JP2021086981A

JP2021086981A - コイル部品

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Publication number: JP2021086981A
Application number: JP2019216837A
Authority: JP
Inventors: 耕平松浦; Kohei Matsuura; 守裕 ▲浜▼野; Morihiro Hamano
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2019-11-29
Filing date: 2019-11-29
Publication date: 2021-06-03
Anticipated expiration: 2039-11-29
Also published as: CN214099309U; CN112885561B; US20210166854A1; CN112885561A; JP7099434B2

Abstract

【課題】信頼性が高いコイル部品の提供。【解決手段】第１ガラス層と、前記第１ガラス層の第１主面に形成された第１フェライト層および前記第１ガラス層の第２主面に形成された第２フェライト層とを含む素体と、前記第１ガラス層内に埋設されたコイルと、前記素体の側面に、第１フェライト層、第１ガラス層および第２フェライト層にわたって設けられた外部電極とを備えたコイル部品であって、前記素体の側面において、該側面に垂直な方向から平面視したときに、フェライト層の領域における外部電極の幅は、ガラス層の領域における外部電極の幅よりも大きいことを特徴とするコイル部品。【選択図】図１

Description

本開示は、コイル部品に関する。

従来のコイル部品としては、特許文献１に、第１の非磁性体部と、第１の非磁性体部の下面に形成された第１の磁性体部、第１の非磁性体部の上面に形成された第２の磁性体部と、第１の非磁性体部内に埋設されＡｇで構成された第１のコイル、第２のコイルと、前記第１の磁性体部の下面、第２の磁性体部の上面のうち少なくとも一方に形成された第２の非磁性体部とを備えたコモンモードチョークコイルが開示されている。かかるコモンモードチョークコイルにおいては、外部電極は、Ａｇを含む下地電極上に、ニッケルめっき層、スズめっき層またははんだめっき層等を順次形成することで構成されている。このような構造の場合、下地電極に含まれるＡｇのマイグレーションにより、信頼性が低下する虞がある。

特開２０１７−１１１０３号公報

本発明の課題は、信頼性が高いコイル部品を提供することにある。

本開示は、以下の態様を含む。
［１］第１ガラス層と、前記第１ガラス層の第１主面に形成された第１フェライト層および前記第１ガラス層の第２主面に形成された第２フェライト層とを含む素体と、
前記第１ガラス層内に埋設されたコイルと、
前記素体の側面に、第１フェライト層、第１ガラス層および第２フェライト層にわたって設けられた外部電極と、
を備えたコイル部品であって、
前記素体の側面において、該側面に垂直な方向から平面視したときに、フェライト層の領域における外部電極の幅は、ガラス層の領域における外部電極の幅よりも大きいことを特徴とするコイル部品。
［２］前記フェライト層の領域における外部電極の幅と、前記ガラス層の領域における外部電極の幅の差は、６０μｍ以上１６０μｍ以下である、上記［１］に記載のコイル部品。
［３］前記外部電極は、Ａｇを含む下地電極と、該下地電極上に形成されためっき層とを含み、前記素体の側面に垂直な方向から平面視したときに、該めっき層の幅は、前記下地電極の幅よりも大きい、上記［１］または［２］に記載のコイル部品。
［４］前記ガラス層は、石英およびアルミナから選択される少なくとも１種のフィラーを含む、上記［１］〜［３］のいずれか１項に記載のコイル部品。
［５］前記第１ガラス層内に、第１コイルおよび第２のコイルが埋設されている、コモンモードチョークコイルである、上記［１］〜［４］のいずれか１項に記載のコイル部品。

本開示によれば、信頼性が高いコイル部品を提供することができる。

図１は、本開示の第１実施形態に係るコイル部品１Ａを示す斜視図である。図２は、第１実施形態に係るコイル部品１ＡのＸＺ断面図である。図３は、第１実施形態に係るコイル部品１Ａの一部側面図である。図４は、第１実施形態に係るコイル部品１Ａの分解斜視図である。図５は、第１実施形態に係るコイル部品１Ａの外部電極の断面図である。図６は、第２実施形態に係るコイル部品１ＢのＸＺ断面図である。図７は、第２実施形態に係るコイル部品１Ｂの一部側面図である。

以下、本開示のコイル部品を図示の実施の形態により詳細に説明する。ただし、本開示に係るコイル部品および各構成要素の形状および配置等は、以下に説明する実施形態および図示される構成に限定されるものではない。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るコイル部品１Ａを示す斜視図である。図２は、コイル部品１ＡのＹＺ断面図である。図３は、コイル部品１Ａの一部端面図である。図４は、コイル部品１Ａの分解斜視図（ただし外部電極を除く）である。

図１〜４に示されるように、コイル部品１Ａは、いわゆるコモンモードチョークコイルであり、素体２と、素体２の内部に設けられたコイル（図２に示す第１コイル３ａおよび第２コイル３ｃを含む）と、素体２の表面に設けられた外部電極（外部電極４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄを含む）とを備える。素体２は、第１ガラス層２１と、第１ガラス層２１の第１主面に形成された第１フェライト層２２および第１ガラス層２１の第２主面に形成された第２フェライト層２３とを含む（なお、第１フェライト層および第２フェライト層をまとめて「フェライト層」とも言う）。上記第１コイル３ａおよび第２コイル３ｃは、上記第１ガラス層２１の内部に設けられている。上記外部電極４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄは、素体２の側面上に、上端から下端まで、第２フェライト層２３、第１ガラス層２１および第１フェライト層２２にわたって設けられている。

上記したように、素体２は、第１ガラス層２１と、第１ガラス層２１の第１主面に形成された第１フェライト層２２と、第１ガラス層２１の第２主面に形成された第２フェライト層２３とを含む。換言すれば、素体２は、第１ガラス層２１、第１ガラス層２１を上下から挟む第１フェライト層２２および第２フェライト層２３を含む。

上記素体２は、略直方体状に形成されている。素体２の角は丸みを帯びていてよい。素体２の積層方向をＺ軸方向と定義し、素体２の長辺に沿った方向をＸ軸方向と定義し、素体２の短辺に沿った方向をＹ軸方向と定義する。Ｘ軸とＹ軸とＺ軸とは互いに直交している。図中上側をＺ軸方向の上方向とし、図中下側をＺ軸方向の下方向とする。

上記第１ガラス層２１を構成するガラス材料は、例えば、少なくともＫ、ＢおよびＳｉを含むガラス材料であり得る。ガラス材料は、Ｋ、ＢおよびＳｉに加え、これら以外の元素を含んでいてもよく、例えばＡｌ、Ｂｉ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｚｎ等を含んでいてもよい。

一の態様において、ガラス材料は、ＫをＫ_２Ｏに換算して０．５質量％以上５質量％以下、ＢをＢ_２Ｏ_３に換算して１０質量％以上２５質量％以下、ＳｉをＳｉＯ_２に換算して７０質量％以上８５質量％以下、ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３に換算して０質量％以上５質量％以下含む、ＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ｋ_２Ｏ系ガラスまたはＳｉＯ_２−Ｂ_２Ｏ_３−Ｋ_２Ｏ−Ａｌ_２Ｏ_３系ガラスであり得る。

上記第１ガラス層２１は、ガラス材料に加え、フィラーを含んでいてもよい。ガラス層中のフィラーの含有量は、例えば０質量％以上４０質量％以下、好ましくは０．５質量％以上４０質量％以下であり、例えば１０質量％以上、２０質量％以上、３０質量％以上、または３４質量％以上であり、４０質量％以下または３８質量％以下であり得る。

上記フィラーとしては、例えば石英（Ｓｉ_２Ｏ_３）およびアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）が挙げられる。

好ましい態様において、第１ガラス層２１は、ガラス層全体に対して、ガラス材料を６０質量％以上６６質量％以下、Ｓｉ_２Ｏ_３を３４質量％以上３７質量％以下、およびＡｌ_２Ｏ_３を０．５質量％以上４質量％以下含み得る。

上記第１ガラス層２１の厚みは、例えば、２０μｍ以上３００μｍ以下、好ましくは３０μｍ以上２００μｍ以下であり得る。

上記第１フェライト層２２および第２フェライト層２３を構成するフェライト材料は、同じであっても、異なっていてもよい。好ましい態様において、上記第１フェライト層２２および第２フェライト層２３を構成するフェライト材料は、同じである。

上記フェライト材料は、主成分として、Ｆｅ、Ｚｎ、ＣｕおよびＮｉを含むフェライト材料であり得る。フェライト材料は、上記主成分の他に、さらに微量の添加物（不可避不純物を含む）を含んでいてもよい。

上記フェライト材料において、Ｆｅ含有量は、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して、４０．０モル％以上４９．５モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、好ましくは４５．０モル％以上４８．０モル％以下であり得る。

上記フェライト材料において、Ｚｎ含有量は、ＺｎＯに換算して、５．０モル％以上３５．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、好ましくは１０．０モル％以上３０．０モル％以下であり得る。

上記フェライト材料において、Ｃｕ含有量は、ＣｕＯに換算して、４．０モル％以上１２．０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、好ましくは７．０モル％以上１０．０モル％以下である。

上記フェライト材料において、Ｎｉ含有量は、特に限定されず、上記した他の主成分であるＦｅ、ＺｎおよびＣｕの残部、例えば９．０モル％以上４５．０モル％以下とし得る。

上記添加物としては、例えばＢｉ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｉ等が挙げられるが、これに限定されるものではない。Ｂｉ、Ｓｎ、Ｍｎ、ＣｏおよびＳｉの含有量（添加量）は、主成分（Ｆｅ（Ｆｅ_２Ｏ_３換算）、Ｚｎ（ＺｎＯ換算）、Ｃｕ（ＣｕＯ換算）およびＮｉ（ＮｉＯ換算））の合計１００質量部に対して、それぞれ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｍｎ_３Ｏ_４、Ｃｏ_３Ｏ_４およびＳｉＯ_２に換算して、０．１質量部以上１質量部以下とすることが好ましい。

コイル部品１Ａは、内部導体としてコイルを備える。図２に示すコイル部品１Ａは、第１コイル３ａおよび第２コイル３ｃの２つのコイルを備える。尤も、本開示に係るコイル部品は２つのコイルを備える構成に限定されるものではなく、コイルを１つのみ備えていてもよく、３以上のコイルを備えていてもよい。

上記第１コイル３ａおよび第２コイル３ｃを含むコイルは、素体２の第１ガラス層２１の内部に配置される。第１コイル３ａおよび第２コイル３ｃは、素体の積層方向に順に設けられて、コモンモードチョークコイルを構成する。第１コイル３ａおよび第２コイル３ｃを含むコイルは、例えばＡｇ、Ｃｕ等の導電性材料で構成される。当該導電性材料は、好ましくはＡｇである。

第１コイル３ａおよび第２コイル３ｃは、上方からみて同一方向に螺旋状に巻き回されたスパイラルパターンを有する。第１コイル３ａおよび第２コイル３ｃを含むコイルは、その両端において、素体２の表面に引き出されて外部電極のいずれか１つと接続する引出部を有する。具体的には、第１コイル３ａの螺旋状の外周側の一端は、素体２の表面に引き出された引出部を有し、第１コイル３ａの螺旋状の中心の他端はパッド部を有する。第１コイル３ａのパッド部は、第１ガラス層２１の内部に設けられたビア導体を介してもう一方の引出部（図２において符号３ｂで示す）に電気的に接続され、引出部３ｂは素体２の表面に引き出される。同様に、第２コイル３ｃの螺旋状の外周側の一端は、素体２の表面に引き出された引出部を有し、第２コイル３ｃの螺旋状の中心の他端はパッド部を有する。第２コイル３ｃのパッド部は、第１ガラス層２１の内部に設けられたビア導体を介してもう一方の引出部（図２において符号３ｄで示す）に電気的に接続され、引出部３ｄは素体２の表面に引き出される。

図１に示すコイル部品１Ａは、第１外部電極４ａ、第２外部電極４ｂ、第３外部電極４ｃおよび第４外部電極４ｄを備える。尤も、外部電極の数は内部導体の数に応じて変化し得、コイル部品は外部電極を２つ（すなわち１対）のみ備えてよく、３以上、例えば６（３対）以上の外部電極を備えてもよい。

上記コイルは、その両端において素体の表面に引き出されて外部電極のいずれか１つに接続される。図２に示すコイル部品１Ａにおいて、第１コイル３ａは、その一端において素体２の表面に引き出されて第１外部電極４ａに接続され、かつ他端において素体２の表面に引き出されて第２外部電極４ｂに接続される。同様に、第２コイル３ｃは、その一端において素体２の表面に引き出されて第３外部電極４ｃに接続され、かつ他端において素体２の表面に引き出されて第４外部電極４ｄと接続される。

上記外部電極は各々、素体２の表面に、第１フェライト層２２、第１ガラス層２１および第２フェライト層２３にわたって存在する。図１に示すコイル部品１において、第１外部電極４ａおよび第３外部電極４ｃは、素体２のＸＺ平面に平行な一の側面に形成される。第２外部電極４ｂおよび第４外部電極４ｄは、第１外部電極４ａおよび第３外部電極４ｃが形成された側面に対向する側面に形成される。第１〜第４外部電極４ａ〜４ｄは、図１に示すようにコ字型に素体２の上下に延在してよい。

外部電極の少なくとも１つは、第１フェライト層２２および第２フェライト層２３の領域における幅が、第１ガラス層２１の領域における幅より大きい。図１に示すコイル部品１Ａにおいて、第１外部電極４ａ、第２外部電極４ｂ、第３外部電極４ｃおよび第４外部電極４ｄはいずれも、第１フェライト層２２および第２フェライト層２３の領域における幅が、第１ガラス層２１の領域における幅より大きい。このように、少なくとも１つの外部電極の幅を、好ましくはすべての外部電極の幅を、フェライト層上において大きくすることにより、コイル部品の信頼性を高めることができる。特に、下地電極にＡｇなどのマイグレーションを起こしやすい金属を用いた場合、ガラス層上よりもフェライト層上でマイグレーションが生じやすく信頼性が低下しやすい。このマイグレーションが生じやすいフェライト層上の下地電極をめっきで大きく覆うことにより、マイグレーションをより効果的に抑制することができる。

ここに、本明細書において、外部電極の「幅」は素体２の積層方向に対して垂直、かつ外部電極が設けられた素体２の表面に対して平行な方向（Ｘ方向）における幅を意味する。即ち、図３において、第１フェライト層２２および第２フェライト層２３の領域における外部電極の幅はＴであり、第１ガラス層２１の領域における外部電極の幅はｔである。なお、各領域における外部電極の幅とは、その領域における外部電極の幅の平均値である。

各フェライト層の領域における外部電極の幅Ｔとガラス層の領域における外部電極の幅ｔとの差は、好ましくは６０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上であり得る。幅Ｔと幅ｔの差を、６０μｍ以上とすることにより、マイグレーションによる信頼性の低下を抑制できる。また、各フェライト層の領域における外部電極の幅Ｔとガラス層の領域における外部電極の幅ｔとの差は、好ましくは８０μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下であり得る。幅Ｔと幅ｔの差を、１６０μｍ以下とすることにより、外部電極端子間における絶縁信頼性の低下を抑制できる。好ましい態様において、各フェライト層の領域における外部電極の幅Ｔとガラス層の領域における外部電極の幅ｔとの差は、好ましくは６０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上であり得る。

上記外部電極を構成する材料は、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ等の金属またはこれらの合金を含む導電性材料であり得る。外部電極を構成する材料は、好ましくはＡｇまたはＡｇを含む合金、より好ましくはＡｇを含む。

一の態様において、外部電極は、下地電極とその上に形成されためっき層を含む。該めっき層は、１層であっても、２層以上であってもよい。好ましい態様において、図５に示されるように、素体２の側面に垂直な方向から平面視したときに、少なくともフェライト層の領域において、上記めっき層８は、上記下地電極５を覆うように設けられる。

上記めっき層８の端から上記下地電極５の端までの距離Ｗ１は、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上である。距離Ｗ１をより大きくすることにより、マイグレーションによる信頼性の低下をより抑制することができる。また、上記めっき層の端から上記下地電極の端までの距離Ｗ１は、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。距離Ｗ１をより小さくすることにより、外部電極の形成時間を短くすることができる。好ましい態様において、上記めっき層の端から上記下地電極の端までの距離Ｗ１は、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上３０μｍ以下である。

好ましい態様において、上記下地電極５は、ＡｇまたはＣｕを含む下地電極、好ましくはＡｇを含む下地電極である。好ましい態様において、上記めっき層８は、Ｎｉめっき層６およびＳｎめっき層７のいずれか１つまたは両方、好ましくは両方であり得る。より好ましい態様において、外部電極５は、Ａｇを含む下地電極、その上に形成されたＮｉめっき層６、さらにその上に形成されたＳｎめっき層７を含む。また、一の態様において、Ｎｉめっき層６とＳｎめっき層７の境界は、Ｎｉ−Ｓｎ合金が形成されていてもよい。Ｎｉめっき層６の上に、Ｓｎめっき層７が位置することによって、後の電子部品のはんだ付けの作業効率を上げることができる。

好ましい態様において、上記素体の側面に垂直な方向から平面視したときに、フェライト層の領域における該めっき層の幅は、上記下地電極の幅よりも大きい。特に、上記めっき層の端から上記下地電極の端までの距離Ｗ１は、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上３０μｍ以下である。

上記下地電極５の厚みは、好ましくは１μｍ以上２００μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１００μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以上５０μｍ以下であり得る。下地電極５の厚みを、１μｍ以上とすることにより、素体２中のコイルとの電気的接続を強固にすることができる。下地電極５の厚みを、２００μｍ以下にすることにより、小型の電子部品にも容易に組み込むことができる。

上記めっき層がＮｉめっき層およびＳｎめっき層である場合、Ｎｉめっき層６の厚みは、特に限定されないが、好ましくは０．５μｍ以上６μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上４μｍ以下、さらにより好ましくは３μｍ以上３．５μｍ以下であり得る。Ｎｉめっき層６の厚みを、０．５μｍ以上とすることによって、外部電極に優れた耐食性等を好適に付与することができる。Ｎｉめっき層６の厚みを６μｍ以下とすることによって、小型の電子部品にも容易に組み込むことができる。

上記めっき層がＮｉめっき層およびＳｎめっき層である場合、Ｓｎめっき層７の厚みは、特に限定されないが、好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上８μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以上５μｍ以下、さらにより好ましくは３μｍ以上４μｍ以下であり得る。Ｓｎめっき層７の厚みを、１μｍ以上とすることによって、後のはんだ付けにおいて、Ｓｎめっき層７より下に位置するめっき層が食われることを防止することができ、かつ好適にはんだ付けを行うことが容易になる。Ｓｎめっき層７の厚みを１０μｍ以下とすることによって、外部電極全体として好適な厚みにすることができ、小型の電子部品にも容易に組み込むことができる。

上記めっき層の厚み（多層の場合、その合計の厚み）は、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１５μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以上１０ｍ以下であり得る。めっき層の厚みを１μｍ以上とすることにより、耐マイグレーション効果を好適に発揮させることができる。めっき層の厚みを２０μｍ以下とすることにより、小型の電子部品にも容易に組み込むことができる。

本開示のコイル部品において、素体の一の表面に複数の外部電極が互いに隣り合って存在してよい。図１に示すコイル部品１Ａにおいて、素体２の一の側面に第１外部電極４ａおよび第３外部電極４ｃが互いに隣り合って存在している。この第１外部電極４ａおよび第３外部電極４ｃが設けられた側面に対向する素体２の側面において、第２外部電極４ｂおよび第４外部電極４ｄが互いに隣り合って存在している。上記したように、第１フェライト層２２および第２フェライト層２３の領域における外部電極の幅が、第１ガラス層２１の領域における外部電極の幅より大きいことにより、コイル部品の信頼性が向上し得る。一方、第１ガラス層２１の領域における外部電極の幅は、第１フェライト層２２および第２フェライト層２３の領域における外部電極の幅より小さいので、第１ガラス層２１の領域において、隣り合う外部電極間の距離を大きくすることができる。

次に、コイル部品１Ａの製造方法について説明する。

まず、ガラスシートを作製する。例えば、まず、ガラス材料の原料であるＫ_２Ｏ、Ｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３を準備し、これを溶融し、急冷することでガラス材料を得る。得られたガラス材料を粉砕して粉末とし、ポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、および可塑剤などと混合し、ドクターブレード法等で、所定の厚み、大きさ、形状のシートに成形加工して、ガラスシートが得られる。

上記のガラス材料の粉末の粒径（Ｄ５０：体積基準の累積百分率５０％相当粒径）は、好ましくは０．５μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上５μｍ以下、より１μｍ以上３μｍ以下であり得る。

上記ガラスシートの厚みは、特に限定されないが、例えば１０μｍ以上４０μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上３０μｍ以下であり得る。

別途、フェライトシートを作製する。例えば、フェライト材料の原料として、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＮｉＯ、ＺｎＯおよびＣｕＯの粉末、および必要に応じて他の添加物を準備し、所定の組成になるように秤量する。秤量物を、ＰＳＺメディア、純水、分散剤などとともにボールミルに入れ、湿式で混合および粉砕した後、乾燥させ、例えば７００〜８００℃の温度で仮焼し、仮焼粉末を得る。得られた仮焼粉末に、ポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤を、ＰＳＺボールと共にポットミルに投入し、混合粉砕する。得られた混合物を、ドクターブレード法等で、所定の厚み、大きさ、形状のシートに成形加工して、フェライトシートが得られる。

上記ガラスシートの厚みは、特に限定されないが、例えば２０μｍ以上６０μｍ以下、好ましくは３５μｍ以上４５μｍ以下であり得る。

次いで、ガラスシート上にコイルパターンを形成する。導電性材料、例えばＡｇを主成分とした導電性ペーストを準備する。次いで、所望によりビアホールを形成したガラスシートに、上記の導電性ペーストを印刷することで、ビアホールに導電性ペーストを充填するとともに、引出電極、各コイル導体のパターンを形成する。

上記のガラスシートを図４の順番で積み重ね、その上下に所定枚数のフェライトシートを積み重ねる。シートを積み重ねた積層体を、加温、加圧下で圧着する。例えば、積層体を、８０℃、１００ＭＰａの条件で、温間等方圧プレス処理（Ｗｉｐ処理）して、圧着する。

上記で得られた積層体をダイサー等で切断し、個片化する。次いで、個片化した積層体を焼成し、素体を得る。所望により、焼成した素体をメディアとともに、回転バレル機に入れ、回転することで素子の稜線やコーナーの角を落としてもよい。

次いで、素体の側面のコイルが引き出された箇所に、導電性ペーストを塗布し、焼き付けを行い、下地電極を形成する。形成した下地電極上に、電解めっきにより、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層を、順次形成する。

素体２の側面において、該側面に垂直な方向から平面視したときに、フェライト層の領域におけるめっき層の幅を、ガラス層の領域におけるめっき層の幅よりも大きくするためには、種々の方法を用いることができる。例えば、めっき時間を調製する、電流値を調整する等、めっき条件を調整することにより、フェライト層上のめっき層を、ガラス層上よりも成長させ、幅を大きくすることができる。一般的にフェライト層は、ガラス層よりも比抵抗が小さいので、長時間のめっきを行うことにより、ガラス層上よりもフェライト層上でよりめっきを成長させることができる。

一の態様において、電解めっき処理では、めっき液にＮｉイオンを加えて、任意の方法でＳｎイオンも含有させて、電解Ｎｉめっき処理を行うことができる（以下、Ｓｎイオン含有電解Ｎｉめっき処理、ともいう）。Ｓｎイオンを含有させる方法は、特に限定されない。例えば、最外層がＳｎでコーティングされている市販のめっきメディアおよび市販の電解Ｎｉめっき液を用いることによって、ＳｎイオンおよびＮｉイオンを含有させて、電解めっき処理を行うことができる。かかる方法の場合、例えば、低電流、例えば２０Ａ未満、好ましくは５Ａ未満ではＳｎが優先的に析出し、高電流、例えば２０Ａ以上、好ましくは２５Ａ以上では、Ｎｉが優先的に析出する。

上記のようにして、本実施形態に係るコイル部品（コモンモードチョークコイル）を得ることができる。

（第２実施形態）
図６は、本開示の第２実施形態に係るコイル部品を示すＹＺ断面図である。図７は、コイル部品の一部端面図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、素体２が第２ガラス層２４および第３最ガラス層２５をさらに含む点で相違する。この相違する構成のみを以下に説明する。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同一の符号は第１実施形態と同じ構成を指すので、その説明は省略する。

図６および図７に示すように、第２実施形態に係るコイル部品１Ｂにおいて、素体２は、第１フェライト層２２の下に積層された第２ガラス層２４と、第２フェライト層２３の上に積層された第３ガラス層２５とを更に含んでよい。この場合、外部電極は各々、第２ガラス層２４、第１フェライト層２２、第１ガラス層２１、第２フェライト層２３および第３ガラス層２５の表面にわたって存在する。第２ガラス層２４および第３ガラス層２５は、ガラスおよび／またはガラスとフェライトの複合材料を含むことが好ましい。外部電極がガラスを含み、かつ第２ガラス層２４および第３ガラス層２５が、ガラスおよび／またはガラスとフェライトの複合材料を含む場合、外部電極に含まれるガラス成分と、第２ガラス層２４および第３ガラス層２５に含まれるガラス成分との相互作用により、外部電極と積層体との固着力が更に向上し得る。

外部電極の少なくとも１つは、第２ガラス層２４および第３ガラス層２５における幅が、第１フェライト層２２および第２フェライト層２３における幅より小さいことが好ましい。第２ガラス層２４および第３ガラス層２５における幅が小さいことにより、外部電極と第２ガラス層２４および第３ガラス層２５との間の距離が大きくなり、電極間の絶縁性をより確実に確保することができる。

第２ガラス層２４および第３ガラス層２５に含まれ得るガラスおよび／またはガラスとフェライトの複合材料は、第１ガラス層２１に含まれ得るものと同様のものであってよい。第２ガラス層２４および第３ガラス層２５は、第１ガラス層２１と同様の組成を有してよく、互いに異なる組成を有してもよい。また、第２ガラス層２４と第３ガラス層２５とは同様の組成を有してよく、互いに異なる組成を有してもよい。

・コイル部品の作製
（ガラスシートの作製）
ガラス材料の原料として、Ｋ_２Ｏ、Ｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２およびＡｌ_２Ｏ_３を準備し、それぞれ、２．０質量％、１８．５質量％、７９．０質量％および０．５質量％の比率になるように秤量し、白金製のるつぼに入れ、焼成炉で１５５０℃の温度に昇温し、溶融した。この溶融物を急冷することでガラス材料を得た。得られたガラス材料を、Ｄ５０（体積基準の累積百分率５０％相当粒径）が２μｍ程度となるように粉砕してガラス粉末を得た。

Ｄ５０が１．３μｍのアルミナ粉末と石英粉末を準備し、上記で得られたガラス粉末に添加し、ＰＳＺメディアとともにボールミルに入れ、さらにポリビニルブチラール系有機バインダ、トルエンとエキネンの混合有機溶剤、および可塑剤を入れ、混合した。次に、ドクターブレード法等で、膜厚が２５μｍのシート状に成形加工した。これを２２５ｍｍ×２２５ｍｍの矩形状に打ち抜き、ガラスシートを得た。

（フェライトシートの作製）
別途、フェライト材料の原料として、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＮｉＯ、ＺｎＯおよびＣｕＯの粉末を準備し、４５ｍｏｌ％、１５ｍｏｌ％、３０ｍｏｌ％および１０ｍｏｌ％の組成になるように秤量した。秤量物をＰＳＺメディア、純水、分散剤とともにボールミルに入れ、湿式で混合および粉砕したあと、蒸発乾燥させ、７５０℃の温度で仮焼し、仮焼粉末を得た。

この仮焼粉末に、ポリビニルブチラール系有機バインダ、トルエンとエキネンの混合有機溶剤を、ＰＳＺボールと共にポットミルに投入し、十分に混合粉砕した。次に、ドクターブレード法等で、膜厚が４０μｍのシート状に成形加工した。これを２２５ｍｍ×２２５ｍｍの矩形状に打ち抜き、フェライトシートを得た。

（コイルパターンの作製）
別途、導電性材料、例えばＡｇを主成分とした導電性ペーストを準備した。ガラスシートに、レーザー照射を行い所定箇所にビアホールを形成した。導電性ペーストをスクリーン印刷することで、ビアホールに導電性ペーストを充填するとともに、引出電極、各コイル導体のパターンを形成した。

（素体の作製）
上記のガラスシートを図４の順番で積み重ね、その上下に６枚ずつのフェライトシートを積み重ねた。シートを積み重ねた積層体を、温度が８０℃、圧力が１００ＭＰａの条件でＷｉｐ（温間等方圧プレス）処理して、積層ブロックを得た。

上記で得られた積層ブロックをダイサー等で切断し、個片化した。次いで、個片化した焼成炉で８８０℃、１．５時間焼成して、素子を得た。焼成した素子をメディアとともに、回転バレル機に入れ、回転することで素子の稜線やコーナーの角を落とした。

（外部電極の作製）
バレル後、素子の側面でコイルが引き出された箇所、４ヶ所に上記のＡｇ導電性ペーストを塗布した。８１０℃１分の条件で、焼き付けを行い、外部電極の下地電極を形成した。下地電極の厚みは５μｍであった。

電解めっきにより、上記の下に電極の上にＮｉ被膜、Ｓｎ被膜を順次形成した。Ｎｉ被膜、Ｓｎ被膜の厚みは、それぞれ３μｍ、３μｍであった。

上記のようにして、本実施形態に係るコイル部品（コモンモードチョークコイル）を得た。

・評価
めっき時間を変えることで、フェライト層の領域における外部電極の幅と、前記ガラス層の領域における外部電極の幅の差が、それぞれ、６０μｍ（実施例１）、１６０μｍ（実施例２）、および０μｍ（比較例）となる３種類の試料を作製した。作製した試料を各実施例３０個ずつについて、環境温度６０℃／相対湿度９３％ＲＨで、端子間にＤＣ１０Ｖを、５００時間印加した。その後、デジタルマイクロスコープで試料の観察を行い、マイグレーションの合計（両側の電極のマイグレーションの合計）で１００μｍ以上となった試料の数を評価した。結果を下記表１に示す。

本発明に係るコイル部品は、信頼性に優れるので、種々の電子機器、例えばパソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジカメ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクス等の種々の電子機器に使用することができる。

１Ａ，１Ｂ…コイル部品
２…素体
３ａ，３ｃ…第１〜第２コイル
３ｂ，３ｄ…引出部
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ…第１〜第４外部電極
２１…第１ガラス層
２１ａ〜２１ｅ…ガラスセラミックシート
２２…第１フェライト層
２２ａ，２２ｂ…フェライトシート
２３…第２フェライト層
２３ａ，２３ｂ…フェライトシート
２４…第２ガラス層
２５…第３ガラス層

Claims

第１ガラス層と、前記第１ガラス層の第１主面に形成された第１フェライト層および前記第１ガラス層の第２主面に形成された第２フェライト層とを含む素体と、
前記第１ガラス層内に埋設されたコイルと、
前記素体の側面に、第１フェライト層、第１ガラス層および第２フェライト層にわたって設けられた外部電極と、
を備えたコイル部品であって、
前記素体の側面において、該側面に垂直な方向から平面視したときに、フェライト層の領域における外部電極の幅は、ガラス層の領域における外部電極の幅よりも大きいことを特徴とするコイル部品。
前記フェライト層の領域における外部電極の幅と、前記ガラス層の領域における外部電極の幅の差は、６０μｍ以上１６０μｍ以下である、請求項１に記載のコイル部品。
前記外部電極は、Ａｇを含む下地電極と、該下地電極上に形成されためっき層とを含み、前記素体の側面に垂直な方向から平面視したときに、該めっき層の幅は、前記下地電極の幅よりも大きい、請求項１または２に記載のコイル部品。
前記ガラス層は、石英およびアルミナから選択される少なくとも１種のフィラーを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のコイル部品。
前記第１ガラス層内に、第１コイルおよび第２のコイルが埋設されている、コモンモードチョークコイルである、請求項１〜４のいずれか１項に記載のコイル部品。