子のロウ付けに使用されるロウ
材の改良に関するものである。
（従来技術及びその課題） 従来、銀70〜90重量％、銅10〜30重量％の合金から成
る銀ロウは接合部材にあまり制約を受けないこと及び使
用温度範囲（溶融温度範囲）が低いことから電子部品、
例えば半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケー
ジや回路配線基板等における外部リード端子のロウ付け
用材料として多用されている。
る銀ロウは接合部材にあまり制約を受けないこと及び使
用温度範囲（溶融温度範囲）が低いことから電子部品、
例えば半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケー
ジや回路配線基板等における外部リード端子のロウ付け
用材料として多用されている。
しかし乍ら、この従来の銀ロウはそのビッカース硬度
（Hv）が82〜90であり、硬いことから熱膨張係数が大き
く相違する２つのもの、例えば半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージにおいてはムライト質
焼結体（熱膨張係数:4.0〜4.5×10-6/℃）から成る絶縁
容器と、コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）や42
Alloy（鉄−ニッケル合金）等の鉄合金（熱膨張係数:1
1.5〜13.0×10-6/℃）から成る外部リード端子をロウ付
けする場合、そのロウ付け部に両者の熱膨張係数の相違
に起因する大きな応力が発生し、内在し、その結果、外
部リード端子に小さな外力が印加されても該外力は前記
内在応力と相俊って大となり、外部リード端子を絶縁容
器より剥離させてしまうという欠点を有していた。
（Hv）が82〜90であり、硬いことから熱膨張係数が大き
く相違する２つのもの、例えば半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージにおいてはムライト質
焼結体（熱膨張係数:4.0〜4.5×10-6/℃）から成る絶縁
容器と、コバール（鉄−ニッケル−コバルト合金）や42
Alloy（鉄−ニッケル合金）等の鉄合金（熱膨張係数:1
1.5〜13.0×10-6/℃）から成る外部リード端子をロウ付
けする場合、そのロウ付け部に両者の熱膨張係数の相違
に起因する大きな応力が発生し、内在し、その結果、外
部リード端子に小さな外力が印加されても該外力は前記
内在応力と相俊って大となり、外部リード端子を絶縁容
器より剥離させてしまうという欠点を有していた。
そこで上記欠点を解消するために本出願人は先に銀
（Ag）にインジウム（In）、アンチモン（Sb）の少なく
とも１種を1.0乃至15.0重量％含有させたロウ付け用材
料を提案した。このロウ付け用材料はロウ材の使用温度
が低く、接合部材との濡れ性が良好であるとともにロウ
材の主成分である銀（Ag）のマイグレーション（移行）
が殆どないという従来の銀ロウと同等の利点に加えて、
ロウ材自身の硬度を低いものとし、熱膨張係数が大きく
異なる２つの部材をロウ付けした際、両部材間に発生す
る応力をロウ材自身が変形することにより吸収除去し、
これによって両部材を強固に接合することを可能とす
る。
（Ag）にインジウム（In）、アンチモン（Sb）の少なく
とも１種を1.0乃至15.0重量％含有させたロウ付け用材
料を提案した。このロウ付け用材料はロウ材の使用温度
が低く、接合部材との濡れ性が良好であるとともにロウ
材の主成分である銀（Ag）のマイグレーション（移行）
が殆どないという従来の銀ロウと同等の利点に加えて、
ロウ材自身の硬度を低いものとし、熱膨張係数が大きく
異なる２つの部材をロウ付けした際、両部材間に発生す
る応力をロウ材自身が変形することにより吸収除去し、
これによって両部材を強固に接合することを可能とす
る。
しかし乍ら、インジウム（In），アンチモン（Sb）は
銀（Ag）と低い温度で共晶物を形成する元素であるた
め、前記ロウ付け用材料を用いて２つの部材をロウ付け
する場合、ロウ付けの昇温速度が30℃／分以下の遅い速
度であると、ロウ付け用材料中のインジウム（In），ア
ンチモン（Sb）が銀（Ag）と共晶物を作り、ロウ付け用
材料を銀（Ag）と銀（Ag）−インジウム（In）或いは銀
（Ag）−アンチモン（Sb）の共晶物とに分かれ、所謂、
溶け分かれを発生してしまい、その結果、ロウ付け用材
料全体の融点が極めて高いものとなる欠点を有してい
た。
銀（Ag）と低い温度で共晶物を形成する元素であるた
め、前記ロウ付け用材料を用いて２つの部材をロウ付け
する場合、ロウ付けの昇温速度が30℃／分以下の遅い速
度であると、ロウ付け用材料中のインジウム（In），ア
ンチモン（Sb）が銀（Ag）と共晶物を作り、ロウ付け用
材料を銀（Ag）と銀（Ag）−インジウム（In）或いは銀
（Ag）−アンチモン（Sb）の共晶物とに分かれ、所謂、
溶け分かれを発生してしまい、その結果、ロウ付け用材
料全体の融点が極めて高いものとなる欠点を有してい
た。
（発明の目的） 本発明者等は上記欠点に鑑み更に種々の実験を行った
っ結果、銀（Ag）にインジウム（In）、アンチモン（S
b）の少なくとも１種を1.0乃至15.0重量含有させたロウ
付け用材料に錫（Sn），銅（Cu），ニッケル（Ni）、パ
ラジウム（Pd）の少なくとも１種を３重量％以下添加す
ると、該錫（Sn），銅（Cu），ニッケル（Ni）、バラジ
ウム（Pd）等は銀（Ag）とインジウム（In）、アンチモ
ン（Sb）との共晶物生成を有効に抑制してロウ付け用材
料の溶け分かれを極小となし、ロウ付け用材料全体の融
点を低いものになすことができることを知見した。
っ結果、銀（Ag）にインジウム（In）、アンチモン（S
b）の少なくとも１種を1.0乃至15.0重量含有させたロウ
付け用材料に錫（Sn），銅（Cu），ニッケル（Ni）、パ
ラジウム（Pd）の少なくとも１種を３重量％以下添加す
ると、該錫（Sn），銅（Cu），ニッケル（Ni）、バラジ
ウム（Pd）等は銀（Ag）とインジウム（In）、アンチモ
ン（Sb）との共晶物生成を有効に抑制してロウ付け用材
料の溶け分かれを極小となし、ロウ付け用材料全体の融
点を低いものになすことができることを知見した。
本発明は上記知見に基づき、使用温度範囲が低く、接
合部材に大きな制約を受けず、熱膨張係数が大きく異な
る２つの部材を強固にロウ付けすることができるという
従来のロウ付け用材料の利点に加えて、ロウ付け時の昇
温条件に大きな制約を受けないという新規なロウ付け用
材料を提供することをその目的とするものである。
合部材に大きな制約を受けず、熱膨張係数が大きく異な
る２つの部材を強固にロウ付けすることができるという
従来のロウ付け用材料の利点に加えて、ロウ付け時の昇
温条件に大きな制約を受けないという新規なロウ付け用
材料を提供することをその目的とするものである。
本発明は外部リード端子を有する電子部品、具体的に
は、半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
やハイブリッドIC用配線基板、コンデンサ、抵抗、マイ
クロスイッチ等の外部リード端子のロウ付け用材料とし
て好適に使用される。
は、半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
やハイブリッドIC用配線基板、コンデンサ、抵抗、マイ
クロスイッチ等の外部リード端子のロウ付け用材料とし
て好適に使用される。
（課題を解決するための手段） 本発明のロウ付け用材料は銀にインジウム、アンチモ
ンの少なくとも１種を1.0乃至15.0重量％及び錫、銅、
ニッケル、パラジウムの少なくとも１種を３重量％以下
含有させたことを特徴とするものである。
ンの少なくとも１種を1.0乃至15.0重量％及び錫、銅、
ニッケル、パラジウムの少なくとも１種を３重量％以下
含有させたことを特徴とするものである。
本発明のロウ付け用材料において添加されるインジウ
ム（In）、アンチモン（Sb）はロウ材の硬度及び使用温
度範囲を低下させ、且つ接合部材との濡れ性を良好とす
るとともにロウ材の主成分である銀（Ag）のマイグレー
ション（移行）を防止するための成分であり、その含有
量が1.0重量％未満であると所望の前記性質は付与され
ず、また15.0重量％を越えるとロウ材の硬度が高くな
り、熱膨張係数が大きく相違する２つの部材をロウ付け
する際、両部材間に発生する応力をロウ材が良好に吸収
することができなくなってロウ付け強度を大幅に低下さ
せてしまうことからインジウム（In）、アンチモン（S
b）はその含有量が1.0乃至15.0重量％の範囲に特定され
る。
ム（In）、アンチモン（Sb）はロウ材の硬度及び使用温
度範囲を低下させ、且つ接合部材との濡れ性を良好とす
るとともにロウ材の主成分である銀（Ag）のマイグレー
ション（移行）を防止するための成分であり、その含有
量が1.0重量％未満であると所望の前記性質は付与され
ず、また15.0重量％を越えるとロウ材の硬度が高くな
り、熱膨張係数が大きく相違する２つの部材をロウ付け
する際、両部材間に発生する応力をロウ材が良好に吸収
することができなくなってロウ付け強度を大幅に低下さ
せてしまうことからインジウム（In）、アンチモン（S
b）はその含有量が1.0乃至15.0重量％の範囲に特定され
る。
また錫（Su）、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、パラジウ
ム（Pd）は銀（Ag）とインジウム（In）、アンチモン
（Sb）との共晶物生成を抑制する成分であり、3.0重量
％を越えるとロウ材の硬度が高くなり、熱膨張係数が大
きく相違する２つの部材をロウ付けする際、両部材間に
発生する応力をロウ材が良好に吸収することができなく
なってロウ付け強度を大幅に低下させてしまうことから
錫（Sn）、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、パラジウム（P
d）等の含有量は3.0重量％以下の範囲に特定される。
ム（Pd）は銀（Ag）とインジウム（In）、アンチモン
（Sb）との共晶物生成を抑制する成分であり、3.0重量
％を越えるとロウ材の硬度が高くなり、熱膨張係数が大
きく相違する２つの部材をロウ付けする際、両部材間に
発生する応力をロウ材が良好に吸収することができなく
なってロウ付け強度を大幅に低下させてしまうことから
錫（Sn）、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、パラジウム（P
d）等の含有量は3.0重量％以下の範囲に特定される。
（実施例） 次に本発明を実施例に基づいて説明する。
まず出発原料として銀（Ag）、インジウム（In）、ア
ンチモン（Sb）、錫（Sn）、銅（Cu）、ニッケル（Ni）
及びパラジウム（Pd）を第１表に示す組成となるように
秤量混合し、これを合金化させるとともに所定の形状に
加工してロウ材試料を得る。
ンチモン（Sb）、錫（Sn）、銅（Cu）、ニッケル（Ni）
及びパラジウム（Pd）を第１表に示す組成となるように
秤量混合し、これを合金化させるとともに所定の形状に
加工してロウ材試料を得る。
尚、試料番号36及び１、２、35は本発明品と比較する
ための比較試料であり、従来一般に使用されている銀ロ
ウ及び先に提案したロウ付け用材料である。次ぎに、得
られた各ロウ材試料を使用し、ムライト質焼結体（熱膨
張係数:4.0〜4.5×10-6/℃）から成る基板の表面に設け
た5mm×2mm（面積10mm2）のタングステンメタライズ金
属層20個に、幅0.4mm、長さ20mm、厚さ0.15mmのコバー
ル（熱膨張係数:11.5〜13.0×10-6/℃）から成る外部リ
ード端子の一端を昇温速度30℃／分の速度で約900℃に
加熱してロウ付けし、そのロウ付け状態を顕微鏡により
観察するとともに外部リード端子のロウ付け部と反対の
一端にロウ付け面に対し垂直方向の外力を加えて引っ張
り、外部リード端子がムライト質焼結体から成る基板よ
り剥がれた個数を調べた。
ための比較試料であり、従来一般に使用されている銀ロ
ウ及び先に提案したロウ付け用材料である。次ぎに、得
られた各ロウ材試料を使用し、ムライト質焼結体（熱膨
張係数:4.0〜4.5×10-6/℃）から成る基板の表面に設け
た5mm×2mm（面積10mm2）のタングステンメタライズ金
属層20個に、幅0.4mm、長さ20mm、厚さ0.15mmのコバー
ル（熱膨張係数:11.5〜13.0×10-6/℃）から成る外部リ
ード端子の一端を昇温速度30℃／分の速度で約900℃に
加熱してロウ付けし、そのロウ付け状態を顕微鏡により
観察するとともに外部リード端子のロウ付け部と反対の
一端にロウ付け面に対し垂直方向の外力を加えて引っ張
り、外部リード端子がムライト質焼結体から成る基板よ
り剥がれた個数を調べた。
尚、前記外部リード端子のロウ付け面積は幅0.4mm、
長さ2.5mmの1.0mm2となし、ムライト質焼結体から成る
基板に設けたタングステンメタライズ金属層及び外部リ
ード端子の外表面にはそれぞれニッケル（Ni）及び金
（Au）がめっきにより層着させてある。
長さ2.5mmの1.0mm2となし、ムライト質焼結体から成る
基板に設けたタングステンメタライズ金属層及び外部リ
ード端子の外表面にはそれぞれニッケル（Ni）及び金
（Au）がめっきにより層着させてある。
上記の結果を第１表に示す。
上記実験結果からも判るように従来の銀ロウ（試料番
号36）はその硬度（ビッカース硬度）が82であり、硬い
ことから熱膨張係数が大きく相違する２つの部材をロウ
付けした場合、ロウ付け後に一方の部材に3Kgの力が印
加されると両部材は全て剥離してしまい、ロウ材のロウ
付け強度が極めて低い。また先に提案した銀（Ag）にイ
ンジウム（In），アンチモン（Sb）を含有させてなるロ
ウ付け用材料（試料番号１、２、35）はロウ付け時の昇
温速度が30℃／分であるとロウ材中に溶け分かれが発生
し、900℃の温度ではロウ材が完全に溶解せず外部リー
ド端子を強固にロウ付けすることができない。
号36）はその硬度（ビッカース硬度）が82であり、硬い
ことから熱膨張係数が大きく相違する２つの部材をロウ
付けした場合、ロウ付け後に一方の部材に3Kgの力が印
加されると両部材は全て剥離してしまい、ロウ材のロウ
付け強度が極めて低い。また先に提案した銀（Ag）にイ
ンジウム（In），アンチモン（Sb）を含有させてなるロ
ウ付け用材料（試料番号１、２、35）はロウ付け時の昇
温速度が30℃／分であるとロウ材中に溶け分かれが発生
し、900℃の温度ではロウ材が完全に溶解せず外部リー
ド端子を強固にロウ付けすることができない。
これに対し、本発明のロウ付け用材料はその硬度（ビ
ッカース硬度）が68以下であり軟らかいこと及びロウ付
け時の昇温速度が30℃／分であっても溶け分かれが発生
せず、ロウ材が完全に溶融することから熱膨張係数が大
きく相違する２つの部材をロウ付けした場合、ロウ付け
後に一方の部材に4Kgの外力を印加したとしても両部材
は剥離することが全くなくロウ材のロウ付け強度が極め
て高いことが判る。
ッカース硬度）が68以下であり軟らかいこと及びロウ付
け時の昇温速度が30℃／分であっても溶け分かれが発生
せず、ロウ材が完全に溶融することから熱膨張係数が大
きく相違する２つの部材をロウ付けした場合、ロウ付け
後に一方の部材に4Kgの外力を印加したとしても両部材
は剥離することが全くなくロウ材のロウ付け強度が極め
て高いことが判る。
次に前記各ロウ材試料における銀のマイグレーション
（移行）につき以下に示す加速度試験により調べる。
（移行）につき以下に示す加速度試験により調べる。
調べる方法としては、まずムライト質焼結体から成る
基板上に幅2.7mm、長さ20mmの矩形状のメタライズ金属
層一対をその先端部が0.7mmの間隔をもって対向するよ
うに被着形成するとともに外メタライズ金属層の外表面
全面に第１表に示す各ロウ材試料を約900℃の温度で加
熱溶融させて被着する。
基板上に幅2.7mm、長さ20mmの矩形状のメタライズ金属
層一対をその先端部が0.7mmの間隔をもって対向するよ
うに被着形成するとともに外メタライズ金属層の外表面
全面に第１表に示す各ロウ材試料を約900℃の温度で加
熱溶融させて被着する。
そして次ぎに前記各ロウ材試料が被着された一対のメ
タライズ金属層間に50μの純水を滴下させるとともに
直流10Vの電圧を印加し、各ロウ材試料より銀を加速度
的に移行させ、該銀の移行により両メタライズ金属層が
短絡状態となるまでの時間を求めるとともにその時間の
長さを各ロウ材試料の耐マイグレーションの評価とし
た。
タライズ金属層間に50μの純水を滴下させるとともに
直流10Vの電圧を印加し、各ロウ材試料より銀を加速度
的に移行させ、該銀の移行により両メタライズ金属層が
短絡状態となるまでの時間を求めるとともにその時間の
長さを各ロウ材試料の耐マイグレーションの評価とし
た。
尚、前記ムライト質焼結体上に設けられたメタライズ
金属層はタングステンにより形成し、かつメタライズ金
属層の表面にはニッケル（Ni）をめっきにより層着させ
ておいた。
金属層はタングステンにより形成し、かつメタライズ金
属層の表面にはニッケル（Ni）をめっきにより層着させ
ておいた。
上記の結果を第２表に示す。
上記実験結果からも明らかな如く、銀（Ag）に含有さ
せるインジウム（In）、アンチモン（Sb）の量が少ない
場合、ロウ付け用材料中に含まれる銀（Ag）のマイグレ
ーション（移行）が早く、短時間でメタライズ金属層間
が短絡してしまうのに対し、インジウム（In）、アンチ
モン（Sb）の量が1.0乃至15.0重量％としたものは銀（A
g）のマイグレーション（移行）が遅く、近接する２つ
のメタライズ金属層間の絶縁を長時間にわたり維持する
ことができる。
せるインジウム（In）、アンチモン（Sb）の量が少ない
場合、ロウ付け用材料中に含まれる銀（Ag）のマイグレ
ーション（移行）が早く、短時間でメタライズ金属層間
が短絡してしまうのに対し、インジウム（In）、アンチ
モン（Sb）の量が1.0乃至15.0重量％としたものは銀（A
g）のマイグレーション（移行）が遅く、近接する２つ
のメタライズ金属層間の絶縁を長時間にわたり維持する
ことができる。
（発明の効果） 以上の通り、本発明のロウ付け用材料によれば銀（A
g）にインジウム（In）、アンチモン（Sb）の少なくと
も１種を1.0乃至15.0重量％及び錫（Sn）、銅（Cu）、
ニッケル（Ni）、パラジウム（Pd）の少なくとも１種を
３重量％以下含有させたことからロウ付け時の昇温速度
が遅くてもロウ材に溶け分かれが発生することはなくロ
ウ材を低い温度で完全に溶融させることができ、ロウ付
け時の昇温条件に大きな制約を受けることはない。
g）にインジウム（In）、アンチモン（Sb）の少なくと
も１種を1.0乃至15.0重量％及び錫（Sn）、銅（Cu）、
ニッケル（Ni）、パラジウム（Pd）の少なくとも１種を
３重量％以下含有させたことからロウ付け時の昇温速度
が遅くてもロウ材に溶け分かれが発生することはなくロ
ウ材を低い温度で完全に溶融させることができ、ロウ付
け時の昇温条件に大きな制約を受けることはない。
また本発明のロウ付け用材料は硬度が低く軟らかいこ
とから熱膨張係数が大きく相違する２つの部材をロウ付
けした場合、両部材間に発生する応力は前記軟質なロウ
付け用材料を変形させることによって吸収除去され、そ
の結果、両部材を極めて強固にロウ付けすることもでき
る。
とから熱膨張係数が大きく相違する２つの部材をロウ付
けした場合、両部材間に発生する応力は前記軟質なロウ
付け用材料を変形させることによって吸収除去され、そ
の結果、両部材を極めて強固にロウ付けすることもでき
る。
更には本発明のロウ付け用材料は接合部材との濡れ性
及び耐マイグレーションにも優れており、従来の銀ロウ
と同様、外部リード端子が多数近接してロウ付けされて
なる電子部品の外部リード端子ロウ付け用材料として好
適に使用することも可能となる。
及び耐マイグレーションにも優れており、従来の銀ロウ
と同様、外部リード端子が多数近接してロウ付けされて
なる電子部品の外部リード端子ロウ付け用材料として好
適に使用することも可能となる。
Claims (1)
- 【請求項１】銀にインジウム、アンチモンの少なくとも
１種を1.0乃至15.0重量％及び錫、銅、ニッケル、パラ
ジウムの少なくとも１種を0.5乃至3.0重量％含有させた
ことを特徴とするロウ付け用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63315981A JP2686548B2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | ロウ付け用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63315981A JP2686548B2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | ロウ付け用材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02160196A JPH02160196A (ja) | 1990-06-20 |
| JP2686548B2 true JP2686548B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=18071903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63315981A Expired - Fee Related JP2686548B2 (ja) | 1988-12-14 | 1988-12-14 | ロウ付け用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2686548B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ITUB20152713A1 (it) * | 2015-07-31 | 2017-01-31 | Legor Group S P A | Lega di argento sterling induribile per invecchiamento con resistenza al ?tarnishing? migliorata e composizione di lega madre per la sua produzione |
| IT201600078420A1 (it) | 2015-07-31 | 2018-01-26 | Legor Group S P A | Lega di argento sterling induribile per invecchiamento con resistenza al “tarnishing” migliorata e composizione di lega madre per la sua produzione |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6182995A (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | ろう付け用材料 |
| DE3822966C2 (de) * | 1988-07-07 | 1993-09-30 | Degussa | Verwendung einer Silberlegierung als Lot zum direkten Verbinden von Keramikteilen |
-
1988
- 1988-12-14 JP JP63315981A patent/JP2686548B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02160196A (ja) | 1990-06-20 |
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