JP2010067758A

JP2010067758A - 電子部品

Info

Publication number: JP2010067758A
Application number: JP2008232009A
Authority: JP
Inventors: Keiichi Tsuzuki; 慶一都築
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2008-09-10
Filing date: 2008-09-10
Publication date: 2010-03-25

Abstract

【課題】各コイル電極の周りを周回する短い磁路を形成している磁束による磁気飽和の発生を抑制できる電子部品を提供する。
【解決手段】積層体１１ａは、複数の磁性体層１２，１４，１６が積層されて構成されている。コイル電極１８は、磁性体層１２，１４，１６と共に積層され、螺旋状のコイルＬを構成している。非磁性体層２０は、ｚ軸方向において、コイルＬが形成された領域に設けられている非磁性体層であって、かつ、ｚ軸方向から平面視したときに、該コイルＬの内側に位置する領域全体又は該コイルＬの外側に位置する領域全体の少なくとも一方に設けられている。磁性体層１４は、磁性体層１２よりも低い透磁率を有し、かつ、ｚ軸方向に互いに隣り合うコイル電極１８同士に挟まれている領域に設けられている。
【選択図】図２

Description

本発明は、電子部品に関し、より特定的には、螺旋状のコイルを内蔵している電子部品に関する。

従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の磁心型積層インダクタが知られている。該磁心型積層インダクタでは、導体パターンの層間に磁気ギャップ層が設けられていると共に、該磁気ギャップ層が磁性体層を挟んで互いに離れた複数層に分けて形成されている。該電子部品によれば、導体パターン全体を大きく周回する磁束に磁気ギャップが形成されるので、磁気飽和の発生が抑制され、良好な直流重畳特性を得ることができる。

しかしながら、特許文献１に記載の磁心型積層インダクタでは、短い磁束による磁気飽和の発生を抑制することは困難である。より詳細には、磁気飽和は、複数の導体パターンの周りを周回する長い磁束によって生じる他に、各導体パターンの周りを周回する短い磁束によっても生じ得る。特許文献１に記載の磁心型積層インダクタでは、複数の磁気ギャップ層が、コイルを横切るように設けられているので、長い磁束による磁気飽和の発生を抑制することは可能である。ところが、該磁心型積層インダクタでは、例えば、各導体パターンを周回するような短い磁束による磁気飽和の発生を抑制することについては、考慮されていない。
特開２００５−４５１０８号公報

そこで、本発明の目的は、各コイル電極の周りを周回する短い磁束による磁気飽和の発生を抑制できる電子部品を提供することである。

本発明の一形態に係る電子部品は、複数の第１の磁性体層が積層されてなる積層体と、前記第１の磁性体層と共に積層され、螺旋状のコイルを構成している複数のコイル電極と、積層方向において、前記コイルが形成された領域に設けられている非磁性体層であって、かつ、積層方向から平面視したときに、該コイルの内側に位置する領域全体又は該コイルの外側に位置する領域全体の少なくとも一方に設けられている非磁性体層と、前記第１の磁性体層よりも低い透磁率を有し、かつ、積層方向に互いに隣り合う前記コイル電極同士に挟まれている領域のそれぞれに設けられている第２の磁性体層と、を備えていること、を特徴とする。

本発明によれば、第１の磁性体層よりも低い透磁率を有し、かつ、積層方向に互いに隣り合うコイル電極同士に挟まれている領域に設けられている第２の磁性体層を備えているので、コイル電極の周りを周回する短い磁束が、第２の磁性体層を通過するようになる。その結果、各コイル電極の周りを周回する短い磁束による磁気飽和の発生を抑制できる。

以下に、本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係る電子部品１０ａ〜１０ｄの外観斜視図である。図２は、第１の実施形態に係る電子部品１０ａの積層体１１ａの分解斜視図である。図３は、第１の実施形態に係る電子部品１０ａのＡ−Ａにおける断面構造図である。以下、電子部品１０ａの積層方向をｚ軸方向と定義し、電子部品１０ａの長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０ａの短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。

電子部品１０ａは、図１に示すように、積層体１１ａ及び外部電極２２ａ，２２ｂを備えている。積層体１１ａは、内部に螺旋状のコイルＬを含んでいる。また、外部電極２２ａ，２２ｂは、ｘ軸方向の両端に位置する積層体１１ａの側面に形成されている。

積層体１１ａは、図２に示すように、磁性体層１２ａ〜１２ｇ，１４ａ〜１４ｄ、１６ａ〜１６ｆ、コイル電極１８ａ〜１８ｆ及び非磁性体層２０が積層されて構成されている。以下では、個別の磁性体層１２ａ〜１２ｇ，１４ａ〜１４ｄ，１６ａ〜１６ｆ及びコイル電極１８ａ〜１８ｆを指す場合には、参照符号の後ろにアルファベットを付し、これらを総称する場合には、参照符号の後ろのアルファベットを省略する。

磁性体層１２は、磁性を有するフェライト（例えば、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト又はＮｉ−Ｚｎフェライト等）からなる長方形状の絶縁層である。磁性体層１４は、磁性体層１２よりも低い透磁率を有するフェライトからなる長方形状の絶縁層である。磁性体層１４の透磁率は、例えば、磁性体層１２の透磁率の１／１０以上１／２以下である。非磁性体層２０は、非磁性（すなわち、透磁率が１）のフェライト（例えば、Ｚｎ−Ｃｕフェライト）からなる長方形状の絶縁層である。

コイル電極１８は、磁性体層１２，１４，１６と共に積層され、積層体１１ａ内において電気的に接続されることにより螺旋状のコイルＬを構成している。コイル電極１８ａは、Ａｇからなる導電性材料からなり、磁性体層１４ａ上において３／４ターンの長さで周回している。コイル電極１８ｂ，１８ｃ，１８ｄ，１８ｅはそれぞれ、Ａｇからなる導電性材料からなり、磁性体層１４ｂ、非磁性体層２０及び磁性体層１４ｃ，１４ｄ上において１ターンの長さで周回している。コイル電極１８ｆは、Ａｇからなる導電性材料からなり、磁性体層１２ｄ上において１／２ターンの長さで周回している。各コイル電極１８ａ〜１８ｆは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なることにより長方形状の軌道を形成している。

また、ｚ軸方向の最も正方向側に位置しているコイル電極１８ａは、図２に示すように、磁性体層１４ａのｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。これにより、コイル電極１８ａは、外部電極２２ａと接続されている。また、ｚ軸方向の最も負方向側に位置しているコイル電極１８ｆは、図２に示すように、磁性体層１２ｄのｘ軸方向の負方向側の辺に引き出されている。これにより、コイル電極１８ｆは、外部電極２２ｂと接続されている。

磁性体層１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆはそれぞれ、図２に示すように、磁性体層１４ａ，１４ｂ、非磁性体層２０及び磁性体層１４ｃ，１４ｄ，１２ｄ上に設けられており、磁性体層１２と同じ材料により作製された絶縁層である。磁性体層１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆはそれぞれ、磁性体層１４ａ，１４ｂ、非磁性体層２０及び磁性体層１４ｃ，１４ｄ，１２ｄ上のコイル電極１８ａ〜１８ｆが設けられていない部分の全てを覆うように設けられている。これにより、磁性体層１６ａ〜１６ｆは、コイル電極１８ａ〜１８ｆと隣接している。

ビアホール導体ｂ１〜ｂ５は、コイル電極１８ａ〜１８ｆを接続している。より詳細には、ビアホール導体ｂ１は、磁性体層１４ａをｚ軸方向に貫通するように設けられ、コイル電極１８ａとコイル電極１８ｂとを接続している。ビアホール導体ｂ２は、磁性体層１４ｂをｚ軸方向に貫通するように設けられ、コイル電極１８ｂとコイル電極１８ｃとを接続している。ビアホール導体ｂ３は、非磁性体層２０をｚ軸方向に貫通するように設けられ、コイル電極１８ｃとコイル電極１８ｄとを接続している。ビアホール導体ｂ４は、磁性体層１４ｃをｚ軸方向に貫通するように設けられ、コイル電極１８ｄとコイル電極１８ｅとを接続している。ビアホール導体ｂ５は、磁性体層１４ｄをｚ軸方向に貫通するように設けられ、コイル電極１８ｅとコイル電極１８ｆとを接続している。

以上のように構成された電子部品１０ａでは、図３に示すように、ｚ軸方向の正方向側には、磁性体層１２ａ〜１２ｃが設けられ、ｚ軸方向の負方向側には、磁性体層１２ｄ〜１２ｇが設けられている。また、磁性体層１４上には、磁性体層１６及びコイル電極１８が隣接するように設けられている。磁性体層１６及びコイル電極１８が設けられた磁性体層１４は、磁性体層１２ａ〜１２ｃ及び磁性体層１２ｄ〜１２ｇの間に設けられている。更に、コイル電極１８ｆは、磁性体層１２ｄ上に設けられている。これにより、磁性体層１４ａ〜１４ｄは、ｚ軸方向に互いに隣り合うコイル電極１８ａ〜１８ｆに挟まれている領域に設けられるようになる。

また、非磁性体層２０は、図３に示すように、コイルＬを横切っている。より詳細には、非磁性体層２０は、ｚ軸方向において、コイルＬが形成されている領域（コイル電極１８ｃとコイル電極１８ｄとの間）であって、ｚ軸方向から平面視したときに、積層体１１ａ全体の領域にわたって設けられている。

（効果）
以上のように構成された電子部品１０ａでは、以下に説明するように、コイル電極１８ａ〜１８ｆを周回する長い磁束φ１により磁気飽和が発生することを抑制できると共に、コイル電極１８ａ〜１８ｆのそれぞれを周回する短い磁束φ２により磁気飽和が発生することを抑制できる。より詳細には、図３に示すように、非磁性体層２０は、コイルＬを横切るように設けられている。そのため、コイル電極１８ａ〜１８ｆを周回する磁束φ１は、非磁性体層２０を通過する。その結果、磁束φ１に磁気ギャップが形成されるようになり、磁束φ１により磁気飽和が発生することが抑制されるようになる。

更に、図３に示すように、各コイル電極１８に挟まれている領域に、磁性体層１２よりも低い透磁率を有する磁性体層１４が設けられている。そのため、コイル電極１８を周回する磁束φ２は、磁性体層１４を通過するようになる。その結果、磁気飽和が発生することが抑制されるようになる。

また、電子部品１０ａにおいて、コイル電極１８間に磁性体層１４を設けることにより、磁束φ２により磁気飽和が発生することを抑制できると共に、コイルＬのインダクタンス値を高く維持することができる。より詳細には、磁束φ１は、各コイル電極１８において発生した磁束が重ねあわされたものである。一方、磁束φ２は、各コイル電極１８において発生した磁束である。よって、磁束φ１の磁束密度は、磁束φ２の磁束密度よりも大きく、磁束φ１の方が、磁束φ２よりも磁気飽和を発生させ易い。故に、磁束φ１により磁気飽和が発生することを抑制するためには、磁束を分散させる効果が高い非磁性体層２０を設けることが望ましい。

一方、磁束φ２は、前記の通り、磁束φ１に比べて磁気飽和を発生させにくい。そのため、非磁性体層ではなく磁性体層１４によっても十分に磁気飽和の発生を抑制することが可能である。更に、コイル電極１８間に磁性体層１４が設けられた場合、コイル電極１８間に非磁性体層が設けられた場合に比べて、磁束φ２の磁束密度を高く維持できるので、コイルＬのインダクタンス値も高く維持できる。よって、電子部品１０ａにおいて、コイル電極１８間に磁性体層１４を設けることにより、磁束φ２により磁気飽和が発生することを抑制できると共に、コイルＬのインダクタンス値を高く維持することができる。

（製造方法）
以下に、電子部品１０ａの製造方法について説明する。図１及び図２を参照しながら説明する。

磁性体層１２，１６の原料となるセラミックスラリーを作製する。酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）を４８．０ｍｏｌ％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を２０．０ｍｏｌ％、酸化ニッケル（ＮｉＯ）を２３．０ｍｏｌ％及び酸化銅（ＣｕＯ）を９．０ｍｏｌ％の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。

このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。これにより、磁性体層１２，１６の原料となるセラミックスラリーを得る。次に、得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上に形成して乾燥させ、磁性体層１２となるべきセラミックグリーンシートを作製する。

次に、磁性体層１４となるセラミックグリーンシートを作製する。酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）を４８．０ｍｏｌ％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を１４．０ｍｏｌ％、酸化ニッケル（ＮｉＯ）を２９．０ｍｏｌ％及び酸化銅（ＣｕＯ）を９．０ｍｏｌ％の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。

このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上に形成して乾燥させ、磁性体層１４となるべきセラミックグリーンシートを作製する。

次に、非磁性体層２０となるセラミックグリーンシートを作製する。酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）を４８．０ｍｏｌ％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を４３．０ｍｏｌ％及び酸化銅（ＣｕＯ）を９．０ｍｏｌ％の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。

このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上に形成して乾燥させ、非磁性体層２０となるべきセラミックグリーンシートを作製する。

次に、磁性体層１４及び非磁性体層２０となるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ５を形成する。具体的には、磁性体層１４及び非磁性体層２０となるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。

次に、磁性体層１４及び非磁性体層２０となるべきセラミックグリーンシート上に、図２に示すように、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル電極１８を形成する。なお、コイル電極１８を形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。

次に、磁性体層１４及び非磁性体層２０となるべきセラミックグリーンシート上であって、コイル電極１８が設けられていない部分に、図２に示すように、磁性体層１６の原料となるセラミックスラリーを塗布する。これにより、図２の分解斜視図に示すような構造を有するセラミックグリーンシートを得ることができる。

次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、磁性体層１２ｇとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。該磁性体層１２ｇの上に磁性体層１２ｆとなるべきセラミックグリーンシートを積層し、圧着を行う。この後、磁性体層１２ｅ，１２ｄ，１４ｄ、１４ｃ、非磁性体層２０及び磁性体層１４ｂ，１４ａ，１２ｃ，１２ｂ，１２ａとなるべきセラミックグリーンシートについても同様にこの順番に積層及び圧着する。これにより、マザー積層体が形成される。このマザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着が施される。本圧着は、例えば、４５℃及び１．０ｔ／ｃｍ²の条件で行われる。

次に、マザー積層体をギロチンカットにより３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×０．８ｍｍのサイズの積層体１１ａにカットする。これにより未焼成の積層体１１ａが得られる。この未焼成の積層体１１ａには、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、大気中において８９０℃で２．５時間の条件で行う。

以上の工程により、焼成された積層体１１ａが得られる。積層体１１ａには、バレル加工が施されて、面取りが行われる。その後、積層体１１ａの表面には、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストが塗布及び焼き付けされることにより、外部電極２２ａ，２２ｂとなるべき銀電極が形成される。銀電極の乾燥は、１００℃で１０分間行われ、銀電極の焼き付けは、７８０℃で２．５時間行われる。

最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極２２ａ，２２ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０ａが完成する。

（変形例）
以下に、電子部品１０ａの変形例に係る電子部品１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図４は、変形例に係る電子部品１０ｂのＡ−Ａにおける断面構造図である。図５は、電子部品１０ａ，１０ｂの積層体１１ａ，１１ｂを積層方向から平面視した図である。図４において、図３と同じ構成については同じ参照符号を付してある。図５において、コイル電極１８ａ〜１８ｆは重ねて記載した。以下では、電子部品１０ｂと電子部品１０ａとの相違点に注目しながら、電子部品１０ｂについて説明する。

電子部品１０ｂと電子部品１０ａとの相違点は、非磁性体層２０の形状である。より詳細には、電子部品１０ａでは、非磁性体層２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、積層体１１ａ全体に設けられている。一方、電子部品１０ｂでは、図４に示すように、非磁性体層２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、コイルＬの外側の領域全体に設けられている。コイルＬの内側の領域には、磁性体層１２と同じ材料からなる磁性体層２４が設けられている。図４に示す非磁性体層２０によっても、以下に説明するように、磁束φ１によって磁気飽和が発生することを抑制できる。

より詳細には、磁束φ１は、図３に示すように、コイルＬの内側及び外側を通過する。このような磁束φ１による磁気飽和の発生を抑制するためには、磁束φ１の少なくとも一箇所に磁気ギャップが形成されていればよい。すなわち、非磁性体層２０は、図５に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、コイルＬの内側に位置する領域Ｂ全体又はコイルＬの外側に位置する領域Ｃ全体の少なくとも一方に、設けられていればよい。電子部品１０ｂでは、非磁性体層２０が、領域Ｃ全体に設けられているので、磁束φ１により磁気飽和が発生することを抑制できる。

なお、電子部品１０ｂの製造方法と電子部品１０ａの製造方法とは、磁性体層１６ｃ，２４、コイル電極１８ｃ及び非磁性体層２０の形成工程において相違点を有している。より詳細には、電子部品１０ｂの製造方法では、図２に示す磁性体層１６ｄ及びコイル電極１８ｄ上に、印刷法により非磁性体層２０及び磁性体層２４を形成する。更に、非磁性体層２０及び磁性体層２４上に、印刷法により、磁性体層１６ｃ及びコイル電極１８ｃを形成する。この後、各セラミックグリーンシートを積層・圧着する。

（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係る電子部品１０ｃのＡ−Ａにおける断面構造図である。図６には、磁性体層１６ｅ，１１４ｃ，１１６ｃ及びコイル電極１８ｅの斜視図も示した。図６において、図２と同じ構成については同じ参照符号を付してある。以下では、電子部品１０ｃと電子部品１０ａの相違点に注目しながら、電子部品１０ｃについて説明する。

電子部品１０ｃと電子部品１０ａとの相違点は、磁性体層１１４と磁性体層１４との形状の違いである。より詳細には、電子部品１０ａでは、磁性体層１４は、磁性体層１２よりも低い透磁率を有しており、ｚ軸方向から平面視したときに、積層体１１ａ全体に形成されている。

一方、電子部品１０ｃでは、図６に示すように、磁性体層１１４は、磁性体層１２よりも低い透磁率を有しており、ｚ軸方向から平面視したときに、コイルＬと重なる領域に設けられている。すなわち、磁性体層１１４は、コイル電極１８が形成している長方形状の軌道と重なるようにロ字型に設けられている。ロ字型の磁性体層１１４の内部と外部には、磁性体層１２と同じ透磁率を有する磁性体層１１６が設けられている。

以上の構成を有する電子部品１０ｃは、電子部品１０ａと同じ作用効果を奏する。より詳細には、電子部品１０ｃでは、電子部品１０ａと同様に，非磁性体層２０がコイルＬを横切るように設けられているので、磁束φ１によって磁気飽和が発生することが抑制される。

更に、電子部品１０ｃでは、以下に説明するように、電子部品１０ａと同様に、磁束φ２によって磁気飽和が発生することを抑制できる。より詳細には、磁束φ２は、図３に示すように、各コイル電極１８を周回しているので、コイル電極１８により挟まれている領域を通過する。そこで、図６に示す電子部品１０ｃのように、磁性体層１２よりも低い透磁率を有する磁性体層１１４を、コイル電極１８により挟まれている領域に設けることにより、磁束φ２は、磁性体層１１４を通過するようになる。その結果、コイル電極１８に挟まれている領域において磁気飽和が発生することが抑制されるようになる。

また、電子部品１０ｃでは、電子部品１０ａに比べて、高いインダクタンス値を得ることができる。より詳細には、電子部品１０ａでは、磁性体層１４は、ｚ軸方向から平面視したときに、積層体１１ａ全体にわたって形成されている。よって、コイル電極１８を周回する磁束φ１は、磁性体層１２よりも低い透磁率を有する磁性体層１４を通過している。

一方、電子部品１０ｃでは、磁性体層１１４は、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル電極１８と重なる領域に設けられている。よって、電子部品１０ｃにおいて、コイル電極１８を周回する磁束φ１は、磁性体層１１４を殆ど通過しない。以上のように、電子部品１０ｃでは、電子部品１０ａよりも、磁束φ１が、透磁率の高い磁性体層を多く通過しているので、高いインダクタンスを得ることができる。

ただし、電子部品１０ｃにおいて、磁性体層１１４は、図６に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル電極１８から少しはみ出すように設けられていることが好ましい。これにより、磁束φ２が、磁性体層１１４を通過する距離が長くなるので、磁束φ２によって磁気飽和が発生することが効果的に抑制されるようになる。

（製造方法）
以下に、電子部品１０ｃの製造方法について説明する。図６を参照しながら説明する。

磁性体層１２，１６，１１６の原料となるセラミックスラリーを作製する。酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）を４８．０ｍｏｌ％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を２０．０ｍｏｌ％、酸化ニッケル（ＮｉＯ）を２３．０ｍｏｌ％及び酸化銅（ＣｕＯ）を９．０ｍｏｌ％の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。

このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。これにより、磁性体層１２，１６，１１６の原料となるセラミックスラリーを得る。次に、得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上に形成して乾燥させ、磁性体層１２となるべきセラミックグリーンシートを作製する。

次に、磁性体層１１４となるセラミックグリーンシートを作製する。酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）を４８．０ｍｏｌ％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を１４．０ｍｏｌ％、酸化ニッケル（ＮｉＯ）を２９．０ｍｏｌ％及び酸化銅（ＣｕＯ）を９．０ｍｏｌ％の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を７５０℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。

このフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。これにより、磁性体層１１４の原料となるセラミックスラリーを得る。

次に、磁性体層１２ｄとなるべきセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル電極１８ｆを形成する。更に、磁性体層１２ｄとなるべきセラミックグリーンシート上であって、コイル電極１８ｆが設けられていない部分に、磁性体層１６ｆの原料となるセラミックスラリーを塗布する。

次に、磁性体層１６ｆとなるべきセラミックグリーン層及びコイル電極１８ｆ上に、磁性体層１１４ｄの原料となるセラミックスラリーをロ字型に塗布する。この際、ビアホール導体ｂ５が形成されるべき位置にビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。更に、磁性体層１６ｆとなるべきセラミックグリーン層上であって、磁性体層１１４ｄが形成されていない部分に、磁性体層１１６ｄの原料となるセラミックスラリーを塗布する。

次に、磁性体層１１４ｄ，１１６ｄとなるべきセラミックグリーン層上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル電極１８ｅを形成する。なお、コイル電極１８ｅを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。

次に、磁性体層１１４ｄ及び非磁性体層１１６ｄとなるべきセラミックグリーンシート上であって、コイル電極１８ｅが設けられていない部分に、図６に示すように、磁性体層１６ｅの原料となるセラミックスラリーを塗布する。

次に、磁性体層１６ｅとなるべきセラミックグリーン層及びコイル電極１８ｅ上に、磁性体層１１４ｃの原料となるセラミックスラリーをロ字型に塗布する。更に、磁性体層１６ｅとなるべきセラミックグリーン層上であって、磁性体層１１４ｃが形成されていない部分に、磁性体層１１６ｃの原料となるセラミックスラリーを塗布する。この際、ビアホール導体ｂ４が形成されるべき位置にビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。

次に、磁性体層１１４ｃ，１１６ｃとなるべきセラミックグリーン層上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル電極１８ｄを形成する。なお、コイル電極１８ｄを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。

次に、磁性体層１１４ｃ及び非磁性体層１１６ｃとなるべきセラミックグリーンシート上であって、コイル電極１８ｄが設けられていない部分に、図６に示すように、磁性体層１６ｄの原料となるセラミックスラリーを塗布する。これにより、磁性体層１６ｄ〜１６ｆ，１１４ｃ，１１４ｄ，１１６ｃ，１１６ｄ及びコイル電極１８ｄ〜１８ｆが形成された磁性体層１２ｄとなるべきセラミックグリーンシートを得る。

次に、非磁性体層２０となるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ３を形成する。具体的には、非磁性体層２０となるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。

次に、非磁性体層２０となるべきセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル電極１８ｃを形成する。なお、コイル電極１８ｃを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。更に、非磁性体層２０となるべきセラミックグリーンシート上であって、コイル電極１８ｃが設けられていない部分に、磁性体層１６ｃの原料となるセラミックスラリーを塗布する。

次に、磁性体層１６ｃとなるべきセラミックグリーン層及びコイル電極１８ｃ上に、磁性体層１１４ｂの原料となるセラミックスラリーをロ字型に塗布する。更に、磁性体層１６ｃとなるべきセラミックグリーン層上であって、磁性体層１１４ｂが形成されていない部分に、磁性体層１１６ｂの原料となるセラミックスラリーを塗布する。この際、この際、ビアホール導体ｂ２が形成されるべき位置にビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。

次に、磁性体層１１４ｂ，１１６ｂとなるべきセラミックグリーン層上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル電極１８ｂを形成する。なお、コイル電極１８ｂを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。

次に、磁性体層１１４ｂ及び非磁性体層１１６ｂとなるべきセラミックグリーンシート上であって、コイル電極１８ｂが設けられていない部分に、磁性体層１６ｂの原料となるセラミックスラリーを塗布する。

次に、磁性体層１６ｂとなるべきセラミックグリーン層及びコイル電極１８ｂ上に、磁性体層１１４ａの原料となるセラミックスラリーをロ字型に塗布する。この際、ビアホール導体ｂ１が形成されるべき位置にビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。更に、磁性体層１６ｂとなるべきセラミックグリーン層上であって、磁性体層１１４ａが形成されていない部分に、磁性体層１１６ａの原料となるセラミックスラリーを塗布する。

次に、磁性体層１１４ａ，１１６ａとなるべきセラミックグリーン層上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル電極１８ａを形成する。なお、コイル電極１８ａを形成する工程とビアホールに対して導電性ペーストを充填する工程とは、同じ工程において行われてもよい。

次に、磁性体層１１４ａ及び非磁性体層１１６ａとなるべきセラミックグリーンシート上であって、コイル電極１８ａが設けられていない部分に、磁性体層１６ａの原料となるセラミックスラリーを塗布する。これにより、磁性体層１６ａ〜１６ｃ，１１４ａ，１１４ｂ，１１６ａ，１１６ｂ及びコイル電極１８ａ〜１８ｃが形成された非磁性体層２０となるべきセラミックグリーンシートを得る。

次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、磁性体層１２ｇとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。該磁性体層１２ｇの上に磁性体層１２ｆとなるべきセラミックグリーンシートを積層し、圧着を行う。この後、磁性体層１２ｅ，１２ｄ、非磁性体層２０及び磁性体層１２ｃ，１２ｂ，１２ａとなるべきセラミックグリーンシートについても同様にこの順番に積層及び圧着する。これにより、マザー積層体が形成される。このマザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着が施される。本圧着は、例えば、４５℃及び１．０ｔ／ｃｍ²の条件で行われる。

次に、マザー積層体をギロチンカットにより３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×０．８ｍｍのサイズの積層体１１ｃにカットする。これにより未焼成の積層体１１ｃが得られる。この未焼成の積層体１１ｃには、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、大気中において８９０℃で２．５時間の条件で行う。

以上の工程により、焼成された積層体１１ｃが得られる。積層体１１ｃには、バレル加工が施されて、面取りが行われる。その後、積層体１１ｃの表面には、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストが塗布及び焼き付けされることにより、外部電極２２ａ，２２ｂとなるべき銀電極が形成される。銀電極の乾燥は、１００℃で１０分間行われ、銀電極の焼き付けは、７８０℃で２．５時間行われる。

最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極２２ａ，２２ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０ｃが完成する。

（変形例）
以下に、電子部品１０ｃの変形例に係る電子部品１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図７は、変形例に係る電子部品１０ｄのＡ−Ａにおける断面構造図である。図７において、図６と同じ構成については同じ参照符号を付してある。以下では、電子部品１０ｄと電子部品１０ｃとの相違点に注目しながら、電子部品１０ｄについて説明する。

電子部品１０ｄと電子部品１０ｃとの相違点は、非磁性体層２０の形状である。より詳細には、電子部品１０ｃでは、非磁性体層２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、積層体１１ｃ全体に設けられている。一方、電子部品１０ｃでは、非磁性体層２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、コイルＬの外側の領域全体に設けられている。コイルＬの内側の領域には、磁性体層１２と同じ材料からなる磁性体層２４が設けられている。図７に示す非磁性体層２０によっても、磁束φ１によって磁気飽和が発生することを抑制できる。なお、理由については、図４に示す非磁性体層２０によって、磁束φ１によって磁気飽和が発生することを抑制できる理由と同じであるので説明を省略する。

なお、電子部品１０ｄの製造方法は、非磁性体層２０及び磁性体層２４の形成工程において、電子部品１０ｃの製造方法と異なっている。より詳細には、電子部品１０ｃの製造方法では、磁性体層１２ｄとなるべきセラミックグリーンシート上に、磁性体層１６ｄ〜１６ｆ，１１４ｃ，１１４ｄ，１１６ｃ，１１６ｄ及びコイル電極１８ｄ〜１８ｆを作製すると共に、非磁性体層２０となるべきセラミックグリーンシート上に、磁性体層１６ａ〜１６ｃ，１１４ａ，１１４ｂ，１１６ａ，１１６ｂ及びコイル電極１８ａ〜１８ｃを作製する。

一方、電子部品１０ｄでは、磁性体層１２ｄとなるべきセラミックグリーンシート上に、磁性体層１６ａ〜１６ｆ，２４，１１４ａ〜１１４ｄ，１１６ａ〜１１６ｄ及びコイル電極１８ａ〜１８ｆ，２０を印刷法により作製する。この後、各セラミックグリーンシートを積層・圧着する。

（シミュレーション結果）
以上のように構成された電子部品１０ａ〜１０ｄが奏する効果をより明確にするために、本願発明者は、以下に示すコンピュータシミュレーションを行った。以下に、シミュレーション条件について説明する。図８は、本シミュレーションにおいて、電子部品１０ａ〜１０ｄの比較例として用いた電子部品２１０の断面構造図である。

本シミュレーションでは、電子部品１０ａ，１０ｃに相当するモデルを作製し、該電子部品１０ａ，１０ｃのモデルに電流を流して、インダクタンス値を計算した。

また、比較例として、図８に示す電子部品２１０に相当するモデルを作製し、該電子部品２１０のモデルに電流を流して、インダクタンス値を計算した。ここで、電子部品２１０について簡単に説明する。電子部品２１０は、積層体２１１及び外部電極２２２ａ，２２２ｂを備えている。積層体２１１は、磁性体層２１２ａ〜２１２ｐ、コイル電極２１８ａ〜２１８ｆ及び非磁性体層２２０が積層されて構成されている。磁性体層２１２は、磁性体層１２と同じ材料により作製されている。したがって、電子部品２１０と電子部品１０ａとの相違点は、磁性体層１４の有無のみである。

以下に、シミュレーション結果について説明する。図９は、シミュレーション結果を示したグラフである。縦軸は、インダクタンス値を示し、横軸は、コイルＬに流した電流値を示している。

図９に示すように、電流値が大きくなったときにおけるインダクタンス値の低下量は、電子部品２１０よりも電子部品１０ａ，１０ｃの方が小さいことが理解できる。すなわち、電子部品１０ａ，１０ｃでは、磁性体層１４，１１４がコイル電極１８間に設けられることにより、磁束φ２によって磁気飽和が発生することが抑制され、コイルＬの直流重畳特性が向上していることが理解できる。

更に、図９によれば、電流値が小さい場合において、電子部品１０ｃの方が、電子部品１０ａよりも高いインダクタンス値を有している。これは、電子部品１０ｃでは、磁性体層１１４が、コイルＬの内側の領域には、殆ど形成されていないからである。

本発明の実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。第１の実施形態に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。第１の実施形態に係る電子部品のＡ−Ａにおける断面構造図である。変形例に係る電子部品のＡ−Ａにおける断面構造図である。電子部品の積層体を積層方向から平面視した図である。第２の実施形態に係る電子部品のＡ−Ａにおける断面構造図である。変形例に係る電子部品のＡ−Ａにおける断面構造図である。本シミュレーションにおいて、第１の実施形態及び第２の実施形態に係る電子部品の比較例として用いた電子部品の断面構造図である。シミュレーション結果を示したグラフである。

符号の説明

Ｌコイル
ｂ１〜ｂ５ビアホール導体
１０ａ〜１０ｄ電子部品
１１ａ〜１１ｄ積層体
１２ａ〜１２ｇ，１４ａ〜１４ｄ，１６ａ〜１６ｆ，２４，１１４ａ〜１１４ｄ，１１６ａ〜１１６ｄ磁性体層
１８ａ〜１８ｆコイル電極
２０非磁性体層
２２ａ，２２ｂ外部電極

Claims

複数の第１の磁性体層が積層されてなる積層体と、
前記第１の磁性体層と共に積層され、螺旋状のコイルを構成している複数のコイル電極と、
積層方向において、前記コイルが形成された領域に設けられている非磁性体層であって、かつ、積層方向から平面視したときに、該コイルの内側に位置する領域全体又は該コイルの外側に位置する領域全体の少なくとも一方に設けられている非磁性体層と、
前記第１の磁性体層よりも低い透磁率を有し、かつ、積層方向に互いに隣り合う前記コイル電極同士に挟まれている領域のそれぞれに設けられている第２の磁性体層と、
を備えていること、
を特徴とする電子部品。
前記第２の磁性体層は、積層方向から平面視したときに、前記コイル電極からはみ出すように設けられていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
前記非磁性体層は、積層方向から平面視したときに、前記積層体全体に設けられていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
前記コイル電極及び前記第１の磁性体層は、前記第２の磁性体層上において隣接するように設けられていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。