JPH0515285B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、積層インダクタ、特にインダクタン
スを可変とする積層インダクタとそのインダクタ
ンスの調整方法に関するものである。

〔従来技術〕

電子部品の小型化、薄型化等の要求に伴い、イ
ンダクタの分野でも磁性体セラミツク内に導体パ
ターンを一体に形成した、積層インダクタが用い
られるようになつている。

印刷あるいはグリーンシートを積層して焼成す
ると、そのインダクタンス値は一定となつてしま
うので、調整のために磁性体層を削つてトリミン
グを行うか、磁性体に凹部を形成して磁性体コア
を挿入する方法等が考えられている。

しかし、機械的な加工が必要となり、また微調
整が難しく、信頼性の面でも問題がある。

そこで、発明者等は電流制御型の積層インダク
タを特願昭63−232867において提案した。これは
第２図に示したように、磁性体層２０内に主巻線
となる成る導体パターン２１と制御巻線となる導
体パターン２２を近接して形成し、導体パターン
２２に印加する直流バイアス電流によつて導体パ
ターン２１の周囲の磁界を変化させ、インダクタ
ンス値を変化させるものである。通常、直流電流
を大きくすることによつてインダクタンスを減少
させるように動作する。

上記のような電流制御型の積層インダクタにお
いて、直流バイアス電流を増加させるにしたがつ
て磁心が飽和に近づき、実効的な透磁率が下がつ
てインダクタンスが小さくなる。しかし、飽和の
始まる点において、大入力時、正の半サイクルと
負の半サイクルでインダクタンスの実効値が変わ
るため、出力波形に歪みを生じる。

そこで、このような特性の劣化を防止し、可変
範囲において安定した特性を得ようと、発明者は
導体パターン間に透磁率の高い層を形成し、バイ
アス電流の増加に従つてインダクタンスの増加す
る積層インダクタを提案した。

〔課題〕

上記の電流制御型の積層インダクタにおいては
制御巻線が必要となり、製造工程が複雑とする欠
点がある。

また、直流バイアス電流を交流信号電流に重畳
して印加する方法もあるが、バイアス源回路が必
要となり、回路配置が複雑となる問題がある。

本発明は、このような問題を解決しようとする
ものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、バイアス電流を印加して使用する必
要がなく、導体パターン間を硬質磁性材料で置換
し、これを予め磁化することによつて導体パター
ン間の磁界を制御することによつて上記の課題を
解決するものである。

すなわち、磁性体層間の端部が接続されて積層
方向に重畳して周回する導体パターンを具えた積
層インダクタにおいて、該導体パターン間の少な
くとも一部が、残留磁化特性を有し、該磁性体層
よりも透磁率の高い磁性体で置換されたことに特
徴を有するものである。

また、磁性体層間を端部が接続されて積層方向
に重畳して周回する導体パターンを具えた積層イ
ンダクタのインダクタンス調整方法において、該
導体パターン間の少なくとも一部を、残留磁化特
性を有し、該磁性体層よりも透磁率の高い磁性体
で置換し、該置換した材料を磁化して該導体パタ
ーン間の磁気抵抗を増減させ、それによつてイン
ダクタンスを増減させることに特徴を有するもの
である。

〔作用〕 導体パターン間の磁気抵抗によつて、導体パタ
ーン間の洩れ磁束を制御することができる。導体
パターン間の磁性材料の着磁の状態を変え、洩れ
磁束を制御して、主磁路の磁束密度を調整し、イ
ンダクタンスを調整するものである。

〔実施例〕

以下、図面を参照して、本発明の実施例につい
て説明する。

第１図は、本発明の実施例を示す正面断面図で
ある。フエライトの磁性体１０が積層されたもの
でその内部に銀−パラジウム等による導体パター
ン１１が、磁性体層間を接続されながら積層方向
に重畳して周回するように形成されている。これ
によつて、磁性体層１０内に導体パターン１１が
形成されて、閉磁路型のインダクタとなる。

磁性体層１０はNi−Zn系等の軟質磁性材料
（ソフトフエライト）が用いられる。すなわち、
磁気保持力が小さく、透磁率が比較的低い材料が
用いられる。

導体パターン１１間には、磁性体層１０の磁性
体よりも透磁率の高い磁性材料を用いた磁性体層
１５が形成される。この磁性体層１５は磁気保持
力、すなわち残留磁化が大きい材料を用いる。
Ba系フエライトなど硬質磁性材料（ハードフエ
ライト）を用いるとよい。

磁性体層１５は比較的透磁率が高く、磁化され
ない状態では磁気抵抗は小さい。したがつて、導
体パターン２１に発生する磁束は主磁路Φ_Aを通
らずに導体パターン間の磁路Φ₁を通るものが多
くなる。すなわち、洩れ磁束が多くなつてインダ
クタンスは小さくなる。

上記のような構造のインダクタの導体パターン
に、直流バイアス電流を印加すると、周囲の磁性
体層１５は磁化され、バイアス電流が印加されな
くなつても磁化された状態が続く。この磁界によ
つて、導体パターン１１間の磁気抵抗を増加させ
ることができる。磁気抵抗が大きくなるに従つて
導体パターン間の磁束Φ₁が少なくなり、主磁路
の磁束Φ_Aが多くなる。そにしたがつてインダク
タンスも増加する。

したがつて、バイアス電流の大きさを変え、導
体パターン１１の周囲の磁化の状態を調整するこ
とによつて、インダクタンスを調整することがで
きる。また、一端設定したインダクタンス値を再
調整することもできる。

なお、磁性体層１５は磁化はバイアス電流だけ
でなく、磁界内にインダクタを置くことによつて
直接行うこともできる。

〔効果〕

本発明によれば、積層インダクタのインダクタ
ンスの調整を容易に行うことができる。また、同
一ロツトで製造した素子に異なる特性を持たせる
こともできる。

また、バイアス電流を交流信号電流に重畳して
印加する必要もなく、制御巻線を形成する必要も
なくなる。したがつて、製造が容易となるととも
に、使用する際の回路構成等も簡単で済ませるこ
とができる。

更に、再調整も可能となり、インダクタンスの
増減のいずれもが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の正面断面図、第２図は
従来の電流制御型積層インダクタの正面断面図で
ある。 １０，１５……磁性体層、１１……導体パター
ン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁性体層間の端部が接続されて積層方向に重
   畳して周回する導体パターンを具えた積層インダ
   クタにおいて、該導体パターン間の少なくとも一
   部が、残留磁化特性を有し、該磁性体層よりも透
   磁率の高い磁性体で置換されたことを特徴とする
   積層インダクタ。 ２ 磁性体層間を端部が接続されて積層方向に重
   畳して周回する導体パターンを具えた積層インダ
   クタのインダクタンス調整方法において、該導体
   パターン間の少なくとも一部を、残留磁化特性を
   有し、該磁性体層よりも透磁率の高い磁性体で置
   換し、該置換した材料の磁化の状態を変化させて
   該導体パターン間の磁気抵抗を増減させ、それに
   よつてインダクタンスを増減させることを特徴と
   する積層インダクタのインダクタンス調整方法。 ３ 該置換した材料を該導体パターンに印加する
   直流電流により磁化する請求項第２項記載の積層
   インダクタのインダクタンス調整方法。 ４ 該置換した材料を外部磁界により磁化する請
   求項第２項記載の積層インダクタのインダクタン
   ス調整方法。