CN113053620B

CN113053620B - 层叠线圈部件

Info

Publication number: CN113053620B
Application number: CN202011563109.8A
Authority: CN
Inventors: 高井骏
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2019-12-27
Filing date: 2020-12-25
Publication date: 2023-12-29
Anticipated expiration: 2040-12-25
Also published as: US11961655B2; CN113053620A; JP7184030B2; JP2021108324A; US20210202162A1

Abstract

本发明提供一种层叠线圈部件，包括绝缘体部、埋设于上述绝缘体部且多个线圈导体层电连接而成的线圈、以及设置于上述绝缘体部的表面且与上述线圈电连接的外部电极。在所述线圈导体层的一个主面与所述绝缘体部的边界设置有空隙部，所述线圈导体层的至少一个包括引出部和卷线部，利用该引出部，该线圈导体层与外部电极连接，从层叠方向俯视层叠线圈部件时，所述引出部的空隙部的、连接有该引出部的外部电极侧的一端，与和引出部沿层叠方向邻接的线圈导体层的空隙部的所述外部电极侧的一端相比，位于更靠所述外部电极侧。

Description

层叠线圈部件

技术领域

本公开涉及一种层叠线圈部件及其制造方法。

背景技术

作为以往的层叠线圈部件，例如已知有具备单元体和设置于该单元体内的线圈的层叠线圈部件(专利文献1)。专利文献1中公开的层叠线圈部件通过如下制造方法进行制造：在构成单元体的磁性体层上，形成厚度30μm左右的线圈导体层，进一步在上述磁性体层上形成高低差吸收用的其它的磁性体层，形成线圈导体印刷片，将上述片压接多片，得到未烧制层叠体，对其进行烧制。

专利文献1：日本特开2019－47015号公报。

发明内容

由于近年来的电子设备的大电流化的趋势，对层叠线圈部件要求直流电阻低。为了降低直流电阻，为了增大一般构成线圈的导体的截面，要求变厚厚度。在该情况下，用于连接线圈导体层和外部电极的引出部的厚度也变厚，应力变大，产生裂缝的可能性增大。

本公开的目的在于提供一种线圈导体层厚且不易产生裂缝的层叠线圈部件及其制造方法。

本公开包括以下的方式。

一种层叠线圈部件，包括：

绝缘体部；

线圈，埋设于所述绝缘体部，多个线圈导体层电连接而成；

外部电极，设置于所述绝缘体部的表面，与所述线圈电连接，

并且，在所述线圈导体层的一个主面与所述绝缘体部的边界，设置有空隙部，

所述线圈导体层的至少一个包含所述引出部和卷线部，利用该引出部，该线圈导体层与外部电极连接，

从层叠方向俯视层叠线圈部件时，所述引出部的空隙部的、该引出部所连接的外部电极侧的一端，与和引出部沿层叠方向邻接的线圈导体层的空隙部的所述外部电极侧的一端相比，位于更靠所述外部电极侧。

[2]根据上述[1]所述的层叠线圈部件，其中，所述引出部的空隙部的一端与沿所述层叠方向邻接的线圈导体层的空隙部的一端之间的距离是50μm～150μm。

[3]根据上述[1]或[2]所述的层叠线圈部件，其中，所述线圈导体层的卷线部的厚度是25μm～50μm。

[4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的层叠线圈部件，其中，所述引出部具有厚壁部和薄壁部，所述厚壁部位于该引出部所连接的所述外部电极侧。

[5]根据上述[4]所述的层叠线圈部件，其中，相对于所述薄壁部的厚度的所述厚壁部的厚度之比是1.05～2.00。

[6]根据上述[4]或[5]所述的层叠线圈部件，其中，所述薄壁部的厚度是15μm～45μm。

发明效果

本公开能够提供一种线圈导体层厚且不易产生裂缝的层叠线圈部件。即，本公开能够提供一种可用于大电流的用途的信赖性高的层叠线圈部件。

附图说明

图1是示意性地表示本公开的层叠线圈部件1的立体图。

图2是表示图1所示的层叠线圈部件1的沿x－x的剖面的截面图。

图3是表示图1所示的层叠线圈部件1的沿y－y的剖面的截面图。

图4是从层叠方向观察层叠线圈部件1的线圈导体层15a所存在的层的平面图。

图5的(a)～(q)是用于说明图1所示的层叠线圈部件1的制造方法的图。

图6是图5的(e)的线圈导体部分的截面的放大图。

符号说明

1…层叠线圈部件

2…单元体

4，5…外部电极

6…绝缘体部

7…线圈

11…第1绝缘体层

12…第2绝缘体层

15…线圈导体层

16…连接导体

17…卷线部

18…引出部

18a1，18f1…厚壁部

18a2，18f2…薄壁部

21…空隙部

31…第1铁氧体膏层

32…树脂膏层

33…导电性膏层

34…第2铁氧体膏层

37…引出导体附加层

41…第1铁氧体膏层

42…孔

43…连接导体膏层

44…树脂膏层

45…导电性膏层

46…第2铁氧体膏层

55…导电性膏层

56…第2铁氧体膏层

61…第1铁氧体膏层

63…连接导体膏层

64…树脂膏层

65…导电性膏层

67…引出导体附加层

71…第1铁氧体膏层

具体实施方式

以下，对于本公开，参照附图，详细进行说明。其中，本实施方式的层叠线圈部件和各构成要素的形状及配置等并不限于图示的例子。

将本实施方式的层叠线圈部件1的立体图示于图1，将x－x截面图示于图2，将y－y截面图示于图3。但是，下述实施方式的层叠线圈部件及各构成要素的形状及配置等并不限于图示的例子。

如图1～图3所示，本实施方式的层叠线圈部件1是具有大致长方体形状的层叠线圈部件。在层叠线圈部件1中，将图1的与L轴垂直的面称为“端面”，将与W轴垂直的面称为“侧面”，将与T轴垂直的面称为“上表面”及“下表面”。层叠线圈部件1示意性地包括单元体2、和设置于该单元体2的两端面的外部电极4、5。单元体2包括绝缘体部6和埋设于该绝缘体部6的线圈7。该绝缘体部6具有第1绝缘体层11和第2绝缘体层12。上述线圈7是如下构成的：线圈导体层15利用贯通第1绝缘体层11的连接导体16以线圈状连接。线圈导体层15中的位于最下层和最上层的线圈导体层15a、15f分别具有引出部18a、18f。线圈7在上述引出部18a、18f，与外部电极4、5连接。在上述绝缘体部6与上述线圈导体层15的主面(图2和图3中是下方主面)之间，即第1绝缘体层11与线圈导体层15之间设置有空隙部21。从层叠方向俯视层叠线圈部件时，上述引出部18a的空隙部的外部电极4侧的一端，与该引出部所邻接的线圈导体层15b的空隙部的外部电极4侧的一端相比，位于更靠外部电极4侧。同样地，上述引出部18f的空隙部的外部电极5侧的一端，与该引出部所邻接的线圈导体层15e的空隙部的外部电极5侧的一端相比，位于更靠外部电极5侧。

以下说明上述本实施方式的层叠线圈部件1。本实施方式中，对绝缘体部6由铁氧体材料形成的方式进行说明。

本实施方式的层叠线圈部件1中，单元体2由绝缘体部6和线圈7构成。

上述绝缘体部6可包括第1绝缘体层11和第2绝缘体层12。

上述第1绝缘体层11设置于沿层叠方向邻接的线圈导体层15之间、以及线圈导体层15与单元体的上表面或者下表面之间。

上述第2绝缘体层12在线圈导体层15的周围以设置线圈导体层15的上表面(图2和图3中上侧的主面)露出的方式。换言之，第2绝缘体层12在层叠方向形成与线圈导体层15相同的高度的层。例如，图2中，第2绝缘体层12a与线圈导体层15a在层叠方向位于相同的高度。

即，本公开的层叠线圈部件中，可以说上述绝缘体部是层叠有第1绝缘体层和第2绝缘体层的层叠体，上述线圈导体层设置于上述第1绝缘体层上，上述第2绝缘体层在上述第1绝缘体层上与上述线圈导体层邻接地设置。

上述线圈导体层15间的第1绝缘体层11的厚度、特别是引出部18和与其在层叠方向邻接的线圈导体层15间的第1绝缘体层11的厚度为5μm～100μm，更优选为10μm～50μm，进一步优选为10μm～30μm。通过将该厚度设为5μm以上，从而能够更可靠地确保线圈导体层间的绝缘性。并且，通过将上述厚度设为100μm以下，能够得到更优异的电特性。

在一个方式中，第2绝缘体层12可以设置成其一部分搭载于线圈导体层15的外边缘部分。换言之，第2绝缘体层12可以覆盖线圈导体层15的外边缘部分。即，在从上表面侧俯视相互邻接的线圈导体层15及第2绝缘体层12时，第2绝缘体层12可存在至到达比线圈导体层15的外缘更靠内侧。

上述第1绝缘体层11和第2绝缘体层12可以在单元体2中一体化。在该情况下，第1绝缘体层11能够存在于线圈导体层间，第2绝缘体层12存在于与线圈导体层15相同的高度。

上述绝缘体部6优选为磁性体，进一步优选为由烧结铁氧体构成。上述烧结铁氧体至少包含Fe、Ni及Zn作为主成分。烧结铁氧体还可以包含Cu。

上述第1绝缘体层11和上述第2绝缘体层12可以是相同的组成，也可以是不同的组成。在优选的方式中，上述第1绝缘体层11和上述第2绝缘体层12是相同的组成。

在一个方式中，上述烧结铁氧体至少包含Fe、Ni、Zn以及Cu作为主成分。

上述烧结铁氧体中，Fe含量换算成Fe₂O₃，优选为40.0摩尔％～49.5摩尔％(主成分合计基准，以下也相同)，更优选为45.0摩尔％～49.5摩尔％。

上述烧结铁氧体中，Zn含量换算成ZnO，优选为5.0摩尔％～35.0摩尔％(主成分合计基准，以下也相同)，更优选为10.0摩尔％～30.0摩尔％。

上述烧结铁氧体中，Cu含量换成CuO，优选为4.0摩尔％～12.0摩尔％(主成分合计基准，以下也相同)，更优选为7.0摩尔％～10.0摩尔％。

上述烧结铁氧体中，Ni含量没有特别限定，可以是上述其它的主成分即Fe、Zn及Cu以外的部分。

在一个方式中，上述烧结铁氧体的Fe换算成Fe₂O₃为40.0摩尔％～49.5摩尔％，Zn换算成ZnO为5.0摩尔％～35.0摩尔％，Cu换算成CuO为4.0摩尔％～12.0摩尔％，NiO是其余量。

本公开中，上述烧结铁氧体可以进一步包含添加成分。作为烧结铁氧体的添加成分，例如可举出Mn、Co、Sn、Bi、Si等，并不限于此。Mn、Co、Sn、Bi以及Si的含量(添加量)优选相对于主成分(Fe(Fe₂O₃换算)、Zn(ZnO换算)、Cu(CuO换算)以及Ni(NiO换算))的合计100重量份分别换算成Mn₃O₄、Co₃O₄、SnO₂、Bi₂O₃以及SiO₂，为0.1重量份～1重量份。并且，上述烧结铁氧体可以包含制造上不可避免的杂质。

如上所述，上述线圈7是通过线圈导体层15相互电连接成线圈状而构成的。在层叠方向相互邻接的线圈导体层15利用贯通绝缘体部6(具体而言为第1绝缘体层11)的连接导体16连接。本实施方式中，线圈导体层15从下表面侧依次为线圈导体层15a～15f。

上述线圈导体层15a、15f分别具有卷线部和引出部。例如，如图4所示上述线圈导体层15a具有卷线部17a和引出部18a。在此，引出部是位于线圈导体层的末端，将线圈导体与外部电极连接的部分。

构成线圈导体层15的材料没有特别限定，例如可举出Au、Ag、Cu、Pd、Ni等。构成上述线圈导体层15的材料优选是Ag或者Cu，更优选为Ag。导电性材料可以仅1种，也可以2种以上。

上述线圈导体层15的卷线部的厚度(即，引出部以外的部分的厚度)优选为15μm～70μm，更优选为20μm～60μm，进一步优选为25μm～50μm。通过增大线圈导体层的厚度，从而层叠线圈部件的电阻值进一步变小。在此，厚度是指沿层叠方向的线圈导体层的厚度。

上述线圈导体层15的引出部具有厚度厚的区域(以下，称为“厚壁部”)和厚度薄的区域(以下，称为“薄壁部”)。上述厚的区域位于该引出部所连接的外部电极侧。即，线圈导体层15a的引出部18a具有厚壁部18a2和薄壁部18a1，该厚壁部18a2位于与薄壁部18a1相比更靠外部电极4侧的位置。并且，线圈导体层15f的引出部18f具有厚壁部18f2和薄壁部18f1，该厚壁部18f2位于与薄壁部18f1相比更靠外部电极5侧的位置。通过设置成这样的构成，在外部电极与引出部的连接部，密封性得到提高。

上述薄壁部的厚度优选15μm～70μm，更优选为20μm～60μm，进一步优选为25μm～50μm。通过增大薄壁部的厚度，从而线圈的电阻值更变小。

相对于上述薄壁部的厚度的上述厚壁部的厚度之比(厚壁部的厚度/薄壁部的厚度)优选为1.05～2.00，更优选为1.10～1.80，进一步优选为1.20～1.70。通过将相对于薄壁部的厚度的上述厚壁部的厚度之比设为上述的范围，从而使引出部的线圈导体与绝缘体部间不易产生隙间，提高引出部的线圈导体与绝缘体部间的密合性。

上述线圈导体层的厚度能够如下所述进行测定。

在将芯片的LT面面向研磨纸的状态下进行研磨，在线圈导体层的宽度中央部停止研磨。其后，利用显微镜进行观察。利用附属于显微镜的测定功能测定线圈导体层的长度中央部的厚度。

上述连接导体16设置成贯通第1绝缘体层11。构成连接导体的材料可以是上述线圈导体层15相关的记载中的材料。构成连接导体的材料可以与构成线圈导体层15的材料相同，也可以不同。在优选的方式中，构成连接导体的材料与构成线圈导体层15的材料相同。在优选的方式中，构成连接导体的材料是Ag。

上述空隙部21作为所谓的应力缓和空间发挥功能。

本公开中，从层叠方向俯视层叠线圈部件时，上述引出部的空隙部的、该引出部所连接的外部电极侧的一端，与和引出部在层叠方向邻接的线圈导体层的空隙部的上述外部电极侧的一端相比，位于更靠上述外部电极侧。换言之，在与层叠方向平行且与设置有外部电极的端面垂直的截面，上述引出部的空隙部的该引出部所连接的外部电极侧的一端，与和引出部在层叠方向邻接的线圈导体层的空隙部的上述外部电极侧的一端相比，位于更靠上述外部电极侧。图3中，引出部18a的空隙部21a的外部电极4侧的一端，与引出部18a沿层叠方向邻接的线圈导体层15b的空隙部21b的外部电极4侧的一端相比，位于更靠外部电极4侧。同样地引出部18f的空隙部21f的外部电极5侧的一端，与引出部18f沿层叠方向邻接的线圈导体层15e的空隙部21e的外部电极5侧的一端相比，位于更靠外部电极5侧。通过设置成上述的构成，从而能够抑制因厚度大的引出部的收缩带来的应力所引起的裂缝的产生。

上述引出部的空隙部的一端与上述邻接的线圈导体层的空隙部的一端之间的距离(图3的t)优选为50μm～150μm，更优选为60μm～140μm，进一步优选为70μm～130μm。通过将上述距离t设为50μm以上，从而能够进一步抑制裂缝的产生。并且，通过将上述距离t设为150μm以下，从而在外部电极与引出部的连接部，进一步提高密封性。

空隙部21的厚度优选为1μm～30μm，更优选为5μm～15μm以下。通过将空隙部21的厚度设为上述的范围，能够进一步缓和内部应力，从而能够进一步抑制裂缝的产生。

上述空隙部的厚度和上述距离t能够如下测定。在将芯片的LT面面向研磨纸的状态下进行研磨，在线圈导体层的宽度中央部停止研磨。其后，在显微镜进行观察。利用附属于显微镜的测定功能，测定位于线圈导体层的长度中央部的空隙的厚度。同样地测定距离t。

在优选的方式中，如图2和图3所示，从层叠方向俯视层叠线圈部件时，引出部与沿层叠方向邻接的线圈导体部分的空隙部位于上述线圈导体层的内侧。上述的部分以外的空隙部21在线圈的与卷线方向垂直的截面，宽度比线圈导体层15的宽度大。即，设置成从线圈导体层的两端向远离线圈导体层的方向延伸。

外部电极4、5设置成覆盖单元体2的两端面。上述外部电极由导电性材料、优选为选自Au、Ag、Pd、Ni、Sn以及Cu中的1种或1种以上的金属材料构成。

上述外部电极可以是单层，也可以是多层。在一个方式中，上述外部电极可以为多层，优选为2层～4层，例如为3层。

在一个方式中，外部电极是多层，可以包括含Ag或者Pd的层、含Ni的层或者含Sn的层。在优选的方式中，上述外部电极由包含Ag或者Pd的层、包含Ni的层、以及包含Sn的层构成。优选上述的各层从线圈导体层侧起按照包含Ag或者Pd、优选Ag的层、包含Ni的层、包含Sn的层的顺序进行设置。优选上述包含Ag或者Pd的层是烧结Ag膏或者Pd膏的层，包含上述Ni的层及包含Sn的层可以是镀覆层。

本公开的层叠线圈部件优选长度为0.4mm～3.2mm，宽度为0.2mm～2.5mm，高度为0.2mm～2.0mm，更优选为长度为0.6mm～2.0mm，宽度为0.3mm～1.3mm以下，高度为0.3mm～1.0mm。

以下说明上述本实施方式的层叠线圈部件1的制造方法。本实施方式中，对绝缘体部6由铁氧体材料形成的方式进行说明。

(1)铁氧体膏的制备

首先，准备铁氧体材料。铁氧体材料包含Fe、Zn以及Ni作为主成分，根据所希望进一步包含Cu。通常上述铁氧体材料的主成分实质上由Fe、Zn、Ni以及Cu的氧化物(理想的是Fe₂O₃、ZnO、NiO以及CuO)构成。

作为铁氧体材料，以成为规定的组成的方式称量Fe₂O₃、ZnO、CuO、NiO以及根据需要的添加成分，进行混合和粉碎。对粉碎的铁氧体材料进行干燥，煅烧，得到煅烧粉末。在该煅烧粉末，添加规定量的溶剂(酮系溶剂等)、树脂(聚乙烯醇缩醛等)、以及可塑剂(醇酸系可塑剂等)，能够利用行星搅拌器等进行混练后，进一步利用三辊磨机等进行分散而制备铁氧体膏。

上述铁氧体材料中，Fe含量换算成Fe₂O₃，优选为400摩尔％～49.5摩尔％(主成分合计基准，以下也相同)，更优选为45.0摩尔％～49.5摩尔％。

上述铁氧体材料中，Zn含量可以换算成ZnO，优选为5.0摩尔％～35.0摩尔％(主成分合计基准，以下也相同)，更优选为10.0摩尔％～30.0摩尔％以下。

上述铁氧体材料中，Cu含量换算成CuO，优选为4.0摩尔％～12.0摩尔％(主成分合计基准，以下也相同)，更优选为7.0摩尔％～10.0摩尔％。

上述铁氧体材料中，Ni含量没有特别限定，可以为上述其它的主成分即Fe、Zn及Cu以外的其余量。

在一个方式中，上述铁氧体材料的Fe换算成Fe₂O₃为40.0摩尔％～49.5摩尔％，Zn换算成ZnO为5.0摩尔％～35.0摩尔％，Cu换算成CuO为4.0摩尔％～12.0摩尔％，NiO为其余量。

本公开中，上述铁氧体材料可以进一步包含添加成分。作为铁氧体材料的添加成分，例如可举出Mn、Co、Sn、Bi、Si等，但并不限于此。Mn、Co、Sn、Bi以及Si的含量(添加量)相对于主成分(Fe(Fe₂O₃换算)、Zn(ZnO换算)、Cu(CuO换算)以及Ni(NiO换算))的合计100重量份分别换算成Mn₃O₄、Co₃O₄、SnO₂、Bi₂O₃以及SiO₂优选为0.1重量份～1重量份。并且，上述铁氧体材料可以包含制造上不可避免的杂质。

应予说明，烧结铁氧体的Fe含量(Fe₂O₃换算)、Mn含量(Mn₂O₃换算)、Cu含量(CuO换算)、Zn含量(ZnO换算)以及Ni含量(NiO换算)，实质上，与烧制前的铁氧体材料的Fe含量(Fe₂O₃换算)、Mn含量(Mn₂O₃换算)、Cu含量(CuO换算)、Zn含量(ZnO换算)以及Ni含量(NiO换算)没有不同。

(2)线圈导体用导电性膏的制备

首先，准备导电性材料。作为导电性材料，例如可举出Au、Ag、Cu、Pd、Ni等，优选为Ag或者Cu，更优选为Ag。称量规定量的导电性材料的粉末，将规定量的溶剂(丁香酚等)、树脂(乙基纤维素等)、以及分散剂利用行星搅拌器等进行混练后，利用三辊磨机等进行分散，从而制备线圈导体用导电性膏。

(3)树脂膏的制备

制备用于制作上述层叠线圈部件1的空隙部的树脂膏。上述树脂膏能够通过在溶剂(异氟尔酮等)含有烧制时消失的树脂(丙烯酸类树脂等)而进行制备。

(4)层叠线圈部件的作制

(4－1)单元体的作制

首先，在金属板上层叠热剥离片和PET(聚对苯二甲酸)膜(未图示)，规定次数印刷铁氧体膏，形成成为外层的第1铁氧体膏层31(图5(a))。该层与第1绝缘体层11对应。

接着，在形成空隙部21a的部位，印刷上述树脂膏，形成树脂膏层32(图5(b))。

接着，在形成引出部18的部位即在上述树脂膏层32与端面之间，印刷上记导电性膏，形成引出导体附加层37(图5(c))。形成所述引出导体附加层37的部位中，引出部成为厚壁。

接着，在形成线圈导体层15a的部位，印刷上述导电性膏，形成导电性膏层33(图5(d))。

接着，在没有形成导电性膏层33的区域，印刷上述铁氧体膏，形成第2铁氧体膏层34(图5(e))。第2铁氧体膏层34优选设置成覆盖上述导电性膏层33的外边缘部(图6)。该层与第2绝缘体层12对应。

接着，在形成将沿层叠方向邻接的线圈导体层连接的连接导体的部位以外的区域，印刷铁氧体膏，形成第1铁氧体膏层41(图5(f))。该层与第1绝缘体层11对应。形成上述连接导体的部位成为孔42。

接着，在上述的孔42中印刷导电性膏而形成连接导体膏层43(图5(g))。

接着，适当地重复与上述的图5(b)～(g)的工序相同的工序而形成图2及图3所示的各层(图5(h)～(p)等)，最后，规定次数印刷铁氧体膏，形成成为外层的第1铁氧体膏层71(图5(q))。该层与第1绝缘体层11对应。

接着，通过在涂覆于金属板的状态下进行焊接后，进行冷却，按照金属板、PET膜的顺序进行剥离，得到元件的集合体(未烧制层叠体块)。利用切片机等切断该未烧制层叠体块，针对各单元体单片化。

通过对得到的未烧制的单元体进行滚筒研磨处理，削去单元体的角，形成圆形。应予说明，滚筒研磨处理可以是对未烧制的层叠体进行，也可以是对烧制后的层叠体进行。并且，滚筒研磨处理可以是干式或者湿式中的任一者。滚筒研磨处理可以是对元件彼此进行共擦的方法，也可以是与媒介一起进行滚筒研磨处理的方法。

滚筒研磨处理后，例如在910℃～935℃的温度烧制未烧制单元体，得到层叠线圈部件1的单元体2。通过烧制，树脂膏层消失，形成空隙部21。

(4－2)外部电极的形成

接着，在单元体2的一端面涂覆包含Ag和玻璃的外部电极形成用Ag膏，通过烧结而形成基底电极。接着，利用电镀在基底电极上，依次形成Ni被膜、Sn被膜，从而形成外部电极，得到图1所示这样的层叠线圈部件1。

以上，对本发明的一个实施方式进行说明，本实施方式能够进行各种改变。

例如，上述中，准备与各绝缘层对应的铁氧体片，对该片实施印刷，形成线圈图案，可以将这些压接得到元件。

利用上述本公开的方法制造的层叠线圈部件的线圈导体的电阻值低，另外，抑制裂缝的产生。

实施例

·铁氧体膏的制备

将Fe₂O₃、ZnO、CuO以及NiO的粉末，相对于这些的合计以分别成为49.0摩尔％、25.0摩尔％、8.0摩尔％、以及其余量的方式称取。

对这些粉末进行混合及粉碎、干燥，在700℃进行煅烧，得到煅烧粉末。对该煅烧粉末，加入规定量的酮系溶剂、聚乙烯醇缩醛以及醇酸系可塑剂，利用行星搅拌器进行混练后，进一步利用三辊磨机进行分散，制备铁氧体膏。

·线圈导体用导电性膏的制备

作为导电性材料，准备规定量的银粉末，将丁香酚、乙基纤维素、乙基以及分散剂利用行星搅拌器进行混练后，利用三辊磨机进行分散，从而制备线圈导体用导电性膏。

·树脂膏的制备

通过在异氟尔酮混合丙烯酸类树脂，从而制备树脂膏。

·层叠线圈部件的作制

使用上述的铁氧体膏、导电性膏以及树脂膏，根据图5所示的顺序，制备未烧制的层叠体块。导电性膏层的厚度是70μm。并且，以图3所示的距离t为－50μm、0μm、50μm、100μm、或者150μm的方式形成空隙部。应予说明，负号表从层叠方向平面视的情况下空隙部重叠，－50μm及0μm相当于比较例。

接着，用切片机等切断层叠体块，单片化成元件。通过对得到的元件进行滚筒研磨处理，削去元件的角，形成圆形。滚筒研磨处理后，在920℃的温度下烧制元件，得到单元体。

接着，在单元体的一端面涂覆包含Ag及玻璃的外部电极形成用Ag膏，通过进行烧结烧而形成基底电极。接着，利用电镀在基底电极上，依次形成Ni被膜、Sn被膜，从而形成外部电极，得到层叠线圈部件。

上述得到的层叠线圈部件均是L(长度)＝1.6mm，W(宽度)＝0.8mm、T(高度)＝0.8mm。

对于上述中得到的层叠线圈部件各30个，评价裂纹的产生的有无。将产生有裂纹的层叠线圈部件的个数示于下述表1。

【表1】

根据上述的结果，得出距离t比0大的层叠线圈部件在烧制后也不产生裂纹。

产业上的可利用性

本公开的层叠线圈部件可作为电感器等广泛用于各种用途。

Claims

1.一种层叠线圈部件，具备：

绝缘体部，

线圈，埋设于所述绝缘体部，多个线圈导体层电连接而成，

外部电极，设置于所述绝缘体部的表面，与所述线圈电连接；

并且，在所述线圈导体层的一个主面与所述绝缘体部的边界设置有空隙部，

所述线圈导体层的至少一个包括引出部和卷线部，利用该引出部，该线圈导体层与外部电极连接，

从层叠方向俯视层叠线圈部件时，与所述外部电极连接的所述引出部的空隙部的外部电极侧的一端、与和所述引出部沿层叠方向邻接的线圈导体层的空隙部的所述外部电极侧的一端相比，位于更靠所述外部电极侧，

从层叠方向俯视层叠线圈部件时，所述引出部与沿层叠方向邻接的线圈导体部分的空隙部位于所述线圈导体层的内侧，

所述引出部的空隙部的所述外部电极侧的一端与沿所述层叠方向邻接的线圈导体层的空隙部的所述外部电极侧的一端之间的距离是50μm～150μm。

2.根据权利要求1所述的层叠线圈部件，其中，所述线圈导体层的卷线部的厚度是25μm～50μm。

3.根据权利要求1或2所述的层叠线圈部件，其中，

所述引出部具有厚壁部和薄壁部，所述厚壁部位于该引出部所连接的所述外部电极侧。

4.根据权利要求3所述的层叠线圈部件，其中，相对于所述薄壁部的厚度的所述厚壁部的厚度之比是1.05～2.00。

5.根据权利要求3所述的层叠线圈部件，其中，所述薄壁部的厚度是15μm～45μm。

6.根据权利要求4所述的层叠线圈部件，其中，所述薄壁部的厚度是15μm～45μm。