JP2010147098A - 電子部品 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 24
- NWXHSRDXUJENGJ-UHFFFAOYSA-N calcium;magnesium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Mg+2].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O NWXHSRDXUJENGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 229910052637 diopside Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 21
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 209
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 12
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 7
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- -1 B 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N CuO Inorganic materials [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 description 1
- XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N zinc silicate Chemical compound [Zn+2].[O-][Si]([O-])=O XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【課題】優れた強度を有するとともに、高い絶縁抵抗が得られる電子部品を提供する。
【解決手段】好適な実施形態の電子部品1は、ガラス成分中にフィラー成分が分散した構成を有する内層部10及び外層部20を有し、内層部10は、その全表面を外層部20に覆われており、且つ、外層部20よりも熱膨張係数が大きい。内層部10には、ディオプティサイド系結晶化ガラスにフォルステライトがフィラーとして含まれており、外層部20には、ディオプティサイド系結晶化ガラスにアルミナがフィラーとして含まれており、これにより熱膨張係数が調整されている。
【選択図】図1
【解決手段】好適な実施形態の電子部品1は、ガラス成分中にフィラー成分が分散した構成を有する内層部10及び外層部20を有し、内層部10は、その全表面を外層部20に覆われており、且つ、外層部20よりも熱膨張係数が大きい。内層部10には、ディオプティサイド系結晶化ガラスにフォルステライトがフィラーとして含まれており、外層部20には、ディオプティサイド系結晶化ガラスにアルミナがフィラーとして含まれており、これにより熱膨張係数が調整されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子部品に関する。
電子機器に使用される配線基板として、ガラス成分とフィラー成分とを含む組成物を焼成することによって得られる低温焼成磁器を用いた基板が知られている。このような基板を用いた多層セラミックス基板の強度を高めることを目的として、表層部と内層部との熱膨張係数が所定の関係を満たすとともに、内層部に針状結晶が析出した構造とすることが試みられている(特許文献1参照)。
特開2007−73728号公報
上記のような基板は、電子機器に搭載する電子部品として使用する場合、優れた強度を有するのに加え、高い絶縁抵抗を有していることが望ましい。しかしながら、上述した特許文献1に記載されているような表層部と内層部との熱膨張係数が異なるだけの多層セラミックス基板は、電子部品として適用しようとした場合、絶縁抵抗の点で未だ不十分な傾向にあることが判明した。
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、優れた強度を有するとともに、高い絶縁抵抗が得られる電子部品を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の電子部品は、ガラス成分中にフィラー成分が分散した構成を有する内層部及び外層部を有し、内層部は、その全表面を外層部に覆われており、且つ、外層部よりも熱膨張係数が大きいことを特徴とする。
上記本発明の電子部品は、上記のように、ガラス成分中にフィラー成分が分散した内層部及び外層部を備えるとともに、内層部がこれよりも熱膨張係数が小さい外層部に包み込まれた構造を有することによって、優れた強度が得られるばかりでなく、意外なことに、高い絶縁抵抗を発揮できるものとなる。
また、本発明の電子部品は、内層部を通って対向する端面同士を結ぶ線分を仮定したとき、任意の線分において、当該線分における内層部の部分の距離が外層部の部分の距離よりも大きくなっていることが好ましい。電子部品において、外層部は主に強度の向上を目的として形成されるが、本発明では、このような構成を有することで、外層部により優れた強度が得られるとともに、電子部品としての特性に大きく寄与している内層部の大きさも十分に確保することができ、回路構成のための設計を容易にできるほか、一層優れた絶縁特性が得られるようになる。
さらに、本発明の電子部品は、厚み方向に沿う端面(側面)に端子を備える構造を有するものであると好適である。このように側面に端子を備える構造の電子部品は、多様な用途に適用可能である。そして、かかる電子部品において、上述のように高い絶縁特性を有するのに加え、クラックも生じ難いことから、絶縁不良等の不都合が極めて生じ難く、優れた信頼性を有するものともなり得る。
本発明によれば、優れた強度を有するとともに、高い絶縁抵抗が得られる電子部品を提供することが可能となる。
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明については省略することとする。
図1は、好適な実施形態に係る電子部品の断面構成を模式的に示す図である。図1に示すように、電子部品1は、内層部10と、この内層部10の全表面を覆うように形成された外層部20とを備えた構成を有している。すなわち、電子部品1においては、内層部10が外層部20によって包み込まれた構造となっている。
内層部10及び外層部20は、それぞれ、ガラス成分中にフィラー成分が分散した材料によって構成される。かかる材料におけるフィラー成分の含有量は、ガラス成分とフィラー成分との合計量に対して、10〜40体積%であると好ましい。
まず、ガラス成分について説明する。
ガラス成分としては、例えば、(1)非晶質ガラス系材料及び(2)結晶化ガラス系材料の2種が挙げられる。(2)結晶化ガラス系材料は、加熱焼成時に多数の微細な結晶がガラス成分中に析出した材料であり、ガラスセラミックスともいう。
ガラス成分としては、上記(1)非晶質ガラス系材料及び(2)結晶化ガラス系材料のうち、(2)結晶化ガラス系材料がより好ましい。(2)結晶化ガラス系材料としては、例えば、(i)SiO2、B2O3、Al2O3及びアルカリ土類金属酸化物を含有するガラス成分、並びに(ii)SiO2、CaO、MgO、Al2O3及びCuOを含有するディオプサイド結晶ガラス成分を用いることができる。
(i)SiO2、B2O3、Al2O3及びアルカリ土類金属酸化物を含有するガラス成分において、SiO2の含有量は、ガラス成分全量を基準として46〜60質量%であることが好ましく、47〜55質量%であることがより好ましい。この含有量が46質量%未満であるとガラス化が困難になる傾向にあり、60質量%を超えると融点が高くなって低温焼結が困難になる傾向にある。
B2O3の含有量は、ガラス成分全量を基準として0.5〜5質量%であることが好ましく、1〜3質量%であることがより好ましい。この含有量が5質量%を超えると耐湿性が低下する傾向にあり、0.5質量%未満であるとガラス化温度が高くなるとともに密度が低くなる傾向にある。
Al2O3の含有量は、ガラス成分全量を基準として6〜17.5質量%であることが好ましく、7〜16.5質量%であることがより好ましい。この含有量が6質量%未満であると強度が若干低下する傾向にあり、17.5質量%を超えるとガラス化が困難になる傾向にある。アルカリ土類金属酸化物の含有量は、ガラス成分全量を基準として25〜45質量%であることが好ましく、30〜40質量%であることがより好ましい。
アルカリ土類金属酸化物としては、例えば、MgO、CaO、BaO及びSrOが挙げられる。これらのアルカリ土類金属酸化物は一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、SrOとその他のアルカリ土類金属酸化物とを組み合わせて用いることが好ましい。CaO、MgO及びBaOからなる群より選ばれる少なくとも一種と、SrOとを組み合わせて用いることにより溶解ガラスの粘性を低下させ、焼結温度幅を拡大することができることから、製造を容易にすることができる。
アルカリ土類金属酸化物の全量に対するSrOの含有量は60質量%以上であることが好ましく、80質量%以上であることがより好ましい。この含有量が60質量%未満であると、ガラス成分と後述するフィラーとの熱膨張係数の差が大きくなり、電子部品の強度が低下する傾向にある。
なお、アルカリ土類金属酸化物の全量に対して、CaO、MgO及びBaOの合計量は、1質量%以上であることが好ましい。また、アルカリ土類金属酸化物の全量に対してCaO及びMgOを、それぞれ0.2質量%以上含有することが好ましく、0.5質量%以上含有することがより好ましい。さらに、アルカリ土類金属酸化物の全量に対して、CaOの含有量は10質量%未満であることが好ましく、MgOの含有量は4質量%以下であることが好ましい。CaO及びMgOの含有量がこれよりも多くなると、熱膨張係数が小さくなりすぎて、電子部品の強度が低下する傾向にあるうえ、ガラスの結晶化度の制御が困難になる傾向にある。製造の容易性と電子部品の強度とを両立させる観点からは、アルカリ土類金属酸化物全量に対するCaOとMgOとの合計量は、10質量%未満であることが好ましく、CaOの含有量は5質量%以下であることがより好ましい。
また、アルカリ土類金属酸化物全量に対するBaOの含有量は5質量%以下であることが好ましい。この含有量が5質量%を超えると誘電率が高くなる傾向にある。
一方、(ii)SiO2、CaO、MgO、Al2O3及びCuOを含有するディオプサイド結晶ガラス成分は主結晶としてディオプサイドを析出するものである。
ディオプサイド結晶ガラス成分において、SiO2はガラスのネットワークフォーマーであるとともに、ディオプサイド結晶の構成成分である。ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対する、SiO2の含有量は40〜65質量%であることが好ましく、45〜65質量%であることがより好ましい。この含有量が40質量%より少ないとガラス化が困難になる傾向にあり、65質量%より多いと密度が低くなる傾向にある。
ディオプサイド結晶ガラス成分において、CaOはディオプサイド結晶の構成成分であり、その含有量は、ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対して20〜35質量%であることが好ましく、25〜30質量%であることがより好ましい。この含有量が20質量%より少ないと誘電損失が高くなる傾向にあり、35質量%より多いとガラス化が困難になる傾向にある。
ディオプサイド結晶ガラス成分においては、MgOもディオプサイド結晶の構成成分である。MgOの含有量は、ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対して11〜30質量%であることが好ましく、12〜25質量%であることがより好ましい。この含有量が11質量%より少ないと結晶が析出し難くなる傾向にあり、30質量%より多いとガラス化が困難になる傾向にある。
ディオプサイド結晶ガラス成分において、Al2O3はガラス成分の結晶性を調節する成分であり、その含有量は、ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対して0.5〜10質量%であることが好ましく、1〜5質量%であることがより好ましい。この含有量が0.5質量%より少ないと結晶性が強くなりすぎてガラス成形が困難になる傾向にあり、10質量%より多くなるとディオプサイド結晶が析出し難くなる傾向にある。
ディオプサイド結晶ガラス成分において、CuOはAgに電子を与え、ガラス成分中への拡散を抑える成分である。CuOの含有量は、ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対して、0.01〜1.0質量%であることが好ましい。この含有量が0.01質量%より少ないと上述の効果が十分に発揮されない傾向にあり、1.0質量%よりも多いと誘電損失が大きくなりすぎる傾向にある。
ディオプサイド結晶ガラス成分において、SrO、ZnO、TiO2はガラス化を容易にするために添加する成分である。ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対する含有量は、各成分とも0〜10質量%であることが好ましく、0〜5%であることがより好ましい。これらの成分が各々10質量%より多くなると結晶性が弱くなり、ディオプサイドの析出量が少なくなることで誘電損失が大きくなる傾向にある。
また、ディオプサイド結晶ガラス成分としては、誘電損失等の特性を損なわない範囲で上記成分以外の成分を含んでいてもよい。
(i)及び(ii)のガラス成分のうち、より優れた強度を得る観点からは、(ii)のディオプサイト結晶ガラス成分が好ましい。
次に、フィラー成分について説明する。
フィラー成分は、セラミック材料からなる粉状物であり、内層部10及び外層部20においては、上述したガラス成分中に分散される。フィラー成分を構成する粒子の形状は、球状、針状、板状等、特に制限されない。また、フィラー成分の平均粒径は、1〜8μm程度であると好ましい。
フィラー成分としては、例えば、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリカ、ムライト、フォルステライト、ステアタイト、コージェライト、ストロンチウム長石、石英、ケイ酸亜鉛、ジルコニア、チタニア等が挙げられる。これらのフィラーは、内層部10及び外層部20が有するべき特性に併せて適宜選択して用いることができ、複数種を組み合わせてもよい。
電子部品1における内層部10及び外層部20は、上述したようなガラス成分及びフィラー成分を含むが、これらは、下記の特性において相違している。
すなわち、まず、電子部品1において、内層部10は、外層部20よりも熱膨張係数が大きくなっている。反対に内層部10が外層部20よりも熱膨張係数が小さいと、優れた絶縁抵抗が得られないほか、電子部品1の強度も不十分となる。
内層部10と外層部20との熱膨張係数の差は、0.5〜3ppm/℃であると好ましく、1〜2ppm/℃であるとより好ましく、1.5〜2ppm/℃であるとさらに好ましい。熱膨張係数の差が好ましい範囲であるほど、優れた絶縁抵抗が得られるようになる。ここで、熱膨張係数とは、50〜350℃における寸法変化をTMAによって測定することにより得られた値である。
また、内層部10及び外層部20は、高い抗折強度を有していると好ましい。ここで、抗折強度とは、試料に加える荷重を徐々に大きくしていき、折れが生じた時点での荷重(破壊荷重)によって表される強度である。本明細書では、支点間距離を15mmとし、クロスヘッド速度0.5mm/minとした場合の3点曲げ試験により得られる値であると定義する。
電子部品1においては、内層部10と外層部20とが上述したような所定の特性及び関係を有しているが、これらの熱膨張係数は、内層部10及び外層部20を構成しているガラス成分やフィラー成分の種類、或いは、フィラー成分の含有量を適宜変更することによって調整することができる。すなわち、内層部10及び外層部20の構成材料としては、電子部品1において上述したような特性及び関係が満たされるように、ガラス成分及びフィラー成分の種類やフィラー成分の含有量が異なる各種の材料から適宜選択して用いればよい。
なお、内層部10及び外層部20の上述したような各種特性は、電子部品1の状態で測定してもよいが、実際には困難である場合も多い。その場合、内層部10又は外層部20の特性は、これらの構成材料を用いて別の試料(評価用試料)を作成し、得られた試料を用いて測定することによって得てもよい。このような評価用試料で得られた特性に基づいて、電子部品1における内層部10及び外層部20に好適な構成材料を決定することができる。
また、電子部品1は、内層部10が外層部20によって包み込まれた構造を有するが、内層部10と外層部20との厚みが次のような特定の関係を満たしていると好適である。すなわち、電子部品1における内層部10を通って対向する端面同士を結ぶ線分を仮定したとき、任意の線分において、当該線分における内層部10の部分の距離が外層部20の部分の距離よりも大きくなっていることが好ましい。つまり、電子部品1では、内層部10を含む任意の断面において、内層部10の幅が、この部分の内層部10を挟むように対向している2つの外層部20の幅の合計よりも大きくされていることが好ましい。
電子部品1において、内層部10及び外層部20が上述した関係を満たすように形成されていることにより、特に、後述するような側面に端子を備える電子部品とした場合等に、優れた絶縁特性が得られるほか、高い強度を得ることができる。なお、このような内層部10と外層部20との関係は、例えば、本実施形態の電子部品1のように、厚み方向よりも厚み方向に垂直な幅方向の距離が大きくされた形状、すなわち、厚み方向よりも面方向が大きい平板状の形状の場合、その厚み方向と幅方向のどちらか一方が満たしていればよい。ただし、上述した優れた効果を良好に得る観点からは、少なくとも幅方向において上記の関係を満たしていると好ましく、両方の方向で満たしているとより好ましい。
内層部10と外層部20とが上述した関係を満たす場合、上記線分において、外層部20の部分の距離の割合が、当該線分の全距離に対して1/2以下となる。そして、上述したような効果をより良好に得る観点からは、この外層部20の部分の距離の割合は、電子部品1の幅方向の全距離に対して1/3以下となっているとより好ましく、1/4以下となっていると更に好ましい。この外層部20の距離の割合が大きいと、外層部20に圧縮応力が加わり難くなって、強度の改善効果が十分に得られなくなる場合がある。また、外層部20の材料が内層部10とは異なる電気特性等を有している場合、小型化すると本来電気特性を発揮すべき内層部10の大きさが不都合に小さくなってしまうため、回路の設計に支障をきたすおそれもある。ただし、側面を覆う外層部20の厚さが薄すぎても、本発明の効果が十分に得られなくなることから、外層部の部分の距離の割合は、上記線分のうち、1/20以上であることが好ましい。
上述した構成を有する電子部品1によれば、まず、内層部10の全表面が外層部20によって覆われた構成を有していることから、高い絶縁特性が得られるようになる。この要因は必ずしも明らかではないものの、次のように考えられる。すなわち、電子部品は、その側面部分に端子が設けられることが多いが、この端子は、一般的に表面にめっきが施されている。このようなめっきが施される場合、従来、めっき時の熱やめっき液の侵入等による電子部品の劣化が生じ、強度や絶縁特性の低下を避け難かった。これに対し、電子部品1は、側面が内層部10よりも熱膨張係数が小さい外層部20によって覆われていることから、めっきによる影響が内層部10にまで及び難い。したがって、上述した実施形態の電子部品1によれば、側面にも外層部を有することから、従来の電子部品に比べて上記のような劣化を大幅に抑制することができ、内層部10が本来有している高い絶縁特性が十分に発揮されるほか、良好な強度が保たれるようになる。
また、上述した特性に加え、電子部品1は、その製造時におけるクラックの発生も極めて少ないものとなる。これは、内層部10が、外層部20よりも熱膨張係数が大きいため、電子部品1の製造時において、焼結等の熱処理後、冷却される際に、外層部20は、熱収縮の程度が小さいにもかかわらず内層部10の大きな熱収縮に引っ張られて本来よりも収縮し、これによって外層部20に圧縮応力が加わった状態となるためと考えられる。
そして、電子部品は、通常、切断により所望のサイズに加工されることが多く、このような切断時に側面部分から内部に進行したクラックを有することがあったのに対し、本実施形態の電子部品1では、このように側面にも圧縮応力を有する外層部20が設けられていることにより、側面からのクラックの進行は大幅に抑制されている。その結果、電子部品1は、クラックの発生が極めて少ないものとなる。
上述したような構成を有する電子部品1は、例えば、次のような製造方法によって得ることができる。
図2は、電子部品1の製造に用いる第1グリーンシートを示す図であり、(a)は、その断面図であり、(b)は平面図である。図2に示すように、第1グリーンシート100は、内層用ペースト層12及び外層用ペースト層22が混在して配置されたものであり、支持体200上に形成されている。
第1グリーンシート100においては、外層用ペースト層22が複数箇所で打ち抜かれており、この打ち抜かれた部分に内層用ペースト層12がはめ込まれることで、内層用ペースト層12と外層用ペースト層22とが一つの層を成している。内層用ペースト層12は、隣接するもの同士の辺が同一直線上に並ぶように規則的に配置されている。この第1グリーンシート100において、内層用ペースト層12と外層用ペースト層22とは、後述する切断後に、これらから形成される内層部10及び外層部20の幅が互いに所定の比率となるように設けられていると好ましい。
このような第1グリーンシート100において、支持体200としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のプラスチックフィルム等が適用できる。内層用ペースト層12及び外層用ペースト層22は、内層部10や外層部20の構成材料の原料を、有機ビヒクル等に分散した内層用又は外層用ペーストを塗布することにより形成された層である。これらは、塗布後、有機ビヒクルが除去されたものであってもよい。
ここで、有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン、イソプロピルアルコール等の溶媒、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等のバインダ、ジ−n−ブチルフタレート等の可塑剤等を含むものが挙げられる。
第1グリーンシート100は、例えば、支持体200上に、図2(b)に示すような所望のパターンが得られるように内層用又は外層用ペーストを塗り分けることにより形成することができる。
また、第1グリーンシート100の他の形成方法として、次のような方法も挙げられる。すなわち、まず、所定の支持体の全面に、外層用ペーストを塗布して外層用ペースト層を形成した後、内層用ペースト層12を形成すべき箇所をパンチャー等により打ち抜く。この際、支持体ごと打ち抜いてもよいし、支持体は残るようにしてもよい。また、所定の支持体の全面に、内層用ペーストを塗布して内層用ペースト層を形成したものを別に準備しておく。
それから、内層用ペースト層を、上述した外層用ペースト層の打ち抜き部分の形状に合わせて加工した後、これをかかる打ち抜き部分にはめ込む。この際、例えば、打ち抜き後の外層用ペースト層上に、支持体を剥離した内層用ペースト層を重ね合わせた後、この状態で内層用ペースト層を外層用ペースト層の場合と同様にパンチャー等により打ち抜くことにより、内層用ペースト層の加工とともに、外層用ペースト層へのはめ込みを行うことができる。その後、残った内層用ペースト層を除去することによって、上述した構成の第1グリーンシート100を得ることができる。支持体200は、適当な時点で剥離してもよい。
図3は、上述した第1グリーンシートを用いて電子部品を製造する工程を示す工程図である。電子部品1の製造においては、上記のような第1グリーンシート100のほか、これと同じサイズであり、外層用ペースト層22のみから構成される第2グリーンシート300を準備しておく。そして、まず、図3(a)に示すように、複数の第1グリーンシート100を重ねるとともに、これを積層方向に挟むように上下から第2グリーンシート300を重ねる。この際、第1グリーンシート100は、それぞれの内層用ペースト層12の位置が重なり合うように積層させる。なお、第1グリーンシート100及び第2グリーンシート300の枚数は、電子部品1において、その厚み方向における内層部10と外層部20との厚さの比率が所望の値となるように設定すればよい。
次いで、図3(b)に示すように、得られた積層体をプレスし、必要に応じて各シートに含まれていた有機ビヒクル(溶剤やバインダ)等を除去する脱バインダ処理を行った後、焼成を行う。これにより、外層用ペースト層22の焼結物24の内部に、積層された内層用ペースト層12が焼成により一体化されてなる内層部10が複数配置された形状の焼結体が得られる。
脱バインダ処理は、積層体を少なくとも溶剤やバインダ等の分解温度程度に加熱することによって行うことができる。また、焼成は、積層体を好ましくは1000℃以下、より好ましくは800〜1000℃、更に好ましくは850〜900℃で約5〜500分間保持することにより行うことができる。焼成雰囲気は、酸化性雰囲気や中性雰囲気とすることができ、具体的には、空気、酸素、窒素やこれらの混合ガス雰囲気下とすることができる。
その後、図3(c)に示すように、得られた焼結体を、隣り合う内層部10の間、すなわち、外層用ペースト層22の焼結物24の部分で切断する。これにより、上記の焼結体から、内層部10が外層部20によって包み込まれた構造の電子部品1が複数切り出される。こうして、上述した構造を有する電子部品1が得られる。この際、内層部10間の距離や切断位置を適宜変えることによって、電子部品1の内層部10と外層部20との厚さの関係を上述した条件を満たすように調整することができる。
なお、電子部品1の製造方法は、必ずしも上述したような複数の電子部品1をまとめて形成する方法に限られず、例えば、内層用ペースト層を複数重ねた後、その全表面を外層用ペースト層で覆った後、焼成等を行う方法等により、1つずつ製造してもよい。
本発明の電子部品は、実際に電子部品として用いられる場合、内部に回路を有しており、この回路が表面に設けられた端子に接続された構成を有することが多い。以下、そのような電子部品の例について説明する。
表面に端子を有する電子部品としては、例えば、厚み方向に沿う端面(側面)に端子を有する電子部品が挙げられる。図4、5及び6は、それぞれ、側面に端子を有する電子部品の例を示す斜視図である。以下では、説明の便宜上、電子部品における端子以外の部分を「素体部分」という。そして、下記の例では、この素体部分が、上述した電子部品1と同様の構成を有している。なお、本発明の電子部品は、下記の例のような側面に端子を有するものに限られず、上面や底面に端子を有するものも含まれる。
図4に示す電子部品400は、素体部分410における対向する一対の側面に、それぞれ端子420が設けられたものである。端子420は、側面から素体部分410の端部付近を包み込むように設けられている。このような形状の電子部品としては、例えば、積層セラミックコンデンサ、積層コイル等が挙げられる。
また、図5に示す電子部品500は、素体部分510の4つの側面に、それぞれ端子520が一つずつ設けられている。対向する側面に設けられた端子520同士は、互いに向き合う位置に形成されている。このような形状の電子部品としては、例えば、積層ローパスフィルタ、積層ハイパスフィルタ、積層バンドパスフィルタ、積層バラン、積層カプラ等が挙げられる。
さらに、図6に示す電子部品600は、素体部分610の4つの側面のうち、対向する一組の側面にそれぞれ1つずつ端子620が設けられているとともに、別の対向する一組の側面にはそれぞれ端子620が2つずつ設けられている。そして、各側面の端子620は、これと対向する側面の端子620とそれぞれ向き合う位置に形成されている。このような形状の電子部品としては、例えば、積層ローパスフィルタ、積層ハイパスフィルタ、積層バンドパスフィルタ、積層バラン、積層カプラ等が挙げられる。
これらの電子部品400、500及び600は、素体部分410、510及び610の内部に内部電極が形成されており、その端部が側面において端子420、520、620と接続した構造を有していてもよい。内部電極の形状や接続方法等によって、各種の特性を有する電子部品が得られる。電子部品400、500、600等において内部電極を設ける手法としては、例えば、上述したような電子部品1の製造方法において、第1グリーンシート100として、その表面に、焼成後に電極となる導電性ペースト等を所定の形状に塗布しておいたものを用いる方法が挙げられる。このような第1グリーンシート100を複数用いることで、素体部分410,510,610の内部に複数の電極が設けられた電子部品1を得ることもできる。
このように側面に端子を有する電子部品400、500及び600は、それぞれ上述した電子部品1と同様の素体部分410、510及び610を有していることから、これらの素体部分は高い絶縁特性及び強度を保持しており、したがって、高い信頼性を有するものとなる。特に、これらのように側面に端子が設けられているにもかかわらず、個片化のための分割時やめっき等による端子の形成時に素体部分の劣化やクラックの発生が少ないため、上記の優れた特性を十分に維持したものとなる。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
[内層部及び外層部形成用のシートの形成]
まず、ガラス成分の原料として、ディオプサイド系結晶化ガラス、フィラー成分の原料として、フォルステライト、アルミナ、及びムライトをそれぞれ準備した。
まず、ガラス成分の原料として、ディオプサイド系結晶化ガラス、フィラー成分の原料として、フォルステライト、アルミナ、及びムライトをそれぞれ準備した。
これらを、ガラス成分とフィラー成分とが表1に示す組み合わせ及び体積比となるように秤量し、さらに分散剤、可塑剤、ラッカー及び溶剤を添加して、ボールミルにより混合して、各種のペーストを調製した。これらのペーストを、脱泡した後、PETフィルム上にドクターブレード法によりそれぞれ塗布し、各ペーストからなるシートA〜Cをそれぞれ得た。
[シートA〜Cをそれぞれ単独で用いて得られた焼結体の特性評価]
得られたシートA〜Cを、それぞれ所定の枚数積層した後、プレスし、更にダイシング切断した後に900℃で焼成して、一定の厚さを有する評価用のサンプルを形成した。得られたサンプルについて、各種の特性を次のように測定した。こうして測定された特性が、後述する電子部品における内層部及び外層部としての特性にそれぞれ該当する。得られた結果を表1中に合わせて示す。
(1)線膨張係数(α):各サンプルの50〜350℃における寸法変化をTMAにより測定して求めた。
(2)抗折強度:およそ長さ25mm×幅3.3mm×高さ0.5mmの大きさを有する各サンプルに対し、支点間距離15mm、クロスヘッド速度0.5mm/分の条件で荷重を加え、破壊が生じた時点での荷重とサンプルの寸法から抗折強度を算出した。なお、表1中の値は、それぞれ15個以上のサンプルについて測定を行い、得られた結果を平均した値である。
得られたシートA〜Cを、それぞれ所定の枚数積層した後、プレスし、更にダイシング切断した後に900℃で焼成して、一定の厚さを有する評価用のサンプルを形成した。得られたサンプルについて、各種の特性を次のように測定した。こうして測定された特性が、後述する電子部品における内層部及び外層部としての特性にそれぞれ該当する。得られた結果を表1中に合わせて示す。
(1)線膨張係数(α):各サンプルの50〜350℃における寸法変化をTMAにより測定して求めた。
(2)抗折強度:およそ長さ25mm×幅3.3mm×高さ0.5mmの大きさを有する各サンプルに対し、支点間距離15mm、クロスヘッド速度0.5mm/分の条件で荷重を加え、破壊が生じた時点での荷重とサンプルの寸法から抗折強度を算出した。なお、表1中の値は、それぞれ15個以上のサンプルについて測定を行い、得られた結果を平均した値である。
[電子部品の作製:サンプル1〜19]
(抗折強度測定用サンプルの作製)
まず、上述したシートAを内層部形成用、シートBを外層部形成用に用いて、各種の電子部品を作製した。
(抗折強度測定用サンプルの作製)
まず、上述したシートAを内層部形成用、シートBを外層部形成用に用いて、各種の電子部品を作製した。
サンプル1〜5については、シートB、シートA及びシートBをこの順で積層した後、プレスし、更にダイシング切断した後に900℃で焼成して、およそ長さ25mm×幅3.3mm×高さ0.5mmの大きさを有する電子部品のサンプルを形成した。得られたサンプル1〜5の電子部品は、シートAに由来する内層部の上下のみに、シートBに由来する外層部が配置されており、側面には外層部が設けられていないものである。
この際、各シートの使用枚数は、得られるサンプルにおいて、シートAから形成される内層部とシートBから形成される外層部とが、表2に示す「厚さ方向の厚さの比」となるように調整した。なお、上下に配置したシートBは、それぞれ同じ枚数とした。
一方、サンプル6〜15については、まず、シートBに、4mm×25mm角の穴を長手方向及び幅方向共に5mm間隔で規則的に打ち抜き、この打ち抜き部分に、同サイズに切り抜かれたシートAをはめ込み、複合シートを得た。次いで、シートB、複合シート及びシートBを、それぞれ所定の枚数ずつこの順に積層した後プレスした。その後、ダイシング切断して、シートAに由来する内層部の全表面がシートBに由来する外層部に覆われた形状に切り出し、900℃で焼成した。これにより、およそ長さ25mm×幅3〜5mm×高さ0.5mmの大きさを有するサンプルを作製した。
サンプル6〜15の製造においては、積層する各シートの枚数をそれぞれ調整することによって、表2に示す内層部と外層部との「厚さ方向の厚さの比」を得るとともに、ダイシング切断時の切断位置を調整することによって、表2に示す内層部と外層部との「幅方向の厚さの比」を得た。後者の「幅方向の厚さの比」が、本発明における電子部品の幅方向の全距離を10とした場合の、この全距離に占める内層部及び外層部の部分の距離である。
(電気抵抗(IR)測定用サンプルの作製)
また、各電子部品の電気抵抗(IR)を測定するために、サンプル1〜19とそれぞれ同様のシートを組み合わせて、単層コンデンサチップとして機能する電子部品を別途作製した。
また、各電子部品の電気抵抗(IR)を測定するために、サンプル1〜19とそれぞれ同様のシートを組み合わせて、単層コンデンサチップとして機能する電子部品を別途作製した。
すなわち、まず、サンプル1〜5については、上記の製造方法において、シートAの表面にAgペーストからなるコンデンサ用の内部電極パターンを印刷したシートを準備し、これをシートAに代えて用い、同様に焼成までを行った。その後、得られた焼結体における内部電極が露出した側面に、Agペーストを塗布し、焼き付けた後、その上にNiめっき及びSnめっきを施して端子を形成し、IR測定用の電子部品を作製した。
一方、サンプル6〜15については、まず、シートBに、5mm角の穴を5mm間隔で規則的に打ち抜き、この打ち抜き部分に、同サイズに切り抜かれたシートAをはめ込み、複合シートを得た。この複合シートに、Agペーストからなるコンデンサ用の内部電極パターンを印刷した。内部電極パターンは、切断後に得られる個々の電子部品に対応するように形成させた。
それから、シートB、複合シート及びシートBを、それぞれ所定の枚数ずつこの順に積層した後、プレスし、900℃で焼成した。得られた焼結体を、複合シートにおけるシートBの部分でダイシング切断して、シートAに由来する内層部の全表面がシートBに由来する外層部に覆われた形状の焼結体を切り出した。そして、切り出された各焼結体の内部電極が露出した側面に、Agペーストを塗布し、焼き付けた後、その上にNiめっき及びSnめっきを施して端子を形成し、IR測定用の電子部品を作製した。
なお、IR測定用のサンプル6〜15の製造においても、表2に示す所定の「厚さ方向の厚さの比」及び「幅方向の厚さの比」が得られるように、各シートの積層枚数及びダイシング切断位置を調整した。
[電子部品の評価]
上記で得られた電子部品のサンプル1〜19について、以下の方法にしたがって抗折強度及び絶縁抵抗(IR)を測定した。得られた結果を表2に示す。なお、表2中には、厚さ方向における内層部と外層部の厚さの比、及び、幅方向における内層部と外層部の厚さの比を併せて示した。外層部の厚さとは、対向して形成されている2つの外層部の合計の厚さである。
(1)抗折強度:サンプル1〜19について、上述した方法と同様にして抗折強度の測定を行った。
(2)絶縁抵抗(IR):サンプル1〜19に対応する各単層コンデンサチップについて、デジタル超絶縁/微小電流計を用いて50V、15秒の抵抗値を測定した。各コンデンサチップについては、それぞれ21個ずつ作製して測定を行い、抵抗値が106Ω未満であったものを不良とし、21個のサンプルのうちの不良と判断されたものの数を数えた。
上記で得られた電子部品のサンプル1〜19について、以下の方法にしたがって抗折強度及び絶縁抵抗(IR)を測定した。得られた結果を表2に示す。なお、表2中には、厚さ方向における内層部と外層部の厚さの比、及び、幅方向における内層部と外層部の厚さの比を併せて示した。外層部の厚さとは、対向して形成されている2つの外層部の合計の厚さである。
(1)抗折強度:サンプル1〜19について、上述した方法と同様にして抗折強度の測定を行った。
(2)絶縁抵抗(IR):サンプル1〜19に対応する各単層コンデンサチップについて、デジタル超絶縁/微小電流計を用いて50V、15秒の抵抗値を測定した。各コンデンサチップについては、それぞれ21個ずつ作製して測定を行い、抵抗値が106Ω未満であったものを不良とし、21個のサンプルのうちの不良と判断されたものの数を数えた。
サンプル1〜19中、サンプル6〜19は、いずれも内層部の全面が外層部に覆われていることから本発明の実施例に該当し、サンプル1〜5は、側面に外層部を有しないことから比較例に該当する。そして、実施例に該当するサンプルは、比較例に該当するサンプルに比して、IR不良個数が少なく、優れた絶縁特性を有するほか、十分な強度も有していることが確認された。
[電子部品の作製:サンプル20〜38]
上述したシートBを内層部形成用に、シートCを外層部形成用にそれぞれ用いたこと以外は、サンプル1〜19に各々対応する方法により、サンプル20〜38の強度測定用サンプル及びIR測定用サンプルを作製した。
上述したシートBを内層部形成用に、シートCを外層部形成用にそれぞれ用いたこと以外は、サンプル1〜19に各々対応する方法により、サンプル20〜38の強度測定用サンプル及びIR測定用サンプルを作製した。
[電子部品の評価]
電子部品のサンプル20〜38について、上記と同様にして抗折強度及び絶縁抵抗(IR)を測定した。得られた結果を表3に示す。なお、表3中には、厚さ方向における内層部と外層部(合計の厚さ)の比、及び、幅方向における内層部と外層部(合計の厚さ)の比を併せて示した。
電子部品のサンプル20〜38について、上記と同様にして抗折強度及び絶縁抵抗(IR)を測定した。得られた結果を表3に示す。なお、表3中には、厚さ方向における内層部と外層部(合計の厚さ)の比、及び、幅方向における内層部と外層部(合計の厚さ)の比を併せて示した。
サンプル20〜38中、サンプル25〜38は、いずれも内層部の全面が外層部に覆われていることから本発明の実施例に該当し、サンプル20〜24は、側面に外層部を有しないことから比較例に該当する。そして、実施例に該当するサンプルは、比較例に該当するサンプルに比して、IR不良個数が少ないことから優れた絶縁特性を有するほか、十分な強度を有していることが確認された。
1…電子部品、10…内層部、12…内層用ペースト層、20…外層部、22…外層用ペースト層、100…第1グリーンシート、200…支持体、300…第2グリーンシート、400,500,600…電子部品、410,510,610…素体部分、420,520,620…端子。
Claims (3)
- ガラス成分中にフィラー成分が分散した構成を有する内層部及び外層部を有し、
前記内層部は、その全表面を前記外層部に覆われており、且つ、前記外層部よりも熱膨張係数が大きい、
ことを特徴とする、電子部品。 - 前記内層部を通って対向する端面同士を結ぶ線分を仮定したとき、任意の前記線分において、当該線分における前記内層部の部分の距離が前記外層部の部分の距離よりも大きくなっている、ことを特徴とする請求項1記載の電子部品。
- 厚み方向に沿う端面に、端子を備えることを特徴とする請求項1又は2記載の電子部品。
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