JP4929483B2 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、コイルを内蔵する積層体からなる電子部品及びその製造方法に関する。

従来の電子部品としては、例えば、図１０に示す電子部品５００が知られている。図１０は、従来の電子部品５００の断面構造図である。電子部品５００は、積層体５０２、コイルＬ及び外部電極５０８ａ，５０８ｂを備えている。積層体５０２は、長方形状の磁性体層が積層されて構成されている。コイルＬは、コイル導体５０４ａ〜５０４ｉがビアホール導体により接続されることにより構成されており、積層体５０２内に内蔵されている。外部電極５０８ａ，５０８ｂは、積層体５０２の側面に設けられていると共に、コイルＬの両端に接続されている。

ここで、電子部品５００では、直流重畳特性を向上させるために、積層体５０２内に非磁性体層５０６ａ〜５０６ｃが設けられている。図１１は、非磁性体層５０６ａ〜５０６ｃを積層方向から平面視した図である。非磁性体層５０６ａは、コイル導体５０４ｃとコイル導体５０４ｄとの間において、コイル導体５０４ｃ，５０４ｄと重なる領域及びコイルＬの外部の領域に設けられている。非磁性体層５０６ｂは、コイル導体５０４ｄとコイル導体５０４ｅとの間において、コイル導体５０４ｄ，５０４ｅと重なる領域及びコイルＬの外部の領域に設けられている。非磁性体層５０６ｃは、コイル導体５０４ｅとコイル導体５０４ｆとの間において、コイル導体５０４ｅ，５０４ｆと重なる領域及びコイルＬの外部の領域に設けられている。以上のような電子部品５００では、非磁性体層５０６ａ，５０６ｂ，５０６ｃにより積層体５０２内において磁束密度が高くなりすぎることが防止される。その結果、電子部品５００では、磁気飽和の発生が抑制されるようになり、直流重畳特性が向上する。

しかしながら、従来の電子部品５００は、以下に説明するように、製造工程が複雑になるという問題を有する。より詳細には、コイル導体５０４ａ〜５０４ｉは、ビアホール導体により接続されている。そのため、非磁性体層５０６ａ〜５０６ｃには、ビアホール導体を設けるためのビアホールｈ１〜ｈ３が必要となる。しかしながら、図１１に示すように、ビアホールｈ１〜ｈ３の位置は、それぞれ異なっている。よって、非磁性体層５０６ａ〜５０６ｃをコイル導体５０４ｄ〜５０４ｆ及び磁性体層上にマスクを介して印刷する場合には、３種類のマスクが必要となる。その結果、電子部品５００の製造工程が複雑になってしまう。

なお、従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の積層インダクタが知られている。特許文献１においても、直流重畳特性を向上させるために、積層体に非磁性体層を設けることが記載されている。しかしながら、特許文献１には、電子部品５００の製造工程を簡素化するための記載は存在しない。

特開２００６−３１８９４６号公報

そこで、本発明の目的は、製造工程を簡素化できる電子部品及びその製造方法を提供することである。

本発明の一形態に係る電子部品は、第１の透磁率を有する複数の第１の絶縁体層、及び、該第１の透磁率よりも低い第２の透磁率を有する複数の第２の絶縁体層が積層されてなる積層体と、前記積層体内において、複数のコイル導体が複数のビアホール導体により接続されることにより構成されている螺旋状のコイルであって、積層方向から平面視したときに、環状の軌道を形成し、かつ、前記第２の絶縁体層と線幅方向の全体にわたって重なっているコイルと、を備え、前記複数のビアホール導体は、積層方向から平面視したときに、前記環状の軌道上の複数個所に分散して設けられており、全ての前記第２の絶縁体層は、積層方向において前記コイルが設けられている領域に設けられていると共に、積層方向から平面視したときに、同じ形状を有し、かつ、前記環状の軌道と線幅方向の全体にわたって重なっていると共に、該環状の軌道において前記複数のビアホール導体と重なる複数の空白部を有していること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、ビアホールが設けられ、かつ、第１の透磁率を有する複数の第１の絶縁体層を形成する工程と、前記複数の第１の絶縁体層の内の一部の前記第１の絶縁体層上に、第１の透磁率よりも低い第２の透磁率を有する複数の第２の絶縁体層を、積層方向から平面視したときに、前記複数のビアホールと重なる空白部を有するように全て同じ形状に形成する工程と、前記ビアホールに導電性材料を充填してビアホール導体を形成する工程と、前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層上にコイル導体を形成する工程と、前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層を積層して、前記コイル導体及び前記ビアホール導体からなる螺旋状のコイルであって、積層方向から平面視したときに、環状の軌道を形成するコイルを内蔵する積層体を得る工程と、を備え、前記第１の絶縁体層を形成する工程では、積層方向から平面視したときに前記環状の軌道上の複数個所に分散させて前記複数のビアホールを形成し、前記第２の絶縁体層を形成する工程では、積層方向から平面視したときに、該第２の絶縁体層を前記環状の軌道と線幅方向の全体にわたって重なるように形成し、前記積層体を得る工程では、積層方向において前記コイルが設けられている領域に前記第２の絶縁体層が位置するように、前記第１の絶縁体層及び該第２の絶縁体層を積層すること、を特徴とする。

本発明によれば、製造工程を簡素化できる。

本発明の実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。 図１の電子部品の積層体の分解斜視図である。 図１の電子部品のＡ−Ａにおける断面構造図である。 比較例に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。 比較例に係る電子部品の断面構造図である。 実験結果を示したグラフである。 第１の変形例に係る絶縁体層の斜視図である。 第２の変形例に係る絶縁体層の斜視図である。 第３の変形例に係る絶縁体層の斜視図である。 従来の電子部品の断面構造図である。 非磁性体層を積層方向から平面視した図である。

以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。

（電子部品の構成）
図１は、本発明の実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３は、図１の電子部品１０のＡ−Ａにおける断面構造図である。以下、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０に短辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の長辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。

電子部品１０は、図１に示すように、積層体１２、外部電極１４（１４ａ，１４ｂ）及びコイルＬを備えている。積層体１２は、直方体状をなしており、コイルＬを内蔵している。外部電極１４は、ｙ軸方向の両端に位置する積層体１２の側面（表面）に形成されている。

積層体１２は、図２に示すように、絶縁体層１６（１６ａ〜１６ｔ），１８（１８ｉ〜１８ｋ）が積層されることにより構成されている。絶縁体層１６は、第１の透磁率を有する磁性体材料（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）からなる長方形状の層である。絶縁体層１８は、第１の透磁率よりも低い透磁率を有する層であり、ｚ軸方向から平面視したときに、積層体１２の一部に設けられている。本実施形態では、絶縁体層１８は、非磁性体材料（例えば、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）からなる層である。絶縁体層１８ｉ〜１８ｋはそれぞれ、絶縁体層１６ｉ〜１６ｋ上において、該絶縁体層１６ｉ〜１６ｋの一部を覆うように設けられている。以上のように、積層体１２は、絶縁体層１６ｉ〜１６ｋ上に絶縁体層１８ｉ〜１８ｋが設けられ、かつ、絶縁体層１６ａ〜１６ｔがｚ軸方向の正方向側からこの順に積層されることにより構成されている。なお、絶縁体層１８の構造の詳細については、後述する。

コイルＬは、図２に示すように、コイル導体２０（２０ａ〜２０ｎ）及びビアホール導体ｂ１〜ｂ１３により構成されている。より詳細には、コイルＬは、積層体１２内において、コイル導体２０ａ〜２０ｎがビアホール導体ｂ１〜ｂ１３により接続されることにより構成されており、ｚ軸方向と平行なコイル軸を有する螺旋状のコイルである。また、コイルＬは、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状の環状の軌道Ｒをなし、該軌道Ｒにおいて、絶縁体層１８と重なっている。

コイル導体２０ａ〜２０ｎはそれぞれ、絶縁体層１６ｄ〜１６ｈ，１８ｉ〜１８ｋ，１６ｌ〜１６ｑのｚ軸方向の正方向側の主面上に設けられている。なお、コイル導体２０ｆ〜２０ｈは、実際には、絶縁体層１８ｉ〜１８ｋ上に設けられているが、図２では、絶縁体層１８ｉ〜１８ｋの構造を示すために、絶縁体層１８ｉ〜１８ｋから離して記載してある。コイル導体２０はそれぞれ、軌道Ｒの一部をなしており、７／８ターンのターン数を有している線状導体である。すなわち、コイル導体２０は、軌道Ｒの１／８ターン分が切り欠かれた形状をなしている。ただし、コイル導体２０ａの一端は、絶縁体層１６ｄのｙ軸方向の正方向側の短辺に引き出されて、外部電極１４ａと接続されている。同様に、コイル導体２０ｎの一端は、絶縁体層１６ｑのｙ軸方向の負方向側の短辺に引き出されて、外部電極１４ｂと接続されている。なお、コイル導体２０のターン数は、７／８ターンに限らない。

ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｐをｚ軸方向に貫通するように設けられており、ｚ軸方向に隣り合っているコイル導体２０同士を接続している。具体的には、ビアホール導体ｂ１は、絶縁体層１６ｄをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ａ，２０ｂを接続している。ビアホール導体ｂ２は、絶縁体層１６ｅをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ｂ，２０ｃを接続している。ビアホール導体ｂ３は、絶縁体層１６ｆをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ｃ，２０ｄを接続している。ビアホール導体ｂ４は、絶縁体層１６ｇをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ｄ，２０ｅを接続している。ビアホール導体ｂ５は、絶縁体層１６ｈをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ｅ，２０ｆを接続している。ビアホール導体ｂ６は、絶縁体層１６ｉをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ｆ，２０ｇを接続している。ビアホール導体ｂ７は、絶縁体層１６ｊをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ｇ，２０ｈを接続している。ビアホール導体ｂ８は、絶縁体層１６ｋをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ｈ，２０ｉを接続している。ビアホール導体ｂ９は、絶縁体層１６ｌをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ｉ，２０ｊを接続している。ビアホール導体ｂ１０は、絶縁体層１６ｍをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ｊ，２０ｋを接続している。ビアホール導体ｂ１１は、絶縁体層１６ｎをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ｋ，２０ｌを接続している。ビアホール導体ｂ１２は、絶縁体層１６ｏをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ｌ，２０ｍを接続している。ビアホール導体ｂ１３は、絶縁体層１６ｐをｚ軸方向に貫通し、コイル導体２０ｍ，２０ｎを接続している。

また、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３は、図２に示すように、コイル導体２０が７／８ターンのターン数を有しているので、軌道Ｒ上の８箇所に分散して設けられている。具体的には、軌道Ｒは、ｘ軸方向に延びる短辺及びｙ軸方向に延びる長辺を有する長方形状をなしている。そして、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３は、軌道Ｒにおいて、４つの角、２本の長辺の中点、及び、２本の短辺の中点のいずれかに設けられている。

以下に、絶縁体層１８の詳細について説明する。全ての絶縁体層１８ｉ〜１８ｋは、図２に示すように、ｚ軸方向においてコイルＬが設けられている領域に設けられている。具体的には、図３に示すように、絶縁体層１８ｉは、コイル導体２０ｆ，２０ｇにｚ軸方向から挟まれるように設けられている。絶縁体層１８ｊは、コイル導体２０ｇ，２０ｈにｚ軸方向から挟まれるように設けられている。絶縁体層１８ｋは、コイル導体２０ｈ，２０ｉにｚ軸方向から挟まれるように設けられている。

次に、絶縁体層１８の形状について説明する。ただし、全ての絶縁体層１８ｉ〜１８ｋがｚ軸方向から平面視したときに、同じ形状を有しているので、以下では、絶縁体層１８ｉを例にとって説明する。

絶縁体層１８ｉは、図２及び図３に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒと重なっていると共に、軌道Ｒの外側に設けられている。そして、絶縁体層１８ｉは、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒの内側には設けられていない。すなわち、図２に示すように、絶縁体層１８ｉには、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒの内側において、絶縁体層１８ｉが設けられていない長方形状の空白部Ｂが設けられている。

更に、絶縁体層１８ｉは、ｚ軸方向から平面視したときに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３と重なっていない。より詳細には、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３は、軌道Ｒにおいて、４つの角、２本の長辺の中点、及び、２本の短辺の中点に設けられている。よって、絶縁体層１８ｉは、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒにおいて、４つの角、２本の長辺の中点、及び、２本の短辺の中点には設けられていない。すなわち、図２に示すように、絶縁体層１８ｉには、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒにおける、４つの角、２本の長辺の中点、及び、２本の短辺の中点と重なる位置に、絶縁体層１８ｉが設けられていない空白部Ｂ１〜Ｂ８が設けられている。空白部Ｂ１〜Ｂ８は、空白部Ｂから放射状に突出した形状をなしている。

（電子部品の製造方法）
以下に、電子部品１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。

まず、絶縁体層１６となるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。

このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材及び分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、絶縁体層１６となるべきセラミックグリーンシートを作製する。

次に、絶縁体層１６ｄ〜１６ｐとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３を形成する。具体的には、絶縁体層１６ｄ〜１６ｐとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。以上の工程により、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３が設けられ、かつ、第１の透磁率を有する絶縁体層１６ｄ〜１６ｐとなるべきセラミックグリーンシートを形成する。更に、ビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性材料からなるペーストを印刷塗布などの方法により充填して、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３を形成する。

次に、絶縁体層１６となるべきセラミックグリーンシートの内の一部の絶縁体層１６ｉ〜１６ｋとなるべきセラミックグリーンシート上に、第１の透磁率よりも低い第２の透磁率を有する複数の絶縁体層１８ｉ〜１８ｋを、ｚ軸方向から平面視したときに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３と重ならないように全て同じ形状に形成する。具体的には、酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。

このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材及び分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをマスクを介して絶縁体層１６ｉ〜１６ｋ上に塗布した後、乾燥させ、絶縁体層１８ｉ〜１８ｋとなるべきセラミックグリーン層を作製する。

次に、絶縁体層１６ｄ〜１６ｈ，１８ｉ〜１８ｋ，１６ｌ〜１６ｑとなるべきセラミックグリーンシート上に、導電性材料からなるペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル導体２０ａ〜２０ｎを形成する。該導電性材料からなるペーストは、例えば、Ａｇに、ワニス及び溶剤が加えられたものである。なお、コイル導体２０ａ〜２０ｎを形成する工程とビアホールに対して導電性材料からなるペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。

次に、絶縁体層１６となるべきセラミックグリーンシート及び絶縁体層１８となるべきセラミックグリーン層を積層して、コイル導体２０ａ〜２０ｎ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ１３からなる螺旋状のコイルを内蔵する未焼成のマザー積層体を得る。この際、ｚ軸方向においてコイルＬが設けられている領域に絶縁体層１８となるべきセラミックグリーン層が位置するように、絶縁体層１６となるべきセラミックグリーンシート及び絶縁体層１８となるべきセラミックグリーン層を積層する。具体的には、絶縁体層１６ａ〜１６ｈとなるべきセラミックグリーンシート、絶縁体層１８ｉ〜１８ｋとなるべきセラミックグリーン層が形成された絶縁体層１６ｉ〜１６ｋとなるべきセラミックグリーンシート、及び、絶縁体層１６ｌ〜１６ｔとなるべきセラミックグリーンシートを、１枚ずつ積層及び仮圧着する。圧着条件は、１００トン〜１２０トンの圧力及び３秒間から３０秒間程度の時間である。この後、未焼成のマザー積層体に対して、静水圧プレスにて本圧着を施す。

次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法（２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．２ｍｍ）の積層体１２にカットする。これにより未焼成の積層体１２が得られる。この未焼成の積層体１２には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、８７０℃〜９００℃で２．５時間の条件で行う。

以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２には、バレル加工が施されて、面取りが行われる。その後、Ａｇを主成分とする導電性材料からなる電極ペーストを、積層体１２の表面に塗布する。そして、塗布した電極ペーストを約８００℃の温度で１時間の条件で焼き付ける。これにより、外部電極１４となるべき銀電極を形成する。

最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４を形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０が完成する。

（効果）
電子部品１０及びその製造方法によれば、以下に説明するように、製造工程を簡素化できる。より詳細には、従来の電子部品５００では、図１１に示すように、ビアホールｈ１〜ｈ３の位置が、それぞれ異なっている。そのため、非磁性体層５０６ａ〜５０６ｃをコイル導体５０４ｄ〜５０４ｆ及び磁性体層上にスクリーン印刷で形成する場合には、３種類のマスクが必要となる。その結果、電子部品５００の製造工程が複雑になっていた。

一方、電子部品１０及びその製造方法では、絶縁体層１８ｉ〜１８ｋは、全て同じ形状を有していると共に、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３と重ならない形状を有している。よって、図２に示すように、ビアホール導体ｂ６〜ｂ８の位置がそれぞれ異なっていたとしても、絶縁体層１８ｉ〜１８ｋに対して異なる位置にビアホールを形成する必要がなくなる。その結果、１種類のマスクを用いて、絶縁体層１８ｉ〜１８ｋとなるべきセラミックグリーン層を絶縁体層１６ｉ〜１６ｋとなるべきセラミックグリーンシート上に形成することが可能となる。その結果、電子部品１０の製造工程を簡素化できる。

更に、電子部品１０及びその製造方法によれば、以下に説明するように、優れた直流重畳特性を得ることができる。図４は、比較例に係る電子部品１１０の積層体１１２の分解斜視図である。図５は、比較例に係る電子部品１１０の断面構造図である。なお、電子部品１１０において、電子部品１０に対応する構成については、電子部品１０において用いた参照符号に１００を足した参照符号を付した。

電子部品１１０は、図４及び図５に示すように、絶縁体層１１８ｉ〜１１８ｋが、軌道Ｒの外側にのみ設けられ、軌道Ｒには重なっていない点において、電子部品１０と相違点を有している。電子部品１１０のその他の構成については、電子部品１０と同じである。電子部品１１０においても、図５に示すように、コイルＬにおいて発生した磁束φ'は、非磁性体層である絶縁体層１１８ｉ〜１１８ｋを通過する。そのため、電子部品１１０は、積層体１１２内において磁気飽和が発生することが抑制され、優れた直流重畳特性を有しうる。

しかしながら、電子部品１１０は、製造ばらつきによって、直流重畳特性が悪化する可能性を有している。より詳細には、電子部品１１０において、コイル導体１２０の端部と絶縁体層１１８の端部とは、ｚ軸方向から平面視したときに、一致している（図５のＣ参照）。よって、絶縁体層１１６，１１８の積層時において、積層ずれが発生すると、コイル導体１２０の端部と絶縁体層１１８の端部との間に隙間が発生するおそれがある。コイル導体１２０の端部と絶縁体層１１８の端部との間に隙間が発生すると、磁束φ'が該隙間に集中するようになる。その結果、積層体１１２において磁気飽和が発生し、電子部品１１０の直流重畳特性が悪化してしまう。

一方、電子部品１０では、図２及び図３に示すように、絶縁体層１８は、コイルＬが形成している軌道Ｒと重なっている。そのため、電子部品１０では、絶縁体層１６，１８の積層時において、積層ずれが発生したとしても、電子部品１１０に比べて、絶縁体層１８の端部とコイル導体２０の端部との間に隙間が発生しにくい。その結果、磁束φは、磁束φ'に比べて、非磁性体層である磁性体層１８を確実に通過するようになる。よって、電子部品１０及びその製造方法では、積層体１２において磁気飽和が発生することが抑制され、優れた直流重畳特性が得られる。

本願発明者は、電子部品１０及びその製造方法が奏する効果をより明確なものとするために以下に説明する実験を行った。より詳細には、電子部品１０に相当する第１のサンプル、及び、電子部品１１０に相当する第２のサンプルを作製し、これらのサンプルの直流重畳特性を測定した。以下に、実験条件を列挙する。

チップサイズ：２．５ｍｍ×２．０ｍｍ×１．２ｍｍ
コイル導体のサイズ：１．９ｍｍ×１．５ｍｍ
コイル導体の線幅：０．３ｍｍ
ビアホール導体の径：０．１５ｍｍ
空白部Ｂ１〜Ｂ８の幅：０．２ｍｍ

以上のような条件において、コイルＬに電流を流し、インダクタンス値変化率を調べた。インダクタンス値変化率とは、（０ｍＡ時におけるインダクタンス値−電流を流したときのインダクタンス値）／０ｍＡ時におけるインダクタンス値×１００により得られる値である。図６は、実験結果を示したグラフである。縦軸はインダクタンス値変化率を示し、横軸は電流値を示している。

図６に示すように、第２のサンプルでは、電流値が大きくなると急激にインダクタンス値が減少することが分かる。一方、第１のサンプルでは、第２のサンプルほど、急激にインダクタンス値が減少していない。よって、本実験により、電子部品１０が電子部品１１０に比べて優れた直流重畳特性を有していることが分かる。

（変形例）
以下に、絶縁体層１８の変形例について説明する。図７は、第１の変形例に係る絶縁体層５８ｉの斜視図である。図７に示す絶縁体層５８ｉは、空白部Ｂ１１〜Ｂ１８の形状において絶縁体層１８ｉと相違点を有している。より詳細には、絶縁体層１８ｉでは、空白部Ｂ１〜Ｂ８は、図２に示すように、空白部Ｂと繋がっていた。一方、絶縁体層５８ｉでは、空白部Ｂ１１〜Ｂ１８は、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３と略同じ大きさの円形をなしている。これにより、非磁性体層である絶縁体層５８ｉの面積が大きくなるので、積層体１２において磁気飽和が発生することが効果的に抑制されるようになる。なお、空白部Ｂ１１〜Ｂ１８は、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３の径よりもやや大きいことが望ましい。これは、積層ずれによって、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３の径が細くなってしまうことを防止するためである。なお、絶縁体層５８ｉについて説明を行ったが、絶縁体層５８ｊ，５８ｋも絶縁体層５８ｉと同じ構成を有している。

図８は、第２の変形例に係る絶縁体層６８ｉの斜視図である。図８に示す絶縁体層６８ｉは、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒと重なっていると共に、軌道Ｒの内側に設けられている。また、絶縁体層６８ｉには、ｚ軸方向から平面視したときに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３と重なる位置に、空白部Ｂ１１〜Ｂ１８が設けられている。以上のような構成を有する絶縁体層６８ｉを有する電子部品１０においても、絶縁体層１８ｉを有する電子部品１０と同様に、製造工程を簡素化できると共に、優れた直流重畳特性を得ることができる。なお、絶縁体層６８ｉについて説明を行ったが、絶縁体層６８ｊ，６８ｋも絶縁体層６８ｉと同じ構成を有している。

なお、図８に示す絶縁体層６８ｉにおいて、絶縁体層６８ｉの周囲の空白部Ｂ'と空白部Ｂ１１〜Ｂ１８とが繋がっていてもよい。

図９は、第３の変形例に係る絶縁体層７８ｉの斜視図である。図９に示す絶縁体層７８ｉは、ｚ軸方向から平面視したときに、軌道Ｒと重なる領域にのみ設けられている。また、絶縁体層７８ｉには、ｚ軸方向から平面視したときに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３と重なる位置に、空白部Ｂ１１〜Ｂ１８が設けられている。該絶縁体層７８ｉを有する電子部品１０では、図２に示す磁束φは、非磁性体層である絶縁体層７８ｉを通過することがない。ただし、コイル導体２０ｆ〜２０ｈの周りを周回する短い磁路を有する磁束は、絶縁体層７８ｉを通過している。よって、絶縁体層７８ｉを有する電子部品１０においても、優れた直流重畳特性を得ることができる。絶縁体層７８ｉについて説明を行ったが、絶縁体層７８ｊ，７８ｋも絶縁体層７８ｉと同じ構成を有している。

なお、絶縁体層１８，５８，６８，７８は、ビアホール導体ｂ１〜ｂ１３と重なる位置には設けられていない。そのため、絶縁体層１８，５８，６８，７８はそれぞれ、８箇所の空白部Ｂ１〜Ｂ８又は空白部Ｂ１１〜１８を有している。しかしながら、空白部Ｂ１〜Ｂ８又は空白部Ｂ１１〜Ｂ１８は、必ずしも８箇所設けられる必要はない。電子部品１０では、図２に示すように、絶縁体層１８，５８，６８，７８を通過するビアホール導体ｂ６〜ｂ８は、３本である。よって、少なくとも、絶縁体層１８が設けられた絶縁体層１６を貫通するビアホール導体ｂ６〜ｂ８と重なる位置に空白部が設けられていればよい。

本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、製造工程を簡素化できる点において優れている。

Ｂ，Ｂ'，Ｂ１〜Ｂ８，Ｂ１１〜Ｂ１８ 空白部
Ｌ コイル
Ｒ 軌道
ｂ１〜ｂ１３ ビアホール導体
１０ 電子部品
１２ 積層体
１４ａ，１４ｂ 外部電極
１６ａ〜１６ｔ，１８ｉ〜１８ｋ，５８ｉ〜５８ｋ，６８ｉ〜６８ｋ，７８ｉ〜７８ｋ 絶縁体層
２０ａ〜２０ｎ コイル導体

Claims (7)

1. 第１の透磁率を有する複数の第１の絶縁体層、及び、該第１の透磁率よりも低い第２の透磁率を有する複数の第２の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
   前記積層体内において、複数のコイル導体が複数のビアホール導体により接続されることにより構成されている螺旋状のコイルであって、積層方向から平面視したときに、環状の軌道を形成し、かつ、前記第２の絶縁体層と線幅方向の全体にわたって重なっているコイルと、
   を備え、
   前記複数のビアホール導体は、積層方向から平面視したときに、前記環状の軌道上の複数個所に分散して設けられており、
   全ての前記第２の絶縁体層は、積層方向において前記コイルが設けられている領域に設けられていると共に、積層方向から平面視したときに、同じ形状を有し、かつ、前記環状の軌道と線幅方向の全体にわたって重なっていると共に、該環状の軌道において前記複数のビアホール導体と重なる複数の空白部を有していること、
   を特徴とする電子部品。
2. 前記第２の絶縁体層は、積層方向から平面視したときに、前記積層体の一部に設けられていること、
   を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 前記第２の絶縁体層は、積層方向から平面視したときに、前記軌道と重なっていると共に、該軌道の外側に設けられていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
4. 前記第２の絶縁体層は、積層方向から平面視したときに、前記軌道と重なっていると共に、該軌道の内側に設けられていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
5. 前記第２の絶縁体層は、前記軌道と重なる領域にのみ設けられていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
6. ビアホールが設けられ、かつ、第１の透磁率を有する複数の第１の絶縁体層を形成する工程と、
   前記複数の第１の絶縁体層の内の一部の前記第１の絶縁体層上に、第１の透磁率よりも低い第２の透磁率を有する複数の第２の絶縁体層を、積層方向から平面視したときに、前記複数のビアホールと重なる空白部を有するように全て同じ形状に形成する工程と、
   前記ビアホールに導電性材料を充填してビアホール導体を形成する工程と、
   前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層上にコイル導体を形成する工程と、
   前記第１の絶縁体層及び前記第２の絶縁体層を積層して、前記コイル導体及び前記ビアホール導体からなる螺旋状のコイルであって、積層方向から平面視したときに、環状の軌道を形成するコイルを内蔵する積層体を得る工程と、
   を備え、
   前記第１の絶縁体層を形成する工程では、積層方向から平面視したときに前記環状の軌道上の複数個所に分散させて前記複数のビアホールを形成し、
   前記第２の絶縁体層を形成する工程では、積層方向から平面視したときに、該第２の絶縁体層を前記環状の軌道と線幅方向の全体にわたって重なるように形成し、
   前記積層体を得る工程では、積層方向において前記コイルが設けられている領域に前記第２の絶縁体層が位置するように、前記第１の絶縁体層及び該第２の絶縁体層を積層すること、
   を特徴とする電子部品の製造方法。
7. 前記第２の絶縁体層を形成する工程では、前記第１の絶縁体層上にスラリーを塗布することにより、該第２の絶縁体層を作製すること、
   を特徴とする請求項６に記載の電子部品の製造方法。

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