JPH11354370A - 積層セラミック電子部品 - Google Patents
積層セラミック電子部品Info
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- JPH11354370A JPH11354370A JP16122098A JP16122098A JPH11354370A JP H11354370 A JPH11354370 A JP H11354370A JP 16122098 A JP16122098 A JP 16122098A JP 16122098 A JP16122098 A JP 16122098A JP H11354370 A JPH11354370 A JP H11354370A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 半田の固化収縮や半田フローにおける配線基
板の熱反りにより、また、自動搭載機によって配線基板
等に半田付けされる際、自動搭載機のノズルの吸着や押
圧により、積層セラミック電子部品に局部的に大きな応
力が作用し、マイクロクラックが入ったり、破損して、
耐湿性などの信頼性が低下するのを防ぐ。 【解決手段】 セラミック層と内部導体層とを複数層積
層し、一対の保護層を最外層に積層形成してなる素体１
２と、素体の両端部に形成された一対の外部電極１４と
を備えた積層セラミック電子部品において、前記保護層
の表面から少なくとも５０μｍまでを形成するセラミッ
ク粒子の平均粒径Ｒ１ の、前記セラミック層を形成す
るセラミック粒子の平均粒径Ｒ２ に対する割合（Ｒ１
／Ｒ２ ）が０．７〜０．９７の範囲にあるようにす
る。
板の熱反りにより、また、自動搭載機によって配線基板
等に半田付けされる際、自動搭載機のノズルの吸着や押
圧により、積層セラミック電子部品に局部的に大きな応
力が作用し、マイクロクラックが入ったり、破損して、
耐湿性などの信頼性が低下するのを防ぐ。 【解決手段】 セラミック層と内部導体層とを複数層積
層し、一対の保護層を最外層に積層形成してなる素体１
２と、素体の両端部に形成された一対の外部電極１４と
を備えた積層セラミック電子部品において、前記保護層
の表面から少なくとも５０μｍまでを形成するセラミッ
ク粒子の平均粒径Ｒ１ の、前記セラミック層を形成す
るセラミック粒子の平均粒径Ｒ２ に対する割合（Ｒ１
／Ｒ２ ）が０．７〜０．９７の範囲にあるようにす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック層と
内部導体層とを複数層積層し、一対の保護層を最外層に
積層形成した、例えば積層セラミックコンデンサ、積層
インダクタ、複合ＬＣチップ等の積層セラミック電子部
品に関するものである。
内部導体層とを複数層積層し、一対の保護層を最外層に
積層形成した、例えば積層セラミックコンデンサ、積層
インダクタ、複合ＬＣチップ等の積層セラミック電子部
品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミック電子部品は、一般に、チ
ップ状の素体と、該素体の両端部に形成された一対の外
部電極とからなる。該素体は、セラミック層と内部導体
層とを、例えば、交互に多数層積層し、更にその最外層
に一対の保護層を積層して形成した積層体からなる。一
対の外部電極は各内部導体層に各々電気的に接続されて
いる。
ップ状の素体と、該素体の両端部に形成された一対の外
部電極とからなる。該素体は、セラミック層と内部導体
層とを、例えば、交互に多数層積層し、更にその最外層
に一対の保護層を積層して形成した積層体からなる。一
対の外部電極は各内部導体層に各々電気的に接続されて
いる。
【０００３】この積層セラミック電子部品は、一般に、
セラミックグリーンシートと導体パターンとを交互に積
層し、更に保護層用グリーンシートを積層し、これを導
体パターン毎に格子状に裁断し、得られたチップ状の積
層体を加熱して脱バインダし、その後、１２００〜１３
００℃程度の高温で焼成し、得られた素体の両端部に外
部電極を焼き付けることにより製造されている。
セラミックグリーンシートと導体パターンとを交互に積
層し、更に保護層用グリーンシートを積層し、これを導
体パターン毎に格子状に裁断し、得られたチップ状の積
層体を加熱して脱バインダし、その後、１２００〜１３
００℃程度の高温で焼成し、得られた素体の両端部に外
部電極を焼き付けることにより製造されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、積層セラミ
ック電子部品は配線基板に半田付けして使用されるが、
半田付けの際、半田の収縮による応力が積層セラミック
電子部品に局部的に作用し、素体にマイクロクラックが
入ったり、素体を破損させたりし、積層セラミック電子
部品の耐湿性などの信頼性を低下させてしまうことがあ
った。
ック電子部品は配線基板に半田付けして使用されるが、
半田付けの際、半田の収縮による応力が積層セラミック
電子部品に局部的に作用し、素体にマイクロクラックが
入ったり、素体を破損させたりし、積層セラミック電子
部品の耐湿性などの信頼性を低下させてしまうことがあ
った。
【０００５】また、積層セラミック電子部品を半田フロ
ーなどで配線基板に半田付けする場合、配線基板が熱で
反り、積層セラミック電子部品に局部的な引っ張り応力
が作用し、素体にマイクロクラックが入ったり、素体を
破損させたりし、積層セラミック電子部品の耐湿性など
の信頼性を低下させてしまうことがあった。
ーなどで配線基板に半田付けする場合、配線基板が熱で
反り、積層セラミック電子部品に局部的な引っ張り応力
が作用し、素体にマイクロクラックが入ったり、素体を
破損させたりし、積層セラミック電子部品の耐湿性など
の信頼性を低下させてしまうことがあった。
【０００６】更に、近年の電子部品の小型化、高密度化
により積層セラミック電子部品も小型化が進められてい
る。積層セラミック電子部品が小型化されると、半田付
けを手付けで行なうことは不可能となり、自動搭載機に
よって配線基板等に半田付けされるようになっている。
により積層セラミック電子部品も小型化が進められてい
る。積層セラミック電子部品が小型化されると、半田付
けを手付けで行なうことは不可能となり、自動搭載機に
よって配線基板等に半田付けされるようになっている。
【０００７】そして、半田付けの際、積層セラミック電
子部品は、自動搭載機のノズルに吸着されたり、搭載位
置がずれないようにノズル先端で押圧されることがあ
り、その際、素体に局部的に大きな応力が作用し、素体
にマイクロクラックが入ったり、素体が破損し、積層セ
ラミック電子部品の耐湿性などの信頼性を低下させてし
まうことがあった。
子部品は、自動搭載機のノズルに吸着されたり、搭載位
置がずれないようにノズル先端で押圧されることがあ
り、その際、素体に局部的に大きな応力が作用し、素体
にマイクロクラックが入ったり、素体が破損し、積層セ
ラミック電子部品の耐湿性などの信頼性を低下させてし
まうことがあった。
【０００８】この発明は、配線基板への実装時にマイク
ロクラックや破損等を生じさせない、抗折強度のできる
だけ大きな、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提
供することを目的とする。
ロクラックや破損等を生じさせない、抗折強度のできる
だけ大きな、信頼性の高い積層セラミック電子部品を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る積層セラミ
ック電子部品は、セラミック層と内部導体層とを複数層
積層し、一対の保護層を最外層に積層形成してなる素体
と、該素体の両端部に形成された一対の外部電極とを備
えた積層セラミック電子部品において、前記保護層の表
面から所定の深さまでを形成するセラミック粒子を、前
記セラミック層を形成するセラミック粒子より小さくし
たものである。
ック電子部品は、セラミック層と内部導体層とを複数層
積層し、一対の保護層を最外層に積層形成してなる素体
と、該素体の両端部に形成された一対の外部電極とを備
えた積層セラミック電子部品において、前記保護層の表
面から所定の深さまでを形成するセラミック粒子を、前
記セラミック層を形成するセラミック粒子より小さくし
たものである。
【００１０】ここで、前記保護層の表面から少なくとも
５０μｍまでを形成するセラミック粒子の平均粒径Ｒ１
の、前記セラミック層を形成するセラミック粒子の平
均粒径Ｒ２ に対する比率（Ｒ１ ／Ｒ２ ）が０．７〜
０．９７の範囲にあるのが好ましい。Ｒ１ ／Ｒ２ が
０．７〜０．９７の範囲にある場合は所望の抗折強度が
得られるが、０．７未満か、又は０．９７を越えると所
望の抗折強度が得られなくなるからある。
５０μｍまでを形成するセラミック粒子の平均粒径Ｒ１
の、前記セラミック層を形成するセラミック粒子の平
均粒径Ｒ２ に対する比率（Ｒ１ ／Ｒ２ ）が０．７〜
０．９７の範囲にあるのが好ましい。Ｒ１ ／Ｒ２ が
０．７〜０．９７の範囲にある場合は所望の抗折強度が
得られるが、０．７未満か、又は０．９７を越えると所
望の抗折強度が得られなくなるからある。
【００１１】また、前記セラミック層が誘電体磁器組成
物からなり、前記内部導体層が該セラミック層を介して
対向し、対向する該内部導体層が別々の外部電極に接続
され、積層セラミック電子部品が積層セラミックコンデ
ンサを構成していてもよい。
物からなり、前記内部導体層が該セラミック層を介して
対向し、対向する該内部導体層が別々の外部電極に接続
され、積層セラミック電子部品が積層セラミックコンデ
ンサを構成していてもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施の形態に
係る積層セラミックコンデンサの説明図である。同図に
おいて、１０は積層セラミックコンデンサであり、積層
セラミックコンデンサ１０は、素体１２と、素体１２の
両端部に形成された一対の外部電極１４，１４とからな
る。
係る積層セラミックコンデンサの説明図である。同図に
おいて、１０は積層セラミックコンデンサであり、積層
セラミックコンデンサ１０は、素体１２と、素体１２の
両端部に形成された一対の外部電極１４，１４とからな
る。
【００１３】素体１２は、誘電体層（セラミック層）１
６と内部電極（内部導体層）１８とを交互に積層し、最
外層に一対の保護層２０，２０を積層して形成されてい
る。１つの誘電体層１６の両側には内部電極１８，１８
が少しずれた状態で対向し、対向する内部電極１８，１
８は別々の外部電極１４，１４に電気的に接続されてい
る。
６と内部電極（内部導体層）１８とを交互に積層し、最
外層に一対の保護層２０，２０を積層して形成されてい
る。１つの誘電体層１６の両側には内部電極１８，１８
が少しずれた状態で対向し、対向する内部電極１８，１
８は別々の外部電極１４，１４に電気的に接続されてい
る。
【００１４】誘電体層１６及び保護層２０は、例えばＢ
ａＴｉＯ３ を主成分とし、ＭｇＯ，ＢａＳｉＯ３ 及び
ＣａＺｒＯ３ を副成分とした誘電体磁器組成物で形成
することができるが、コンデンサとして要求される特性
に従って、他の任意の組成の誘電体磁器組成物で形成す
ることができる。
ａＴｉＯ３ を主成分とし、ＭｇＯ，ＢａＳｉＯ３ 及び
ＣａＺｒＯ３ を副成分とした誘電体磁器組成物で形成
することができるが、コンデンサとして要求される特性
に従って、他の任意の組成の誘電体磁器組成物で形成す
ることができる。
【００１５】内部電極１８は、例えばＮｉ等の卑金属粉
末を主成分とする導電性ペーストの焼結体で形成するこ
とができるが、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属粉末を主成
分とする導電性ペーストの焼結体で形成してもよい。
末を主成分とする導電性ペーストの焼結体で形成するこ
とができるが、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属粉末を主成
分とする導電性ペーストの焼結体で形成してもよい。
【００１６】保護層２０の表面から５０μｍ（破線Ａで
示す深さ）までを形成しているセラミック粒子の平均粒
径Ｒ１ は、誘電体層１６を形成しているセラミック粒
子の平均粒径Ｒ２ より小さい。そして、粒径比Ｒ１ ／
Ｒ２ は０．７〜０．９７の範囲が好ましい。粒径比Ｒ
１ ／Ｒ２ が０．７〜０．９７の範囲では所望の抗折強
度が得られるが、０．７未満か、又は９７％を越えると
所望の抗折強度が得られなくなるからある。
示す深さ）までを形成しているセラミック粒子の平均粒
径Ｒ１ は、誘電体層１６を形成しているセラミック粒
子の平均粒径Ｒ２ より小さい。そして、粒径比Ｒ１ ／
Ｒ２ は０．７〜０．９７の範囲が好ましい。粒径比Ｒ
１ ／Ｒ２ が０．７〜０．９７の範囲では所望の抗折強
度が得られるが、０．７未満か、又は９７％を越えると
所望の抗折強度が得られなくなるからある。
【００１７】なお、上記した発明の実施の形態の欄で
は、積層セラミックコンデンサを例に挙げて説明してい
るが、この発明は積層インダクタ、複合ＬＣチップ、そ
の他の積層セラミック電子部品にも適用可能である。
は、積層セラミックコンデンサを例に挙げて説明してい
るが、この発明は積層インダクタ、複合ＬＣチップ、そ
の他の積層セラミック電子部品にも適用可能である。
【００１８】
【実施例】まず、後述する表１の実施例１の場合につい
て説明する。平均粒径が０．５μｍのＢａＴｉＯ３ 粉
末を用意し、このＢａＴｉＯ３ 粉末（１００ｍｏｌ
％）に対し、ＭｇＯ（１ｍｏｌ％）、ＢａＳｉＯ３
（２ｍｏｌ％）、ＣａＺｒＯ３ （２ｍｏｌ％）を添加
し、ボールミルで１６時間湿式混合し、得られたスラリ
ーを乾燥して原料粉末Ａを得た。
て説明する。平均粒径が０．５μｍのＢａＴｉＯ３ 粉
末を用意し、このＢａＴｉＯ３ 粉末（１００ｍｏｌ
％）に対し、ＭｇＯ（１ｍｏｌ％）、ＢａＳｉＯ３
（２ｍｏｌ％）、ＣａＺｒＯ３ （２ｍｏｌ％）を添加
し、ボールミルで１６時間湿式混合し、得られたスラリ
ーを乾燥して原料粉末Ａを得た。
【００１９】次に、原料粉末Ａに有機バインダー、有機
溶剤、消泡材を添加して混合し、得られたセラミックス
ラリーを用い、ドクターブレード法で厚さ５μｍと２０
μｍのセラミックグリーンシート２２，２４を形成し
た。そして、厚さ５μｍのセラミックグリーンシート２
２にＮｉ粉末を主成分とする導電ペーストを用いて導電
パターン２６を印刷した。
溶剤、消泡材を添加して混合し、得られたセラミックス
ラリーを用い、ドクターブレード法で厚さ５μｍと２０
μｍのセラミックグリーンシート２２，２４を形成し
た。そして、厚さ５μｍのセラミックグリーンシート２
２にＮｉ粉末を主成分とする導電ペーストを用いて導電
パターン２６を印刷した。
【００２０】また、平均粒径が０．４μｍのＢａＴｉＯ
３ 粉末を用意し、原料粉末Ａの場合と同様、このＢａ
ＴｉＯ３ 粉末（１００ｍｏｌ％）に対し、ＭｇＯ（１
ｍｏｌ％）、ＢａＳｉＯ３ （２ｍｏｌ％）、ＣａＺｒ
Ｏ３ （２ｍｏｌ％）を添加し、ボールミルで１６時間
湿式混合し、得られたスラリーを乾燥して原料粉末Ｂを
得た。
３ 粉末を用意し、原料粉末Ａの場合と同様、このＢａ
ＴｉＯ３ 粉末（１００ｍｏｌ％）に対し、ＭｇＯ（１
ｍｏｌ％）、ＢａＳｉＯ３ （２ｍｏｌ％）、ＣａＺｒ
Ｏ３ （２ｍｏｌ％）を添加し、ボールミルで１６時間
湿式混合し、得られたスラリーを乾燥して原料粉末Ｂを
得た。
【００２１】次に、原料粉末Ｂに有機バインダー、有機
溶剤、消泡材を添加して混合し、得られたセラミックス
ラリーを用い、ドクターブレード法で厚さ２０μｍのセ
ラミックグリーンシート２８を形成した。
溶剤、消泡材を添加して混合し、得られたセラミックス
ラリーを用い、ドクターブレード法で厚さ２０μｍのセ
ラミックグリーンシート２８を形成した。
【００２２】次に、図２に示すように、導電パターン２
６を印刷した厚さ５μｍのセラミックグリーンシート２
２を１１層積層し、その両外側に、導電パターンを印刷
してない厚さ２０μｍのセラミックグリーンシート２４
を各々４層積層し、更にその外側に導電パターンを印刷
してない厚さ２０μｍのセラミックグリーンシート２８
を各々４層積層し、全体に圧力を加えて圧着した。
６を印刷した厚さ５μｍのセラミックグリーンシート２
２を１１層積層し、その両外側に、導電パターンを印刷
してない厚さ２０μｍのセラミックグリーンシート２４
を各々４層積層し、更にその外側に導電パターンを印刷
してない厚さ２０μｍのセラミックグリーンシート２８
を各々４層積層し、全体に圧力を加えて圧着した。
【００２３】次に、この積層体を導電パターン毎に格子
状に裁断して、チップ状の積層体を得た。そして、この
チップ状の積層体の両端部にＮｉ粉末を主成分とする導
電ペーストを塗布し、１２８０℃の還元雰囲気中で焼成
し、積層セラミックコンデンサを得た。
状に裁断して、チップ状の積層体を得た。そして、この
チップ状の積層体の両端部にＮｉ粉末を主成分とする導
電ペーストを塗布し、１２８０℃の還元雰囲気中で焼成
し、積層セラミックコンデンサを得た。
【００２４】次に、この積層セラミックコンデンサを研
削し、研削面を鏡面研磨し、還元雰囲気中で熱エッチン
グし、ＳＥＭ観察により、内部電極間の誘電体層を形成
しているセラミック粒子の平均粒径と、保護層を形成し
ているセラミック粒子の平均粒径を求めた。結果は表１
に示す通りであった。
削し、研削面を鏡面研磨し、還元雰囲気中で熱エッチン
グし、ＳＥＭ観察により、内部電極間の誘電体層を形成
しているセラミック粒子の平均粒径と、保護層を形成し
ているセラミック粒子の平均粒径を求めた。結果は表１
に示す通りであった。
【００２５】また、この積層セラミックコンデンサの抗
折強度を３点曲げ法にて測定した。結果は表１に示す通
りであった。
折強度を３点曲げ法にて測定した。結果は表１に示す通
りであった。
【００２６】実施例２〜６及び比較例１〜４の場合も、
原料のＢａＴｉＯ３ 粉末の平均粒径とセラミックグリ
ーンシートの積層枚数を調整して、誘電体層を形成して
いるセラミック粒子の平均グレインサイズと保護層を形
成しているセラミック粒子の平均グレインサイズを変え
て試料を作成し、実施例１と同様にして各試料の抗折強
度を測定したところ、表１に示す通りであった。
原料のＢａＴｉＯ３ 粉末の平均粒径とセラミックグリ
ーンシートの積層枚数を調整して、誘電体層を形成して
いるセラミック粒子の平均グレインサイズと保護層を形
成しているセラミック粒子の平均グレインサイズを変え
て試料を作成し、実施例１と同様にして各試料の抗折強
度を測定したところ、表１に示す通りであった。
【００２７】
【表１】
【００２８】実施例１〜４のように、保護層の表面から
５０μｍまでのグレイン径比が０．７〜０．９７の範囲
内にあると、抗折強度が１７１〜１８８ＭＰａと、比較
例１の１０％増し以上になる。これに対し、比較例３の
ようにグレイン径比が０．６９２になると抗折強度が１
６７ＭＰａと、比較例１の１０％増しにならず、比較例
１のようにグレイン径比が１．００になると抗折強度が
１５５ＭＰａと不充分になる。
５０μｍまでのグレイン径比が０．７〜０．９７の範囲
内にあると、抗折強度が１７１〜１８８ＭＰａと、比較
例１の１０％増し以上になる。これに対し、比較例３の
ようにグレイン径比が０．６９２になると抗折強度が１
６７ＭＰａと、比較例１の１０％増しにならず、比較例
１のようにグレイン径比が１．００になると抗折強度が
１５５ＭＰａと不充分になる。
【００２９】以上の結果から、抗折強度を比較例１の１
０％増し以上に向上させるためには、保護層の表面から
５０μｍまでを形成する粒子の平均粒径を、誘電体層を
形成する粒子の平均粒径の７０〜９７％とする必要があ
ることがわかる。
０％増し以上に向上させるためには、保護層の表面から
５０μｍまでを形成する粒子の平均粒径を、誘電体層を
形成する粒子の平均粒径の７０〜９７％とする必要があ
ることがわかる。
【００３０】また、比較例４では、外表面３０μｍまで
のグレイン径比が０．９１８、外表面５０μｍまでのグ
レイン径比が０．９９２であり、外表面３０μｍまでの
グレイン径比は０．７〜０．９７の範囲に入っている
が、抗折強度は１５９と、比較例１の１０％増しの抗折
強度は得られていない。従って、５０μｍ以上の外表面
領域でグレイン径比が０．７〜０．９７の範囲に入るこ
とが必要である。
のグレイン径比が０．９１８、外表面５０μｍまでのグ
レイン径比が０．９９２であり、外表面３０μｍまでの
グレイン径比は０．７〜０．９７の範囲に入っている
が、抗折強度は１５９と、比較例１の１０％増しの抗折
強度は得られていない。従って、５０μｍ以上の外表面
領域でグレイン径比が０．７〜０．９７の範囲に入るこ
とが必要である。
【００３１】次に、上記実施例１〜６及び比較例１〜４
で得られた積層セラミックコンデンサ（チップ形状；３
２１６ｔｙｐｅ）１００個を基板に半田付けし、撓み試
験（基板曲げ寸法；１ｍｍ）を１０回行った後、耐湿負
荷試験を行った。
で得られた積層セラミックコンデンサ（チップ形状；３
２１６ｔｙｐｅ）１００個を基板に半田付けし、撓み試
験（基板曲げ寸法；１ｍｍ）を１０回行った後、耐湿負
荷試験を行った。
【００３２】耐湿負荷試験は８５℃／２５Ｖ、９５％Ｒ
Ｈ（相対湿度）の条件で行なった。試験は基本的にＪＩ
Ｓ規格に則って行った。サンプルの積層セラミックコン
デンサにＤＣ５０Ｖを１分間印加した後の絶縁抵抗値
（ＩＲ値）が１０ＭΩ未満のものを不良とした。サンプ
ル１００個中の不良の数は表２に示す通りであった。
Ｈ（相対湿度）の条件で行なった。試験は基本的にＪＩ
Ｓ規格に則って行った。サンプルの積層セラミックコン
デンサにＤＣ５０Ｖを１分間印加した後の絶縁抵抗値
（ＩＲ値）が１０ＭΩ未満のものを不良とした。サンプ
ル１００個中の不良の数は表２に示す通りであった。
【００３３】
【表２】
【００３４】実施例１〜６に示すように、抗折強度が改
善されたものは、耐湿負荷試験における劣化数が少ない
ことが判る。これに対し、比較例１〜４は、５００ｈｒ
の耐湿負荷試験で５％以上不良が発生している。
善されたものは、耐湿負荷試験における劣化数が少ない
ことが判る。これに対し、比較例１〜４は、５００ｈｒ
の耐湿負荷試験で５％以上不良が発生している。
【００３５】
【発明の効果】この発明は、保護層の表面から所定の深
さまでを形成するセラミック粒子を、セラミック層を形
成するセラミック粒子より小さくしたしたので、素体に
局部的に応力が作用した場合、最初に微細な破壊が生ず
ることとなる保護層に破壊が生じ難くなり、その結果、
積層セラミック電子部品の抗折強度が向上し、マイクロ
クラックや破壊が生じ難くなるという効果がある。
さまでを形成するセラミック粒子を、セラミック層を形
成するセラミック粒子より小さくしたしたので、素体に
局部的に応力が作用した場合、最初に微細な破壊が生ず
ることとなる保護層に破壊が生じ難くなり、その結果、
積層セラミック電子部品の抗折強度が向上し、マイクロ
クラックや破壊が生じ難くなるという効果がある。
【００３６】特に、請求項２記載の発明は、保護層の表
面から少なくとも５０μｍまでを形成するセラミック粒
子の平均粒径Ｒ１ の、セラミック層を形成するセラミ
ック粒子の平均粒径Ｒ２ に対する比率（Ｒ１ ／Ｒ
２ ）を０．７〜０．９７の範囲にしたので、積層セラ
ミック電子部品の抗折強度が１０％以上、向上するとい
う効果がある。
面から少なくとも５０μｍまでを形成するセラミック粒
子の平均粒径Ｒ１ の、セラミック層を形成するセラミ
ック粒子の平均粒径Ｒ２ に対する比率（Ｒ１ ／Ｒ
２ ）を０．７〜０．９７の範囲にしたので、積層セラ
ミック電子部品の抗折強度が１０％以上、向上するとい
う効果がある。
【００３７】また、この発明は、保護層の表面から所定
の深さまでを形成するセラミック粒子を、セラミック層
を形成するセラミック粒子より小さくしたしたので、素
体に局部的に応力が作用した場合、最初に微細な破壊が
生ずることとなる保護層に破壊が生じ難くなり、その結
果、積層セラミックコンデンサの耐湿性が向上するとい
う効果がある。
の深さまでを形成するセラミック粒子を、セラミック層
を形成するセラミック粒子より小さくしたしたので、素
体に局部的に応力が作用した場合、最初に微細な破壊が
生ずることとなる保護層に破壊が生じ難くなり、その結
果、積層セラミックコンデンサの耐湿性が向上するとい
う効果がある。
【図１】この発明の一実施の形態に係る積層セラミック
コンデンサの説明図である。
コンデンサの説明図である。
【図２】この発明の一実施例に係る積層セラミックコン
デンサの製造方法を説明するための説明図である。
デンサの製造方法を説明するための説明図である。
１０ 積層セラミックコンデンサ １２ 素体 １４ 外部電極 １６ 誘電体層 １８ 内部電極 ２０ 保護層 ２２，２４，２８ セラミックグリーンシート ２６ 導電パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック層と内部導体層とを複数層積
層し、一対の保護層を最外層に積層形成してなる素体
と、該素体の両端部に形成された一対の外部電極とを備
えた積層セラミック電子部品において、 前記保護層の表面から所定の深さまでを形成するセラミ
ック粒子を、前記セラミック層を形成するセラミック粒
子より小さくしたことを特徴とする積層セラミック電子
部品。 - 【請求項２】 前記保護層の表面から少なくとも５０μ
ｍまでを形成するセラミック粒子の平均粒径Ｒ１ の、
前記セラミック層を形成するセラミック粒子の平均粒径
Ｒ２ に対する割合（Ｒ１ ／Ｒ２ ）が０．７〜０．９
７の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の積層
セラミック電子部品。 - 【請求項３】 前記セラミック層が誘電体磁器組成物か
らなり、前記内部導体層が該セラミック層を介して対向
し、対向する該内部導体層が別々の外部電極に接続され
ていることを特徴とする請求項１又は２に記載の積層セ
ラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16122098A JPH11354370A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 積層セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16122098A JPH11354370A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 積層セラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354370A true JPH11354370A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15730913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16122098A Withdrawn JPH11354370A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 積層セラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354370A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1998
- 1998-06-10 JP JP16122098A patent/JPH11354370A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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