JPH02119209A - 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 - Google Patents
積層インダクタとそのインダクタンス調整方法Info
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- JPH02119209A JPH02119209A JP27272888A JP27272888A JPH02119209A JP H02119209 A JPH02119209 A JP H02119209A JP 27272888 A JP27272888 A JP 27272888A JP 27272888 A JP27272888 A JP 27272888A JP H02119209 A JPH02119209 A JP H02119209A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、積層インダクタ、特にインダクタンスを可変
とする積層インダクタとそのインダクタンスの調整方法
に関するものである。
とする積層インダクタとそのインダクタンスの調整方法
に関するものである。
電子部品の小型化、薄型化等の要求に伴い、インダクタ
の分野でも磁性体セラミック内に導体パターンを一体に
形成した、積層インダクタが用いられるようになってい
る。
の分野でも磁性体セラミック内に導体パターンを一体に
形成した、積層インダクタが用いられるようになってい
る。
印刷あるいはグリーンシートを積層して焼成すると、そ
のインダクタンス値は一定となってしまうので、調整の
ために磁性体層を削ってトリミングを行うか、磁性体に
凹部を形成して磁性体コアを挿入する方法等が考えられ
ている。
のインダクタンス値は一定となってしまうので、調整の
ために磁性体層を削ってトリミングを行うか、磁性体に
凹部を形成して磁性体コアを挿入する方法等が考えられ
ている。
しかし、機械的な加工が必要となり、また微調整が難し
く、信頼性の面でも問題がある。
く、信頼性の面でも問題がある。
そこで、発明者等は電流制御型の積層インダクタを特願
昭６３−２３２８６７において提案した。これは第２図
に示したように、磁性体層２０内に主巻線となる成る導
体パターン２１と制御巻線となる導体パターン２２を近
接して形成し、４体パターン２２に印加する直流バイア
ス電流によって導体パターン２１の周囲の磁界を変化さ
せ、インダクタンス値を変化させるものである。通常、
直流電流を太き（することによってインダクタンスを減
少させるように動作する。
昭６３−２３２８６７において提案した。これは第２図
に示したように、磁性体層２０内に主巻線となる成る導
体パターン２１と制御巻線となる導体パターン２２を近
接して形成し、４体パターン２２に印加する直流バイア
ス電流によって導体パターン２１の周囲の磁界を変化さ
せ、インダクタンス値を変化させるものである。通常、
直流電流を太き（することによってインダクタンスを減
少させるように動作する。
上記のような電流制御型の積層インダクタにおいて、直
流バイアス電流を増加させるにしたがって磁心が飽和に
近づき、実効的な透磁率が下がってインダクタンスが小
さくなる。しかし、飽和の始まる点において、大入力時
、正の半サイクルと・負の半サイクルでインダクタンス
の実効値が変わるため、出力波形に歪みを生じる。
流バイアス電流を増加させるにしたがって磁心が飽和に
近づき、実効的な透磁率が下がってインダクタンスが小
さくなる。しかし、飽和の始まる点において、大入力時
、正の半サイクルと・負の半サイクルでインダクタンス
の実効値が変わるため、出力波形に歪みを生じる。
そこで、このような特性の劣化を防止し、可変範囲にお
いて安定した特性を得ようと、発明者は導体パターン間
に透磁率の高い層を形成し、バイアス電流の増加に従っ
てインダクタンスの増加する積層インダクタを提案した
。。
いて安定した特性を得ようと、発明者は導体パターン間
に透磁率の高い層を形成し、バイアス電流の増加に従っ
てインダクタンスの増加する積層インダクタを提案した
。。
上記の電流制御型の積層インダクタにおいては制御巻線
が必要となり、製造工程が複雑となる欠点がある。
が必要となり、製造工程が複雑となる欠点がある。
また、直流バイアス電流を交流信号電流に重畳して印加
する方法もあるが、バイアス源回路が必要となり、回路
配置が複雑となる問題がある。
する方法もあるが、バイアス源回路が必要となり、回路
配置が複雑となる問題がある。
本発明は、このような問題を解決しようとするものであ
る。
る。
本発明は、バイアス電流を印加して使用する必要がなく
、導体パターン間を硬質磁性材料で置換し、これを予め
磁化することによって導体パターン間の磁界を制御する
ことによって上記の課題を解決するものである。
、導体パターン間を硬質磁性材料で置換し、これを予め
磁化することによって導体パターン間の磁界を制御する
ことによって上記の課題を解決するものである。
すなわち、磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重
畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタに
おいて、該導体パターン間の少なくとも一部が、残留磁
化特性を有し、該磁性体層よりも透磁率の高い磁性体で
置換されたことに特徴を有するものである。
畳して周回する導体パターンを具えた積層インダクタに
おいて、該導体パターン間の少なくとも一部が、残留磁
化特性を有し、該磁性体層よりも透磁率の高い磁性体で
置換されたことに特徴を有するものである。
また、磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重畳し
て周回する導体パターンを具えた積層インダクタのイン
ダクタンス調整方法において、該導体パターン間の少な
くとも一部を、残留磁化特性を有し、該磁性体層よりも
透磁率の高い磁性体で置換し、該置換した材料を磁化し
て該導体パターン間の磁気抵抗を増減させ、それによっ
てインダクタンスを増減させることに特徴を有するもの
である。
て周回する導体パターンを具えた積層インダクタのイン
ダクタンス調整方法において、該導体パターン間の少な
くとも一部を、残留磁化特性を有し、該磁性体層よりも
透磁率の高い磁性体で置換し、該置換した材料を磁化し
て該導体パターン間の磁気抵抗を増減させ、それによっ
てインダクタンスを増減させることに特徴を有するもの
である。
導体パターン間の磁気抵抗によって、導体パターン間の
洩れ磁束を制御することができる。導体パターン間の磁
性材料の着磁の状態を変え、洩れ磁束を制御して、主磁
路の磁束置所を調整し、インダクタンスを８周整するも
のである。
洩れ磁束を制御することができる。導体パターン間の磁
性材料の着磁の状態を変え、洩れ磁束を制御して、主磁
路の磁束置所を調整し、インダクタンスを８周整するも
のである。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図は、本発明の実施例を示す正面断面図である。フ
ェライトの磁性体１０が積層されたものでその内部に銀
−パラジウム等による導体パターン１１が、磁性体層間
を接続されながら積層方向に重畳して周回するように形
成されている。これによって、磁性体層１０内に導体パ
ターン１１が形成されて、閉磁路型のインダクタとなる
。
ェライトの磁性体１０が積層されたものでその内部に銀
−パラジウム等による導体パターン１１が、磁性体層間
を接続されながら積層方向に重畳して周回するように形
成されている。これによって、磁性体層１０内に導体パ
ターン１１が形成されて、閉磁路型のインダクタとなる
。
磁性体層１０はＮｉ−Ｚｎ系等の軟質磁性材料（ソフト
フェライト）が用いられる。すなわち、磁気保持力が小
さく、透磁率が比較的低い材料が用いられる。
フェライト）が用いられる。すなわち、磁気保持力が小
さく、透磁率が比較的低い材料が用いられる。
導体パターン１１間には、磁性体層１０の磁性体よりも
透磁率の高い磁性材料を用いた磁性体層１５が形成され
る。この磁性体層１５は磁気保持力、すなわち残留磁化
が大きい材料を用いる。Ｂａ系フェライトなど硬質磁性
材料（ハードフェライト）を用いるとよい。
透磁率の高い磁性材料を用いた磁性体層１５が形成され
る。この磁性体層１５は磁気保持力、すなわち残留磁化
が大きい材料を用いる。Ｂａ系フェライトなど硬質磁性
材料（ハードフェライト）を用いるとよい。
磁性体層１５は比較的透磁率が高く、磁化されない状態
では磁気抵抗は小さい。したがって、導体パターン２１
に発生する磁束は主磁路Φ、を通らずに導体パターン間
の磁路Φ、を通るものが多くなる。すなわち、洩れ磁束
が多くなってインダクタンスは小さくなる。
では磁気抵抗は小さい。したがって、導体パターン２１
に発生する磁束は主磁路Φ、を通らずに導体パターン間
の磁路Φ、を通るものが多くなる。すなわち、洩れ磁束
が多くなってインダクタンスは小さくなる。
上記のような構造のインダクタの導体パターンに、直流
バイアス電流を印加すると、周囲の磁性体層１５は磁化
され、バイアス電流が印加されなくなっても磁化された
状態が続く。この磁界によって、導体パターン１１間の
磁気抵抗を増加させることができる。磁気抵抗が大きく
なるに従って導体パターン間の磁束Φ１が少なくなり、
主磁路の磁束Φいが多くなる。そにしたがってインダク
タンスも増加する。
バイアス電流を印加すると、周囲の磁性体層１５は磁化
され、バイアス電流が印加されなくなっても磁化された
状態が続く。この磁界によって、導体パターン１１間の
磁気抵抗を増加させることができる。磁気抵抗が大きく
なるに従って導体パターン間の磁束Φ１が少なくなり、
主磁路の磁束Φいが多くなる。そにしたがってインダク
タンスも増加する。
したがって、バイアス電流の大きさを変え、導体パター
ン１１の周囲の磁化の状態を調整することによって、イ
ンダクタンスを調整することができる。また、一端設定
したインダクタンス値を再調整することもできる。
ン１１の周囲の磁化の状態を調整することによって、イ
ンダクタンスを調整することができる。また、一端設定
したインダクタンス値を再調整することもできる。
なお、磁性体層１５の磁化はバイアス電流だけでなく、
磁界内にインダクタを置くことによって直接行うことも
できる。
磁界内にインダクタを置くことによって直接行うことも
できる。
本発明によれば、積層インダクタのインダクタンスの調
整を容易に行うことができる。また、同一ロフトで製造
した素子に異なる特性を持たせることもできる。
整を容易に行うことができる。また、同一ロフトで製造
した素子に異なる特性を持たせることもできる。
また、バイアス電流を交流信号電流に重畳して印加する
必要もなく、制御巻線を形成する必要もなくなる。した
がって、製造が容易となるとともに、使用する際の回路
構成等も簡単で済ませることができる。
必要もなく、制御巻線を形成する必要もなくなる。した
がって、製造が容易となるとともに、使用する際の回路
構成等も簡単で済ませることができる。
更に、再調整も可能となり、インダクタンスの増減のい
ずれもが可能となる。
ずれもが可能となる。
第１図は本発明実施例の正面断面図、第２図は従来の電
流制御型積層インダクタの正面断面図である。 １０．１５・・・・磁性体層、 １１・・・・・・・・導体ハターン
流制御型積層インダクタの正面断面図である。 １０．１５・・・・磁性体層、 １１・・・・・・・・導体ハターン
Claims (4)
- （１）磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重畳し
て周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
て、該導体パターン間の少なくとも一部が、残留磁化特
性を有し、該磁性体層よりも透磁率の高い磁性体で置換
されたことを特徴とする積層インダクタ。 - （２）磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重畳し
て周回する導体パターンを具えた積層インダクタのイン
ダクタンス調整方法において、該導体パターン間の少な
くとも一部を、残留磁化特性を有し、該磁性体層よりも
透磁率の高い磁性体で置換し、該置換した材料の磁化の
状態を変化させて該導体パターン間の磁気抵抗を増減さ
せ、それによってインダクタンスを増減させることを特
徴とする積層インダクタのインダクタンス調整方法。 - （３）該置換した材料を該導体パターンに印加する直流
電流により磁化する請求項第２項記載の積層インダクタ
のインダクタンス調整方法。 - （４）該置換した材料を外部磁界により磁化する請求項
第２項記載の積層インダクタのインダクタンス調整方法
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27272888A JPH02119209A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 |
| KR1019890015404A KR0127489B1 (ko) | 1988-10-28 | 1989-10-26 | 전기절연 충전재료 및 이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27272888A JPH02119209A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02119209A true JPH02119209A (ja) | 1990-05-07 |
| JPH0515285B2 JPH0515285B2 (ja) | 1993-03-01 |
Family
ID=17517953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27272888A Granted JPH02119209A (ja) | 1988-10-28 | 1988-10-28 | 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02119209A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142793A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Sumida Corporation | 積層コモンモードフィルタ |
| JP2010161161A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Murata Mfg Co Ltd | 積層インダクタ |
| JP2011096907A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Murata Mfg Co Ltd | 積層インダクタ |
-
1988
- 1988-10-28 JP JP27272888A patent/JPH02119209A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142793A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Sumida Corporation | 積層コモンモードフィルタ |
| JP4598384B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2010-12-15 | スミダコーポレーション株式会社 | 積層コモンモードフィルタ |
| JP2010161161A (ja) * | 2009-01-07 | 2010-07-22 | Murata Mfg Co Ltd | 積層インダクタ |
| JP2011096907A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Murata Mfg Co Ltd | 積層インダクタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0515285B2 (ja) | 1993-03-01 |
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