JPH05843B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH05843B2 JPH05843B2 JP63263493A JP26349388A JPH05843B2 JP H05843 B2 JPH05843 B2 JP H05843B2 JP 63263493 A JP63263493 A JP 63263493A JP 26349388 A JP26349388 A JP 26349388A JP H05843 B2 JPH05843 B2 JP H05843B2
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- magnetic
- conductor patterns
- inductance
- conductor
- lamination direction
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- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 9
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 7
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、積層インダクタ、特にバイアス電流
によつてインダクタンスを可変とする、電流制御
型の積層インダクタとそのインダクタンスの調整
方法に関するものである。
によつてインダクタンスを可変とする、電流制御
型の積層インダクタとそのインダクタンスの調整
方法に関するものである。
電子部品の小型化、薄型化等の要求に伴い、イ
ンダクタの分野でも磁性体セラミツク内に導体パ
ターンを一体に形成した、積層インダンタが用い
られるようになつている。
ンダクタの分野でも磁性体セラミツク内に導体パ
ターンを一体に形成した、積層インダンタが用い
られるようになつている。
印刷あるいはグリーンシートを積層して焼成す
ると、そのインダクタンス値は一定となつてしま
うので、調整のために磁性体層を削つてトリミン
グを行うか、磁性体に凹部を形成して磁性体コア
を挿入する方法等が考えられている。
ると、そのインダクタンス値は一定となつてしま
うので、調整のために磁性体層を削つてトリミン
グを行うか、磁性体に凹部を形成して磁性体コア
を挿入する方法等が考えられている。
しかし、機械的な加工が必要となり、また微調
整が難しく、信頼性の面でも問題がある。
整が難しく、信頼性の面でも問題がある。
そこで、発明者等は電流制御型の積層インダク
タを特願昭63−232867において提案した。これは
第６図に示したように、磁性体層６０内に主巻線
となる成る導体パターン６１と制御巻線となる導
体パターン６２を近接して形成し、導体パターン
６２に印加する直流バイアス電流によつて導体パ
ターン６１の周囲の磁界を変化させ、インダクタ
ンス値を変化させるものである。通常、直流電流
を大きくすることによつてインダクタンスを減少
させるように動作する。
タを特願昭63−232867において提案した。これは
第６図に示したように、磁性体層６０内に主巻線
となる成る導体パターン６１と制御巻線となる導
体パターン６２を近接して形成し、導体パターン
６２に印加する直流バイアス電流によつて導体パ
ターン６１の周囲の磁界を変化させ、インダクタ
ンス値を変化させるものである。通常、直流電流
を大きくすることによつてインダクタンスを減少
させるように動作する。
上記のような電流制御型の積層インダクタにお
いて、直流バイアス電流を増加させるにしたがつ
て磁心が飽和に近づき、実効的な透磁率が下がつ
てインダクタンスが小さくなる。しかし、飽和の
始まる点において、大入力時、正の半サイクルと
負の半サイクルでインダクタンスの実効値が変わ
るため、出力波形に歪みを生じる。
いて、直流バイアス電流を増加させるにしたがつ
て磁心が飽和に近づき、実効的な透磁率が下がつ
てインダクタンスが小さくなる。しかし、飽和の
始まる点において、大入力時、正の半サイクルと
負の半サイクルでインダクタンスの実効値が変わ
るため、出力波形に歪みを生じる。
本発明は、このような特性の劣化を防止し、可
変範囲において安定した特性を得ようとするもの
である。
変範囲において安定した特性を得ようとするもの
である。
本発明は、主磁路の飽和を利用することなく、
バイアス電流の増加に伴つてインダクタンスを上
げることのできる構造および方法によつて、上記
の課題を解決するものである。
バイアス電流の増加に伴つてインダクタンスを上
げることのできる構造および方法によつて、上記
の課題を解決するものである。
すなわち、磁性体層間を端部が接続された積層
方向に重畳して周回する導体パターンを具えた積
層インダクタにおいて、該導体パターンは、磁性
体層を介して交互に積層方向に重畳して周回する
二個の導体パターンから成り、該二個の導体パタ
ーンの一端同士が接続され、他の端部が直流バイ
アス電流源に接続されたことに特徴を有するもの
である。
方向に重畳して周回する導体パターンを具えた積
層インダクタにおいて、該導体パターンは、磁性
体層を介して交互に積層方向に重畳して周回する
二個の導体パターンから成り、該二個の導体パタ
ーンの一端同士が接続され、他の端部が直流バイ
アス電流源に接続されたことに特徴を有するもの
である。
また、磁性体層間を端部が接続されて積層方向
に重畳して周回する導体パターンを具えた積層イ
ンダクタのインダクタンス調整方法において、該
導体パターンを、磁性体層を介して交互に積層方
向に重畳して同じ方向に周回する二個の導体パタ
ーンとし、該二個の導体パターンに互いに逆方向
の直流バイアス電流を印加することにより該導体
パターン間の磁気抵抗を変化させ、それによつて
インダクタンスを変化させることに特徴を有する
ものである。
に重畳して周回する導体パターンを具えた積層イ
ンダクタのインダクタンス調整方法において、該
導体パターンを、磁性体層を介して交互に積層方
向に重畳して同じ方向に周回する二個の導体パタ
ーンとし、該二個の導体パターンに互いに逆方向
の直流バイアス電流を印加することにより該導体
パターン間の磁気抵抗を変化させ、それによつて
インダクタンスを変化させることに特徴を有する
ものである。
導体パターン間を透磁率の高い磁性体層で置換
すれば、より広範囲に可変させることが可能とな
る。
すれば、より広範囲に可変させることが可能とな
る。
〔作用〕
隣接する導体パターン間に逆方向の直流バイア
ス電流が印加されると、導体パターン間の周囲の
磁束の方向は逆向きとなる。したがつて、磁束の
洩れが加算的になり、磁気抵抗は小さくなる。そ
のために、インダクタの洩れ磁束が多くなり、イ
ンダクタンス値も小さくなる。
ス電流が印加されると、導体パターン間の周囲の
磁束の方向は逆向きとなる。したがつて、磁束の
洩れが加算的になり、磁気抵抗は小さくなる。そ
のために、インダクタの洩れ磁束が多くなり、イ
ンダクタンス値も小さくなる。
直流バイアス電流を大きくして行くと、導体パ
ターン間で磁気飽和が生じ、実効的な透磁率が低
下するため、磁気抵抗が増加し、それに伴つて主
磁路の磁束が増加する。その結果、インダクタン
ス値は高くなる。
ターン間で磁気飽和が生じ、実効的な透磁率が低
下するため、磁気抵抗が増加し、それに伴つて主
磁路の磁束が増加する。その結果、インダクタン
ス値は高くなる。
第１図は、その原理の説明図で、直流バイアス
を印加しない最小値（LMIN）から、導体パターン
間の磁路が飽和した最大値（LMAX）までの範囲
で可変としたものである。従来の主磁路が飽和し
た状態で可変させるのでなく、未飽和の状態で可
変させるものである。
を印加しない最小値（LMIN）から、導体パターン
間の磁路が飽和した最大値（LMAX）までの範囲
で可変としたものである。従来の主磁路が飽和し
た状態で可変させるのでなく、未飽和の状態で可
変させるものである。
以下、図面を参照して、本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
第２図は、本発明の実施例を示す正面断面図で
ある。フエライトの磁性体２０が積層されたもの
でその内部に銀−パラジウム等による導体パター
ン２１と導体パターン２２が、磁性体層間を接続
されながら交互に積層方向に重畳して同じ方向に
周回するように形成されている。これによつて、
磁性体層２０内に導体パターン２１，２２が形成
されて、閉磁路型のインダクタとなる。
ある。フエライトの磁性体２０が積層されたもの
でその内部に銀−パラジウム等による導体パター
ン２１と導体パターン２２が、磁性体層間を接続
されながら交互に積層方向に重畳して同じ方向に
周回するように形成されている。これによつて、
磁性体層２０内に導体パターン２１，２２が形成
されて、閉磁路型のインダクタとなる。
導体パターン２１と導体パターン２２には直流
バイアス電流が逆方向に印加される。そのため、
一端同士を接続し、他の二つの端部を直流バイア
ス源に接続する。これにより、隣合う導体パター
ンには逆方向の直流バイアス電流が印加されるこ
とになる。
バイアス電流が逆方向に印加される。そのため、
一端同士を接続し、他の二つの端部を直流バイア
ス源に接続する。これにより、隣合う導体パター
ンには逆方向の直流バイアス電流が印加されるこ
とになる。
隣合う導体パターンに発生する磁束は逆向きと
なる。直流バイアス電流が小さく、磁路が飽和を
生じないときには、隣合う導体パターンで発生す
る磁束が同じ向きに導体パターン間を通過し、磁
気抵抗は小さい。したがつて、導体パターン２
１，２２に発生する磁束は主磁路ΦAを通らずに
導体パターン２１，２２間の磁路Φ1，Φ2を通る
ものが多くなる。すなわち、洩れ磁束が多くなつ
てインダクタンスは小さくなる。これが、第１図
に示したLMINの状態である。
なる。直流バイアス電流が小さく、磁路が飽和を
生じないときには、隣合う導体パターンで発生す
る磁束が同じ向きに導体パターン間を通過し、磁
気抵抗は小さい。したがつて、導体パターン２
１，２２に発生する磁束は主磁路ΦAを通らずに
導体パターン２１，２２間の磁路Φ1，Φ2を通る
ものが多くなる。すなわち、洩れ磁束が多くなつ
てインダクタンスは小さくなる。これが、第１図
に示したLMINの状態である。
直流バイアス電流を次第に大きくすると、磁性
体層２５の磁気抵抗は次第に増加する。すなわ
ち、洩れ磁束が少なくなり、主磁路ΦAの磁束が
増加する。磁路Φ1，Φ2が飽和して実効的な透磁
率が小さくなつた状態で、第１図のLMAXの状態
となる。
体層２５の磁気抵抗は次第に増加する。すなわ
ち、洩れ磁束が少なくなり、主磁路ΦAの磁束が
増加する。磁路Φ1，Φ2が飽和して実効的な透磁
率が小さくなつた状態で、第１図のLMAXの状態
となる。
第３図は、本発明の他の実施例を示す正面断面
図であり、導体パターン３１，３２間を磁性体層
３０よりも透磁率の高い磁性体３５で置換して積
層したものである。導体パターン間の透磁率が高
いので、初期の磁気抵抗をより小さくでき、小さ
いインダクタンス値の制御が容易となる。
図であり、導体パターン３１，３２間を磁性体層
３０よりも透磁率の高い磁性体３５で置換して積
層したものである。導体パターン間の透磁率が高
いので、初期の磁気抵抗をより小さくでき、小さ
いインダクタンス値の制御が容易となる。
第４図、第５図は本発明による積層インダクタ
の使用例を示す回路図である。第４図の回路配置
は、二つの導体パターンのインダクタンスの和が
出力として得られるが、第５図の例においては、
破線で示した導体パターンは制御用のみに用いら
れる。
の使用例を示す回路図である。第４図の回路配置
は、二つの導体パターンのインダクタンスの和が
出力として得られるが、第５図の例においては、
破線で示した導体パターンは制御用のみに用いら
れる。
本発明によれば、主磁路が未飽和の状態でバイ
アス電流によつてインダクタンスを変化させるこ
とができる。したがつて、出力波形に歪みが生ぜ
ず、特性の良好な積層インダクタがえられる。
アス電流によつてインダクタンスを変化させるこ
とができる。したがつて、出力波形に歪みが生ぜ
ず、特性の良好な積層インダクタがえられる。
特に、微小なインダクタンスの可変が容易とな
り、高周波領域等の利用に適した積層インダクタ
が得られる。
り、高周波領域等の利用に適した積層インダクタ
が得られる。
第１図は本発明による積層インダクタの特性の
説明図、第２図と第３図は本発明の実施例の正面
断面図、第４図と第５図はその利用例を示す回路
図、第６図は従来の電流制御型積層インダクタの
正面断面図である。 ２０，３０……磁性体層、２１，２２，３１，
３２……導体パターン。
説明図、第２図と第３図は本発明の実施例の正面
断面図、第４図と第５図はその利用例を示す回路
図、第６図は従来の電流制御型積層インダクタの
正面断面図である。 ２０，３０……磁性体層、２１，２２，３１，
３２……導体パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重
畳して周回する導体パターンを具えた積層インダ
クタにおいて、該導体パターンは、磁性体層を介
して交互に積層方向に重畳して周回する二個の導
体パターンから成り、該二個の導体パターンの一
端同士が接続され、他の端部が直流バイアス電流
源に接続されたことを特徴とする積層インダク
タ。 ２ 該導体パターン間の少なくとも一部が、該磁
性体層よりも透磁率の高い磁性体で置換された請
求項第１項記載の積層インダクタ。 ３ 磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重
畳して周回する導体パターンを具えた積層インダ
クタのインダクタンス調整方法において、該導体
パターンを、磁性体層を介して交互に積層方向に
重畳して同じ方向に周回する二個の導体パターン
とし、該二個の導体パターンに逆方向の直流バイ
アス電流を印加することにより該導体パターン間
の磁気抵抗を変化させ、それによつてインダクタ
ンスを変化させることを特徴とする積層インダク
タのインダクタンスの調整方法。 ４ 該二個の導体パターンの端部同士を接続し、
他の二つの端部を直流バイアス電流源に接続する
請求項第３項記載の積層インダクタのインダクタ
ンス調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26349388A JPH02110909A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26349388A JPH02110909A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110909A JPH02110909A (ja) | 1990-04-24 |
| JPH05843B2 true JPH05843B2 (ja) | 1993-01-06 |
Family
ID=17390288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26349388A Granted JPH02110909A (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 積層インダクタとそのインダクタンス調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02110909A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221517B2 (ja) * | 1980-11-14 | 1987-05-13 | Kyowa Hakko Kogyo Kk |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0238410Y2 (ja) * | 1985-07-24 | 1990-10-17 |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP26349388A patent/JPH02110909A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221517B2 (ja) * | 1980-11-14 | 1987-05-13 | Kyowa Hakko Kogyo Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02110909A (ja) | 1990-04-24 |
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Legal Events
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