JP2014175349A - 積層インダクタ - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、磁気飽和によるインダクタンス値の低下を抑制することを可能とする積層インダクタを提供することである。
【解決手段】積層インダクタ１０は、磁性体層２０ａ〜２０ｅ，２０ｇ〜２０ｋ及び非磁性体層２０ｆからなる積層体１２と、積層体１２内に配され、並列接続されている複数のインダクタ導体層３０ａ，３０ｂとを備えている。インダクタ導体層３０ａ，３０ｂを通過する電流の方向と直交するインダクタ導体層３０ａ，３０ｂの断面形状は、全体として楕円状を成している。
【選択図】図３

Description

本発明は、インダクタが内部に配置された積層体からなる積層インダクタに関する。

従来の積層インダクタとしては、例えば、特許文献１に記載の電子部品が知られている。以下に、特許文献１に記載の電子部品について説明する。図９は、特許文献１に記載の電子部品５００の外観斜視図である。図１０は、特許文献１に記載の電子部品５００の分解斜視図である。図１１は、図９のＢ−Ｂ断面における断面図に内部電極５０８ａ〜５０８ｅにより形成される磁力線Ｈ５００を追加した図である。

電子部品５００は、積層体５１２、外部電極５１４ａ，５１４ｂ、内部電極５０８及びビア導体５００Ｂａ〜５００Ｂｄを備え、図９に示すように、直方体状を成している。

積層体５１２は、図１０に示すように、非磁性体層５０４ａ〜５０４ｅ及び磁性体層５０５ａ〜５０５ｆが積層されて構成されている。内部電極５０８ａ〜５０８ｅは、磁性体層５０４ａ〜５０４ｅの主面上に設けられている。また、内部電極５０８ａ〜５０８ｅの両端はそれぞれ、積層体５１２の側面に引き出されている。さらに、各内部電極５０８ａ〜５０８ｅは、非磁性体層５０４ａ〜５０４ｄのそれぞれを積層方向に貫くビア導体５００Ｂａ〜５００Ｂｄにより接続されている。外部電極５１４ａ，５１４ｂは、図９に示すように、積層体５１２の側面に設けられ、内部電極５０８ａ〜５０８ｅと接続されている。

以上のように構成された電子部品５００の内部電極５０８ａ〜５０８ｅは、ビア導体５００Ｂａ〜５００Ｂｄで接続されているため、内部電極５０８ａ〜５０８ｅは、一本のいわゆるストレート電極としての機能を果たす。そして、電子部品５００は、インダクタとして機能する。

ところで、電子部品５００の断面構造を見ると、図１１に示すように、内部電極５０８ａ〜５０８ｅの断面はそれぞれ、長方形状を成している。このように、内部電極５０８ａ〜５０８ｅの断面が長方形状を成していると、内部電極５０８ａ〜５０８ｅに電流が流れた際に、図１１に示すように、内部電極５０８ａ〜５０８ｅの角部分に磁束が集中する。これにより、内部電極５０８ａ〜５０８ｅの角部分で磁気飽和が生じ、結果として、電子部品５００のインダクタンス値が低下するという問題があった。

特開２００９−１７０４４６号公報

そこで、本発明の目的は、磁気飽和によるインダクタンス値の低下を抑制することを可能とする積層インダクタを提供することである。

本発明に係る積層インダクタは、複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記積層体内に配され、並列接続されている複数のインダクタ導体層と、を備え、前記複数のインダクタ導体層を通過する電流の方向と直交する断面において、該複数のインダクタ導体層の断面形状は、全体として楕円状を成していること、を特徴とする。

本発明の一形態である積層インダクタによれば、磁気飽和によるインダクタンス値の低下を抑制することが可能である。

一実施例である積層インダクタの外観斜視図である。 一実施例である積層インダクタの分解斜視図である。 図１のＡ−Ａ断面における断面図にインダクタ導体層により形成される磁力線を追加した図である。 製造途中における積層インダクタ導体層の断面図である。 製造途中における積層インダクタ導体層の断面図である。 比較例に係る積層コイルの断面図である。 第２のサンプルの断面図である。 第１及び第２のサンプルにおいて、第１の実験を行った際の結果を示したグラフである。 特許文献１に記載の電子部品の外観斜視図である。 特許文献１に記載の電子部品の分解斜視図である。 図９のＢ−Ｂ断面における断面図に内部電極により形成される磁力線を追加した図である。

（積層インダクタの構成）
以下で、一実施例である積層インダクタ１０について図面を参照しながら説明する。図１は、一実施例である積層インダクタ１０の外観斜視図である。図２は、一実施例である積層インダクタ１０の分解斜視図である。図３は、図１のＡ−Ａ断面における断面図にインダクタ導体層３０ａ，３０ｂにより形成される磁力線Ｈを追加した図である。以下で、積層インダクタ１０の積層方向をｚ軸方向とし、ｚ軸方向から平面視したときに、積層インダクタ１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義する。さらに、ｚ軸方向から平面視したときに、積層インダクタ１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。なお、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。

積層インダクタ１０は、積層体１２、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂ及び外部電極４０ａ，４０ｂにより構成され、図１に示すように、直方体状を成している。

積層体１２は、図２に示すように、絶縁体層２０ａ〜２０ｋがｚ軸方向の負方向側から正方向側に向かって、この順に並ぶように積層されることにより構成されている。また、各絶縁体層２０ａ〜２０ｋは、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状を成している。従って、絶縁体層２０ａ〜２０ｋが積層されることにより構成された積層体１２は、図１に示すように、直方体である。なお、絶縁体層２０ａ〜２０ｅ，２０ｇ〜２０ｋは磁性体材料により構成されている。絶縁体層２０ａ〜２０ｅ，２０ｇ〜２０ｋの材料としては、例えばフェライトが挙げられる。また、絶縁体層２０ｆ（所定の絶縁体層）は非磁性体材料により構成されている。絶縁体層２０ｆの材料は、硼珪酸ガラス及びセラミックスフィラー等である。さらに、絶縁体層２０ａ〜２０ｅ，２０ｇ〜２０ｋの厚さは７０μｍであり、絶縁体層２０ｆの厚さは２５μｍである。以下で、各絶縁体層２０ａ〜２０ｋのｚ軸方向の正方向側の面を上面と称し、ｚ軸方向の負方向側の面を下面と称す。

インダクタ導体層３０ａ，３０ｂは、積層体１２内に位置しており、インダクタを構成している。具体的には、インダクタ導体層３０ａは、図２に示すように、絶縁体層２０ｅの上面、つまり絶縁体層２０ｆの下面におけるｙ軸方向の中央に配置されている。また、インダクタ導体層３０ｂは、図２に示すように、絶縁体層２０ｆの上面におけるｙ軸方向の中央に配置されている。従って、絶縁体層２０ｆ（所定の絶縁体層）は、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの層間に位置する。また、ｚ軸方向から平面視したときに、インダクタ導体層３０ａとインダクタ導体層３０ｂとは略一致して重なっている。また、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの両端は、積層体１２のｘ軸方向の正負両側の面に露出しており、後述する外部電極４０ａ，４０ｂと接続されている。つまり、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂは、外部電極４０ａ，４０ｂ間で並列接続されている。また、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂにおける電流が流れる方向は、共にｘ軸方向である。

また、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂは、図２に示すように、ｘ軸方向に直線状に延在する帯状の導体層である。インダクタ導体層３０ａ，３０ｂのｙ軸方向の線幅は略均一である。インダクタ導体層３０ａのｘ軸方向と直交する方向における断面形状Ｓａは、図３に示すように、ｚ軸方向の負方向側に凸な半楕円形である。また、インダクタ導体層３０ｂのｘ軸方向と直交する方向における断面形状Ｓｂは、図３に示すように、ｚ軸方向の正方向側に凸な半楕円形である。従って、断面形状Ｓａ及び断面形状Ｓｂを組み合わせた断面形状は、全体として楕円状を成している。なお、全体として楕円状を成しているとは、本実施例において、断面形状Ｓａにおけるｚ軸方向の負方向側の弧（すなわち、断面形状Ｓａにおいて絶縁体層２０ｆに接触していない部分）、及び、断面形状Ｓｂにおけるｚ軸方向の正方向側の弧（すなわち、断面形状Ｓｂにおいて絶縁体層２０ｆに接触していない部分）を組み合わせた形状が、楕円状を成しているという意味である。インダクタ導体層３０の材料は、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ等の導電性材料である。また、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの厚さは、７０μｍである。従って、絶縁体層２０ｆの厚さは、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの厚さよりも薄い。

外部電極４０ａは、図１に示すように、積層体１２のｘ軸方向の正方向側の面を覆うように設けられている。また、外部電極４０ｂは、積層体１２のｘ軸方向の負方向側の面を覆うように設けられている。なお、外部電極４０ａ，４０ｂの材料は、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ等の導電性材料である。また、前述のとおり、外部電極４０ａ，４０ｂは、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの両端と接続されている。これにより、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂは、外部電極４０ａ，４０ｂ間において並列接続されており、１つのインダクタを構成している。

（積層インダクタの製造方法）
以上のように構成された積層インダクタ１０の製造方法について以下に説明する。なお、以下では、一つの積層インダクタ１０について説明するが、実際には、未焼成の複数の積層体１２がつながったマザー積層体を作製し、マザー積層体をカットした後に外部電極４０ａ，４０ｂを形成して、複数の積層インダクタ１０を得る。図４及び図５は、製造途中における積層インダクタ１０の断面図である。なお、セラミックグリーンシートの積層方向をｚ軸方向とし、ｚ軸方向から平面視したときに、完成後の積層インダクタ１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義する。さらに、ｚ軸方向から平面視したときに、完成後の積層インダクタ１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。また、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。

まず、絶縁体層２０ａ〜２０ｅ，２０ｇ〜２０ｋとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び酸化ニッケル（ＮｉＯ）を所定の比率で秤量した後、それぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、磁性体粉末を得る。

得られた磁性体粉末に対して、結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤剤、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層２０ａ〜２０ｅ，２０ｇ〜２０ｋとなるべきセラミックグリーンシートを作製する。

また、絶縁体層２０ａ〜２０ｅ，２０ｇ〜２０ｋとなるべきセラミックグリーンシートの準備と並行して、絶縁体層２０ｆとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。絶縁体層２０ｆとなるべきセラミックグリーンシートの作製工程は、原材料が硼珪酸ガラス及びセラミックフィラーである点を除いて、絶縁体層２０ａ〜２０ｅ，２０ｇ〜２０ｋとなるべきセラミックグリーンシートを作製する工程と基本的に同じであるため、ここでの説明は省略する。

次に絶縁体層２０ｅ，２０ｆとなるべきセラミックグリーンシートの表面上に、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ等を主成分とする導電性ペーストを、スクリーン印刷やフォトリソグラフィ法により塗布し、乾燥させてインダクタ導体層３０ａ，３０ｂを形成する。

次に、絶縁体層２０ａ〜２０ｋとなるべきセラミックグリーンシートをこの順に並ぶように積層・圧着して、未焼成のマザー積層体を得る。その後、未焼成のマザー積層体を静水圧プレスなどにより加圧して本圧着を行う。

なお、各セラミックグリーンシートを積層すると、図４に示すように、マザー積層体におけるインダクタ導体層３０ａ，３０ｂが設けられている領域のｚ方向の厚みは、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂが設けられていない領域のｚ軸方向の厚みよりもインダクタ導体層３０ａ，３０ｂの厚みの分だけ厚くなる。また、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂは、セラミックグリーンシートよりも硬い。従って、この状態でマザー積層体に加圧処理が施されると、図５に示すように、マザー積層体におけるインダクタ導体層３０ａ，３０ｂが設けられている領域のセラミックグリーンシートが大きく押しつぶされる。ただし、図５に示すように、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂが設けられている領域とインダクタ導体層３０ａ，３０ｂが設けられていない領域との境界におけるマザー積層体のｚ軸方向の厚みは、連続的に変化する。そのため、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂのｙ軸方向の両端は、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂのｙ軸方向の中央よりも大きくつぶされる。

さらに、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂは、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂよりも薄い絶縁体層２０ｆとなるべきセラミックグリーンシートを挟んで対向している。ここで、絶縁体層２０ｆが加圧処理により押しつぶされる量は、絶縁体層２０ｆの厚さで定まり、絶縁体層２０ｆの厚さは、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの厚さより薄い。従って、絶縁体層２０ｆが押しつぶされる量は、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの厚さに比べわずかである。そうすると、加圧処理によって、絶縁体層２０ｆはほとんどつぶれないため、インダクタ導体層３０ａは、ｚ軸方向の負方向側に埋め込まれ、インダクタ導体層３０ｂはｚ軸方向の正方向側に埋め込まれる。結果として、インダクタ導体層３０ａの断面形状は、ｚ軸方向の負方向側に凸な半楕円形の断面形状を成し、インダクタ導体層３０ｂの断面形状は、ｚ軸方向の正方向側に凸な半楕円形の断面形状を成す。つまり、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの断面形状が、全体として楕円状を成すこととなる。

次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体１２にカットする。その後、未焼成の積層体１２に、脱バインダー処理及び焼成を施す。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、８００℃〜９００℃で２．５時間の条件で行う。

次に、外部電極４０ａ，４０ｂを形成する。まず、Ａｇを主成分とする導電性材料からなる電極ペーストを積層体１２の側面に塗布する。次に、塗布した電極ペーストを約８００℃の温度で１時間の条件で焼き付ける。これにより、外部電極４０ａ，４０ｂの下地電極が形成される。

最後に、下地電極の表面にＮｉ／Ｓｎめっきを施す。これにより、外部電極４０ａ，４０ｂが形成される。以上の工程により、積層インダクタ１０が完成する。

（効果）
積層インダクタ１０によれば、磁気飽和によるインダクタンス値の低下を抑制することが可能である。具体的には、図３に示すように、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂに電気が流れた際に発生する磁力線Ｈは、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの周囲に沿うように形成される。また、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂを組み合わせた断面形状は、全体として楕円状を成している。つまり、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂを組み合わせた断面形状には角がない。従って、積層インダクタ１０では、角部分に磁束が集中することがなく、磁気飽和を抑制することができる。結果として、積層インダクタ１０によれば、磁気飽和によるインダクタンス値の低下を抑制することが可能である。

また、積層インダクタ１０では、上述のとおり、角部分に磁束集中しにくいため、磁力線が、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの周囲をスムーズに周回することができる。これにより、積層インダクタ１０では、電流が大量に流入する前のインダクタンス値、いわゆる初期のインダクタンス値を大きくすることができる。

さらに、積層インダクタ１０では、絶縁体層２０ｆの厚さが、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの厚さよりも薄い。これにより、積層インダクタ１０では、インダクタンス値の低下を抑制している。具体的には、仮に、絶縁体層２０ｆの厚さが、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂよりも厚い場合には、インダクタ導体層３０ａとインダクタ導体層３０ｂとの距離が大きくなる。そうすると、図６に示すように、積層体内を周回する磁力線Ｈが、積層体１２のｚ軸方向の正負両側の端面付近に密集してしまう。一方、積層インダクタ１０では、絶縁体層２０ｆの厚さが、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの厚さよりも薄い。これにより、図３に示すように、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂそれぞれに発生した磁力線Ｈが、積層体１２のｚ軸方向の正負両側の端面付近に密集することがないため、結果として、インダクタンス値の低下を抑制できる。

ところで、絶縁体層２０ｆの厚さが、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの厚さよりも薄いことにより、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの断面形状が、全体として楕円状を成しやすくなる。具体的には、積層インダクタ１０の製造過程において、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂは、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂよりも薄い絶縁体層２０ｆとなるべきセラミックグリーンシートを挟んで対向している。ここで、セラミックグリーンシートの圧着工程において、絶縁体層２０ｆが加圧処理により押しつぶされる量は、絶縁体層２０ｆの厚さで定まる。また、絶縁体層２０ｆの厚さがインダクタ導体層３０ａ，３０ｂの厚さより薄い。従って、絶縁体層２０ｆが押しつぶされる量は、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの厚さに比べわずかである。そうすると、加圧処理によって、絶縁体層２０ｆはほとんどつぶれないため、インダクタ導体層３０ａは、ｚ軸方向の負方向側に埋め込まれ、インダクタ導体層３０ｂはｚ軸方向の正方向側に埋め込まれる。結果として、インダクタ導体層３０ａの断面形状は、ｚ軸方向の負方向側に凸な半楕円形の断面形状を成し、インダクタ導体層３０ｂの断面形状は、ｚ軸方向の正方向側に凸な半楕円形の断面形状を成す。つまり、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの断面形状が、全体として楕円状を成すこととなる。以上より、絶縁体層２０ｆの厚さが、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの厚さよりも薄いことにより、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの断面形状が、全体として楕円状を成しやすくなる。

また、積層インダクタ１０では、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの層間に絶縁体層２０ｆ（所定の絶縁体層）が位置している。また、絶縁体層２０ｆは非磁性材料であるから、磁性材料で構成されている絶縁体層２０ａ〜２０ｅ，２０ｇ〜２０ｋよりも透磁率が低い。これにより、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂに電流が流れた際に発生する磁力線Ｈは、図３に示すように、積層体１２のｙ軸方向に広がるように形成されている。つまり、インダクタ導体層間に非磁性体層を挿入したことにより、閉磁路だった磁力線の経路が開磁路となっている。従って、積層インダクタ１０では、絶縁体層２０ｆが絶縁体層２０ａ〜２０ｅ，２０ｇ〜２０ｋの透磁率である場合と比較して、磁気飽和しにくくなる。これにより、積層インダクタ１０では、磁気飽和によるインダクタンス値の低下をより効果的に抑制することが可能である。

これに加え、積層インダクタ１０によれば、応力集中によるクラックの発生を抑制することができる。具体的には、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂを組み合わせた断面形状は、全体として楕円状を成している。従って、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂの断面形状の角の個数は、電子部品５００の内部電極５０８ａ〜５０８ｅにおける矩形状を成した断面形状の角の個数と比較して少ない。従って、積層インダクタ１０では、電子部品５００と比較して、応力が集中する箇所が少ない。結果として、積層インダクタ１０では、応力集中によるクラックの発生を抑制することができる。

さらに、積層インダクタ１０のインダクタ導体層３０ａ，３０ｂは、絶縁体層２０ｆ，２０ｅ上にペースト状の導電性材料が塗布されて形成されている。これにより、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂを針金状の線材で形成した場合と比較して、焼成後における積層インダクタ１０の割れやクラックが抑制される。具体的には、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂを線材で形成した場合、線材にはバインダー等は含まれていない。従って、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂを線材で形成した場合に、積層体１２の脱バインダー処理及び焼成を行うと、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂが収縮せずに、絶縁体層２０ａ〜２０ｋのみが収縮する。そして、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂと絶縁体層２０ａ〜２０ｋの収縮率の差による応力が、積層体１２内で発生する。これにより、積層インダクタ１０に割れやクラックが発生する。一方、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂをペースト状の導電性材料を塗布することにより形成した場合には、脱バインダー処理及び焼成前において、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂは、バインダー等を含むペースト状である。従って、積層体１２の脱バインダー処理及び焼成の際に、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂは、絶縁体層２０ａ〜２０ｋと共に収縮する。結果として、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂと絶縁体層２０ａ〜３０ｋとの収縮率の差による応力の発生が抑制される。従って、積層インダクタ１０では、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂがペースト状の導電性材料を塗布することにより形成されていることで、焼成後における割れやクラックが抑制される。

（実験）
本願発明者は、積層インダクタ１０が奏する効果を明確なものとするためにシミュレーションによる実験を行った。より詳細には、積層インダクタ１０を第１のサンプルとして作製した。さらに、図７に示すように、積層インダクタ１０におけるインダクタ導体層３０ａ，３０ｂの断面形状を矩形状としたインダクタ導体層３０ａ’，３０ｂ’を有する積層インダクタ１００を第２のサンプルとして作製した。なお、各サンプルの大きさは、３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．０ｍｍである。また、第１のサンプル及び第２のサンプルにおける導体層の幅はともに６４０μｍである。ただし、第１のサンプルの導体層の厚みを９３μｍとし、第２のサンプルの導体層の厚みを７３μｍとすることで、第１のサンプル及び第２のサンプルの導体層の断面積を等しくしている。

実験では、第１及び第２のサンプルに電流を印加し、各サンプルのインダクタンス値の周波数特性を測定した。図８は、第１及び第２のサンプルにおいて、第１の実験を行った際の結果を示したグラフである。図８では、縦軸は、インダクタンス値（Ｈ）を示しており、横軸は、周波数（Ｈｚ）を示している。

実験では、図８に示すように、第１のサンプルのインダクタンス値が、第２のサンプルのインダクタンス値よりも高い値を示していることが分かる。これは、インダクタ導体層３０ａ，３０ｂを組み合わせた断面形状が楕円形状を成していることにより、磁気飽和が抑制され、結果として、インダクタンス値の低下が抑制されたことを示す。

（他の実施例）
なお、本発明に係るインダクタは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。つまり、絶縁体層の材質、形状やサイズは用途に応じて適宜選択すればよい。また、インダクタ導体層の材質、形状やサイズについても、その要旨の範囲内で用途に応じて適宜選択すればよい。例えば、インダクタ導体層の層数は、２層に限られず、３層又はそれ以上の層数であってもよい。

また、上記実施例においてインダクタ導体層３０ａ，３０ｂは、直線状を成しているが、例えば、蛇行したミアンダ形状を成していてもよい。

以上のように、本発明は、積層インダクタに有用であり、特に、磁気飽和によるインダクタンス値の低下を抑制できる点で優れている。

１０ 積層インダクタ
１２ 積層体
２０ａ〜２０ｋ 絶縁体層
２０ｆ 所定の絶縁体層
３０ａ，３０ｂ インダクタ導体層

Claims (3)

1. 複数の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
   前記積層体内に配され、並列接続されている複数のインダクタ導体層と、
   を備え、
   前記複数のインダクタ導体層を通過する電流の方向と直交する断面において、該複数のインダクタ導体層の断面形状は、全体として楕円状を成していること、
   を特徴とする積層インダクタ。
2. 前記複数のインダクタ導体層の層間には、所定の絶縁体層が配され、
   前記所定の絶縁体層の透磁率は、前記複数の絶縁体層に含まれる該所定の絶縁体層以外の絶縁体層の透磁率よりも低いこと、
   を特徴とする請求項１に記載の積層インダクタ。
3. 前記複数のインダクタ導体層の層間には、所定の絶縁体層が含まれ、
   前記所定の絶縁体層の厚さは、前記インダクタ導体層の厚さよりも薄いこと、
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の積層インダクタ。

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