JP2010161161A

JP2010161161A - 積層インダクタ

Info

Publication number: JP2010161161A
Application number: JP2009001729A
Authority: JP
Inventors: Masaharu Ikeda; 正治池田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2009-01-07
Filing date: 2009-01-07
Publication date: 2010-07-22

Abstract

【課題】１ターンの長さを有するコイル導体により構成されているコイルを内蔵する積層インダクタにおいて、コイルを流れる直流電流が小さいときには高いインダクタンス値が得られ、かつ、コイルを流れる直流電流が大きくなってもインダクタンス値が急激に低下しない直流重畳特性を得る。
【解決手段】コイル導体１４は、ｚ軸方向から平面視したときに、環状の軌道Ｒ上に位置している端部ｔ４，ｔ５，ｔ８，ｔ９を含む接続部１６ｂ〜１６ｅ及び該環状の軌道Ｒ外に位置している接続位置ｔ３，ｔ６，ｔ７，ｔ１０を含む接続部１７ｂ〜１７ｅを有している。磁性体層１８は、ｚ軸方向から平面視したときに、接続部１６ｂ〜１６ｅ，１７ｂ〜１７ｅにより囲まれている所定の領域と重なり、かつ、ｚ軸方向において、コイルＬと重なるように設けられていると共に、磁性体層１２よりも高い透磁率を有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、積層インダクタに関し、より特定的には、コイルを内蔵している積層インダクタに関する。

従来の積層インダクタとしては、例えば、特許文献１に記載の積層インダクタが知られている。以下に、図面を参照しながら、特許文献１に記載の積層インダクタについて説明する。図６は、特許文献１に記載の積層インダクタの積層体１１１の分解斜視図である。

積層体１１１は、磁性体層１１２ａ〜１１２ｌ、内部導体１１４ａ〜１１４ｆ及びビアホール導体Ｂ１〜Ｂ５により構成されている。磁性体層１１２ａ〜１１２ｌは、積層方向の上側から下側へとこの順に並ぶように配置されている絶縁層である。

内部導体１１４ａは、磁性体層１１２ｄ上に設けられ、一端が積層体１１１の右側の側面に引き出されている。内部導体１１４ｂ〜１１４ｅはそれぞれ、磁性体層１１２ｅ〜１１２ｈ上において１ターンの長さで周回している。内部導体１１４ｂ，１１４ｄは、同じ形状を有しており、内部導体１１４ｃ，１１４ｅは、同じ形状を有している。また、内部導体１１４ｆは、磁性体層１１２ｉ上に設けられ、一端が積層体１１１の左側の側面に引き出されている。

また、ビアホール導体Ｂ１〜Ｂ５は、積層方向に隣り合う内部導体１１４ａ〜１１４ｆを接続している。これにより、積層体１１１内において螺旋状に旋廻するコイルＬが構成されている。このような積層インダクタは、例えば、ＤＣ−ＤＣコンバータなどに用いられる。

ところで、ＤＣ−ＤＣコンバータに用いられる積層インダクタでは、コイルＬを流れる直流電流が小さいときには高いインダクタンス値が得られ、かつ、コイルＬを流れる直流電流が大きくなってもインダクタンス値が急激に低下しない直流重畳特性が要求される。そこで、コイルＬを流れる直流電流が小さいときに高いインダクタンス値が得られるように、磁性体層１１２ａ〜１１２ｌに透磁率の高い磁性体材料を用いることが考えられる。

しかしながら、磁性体層１１２ａ〜１１２ｌに透磁率の高い磁性体材料が用いられた場合には、磁気飽和が発生し易くなってしまうので、コイルＬを流れる直流電流が大きくなった場合に、インダクタンス値が急激に低下してしまう。

特開２００１−４４０３７号公報

そこで、本発明の目的は、１ターンの長さを有するコイル導体により構成されているコイルを内蔵する積層インダクタにおいて、コイルを流れる直流電流が小さいときには高いインダクタンス値が得られ、かつ、コイルを流れる直流電流が大きくなってもインダクタンス値が急激に低下しない直流重畳特性を得ることである。

本発明の一形態に係る積層インダクタによれば、複数の第１の絶縁体層が積層されてなる積層体と、積層方向から平面視したときに、前記第１の絶縁体層上において１ターンの長さで環状の軌道上を周回しているコイル導体であって、該環状の軌道上に位置している第１の接続位置を含む第１の接続部及び該環状の軌道外に位置している第２の接続位置を含む第２の接続部を有している複数のコイル導体と、積層方向に隣り合う前記第１の接続位置同士を接続している第１のビアホール導体と、積層方向に隣り合う前記第２の接続位置同士を接続している第２のビアホール導体と、積層方向から平面視したときに、前記複数のコイル導体において前記第１の接続部及び前記第２の接続部により囲まれている所定の領域と重なり、かつ、積層方向において、前記複数のコイル導体により構成されているコイルと重なるように設けられている第２の絶縁体層であって、前記第１の絶縁体層よりも高い透磁率を有する第２の絶縁体層と、を備えていること、を特徴とする。

本発明によれば、１ターンの長さを有するコイル導体により構成されているコイルを内蔵する積層インダクタにおいて、コイルを流れる直流電流が小さいときには高いインダクタンス値が得られ、かつ、コイルを流れる直流電流が大きくなってもインダクタンス値が急激に低下しない直流重畳特性を得ることができる。

本発明の一実施形態に係る積層インダクタの外観斜視図である。図１の積層インダクタの積層体の分解斜視図である。図３（ａ）は、磁性体層を重ねた状態で平面視した図であり、図３（ｂ）は、積層インダクタの図２のＡ−Ａにおける断面構造図である。磁性体層となるべきセラミックグリーンシートの製造工程を示した斜視図である。図３の領域Ｅ付近の拡大図である。特許文献１に記載の積層インダクタの積層体の分解斜視図である。

以下に、本発明の一実施形態に係る積層インダクタについて説明する。

（積層インダクタの構成）
図１は、積層インダクタ１０の外観斜視図である。図２は、積層インダクタ１０の積層体１１の分解斜視図である。以下、積層インダクタ１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、積層インダクタ１０の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、積層インダクタ１０の短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。

積層インダクタ１０は、図１に示すように、積層体１１及び外部電極１３ａ，１３ｂを備えている。積層体１１は、直方体状をなしている。外部電極１３ａ，１３ｂは、ｘ軸方向の両端に位置する積層体１１の側面に設けられている。

積層体１１は、図２に示すように、磁性体層１２ａ〜１２ｌ及びコイル導体１４ａ〜１４ｆが積層されて構成されており、内部に螺旋状のコイルＬを含んでいる。磁性体層１２ａ〜１２ｌは、磁性を有するフェライト（例えば、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト又はＮｉ−Ｚｎフェライト等）からなる長方形状の複数の絶縁層である。また、磁性体層１２ｄ〜１２ｉには、後述する磁性体層１８ｄ〜１８ｉが設けられている。以下では、個別の磁性体層１２ａ〜１２ｌ，１８ｄ〜１８ｉ及びコイル導体１４ａ〜１４ｆを指す場合には、参照符号の後ろにアルファベットを付し、これらを総称する場合には、参照符号の後ろのアルファベットを省略する。

コイル導体１４ａ〜１４ｆは、積層体１１内においてビアホール導体ｂ１〜ｂ５により接続されることによりコイルＬを構成している。コイル導体１４ｂ〜１４ｅはそれぞれ、Ａｇからなる導電性材料からなり、ｚ軸方向から平面視したときに、磁性体層１２ｅ〜１２ｈ上において１ターンの長さで周回している。より詳細には、コイル導体１４ｂ〜１４ｅは、略長方形状の環状の軌道Ｒ（図２の磁性体層１２ｅ参照）上を周回していると共に、その両端において接続部１６ｂ〜１６ｅ，１７ｂ〜１７ｅを有している。接続部１６ｂ〜１６ｅは、端部（接続位置）ｔ４，ｔ５，ｔ８，ｔ９を含んでおり、環状の軌道Ｒ外（図２では、環状の軌道Ｒに囲まれた領域の内側）上に設けられている。接続部１６ｂ，１６ｄは、環状の軌道Ｒからｙ軸方向の負方向側に向かって延在しており、ｙ軸方向の負方向側において端部ｔ４，ｔ８を有している。接続部１６ｃ，１６ｅは、環状の軌道Ｒからｘ軸方向の負方向側に向かって延在しており、ｘ軸方向の負方向側において端部ｔ５，ｔ９を有している。このように、コイル導体１４ｂ〜１４ｅが接続部１６ｂ〜１６ｅを有しているので、端部ｔ４，ｔ５，ｔ８，ｔ９は、前記長方形状の環状の軌道Ｒよりも内側に位置していると共に、ｚ軸方向から平面視したときに互いに重なっている。

また、接続部１７ｂ〜１７ｅは、端部（接続位置）ｔ３，ｔ６，ｔ７，ｔ１０を含んでおり、環状の軌道Ｒ上に設けられている。接続部１７ｂ，１７ｄは、環状の軌道Ｒ上においてｙ軸方向に延在しており、ｙ軸方向の正方向側において端部ｔ３，ｔ７を有している。接続部１７ｃ，１７ｅは、環状の軌道Ｒ上においてｘ軸方向に延在しており、ｘ軸方向の正方向側において端部ｔ６，ｔ１０を有している。このように、コイル導体１４ｂ〜１４ｅが接続部１７ｂ〜１７ｅを有しているので、端部ｔ３，ｔ６，ｔ７，ｔ１０は、長方形状の環状の軌道Ｒ上に位置していると共に、ｚ軸方向から平面視したときに互いに重なっている。

コイル導体１４ｂ，１４ｄは、同じ形状を有し、コイル導体１４ｃ，１４ｅは、同じ形状を有している。すなわち、コイル導体１４ｂ〜１４ｅは、ｚ軸方向に２種類のコイル導体が交互に並んでいる。

また、コイル導体１４ａは、コイル導体１４ｂ〜１４ｅよりもｚ軸方向の正方向側に設けられ、該コイル導体１４ｂ〜１４ｅに電気的に接続されることによりコイルＬの一部を構成している。コイル導体１４ａは、Ａｇからなる導電性材料からなり、ｚ軸方向から平面視したときに、磁性体層１２ｄ上において３／４ターンの長さで周回している。コイル導体１４ａの一方の端部ｔ１は、図２に示すように、磁性体層１２ｄのｘ軸方向の正方向側の辺に引き出されている。これにより、コイル導体１４ａは、外部電極１３ａと接続されている。一方、端部ｔ２は、長方形状の環状の軌道Ｒ上に位置していると共に、ｚ軸方向から平面視したときに端部ｔ３と重なっている。

また、コイル導体１４ｆは、コイル導体１４ｂ〜１４ｅよりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、該コイル導体１４ｂ〜１４ｅに電気的に接続されることによりコイルＬの一部を構成している。コイル導体１４ｆは、Ａｇからなる導電性材料からなり、ｚ軸方向から平面視したときに、磁性体層１２ｉ上において１／２ターンの長さで周回している。コイル導体１４ｆの一方の端部ｔ１２は、図２に示すように、磁性体層１２ｉのｘ軸方向の負方向側の辺に引き出されている。これにより、コイル導体１４ｆは、外部電極１３ｂと接続されている。一方、端部ｔ１１は、長方形状の環状の軌道Ｒ上に位置していると共に、ｚ軸方向から平面視したときに端部ｔ１０と重なっている。

次に、磁性体層１８ｄ〜１８ｉについて図面を参照しながら説明する。図３（ａ）は、磁性体層１２ｄ〜１２ｉを重ねた状態で平面視した図であり、図３（ｂ）は、積層インダクタ１０の図２のＡ−Ａにおける断面構造図である。なお、図３（ｂ）では、磁性体層１２ａ〜１２ｌの境界を点線で示したが、実際には、このような境界が視認できない場合が多い。

磁性体層１２ａ〜１２ｌが積層されると、ｚ軸方向から平面視したときに、接続部１６ｂ〜１６ｅ，１７ｂ〜１７ｅにより囲まれた四角形状の領域Ｅが形成される。磁性体層１８ｄ〜１８ｉは、磁性体層１２ａ〜１２ｌよりも高い透磁率を有する絶縁体層である。該磁性体層１８ｄ〜１８ｉは、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、接続部１６ｂ〜１６ｅ，１７ｂ〜１７ｅにより囲まれている領域Ｅと重なり、かつ、ｚ軸方向において、コイルＬと重なるように設けられている。本実施形態では、磁性体層１８ｄ〜１８ｉは、図２及び図３（ｂ）に示すように、ｚ軸方向において最も上側に位置しているコイル導体１４ａと最も下側に位置している接続部１４ｆとの間に連続して角柱状に設けられている。よって、磁性体層１８ｄ〜１８ｉは、磁性体層１２ｄ〜１２ｉの領域Ｅに対応する部分を除去して、除去した部分に該磁性体層１８ｄ〜１８ｉの磁性体材料が埋め込まれることにより作製されている。そして、磁性体層１８ｄ〜１８ｉはそれぞれ、図３（ｂ）に示すように、磁性体層１２ｄ〜１２ｉをｚ軸方向に貫通している。

ビアホール導体ｂ１〜ｂ５は、コイル導体１４ａ〜１４ｆを電気的に接続することにより螺旋状のコイルＬの一部を構成している。より具体的には、図２に示すように、ビアホール導体ｂ１は、環状の軌道Ｒ上に位置し、かつ、磁性体層１２ｄを貫通することにより、ｚ軸方向に隣り合っている端部ｔ２と端部ｔ３とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、環状の軌道Ｒ外に位置し、かつ、磁性体層１２ｅを貫通することにより、ｚ軸方向に隣り合っている端部ｔ４と端部ｔ５とを接続している。ビアホール導体ｂ３は、環状の軌道Ｒ上に位置し、かつ、磁性体層１２ｆを貫通することにより、ｚ軸方向に隣り合っている端部ｔ６と端部ｔ７とを接続している。ビアホール導体ｂ４は、環状の軌道Ｒ外に位置し、かつ、磁性体層１２ｇを貫通することにより、ｚ軸方向に隣り合っている端部ｔ８と端部ｔ９とを接続している。ビアホール導体ｂ５は、環状の軌道Ｒ上に位置し、かつ、磁性体層１２ｈを貫通することにより、ｚ軸方向に隣り合っている端部ｔ１０と端部ｔ１１とを接続している。すなわち、環状の軌道Ｒ上の端部ｔ２，ｔ３，ｔ６，ｔ７，ｔ１０，ｔ１１を接続するビアホール導体ｂ１，ｂ３，ｂ５と環状の軌道Ｒ外の端部ｔ４，ｔ５，ｔ８，ｔ９を接続するビアホール導体ｂ２，ｂ４とは、ｚ軸方向に交互に並ぶように設けられている。これにより、１ターンの長さを有する複数のコイル導体１４は、短絡することなく互いに接続されている。

（積層インダクタの製造方法）
以下に、前記積層インダクタ１０の製造方法について図１及び図２を参照しながら説明する。なお、以下では、一つの積層インダクタ１０の製造方法について説明する。しかしながら、実際には、マザーセラミックシートを積層してマザー積層体を作製し、マザー積層体をカットすることにより複数の積層インダクタ１０を同時に得ている。

まず、酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、第１のフェライトセラミック粉末を得る。

この第１のフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアフィルム上にシート状に形成して乾燥させ、磁性体層１２となるべきセラミックグリーンシートを作製する。

次に、酸化第二鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）及び酸化銅（ＣｕＯ）を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。この際、第１のフェライトセラミック粉末よりも、酸化ニッケル（ＮｉＯ）の割合が高くなるように、各材料を混合する。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を８００℃で１時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、第２のフェライトセラミック粉末を得る。

この第２のフェライトセラミック粉末に対して結合剤（酢酸ビニル、水溶性アクリル等）と可塑剤、湿潤材、分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行って、磁性体層１８に用いるセラミックスラリーを得る。

次に、図２に示すような、コイル導体１４ａ〜１４ｆ及び磁性体層１８ｄ〜１８ｉが設けられた磁性体層１２ｄ〜１２ｉとなるべきセラミックグリーンシートを作製する。以下に、磁性体層１２ｅとなるべきセラミックグリーンシートを例にとって説明する。図４は、磁性体層１２ｅとなるべきセラミックグリーンシートの製造工程を示した斜視図である。

まず、図４（ａ）に示すようなキャリアフィルム２２ｅ付きの磁性体層１２ｅとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。次に、図４（ｂ）に示すように、レーザビームなどを照射することにより、磁性体層１８ｅ及びビアホール導体ｂ２が設けられる位置に孔Ｈ２及びビアホールｈ２を形成する。この際、セラミックグリーンシートのみが焼失し、キャリアフィルム２２ｅが焼失しないように、強度を調整しながらレーザビームを照射する。

次に、図４（ｃ）に示すように、磁性体層１８に用いるセラミックスラリーを、孔Ｈ２に対してスクリーン印刷等により充填する。最後に、図４（ｄ）に示すように、磁性体層１２ｅとなるべきセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、コイル導体１４ｂを形成する。更に、コイル導体１４ｂを形成する工程と同時にビアホールｈ２に対して導電性ペーストを充填する。なお、その他の磁性体層１２となるべきセラミックグリーンシートへのコイル導体１４等は、コイル導体１４ｂ等と同じ工程により作製されるので、説明を省略する。

次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、磁性体層１２ｌとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。磁性体層１２ｋとなるべきセラミックグリーンシートのキャリアフィルム２２ｋ（図示せず）を剥がして、磁性体層１２ｋとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。この後、磁性体層１２ｋとなるべきセラミックグリーンシートを磁性体層１２ｌに対して圧着する。圧着条件は、１００トン〜１２０トンの圧力及び３秒間から３０秒間程度の時間である。また、キャリアフィルムの排出方法は、吸引による排出及びチャックによるつかみ排出である。この後、磁性体層１２ｊ，１２ｉ，１２ｈ，１２ｇ、１２ｆ，１２ｅ、１２ｄ，１２ｃ，１２ｂ，１２ａとなるべきセラミックグリーンシートについても同様にこの順番に積層及び圧着する。これにより、マザー積層体が形成される。このマザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着が施される。

次に、マザー積層体を押し切りにより所定寸法の積層体１１にカットする。これにより未焼成の積層体１１が得られる。この未焼成の積層体１１には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において５００℃で２時間の条件で行う。焼成は、例えば、８９０℃で２．５時間の条件で行う。

以上の工程により、焼成された積層体１１が得られる。積層体１１には、バレル加工が施されて、面取りが行われる。その後、積層体１１の表面には、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である導体ペーストが塗布及び焼き付けされることにより、外部電極１３ａ，１３ｂとなるべき銀電極が形成される。銀電極の焼き付けは、８００℃で６０分間行われる。

最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１３ａ，１３ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すような積層インダクタ１０が完成する。

（効果）
以上のように構成された積層インダクタ１０は、以下に説明するように、コイルＬを流れる直流電流が小さいときには高いインダクタンス値が得られ、かつ、コイルＬを流れる直流電流が大きくなってもインダクタンス値が急激に低下しない直流重畳特性を得ることができる。図５は、図３の領域Ｅ付近の拡大図である。

外部電極１３ａから外部電極１３ｂへと電流が流れた場合には、図５に示すように、接続部１７ｃ，１７ｅにはｘ軸方向の正方向側へと電流ｉ１が流れる。また、接続部１７ｂ，１７ｄにはｙ軸方向の負方向側へと電流ｉ２が流れる。また、接続部１６ｃ，１６ｅにはｘ軸方向の正方向側へと電流ｉ３が流れる。また、接続部１６ｂ，１６ｄにはｙ軸方向の負方向側へと電流ｉ４が流れる。そして、電流ｉ１〜ｉ４により、磁界φ１〜φ４が発生する。

ここで、磁界φ１は、領域Ｅにおいて、図５に示すように、ｚ軸方向の負方向側に向かって発生する。一方、磁界φ３は、領域Ｅにおいて、図５に示すように、ｚ軸方向の正方向側に向かって発生する。よって、磁界φ１と磁界φ３とは互いに打ち消しあっている。同様に、磁界φ２は、領域Ｅにおいて、図５に示すように、ｚ軸方向の負方向側に向かって発生する。一方、磁界φ４は、領域Ｅにおいて、図５に示すように、ｚ軸方向の正方向側に向かって発生する。よって、磁界φ２と磁界φ４とは互いに打ち消しあっている。したがって、領域Ｅ内では、領域Ｅ以外のコイルＬ内に比べて、小さな磁界しか発生しないので、磁気飽和が発生しにくい。

そこで、積層インダクタ１０では、磁性体層１２ａ〜１２ｌよりも高い透磁率を有する磁性体層１８ｄ〜１８ｉが、ｚ軸方向から平面視したときに、接続部１６ｂ〜１６ｅ，１７ｂ〜１７ｅにより囲まれている領域Ｅと重なり、かつ、ｚ軸方向において、コイルＬと重なるように設けられている。これにより、積層体１１において磁気飽和が発生し易い部分には、相対的に低い透磁率の磁性体層が用いられ、積層体１１において磁気飽和が発生しにくい部分には、相対的に高い透磁率の磁性体層が用いられるようになる。その結果、磁気飽和の発生を抑制しつつ、高いインダクタンス値を得ることが可能となる。よって、積層インダクタ１０では、コイルＬを流れる直流電流が小さいときには高いインダクタンス値が得られ、かつ、コイルＬを流れる直流電流が大きくなってもインダクタンス値が急激に低下しない直流重畳特性を得ることができる。

（その他の実施形態）
なお、本発明に係る積層インダクタは、前記実施形態に係る積層インダクタ１０に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

積層インダクタ１０において、磁性体層１８ｄ〜１８ｉは、図３（ｂ）に示すように、磁性体層１２ｄ〜１２ｉの間に連続的に設けられている。しかしながら、磁性体層１８ｄ〜１８ｉは、図３（ｂ）に示すように連続的に設けられている必要はない。よって、磁性体層１８は、一部の磁性体層１２ｄ〜１２ｉに設けられていてもよい。また、ｚ軸方向から平面視したときに接続部１６ｂ〜１６ｅ，１７ｂ〜１７ｅにより囲まれている領域Ｅであって、かつ、ｚ軸方向においてコイルＬと重なる領域において、磁性体層１２と磁性体層１８とが交互にｚ軸方向に並んでいてもよい。

また、積層インダクタ１０では、ビアホール導体ｂ１〜ｂ５が接続されている接続位置は、端部ｔ２〜ｔ１１としているが、コイル導体１４の端部ｔ２〜ｔ１１でなくてもよい。

本発明は、積層インダクタにおいて有用であり、特に、コイルを流れる直流電流が小さいときには高いインダクタンス値が得られ、かつ、コイルを流れる直流電流が大きくなってもインダクタンス値が急激に低下しない直流重畳特性を得ることができる点において優れている。

Ｅ領域
Ｌコイル
Ｒ環状の軌道
ｂ１〜ｂ５ビアホール導体
ｔ１〜ｔ１２端部
１０積層インダクタ
１１積層体
１２ａ〜１２ｌ，１８ｄ〜１８ｉ磁性体層
１３ａ，１３ｂ外部電極
１４ａ〜１４ｆコイル導体
１６ｂ〜１６ｅ，１７ｂ〜１７ｅ接続部

Claims

複数の第１の絶縁体層が積層されてなる積層体と、
積層方向から平面視したときに、前記第１の絶縁体層上において１ターンの長さで環状の軌道上を周回しているコイル導体であって、該環状の軌道上に位置している第１の接続位置を含む第１の接続部及び該環状の軌道外に位置している第２の接続位置を含む第２の接続部を有している複数のコイル導体と、
積層方向に隣り合う前記第１の接続位置同士を接続している第１のビアホール導体と、
積層方向に隣り合う前記第２の接続位置同士を接続している第２のビアホール導体と、
積層方向から平面視したときに、前記複数のコイル導体において前記第１の接続部及び前記第２の接続部により囲まれている所定の領域と重なり、かつ、積層方向において、前記複数のコイル導体により構成されているコイルと重なるように設けられている第２の絶縁体層であって、前記第１の絶縁体層よりも高い透磁率を有する第２の絶縁体層と、
を備えていること、
を特徴とする積層インダクタ。
前記第２の絶縁体層は、積層方向において最も上側に位置している前記コイル導体と最も下側に位置している前記コイル導体との間に連続して設けられていること、
を特徴とする請求項１に記載の積層インダクタ。