JP2668569B2 - ロウ付け用材料 - Google Patents

ロウ付け用材料

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JP2668569B2 JP63318778A JP31877888A JP2668569B2 JP 2668569 B2 JP2668569 B2 JP 2668569B2 JP 63318778 A JP63318778 A JP 63318778A JP 31877888 A JP31877888 A JP 31877888A JP 2668569 B2 JP2668569 B2 JP 2668569B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はロウ付け用材料に関し、より詳細には電子部
品における外部リード端子のロウ付けに使用されるロウ
材の改良に関するものである。
(従来技術及びその課題) 従来、銀70〜90重量%、銅10〜30重量%の合金から成
る銀ロウは接合部材にあまり制約を受けないこと及び使
用温度範囲(溶融温度範囲)が低いことから電子部品、
例えば半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケー
ジや回路配線基板等における外部リード端子のロウ付け
用材料として多用されている。
しかし乍ら、この従来の銀ロウはそのビッカース硬度
(Hv)が82〜90であり、硬いことから熱膨張係数が大き
く相違する2つのもの、例えば半導体素子を収容するた
めの半導体素子収納用パッケージにおいてはムライト質
焼結体(熱膨張係数:4.0〜4.5×10-6/℃)から成る絶縁
容器と、コバール(鉄−ニッケル−コバルト合金)や42
Alloy(鉄−ニッケル合金)等の鉄合金(熱膨張係数:1
1.5〜13.0×10-6/℃)から成る外部リード端子をロウ付
けする場合、そのロウ付け部に両者の熱膨張係数の相違
に起因する大きな応力が発生し、内在し、その結果、外
部リード端子に小さな外力が印加されても該外力は前記
内在応力と相俟って大となり、外部リード端子を絶縁容
器より剥離させてしまうという欠点を有していた。
そこで上記欠点を解消するために本出願人は先に銀
(Ag)にインジウム(In)、アンチモン(Sb)の少なく
とも1種を1.0乃至15.0重量%含有させたロウ付け用材
料を提案した。このロウ付け用材料はロウ材の使用温度
が低く、接合部材との漏れ性が良好であるとともにロウ
材の主成分である銀(Ag)のマイグレーション(移行)
が殆どないという従来の銀ロウと同等の利点に加えて、
ロウ材自身の硬度を低いものとし、熱膨張係数が大きく
異なる2つの部材をロウ付けした際、両部材間に発生す
る応力をロウ材自身が変形することにより吸収除去し、
これによって両部材を強固に接合することを可能とす
る。
しかし乍ら、銀(Ag)にインジウム(In),アンチモ
ン(Sb)を1.0乃至15.0重量%含有させた前記ロウ付け
用材料は共晶組成と異なるためロウ付け時の凝固が徐々
に進行するものとなる。そのためこのロウ材を使用して
2つの部材をロウ付けする場合、加熱溶融状態時にロウ
材中に吸蔵された酸素、即ちロウ材の金属素子間に取り
込まれた酸素がロウ材の冷却過程時にロウ材の表面部で
濃縮され気泡となり、これがロウ材表面より放出されて
ロウ材表面に多量のボイド(穴)を形成してしまう。従
って、ロウ付け後のロウ材表面に該ロウ材の酸化腐蝕等
を防止するためのめっき金属層を被着させた場合、めっ
き金属層はロウ材の外表面が粗面であることからその外
表面全面を完全に覆うことができないという欠点を有し
ていた。
(発明の目的) 本発明者等は上記欠点に鑑み更に種々の実験を行った
結果、銀(Ag)にインジウム(In)、アンチモン(Sb)
の少なくとも1種を1.0乃至15.0重量%含有させたロウ
付け用材料に更にゲルマニウム(Ge)、ガリウム(Ga)
の少なくとも1種を3.0重量%以下及び/又はマンガン
(Mn)、シリコン(Si)、リン(P)の少なくとも1種
を0.5重量%以下含有させると、該ゲルマニウム(G
e)、ガリウム(Ga)、マンガン(Mn)、シリコン(S
i)、リン(P)等はロウ材の凝固時にロウ材中に吸蔵
された酸素が多量に放出されるのを有効に抑制し、ロウ
付け後のロウ材表面をボイド(穴)の殆どない極めて平
滑なものになし得ることを知見した。
本発明は上記知見に基づき、使用温度範囲が低く、接
合部材に大きな制約を受けず、熱膨張係数が大きく異な
る2つの部材を強固にロウ付けすることができるという
従来のロウ付け用材料の利点に加えて、ロウ付け後のロ
ウ材表面を平滑として、その外表面全体面にめっき金属
層を均一厚みに、かつ完全に覆う如くの被着させること
ができるロウ付け用材料を提供することにある。
本発明は外部リード端子を有する電子部品、具体的に
は、半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
やハイブリッドIC用配線基板、コンデンサ、抵抗、マイ
クロスイッチ等の外部リード端子のロウ付け用材料とし
て好適に使用される。
(課題を解決するための手段) 本発明のロウ付け用材料は、インジウム、アンチモン
の少なくとも1種を1.0乃至15.0重量%及び下記(1)
乃至(3)のいずれかを含有し、残部銀から成ることを
特徴とするものである。
(1)ゲルマニウム、ガリウムの少なくとも1種を1.0
重量%以上3.0重量%以下 (2)マンガン、シリコン、リンの少なくとも1種を0.
05重量%以上0.5重量%以下 (3)ゲルマニウム、ガリウムの少なくとも1種を1.0
重量%以上3.0重量%以下及びマンガン、シリコン、リ
ンの少なくとも1種を0.1重量%以上0.5重量%以下 本発明のロウ付け用材料において添加されるインジウ
ム(In)、アンチモン(Sb)はロウ材の硬度及び使用温
度範囲を低下させ、且つ接合部材との濡れ性を良好とす
るとともにロウ材の主成分である銀(Ag)のマイグレー
ション(移行)を防止するための成分であり、その含有
量が1.0重量%未満であると所望の前記性質は付与され
ず、また15.0重量%を超えるとロウ材の硬度が高くな
り、熱膨張係数が大きく相違する2つの部材をロウ付け
する際、両部材間に発生する応力をロウ材が良好に吸収
することができなくなってロウ付け強度を大幅に低下さ
せてしまうことからインジム(In)、アンチモン(Sb)
はその含有量が1.0乃至15.0重量%の範囲に特定され
る。
またゲルマニウム、ガリウム、マンガン、シリコン、
リンは銀にインジウム、アンチモンを含有させたロウ材
の金属原子間に取り込まれる酸素をロウ材凝固時に気泡
としてロウ材表面部より多量に放出されるのを抑制し、
ロウ付け後のロウ材表面を平滑と成すための成分であ
り、ゲルマニウム、ガリウムの少なくと1種を含有させ
る場合は、その含有量が1.0重量%未満ではロウ材の凝
固時にロウ材中に吸蔵された酸素が気泡としてロウ材表
面部より多量に放出されるのを有効に抑制することが困
難となり、3.0重量%を超えるとゲルマニウム、ガリウ
ムの酸化物が溶融したロウ材の表面に浮遊し、ロウ付け
後のロウ材表面を粗面にしてしまうことから、その含有
量が1.0重量%以上3.0重量%以下に特定される。
またマンガン、シリコン、リンの少なくとも1種を含
有させる場合は、その含有量が0.05重量%未満ではロウ
材の凝固時にロウ材中に吸蔵された酸素が気泡としてロ
ウ材表面部より多量に放出されるのを有効に抑制するこ
とが困難となり、0.5重量%を超えるとマンガン、シリ
コン、リンの酸化物が溶融したロウ材の表面に浮遊し、
ロウ付け後のロウ材表面を粗面にしてしまうことから、
その含有量が0.05重量%以上0.5重量%以下に特定され
る。
またゲルマニウム、ガリウムの少なくとも1種及びマ
ンガン、シリコン、リンの少なくとも1種を含有させる
場合は、ゲルマニウム、ガリウムの含有量が1.0重量%
未満で且つマンガン、シリコン、リンの含有量が0.1重
量%未満ではロウ材の凝固時にロウ材中に吸蔵された酸
素が気泡としてロウ材表面部より多量に放出されるのを
有効に抑制することが困難となり、ゲルマニウム、ガリ
ウムの含有量が3.0重量%、マンガン、シリコン、リン
の含有量が0.5重量%を超えるとマンガン、シリコン、
リンの酸化物が溶融したロウ材の表面に浮遊し、ロウ付
け後のロウ材表面を粗面にしてしまうことから、ゲルマ
ニウム、ガリウムの含有量が1.0重量%以上3.0重量%以
下に、及びマンガン、シリコン、リンの含有量が0.1重
量%以上0.5重量%以下に夫々特定される。
(実施例) 次に本発明を実施例に基づいて説明する。
まず出発原料として銀(Ag)、インジウム(In)、ア
ンチモン(Sb)、ゲルマニウム(Ge)、ガリウム(G
a)、マンガン(Mn)、シリコン(Si)及びリン(P)
を第1表に示す組成となるように秤量混合し、これを合
金化させるとともに所定の形状に加工してロウ材材料を
得る。
ここで各ロウ材試料の組成は、第1表に示すように、
表中の組成成分の合計がそれぞれ100重量%となるよう
にした。
尚、試料番号95及び2は本発明品と比較するための比
較試料であり、従来一般に使用されている銀ロウおよび
先に提案したロウ付け用材料である。
次ぎに、得られた各ロウ材料試料を使用し、ムライト
質焼結体(熱膨張係数:4.0〜4.5×10-6/℃)から成る基
板の表面に設けた5mm×2mm(面積10mm2)のタングステ
ンメタライズ金属層20個に、幅0.4mm、長さ20mm、厚さ
0.15mmのコバール(熱膨張係数:11.5〜13.0×10-6/℃)
から成る外部リード端子の一端を約900℃に加熱してロ
ウ付けするとともに外部リード端子のロウ付け部と反対
の一端にロウ付け面に対し垂直方向の外力を加えて引っ
張り、外部リード端子がムライト質焼結体から成る基板
より剥がれた個数を調べて、ロウ付け強度の評価とす
る。
尚、前記外部リード端子のロウ付け面積は幅0.4mm、
長さ2.5mmの1.0mm2となし、ムライト質焼結体から成る
基板に設けたタングステンメタライズ金属属及び外部リ
ード端子の外表面にはそれぞれニッケル(Ni)及び金
(Au)がめっきにより層着させてある。
また、同時に前記ムライト質焼結体から成る基板の表
面に5mm×2mm(面積10mm2)のタングステンメタライズ
金属層を設けたものを500個準備し、該タングステンメ
タライズ金属層上に第1表に示すロウ材900℃に加熱し
てロウ付けするとともにロウ材表面にニッケル(Ni)及
び金(An)を夫々2.0μm、1.5μmの厚みにめっきによ
り被着させる。そして次ぎに前記めっき金属層の表面を
顕微鏡により観察し、めっき金属層にボイドが発生して
いるもの、即ち、めっき不良を起こしているものの数を
調べ、これをロウ材の表面状態の評価とする。
尚、前記めっき不良の検査においては、その検査の正
確性を上げるためにロウ材表面にニッケル及び金をめっ
きを施したものをH2Sの濃度が3±1ppmのデシケータ内
に設置し、めっき金属層が被着していない部位、即ち、
ロウ材が露出している部位をAg2Sに換え、黒色化させ
た。
上記の結果を第1表に示す。
上記実験結果からも判るように従来の銀ロウ(試料番
号95)はその硬度(ビッカース硬度)が82であり、硬い
ことから熱膨張係数が大きく相違する2つの部材をロウ
付けした場合、ロウ付け後に一方の部材に3Kgの力が印
加されると両部材は全て剥離してしまい、ロウ材のロウ
付け強度が極めて低い。また先に提案した銀(Ag)にイ
ンジウム(In),アンチモン(Sb)を含有させてなるロ
ウ付け用材料(試料番号2)はロウ付け後のロウ材表面
に多量のボイド(穴)が存在し、ロウ材の外表面にめっ
きを施しても17.0%のめっき不良を発生し、ロウ材の外
表面全面をめっき金属層で完全に被覆することはできな
い。
これに対し、本発明のロウ付け用材料はその硬度(ビ
ッカース硬度)が69以下であり軟らかいことから熱膨張
係数が大きく相違する2つの部材をロウ付けした場合、
ロウ付け後に一方の部材に4Kgの外力を印加したとして
も両部材は剥離することが一切なく、ロウ材のロウ付け
強度が極めて高いことが判る。またロウ材のロウ付け後
の表面状態も極めて良く、平滑であることからロウ材の
外表面にめっきを施してもめっき不良を発生することは
殆どなく、ロウ材外表面全面をめっき金属層で完全に被
覆することができる。
次に前記各ロウ材試料における銀のマグエレーション
(移行)につき以下に示す加速度試験により調べる。
調べる方法としては、まずムライト質焼結体から成る
基板上に幅2.7mm、長さ20mmの矩形状のメタライズ金属
層一対をその先端部が0.7mmの間隔をもって対向するよ
うに被着形成するとともに該メタライズ金属層の外表面
全面に第1表に示す各ロウ材試料を約900℃の温度で加
熱溶融させて被着する。
そして次ぎに前記各ロウ材試料が被着された一対のメ
タライズ金属層間に50μの純粋を滴下させるとともに
直流10Vの電圧を印加し、各ロウ材試料より銀を加速度
滴に移行させ、該銀の移行により両メタライズ金属層が
短絡状態となるまでの時間を求めるとともにその時間の
長さを各ロウ材試料の耐マイグレーションの評価とし
た。
尚、前記ムライト質焼結体上に設けられたメタライズ
金属層はタングステンにより形成し、かつメタライズ金
属層の表面にはニッケル(Ni)をめっきにより層着させ
ておいた。
上記の結果を第2表に示す。
上記実験結果からも明らかな如く、銀(Ag)に含有さ
せるインジウム(In)、アンチモン(Sb)の量が少ない
場合、ロウ付け用材料中に含まれる銀(Ag)のマイグレ
ーション(移行)が早く、短時間でメタライズ金属層間
が短絡してしまうのに対し、イジウム(In)、アンチモ
ン(Sb)の量が1.0乃至15.0重量%としたものは銀(A
g)のマイグレーション(移行)が遅く、近接する2つ
のメタライズ金属層間の絶縁を長時間にわたり維持する
ことができる。
(発明の効果) 以上の通り、本発明のロウ付け用材料によれば銀にイ
ンジウム、アンチモンの少なくとも1種を1.0乃至15.0
重量%含有させるとともにゲルマニウム、ガリウムの少
なくとも1種を3.0重量%以下及び/又はマンガン、シ
リコン、リンの少なくとも1種を0.5重量%以下含有さ
せたことからロウ材のロウ付け後の表面をボイド(穴)
のない平滑なものとなすことができ、その結果、ロウ材
表面に該ロウ材の酸化腐蝕等を防止するためのめっき金
属層を被着させる場合、めっき金属層をロウ材の外表面
全面に均一厚みに、且つロウ材を完全に覆うように被着
させることができる。
また本発明のロウ付け用材料は硬度が低く軟らかいこ
とから熱膨張係数が大きく相違する2つの部材をロウ付
けした場合、両部材間に発生する応力は前記軟質なロウ
付け用材料を変形させることによって吸収除去され、そ
の結果、両部材を極めて強固にロウ付けすることもでき
る。
更には本発明のロウ付け用材料は接合部材との濡れ性
及び耐マイグレーションにも優れており、従来の銀ロウ
と同様、外部レード端子が多数近接してロウ付けされて
なる電子部品の外部リード端子ロウ付け用材料として好
適に使用することも可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−97394(JP,A) 特開 昭61−242787(JP,A) 特開 昭57−195598(JP,A) 特公 昭61−11158(JP,B2)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】インジウム、アンチモンの少なくとも1種
    を1.0乃至15.0重量%及び下記(1)乃至(3)のいず
    れかを含有し、残部銀から成ることを特徴とするロウ付
    け用材料。 (1)ゲルマニウム、ガリウムの少なくとも1種を1.0
    重量%以上3.0重量%以下 (2)マンガン、シリコン、リンの少なくとも1種を0.
    05重量%以上0.5重量%以下 (3)ゲルマニウム、ガリウムの少なくとも1種を1.0
    重量%以上3.0重量%以下及びマンガン、シリコン、リ
    ンの少なくとも1種を0.1重量%以上0.5重量%以下
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