KR100602004B1 - 적층 세라믹 콘덴서 - Google Patents

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Abstract

내부 전극층(3)과, 2㎛ 미만의 두께를 갖는 층간 유전체층(2)과, 외측 유전체층(20)을 갖는 적층 세라믹 콘덴서(1)에 있어서, 상기 층간 유전체층(2) 및 외측 유전체층(20)은, 복수의 유전체 입자(2a, 20a)를 포함하고, 상기 층간 유전체층(2)에 포함되는 유전체 입자(2a)의 평균 입경을 D50a로 하고, 상기 외측 유전체층(20)에 포함되고, 최외측에 배치된 내부 전극층(3a)으로부터 두께 방향으로 5㎛ 이상 떨어진 위치에 존재하는 유전체 입자(20a)의 평균 입경을 D50b로 하였을 때의 이 D50a와 D50b와의 비(D50a/D50b)을 y1로 하고, 상기 층간 유전체층(2)의 두께를 x로 하였을 때에, 상기 y1과 x가, y1≤-0.75x+2.275, 또한 y1≥-0.75x+1.675의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서(1)에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 층간 유전체층(2)을 박층화한 경우에도, 각종 전기 특성, 특히 충분한 유전율을 가지면서도 TC 바이어스 특성의 향상을 기대할 수 있는 적층 세라믹 콘덴서(1)를 제공할 수 있다.

Description

적층 세라믹 콘덴서{LAMINATED SERAMIC CONDENSER}
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서의 개략 단면도,
도 2는 도 1에 도시하는 층간 유전체층(2)의 주요부 확대 단면도,
도 3은 도 1에 도시하는 외측 유전체층(20)의 주요부 확대 단면도,
도 4는 실시예에서의 탈바인더 처리, 소성 및 어닐링의 각 온도 변화를 도시하는 그래프,
도 5는 층간 유전체층(2)의 두께를 나타내는 x와, 층간 유전체층(2)에 포함되는 유전체 입자(2a)의 평균 입경(D50a)과, 외측 유전체층(20)에 포함되고, 최외측에 배치된 내부 전극층(3a)으로부터 두께 방향으로 5㎛ 떨어진 위치에 존재하는 유전체 입자(20a)의 평균 입경(D50b)과의 비(D50a/D50b)를 나타내는 y1의 관계를 나타내는 그래프,
도 6은 층간 유전체층(2)의 두께를 나타내는 x와, 상기 층간 유전체층(2)에 포함되는 유전체 입자(2a)의 평균 입경을 D50a로 하였을 때의, 이 D50a의 2.25배 이상의 평균 입경을 갖는 유전체 입자(거친 입자)가 상기 유전체 입자(2a) 중에 존재하는 비율을 나타내는 y2의 관계를 나타내는 그래프,
도 7은 층간 유전체층(2)의 두께를 나타내는 x와, 층간 유전체층(2)에 포함되는 유전체 입자(2a)의 평균 입경(D50a)과 층간 유전체층(2)을 형성하기 위해서 이용한 BaTiO3 원료의 평균 입경(D50c)의 비(D50a/D50c)를 나타내는 y3의 관계를 나타내는 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 적층 세라믹 콘덴서 10 : 콘덴서 소자 본체
2 : 층간 유전체층 2a : 유전체 입자
2c : 입계상 20 : 외측 유전체층
20a : 유전체 입자 3, 3a : 내부 전극층
4 : 외부 전극
본 발명은, 적층 세라믹 콘덴서에 관한 것이다.
최근, 적층 세라믹 콘덴서를 소형·대용량화, 저가격화, 고신뢰성화하기 위해서, 대향하는 내부 전극층 사이에 배치되는 층간 유전체층의 박층화가 진행되어 오고 있다. 구체적으로는, 층간 유전체층의 1층당의 소성된 두께가 1㎛ 전후에까지 박층화되어 오고 있다. 1층당의 층간 유전체층의 두께가 얇아지면 질수록, 콘덴서 소자 본체(칩 소결체) 중에 차지하는 내부 전극층의 체적 비율은 커진다.
또, 종래로부터, 내부 전극층을 형성하기 위한 내부 전극층용 페이스트에는, 소성에 의한 끊어짐의 억제나 Ni 등의 비(卑)금속 도전재의 소결 억제의 목적으로, 첨가용의 유전체 원료를 첨가하는 것이 행해지고 있다(특허문헌 1, 일본국 특개평 5-62855호 공보, 특허문헌 2, 일본국 특개 2000-277369호 공보, 특허문헌 3, 일본국 특개 2001-307939호 공보, 특허문헌 4, 일본국 특개 2003-77761호 공보, 특허문헌 5, 일본국 특개 2003-100544호 공보 참조). 내부 전극층용 페이스트에 첨가된 첨가용 유전체 원료는, 소성전 콘덴서 소자 본체의 소성 중에, 층간 유전체층으로 확산되어 간다. 따라서, 내부 전극층용 페이스트에 첨가되는 첨가용 유전체 원료가 많아지면 질수록, 소성 중에, 층간 유전체층으로 확산되어 가는 비율이 높아진다.
즉, 최근의 층간 유전체층의 박층화나 다층화에 따라서, 소성전 콘덴서 소자 본체 중에 차지하는 내부 전극층용 페이스트 패턴의 체적 비율이 커지고 있고, 층간 유전체층의 박층화를 따르지 않는 경우와 비교하여, 소성 중에, 층간 유전체층으로 확산되어 가는 첨가용 유전체 원료의 비율이 높아지게 되어 오고 있다.
그 결과, 층간 유전체층을 구성하는 유전체 입자의 입자 성장을 재촉하여, 층간 유전체층의 미세 구조에 영향을 미치고 있었다. 이 미세 구조의 영향에 따라서, 얻어지는 적층 세라믹 콘덴서의 각종 전기 특성(tanδ, 바이어스 특성, 온도 특성, 신뢰성)이 악화하는 경우가 있었다.
또한, 특허문헌 6, 일본국 특개 2003-133164호 공보에서는, 외부 전극 근방의 유전체 입자의 평균 입경이, 실효 영역의 유전체 입자의 평균 입경과 동일하거나, 또는 작은 것을 특징으로 한 적층 세라믹 콘덴서가 개시되어 있다. 그러나, 이 특허문헌 6에 기재된 기술은, 외부 전극의 소결시에 있어서의 크랙 방지를 목적 으로 하고 있는 것이다.
본 발명의 목적은, 층간 유전체층을 박층화한 경우에도, 각종 전기 특성, 특히 충분한 유전율을 가지면서도 TC 바이어스 특성의 향상을 기대할 수 있는 적층 세라믹 콘덴서를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 제1 관점에 의하면, 내부 전극층과, 2㎛ 미만의 두께를 갖는 층간 유전체층과, 외측 유전체층을 갖는 적층 세라믹 콘덴서에 있어서,
상기 층간 유전체층 및 외측 유전체층은, 복수의 유전체 입자를 포함하고,
상기 층간 유전체층에 포함되는 유전체 입자의 평균 입경을 D50a로 하고, 상기 외측 유전체층에 포함되고, 최외측에 배치된 내부 전극층으로부터 두께 방향으로 5㎛ 이상 떨어진 위치에 존재하는 유전체 입자의 평균 입경을 D50b로 하였을 때의 이 D50a와 D50b과의 비(D50a/D50b)를 y1로 하고,
상기 층간 유전체층의 두께를 x로 하였을 때에,
상기 y1과 x가,
y1≤-0.75x+2.275, 또한 y1≥-0.75x+1.675의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서가 제공된다.
제2 관점에 의하면,
내부 전극층과, 2㎛ 미만의 두께를 갖는 층간 유전체층과, 외측 유전체층을 갖는 적층 세라믹 콘덴서에 있어서,
상기 층간 유전체층은, 복수의 유전체 입자를 포함하고,
상기 층간 유전체층에 포함되는 유전체 입자의 평균 입경을 D50a로 하였을 때의 이 D50a의 2.25배 이상의 평균 입경을 갖는 유전체 입자(거친 입자)가 상기 유전체 입자 중에 존재하는 비율을 y2로 하고,
상기 층간 유전체층의 두께를 x로 하였을 때에,
상기 y2와 x가,
y2≤-25x+37.5, 또한 y2≥-2.75x+4.125의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서가 제공된다.
제3 관점에 의하면, 상기 제1 관점과, 제2 관점을 합한 케이스가 제공된다.
즉, 내부 전극층과, 2㎛ 미만의 두께를 갖는 층간 유전체층과, 외측 유전체층을 갖는 적층 세라믹 콘덴서에 있어서,
상기 층간 유전체층 및 외측 유전체층은, 복수의 유전체 입자를 포함하고,
상기 층간 유전체층에 포함되는 유전체 입자의 평균 입경을 D50a로 하고, 상기 외측 유전체층에 포함되고, 최외측에 배치된 내부 전극층으로부터 두께 방향으로 5㎛ 이상 떨어진 위치에 존재하는 유전체 입자의 평균 입경을 D50b로 하였을 때의 이 D50a와 D50b의 비(D50a/D50b)를 y1로 하고,
상기 D50a의 2.25배 이상의 평균 입경을 갖는 유전체 입자(거친 입자)가 상기 층간 유전체층에 포함되는 유전체 입자 중에 존재하는 비율을 y2로 하고,
상기 층간 유전체층의 두께를 x로 하였을 때에,
상기 y1과 x가,
y1≤-0.75x+2.275, 또한 y1≥-0.75x+1.675의 관계를 만족하고, 또한
상기 y2와 x가,
y2≤-25x+37.5, 또한 y2≥-2.75x+4.125의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서가 제공된다.
제4 관점에 의하면,
내부 전극층과, 2㎛ 미만의 두께를 갖는 층간 유전체층과, 외측 유전체층을 갖는 적층 세라믹 콘덴서에 있어서,
상기 층간 유전체층 및 외측 유전체층은, 복수의 유전체 입자를 포함하고,
상기 층간 유전체층에 포함되는 유전체 입자의 평균 입경을 D50a로 하고, 상기 층간 유전체층을 형성하기 위해서 이용하는 주성분 원료의 평균 입경을 D50c로 하였을 때의 이 D50a와 D50c와의 비(D50a/D50c)를 y3으로 하고,
상기 층간 유전체층의 두께를 x로 하였을 때에,
상기 y3과 x가,
y3≤-0.95x+2.865, 또한 y3≥-0.95x+2.115의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서가 제공된다.
본 발명에 따른 적층 세라믹 콘덴서는, 예를 들면 다음에 나타내는 방법에 의해 제조할 수 있다. 단, 본 발명의 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법은, 하기 방법에 한정되는 것이 아니다.
그 방법은,
주성분 원료와 부성분 원료를 포함하는 유전체 원료를 포함하는 유전체층용 페이스트와, 첨가용 유전체 원료를 포함하는 내부 전극층용 페이스트를 이용하여 형성된 적층체를 소성하는 공정을 갖고,
상기 첨가용 유전체 원료는, 적어도 첨가용 주성분 원료를 포함하고,
이 첨가용 주성분 원료는, 상기 유전체층용 페이스트 중의 유전체 원료에 포함되는 주성분 원료와 실질적으로 동일 조성계이고, 또한 4.000을 넘고 4.057 미만의 격자 정수를 갖는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법이다.
다른 방법은, 주성분 원료와 부성분 원료를 포함하는 유전체 원료를 포함하는 유전체층용 페이스트와, 첨가용 유전체 원료를 포함하는 내부 전극층용 페이스트를 이용하여 형성된 적층체를 소성하는 공정을 갖고,
상기 첨가용 유전체 원료는, 적어도 첨가용 주성분 원료를 포함하고,
이 첨가용 주성분 원료는, 상기 유전체층용 페이스트 중의 유전체 원료에 포함되는 주성분 원료와 실질적으로 동일 조성계이고, 또한 25∼250의 OH기 방출량을 갖는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법이다.
이들의 방법에서 말하는「실질적으로 동일 조성계」란, 각 원소의 종류와, 이 각 원소끼리의 조성 몰비가, 완전히 일치하는 경우 외에, 각 원소의 종류는 동일하지만 조성 몰비가 다소 상이한 경우도 포함하는 취지이다. 전자의 케이스로서는, 예를 들면, 유전체층용 페이스트 중의 유전체 원료에 포함되는 주성분 원료가 (BaO)mTiO2(단, m=1)인 경우에, 내부 전극층용 페이스트 중의 첨가용 유전체 원료에 포함되는 첨가용 주성분 원료가 (BaO)m'TiO2(단, m'=1)인 경우이다. 후자의 케이스 로서는, 예를 들면, 주성분 원료가 (BaO)mTiO2(단, m=1)인 경우에, 첨가용 주성분 원료가 (BaO)m'TiO2(단, m'=0.990∼1.050 정도)인 경우이다.
즉, 내부 전극층용 페이스트 중의 첨가용 유전체 원료에 포함되는 첨가용 주성분 원료의 격자 정수나 OH기 방출량을 조정함으로써, 소성후의 유전체층을 구성하는 유전체 입자의 존재 상태를 제어하는 것이다.
이 방법에서는, 첨가용 유전체 원료는,「적어도 첨가용 주성 분원료」를 포함하는 것이면 되고, 첨가용 부성분 원료를 더 포함하는 경우도 있다.
이 방법에서는, 적어도, 첨가용 유전체 원료에 포함되는 첨가용 주성분 원료와, 유전체층용 페이스트 중의 유전체 원료에 포함되는 주성분 원료가, 실질적으로 동일 조성계이면 된다. 따라서, 첨가용 유전체 원료가, 첨가용 주성분 원료 외에 첨가용 부성분 원료를 포함하는 경우에는, (1) 첨가용 유전체 원료의 일부인 첨가용 주성분 원료만이, 유전체층용 페이스트 중의 유전체 원료에 포함되는 주성분 원료와 실질적으로 동일 조성계이어도 된다. 바꿔 말하면, 첨가용 유전체 원료의 잔류부인 첨가용 부성분 원료의 조성이, 유전체층용 페이스트 중의 유전체 원료에 포함되는 부성분 원료의 조성과 상이해도 된다. (2) 첨가용 유전체 원료의 전부(당연히 첨가용 주성분 원료를 포함하고 있다)가, 유전체층용 페이스트 중의 유전체 원료의 전부(당연히 주성분 원료를 포함하고 있다)와 실질적으로 동일 조성계이어도 된다.
또한, 본 발명에서, 간단히, "유전체층"으로 표현한 경우의 해당 유전체층 은, 층간 유전체층 및 외측 유전체층의 한쪽 또는 양쪽을 의미하는 것으로 한다.
또, 본 명세서에서, 평균 입경(D50a, D50b, D50c)과, 두께(x) 모두, 단위는「㎛」인 것으로 하고, 존재 비율(y2)의 단위는「%」인 것으로 한다.
본 발명자들은, 소성시의 유전체 입자의 입자 성장을 억제하여, 콘덴서 내부의 미세 구조를 제어함으로써, 얻어지는 적층 세라믹 콘덴서의 각종 전기 특성, 특히 충분한 유전율을 가지면서도 TC 바이어스 특성을 향상시킬 수 있는 것을 발견하였다.
구체적으로는, 층간 유전체층의 두께(x)를 2㎛ 미만으로 박층화한 경우에, 다음에 나타내는 (1), (2) 및 (3) 중 적어도 어느 하나의 관계를 만족하도록, 콘덴서의 내부 구조를 조정함으로써, 각종 전기 특성을 향상시킬 수 있는 것을 발견하였다.
(1) y1≤-0.75x+2.275, 또한 y1≥-0.75x+1.675.
(2) y2≤-25x+37.5, 또한 y2≥-2.75x+4.125.
(3) y3≤-0.95x+2.865, 또한 y3≥-0.95x+2.115.
또, 층간 유전체층이 보다 한층 박층화(예를 들면 약 1.3㎛에서 약 1.1㎛로 박층화)되었을 때에, 상기 (1), (2) 및 (3) 중 적어도 어느 하나의 관계를 만족시킴으로써, 상기 TC 바이어스 특성 외에, 온도 특성의 향상을 도모할 수 있는 것도 발견하였다. 바람직한 범위 중에서도, (1), (2) 모두 하한값에 근접할수록 TC 바이어스 특성은 향상한다. 보다 바람직하게는 (1), (2)를 동시에 만족하고, 더욱 바람직하게는, 동일 (1)의 값에서 (2)가 작을수록 요컨대 거친 분말이 적을수록 TC 바이어스 특성은 향상한다.
즉, 본 발명에 의하면, 층간 유전체층을 박층화한 경우에도, 각종 전기 특성, 특히 충분한 유전율을 가지면서도 TC 바이어스 특성의 향상을 기대할 수 있는 적층 세라믹 콘덴서를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을, 도면에 도시하는 실시 형태에 기초하여 설명한다.
본 실시 형태에서는, 내부 전극층과 층간 유전체층과 외측 유전체층을 갖는 적층 세라믹 콘덴서로서, 내부 전극층과 층간 유전체층이 교대로 복수 적층되어 있고, 이들 내부 전극층 및 층간 유전체층의 적층 방향의 양 외측 단부에 외측 유전체층이 배치된 적층 세라믹 콘덴서를 예시하여 설명한다.
적층 세라믹 콘덴서
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서(1)는, 층간 유전체층(2)과 내부 전극층(3)이 교대로 적층된 구성의 콘덴서 소자 본체(10)를 갖는다. 이 콘덴서 소자 본체(10)의 양측 단부에는, 소자 본체(10)의 내부에서 교대로 배치된 내부 전극층(3)과 각각 도통하는 한 쌍의 외부 전극(4)이 형성되어 있다. 내부 전극층(3)은, 각 측단면이 콘덴서 소자 본체(10)의 대향하는 2단부의 표면에 교대로 노출되도록 적층되어 있다. 한 쌍의 외부 전극(4)은, 콘덴서 소자 본체(10)의 양단부에 형성되고, 교대로 배치된 내부 전극층(3)의 노출 단면에 접속되어, 콘덴서 회로를 구성한다.
콘덴서 소자 본체(10)의 형상에 특별히 제한은 없지만, 통상, 직육면체 형상이 된다. 또, 그 치수에도 특별히 제한은 없고, 용도에 따라서 적당한 치수로 하 면 되지만, 통상, 세로(0.4∼5.6㎜)×가로(0.2∼5.0㎜)×높이(0.2∼1.9㎜) 정도이다.
콘덴서 소자 본체(10)에서, 내부 전극층(3) 및 층간 유전체층(2)의 적층 방향의 양 외측 단부에는, 외측 유전체층(20)이 배치되어 있어, 소자 본체(10)의 내부를 보호하고 있다. 또한, 도면 중의「3a」는, 최외측에 배치된 내부 전극층을 나타낸다.
층간 유전체층 및 외측 유전체층
층간 유전체층(2) 및 외측 유전체층(20)의 조성은, 본 발명에서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 이하의 유전체 자기 조성물로 구성된다.
본 실시 형태의 유전체 자기 조성물은, 예를 들면 티탄산 바륨을 주성분으로서 갖는 유전체 자기 조성물이다.
유전체 자기 조성물 중에 주성분과 함께 포함되는 부성분으로서는, Mn, Cr, Si, Ca, Ba, Mg, V, W, Ta, Nb, R(R은 Y, 희토류의 1종 이상) 및 Si의 산화물 및 소성에 의해 산화물이 되는 화합물을 1종류 이상 함유하는 것이 예시된다. 부성분을 첨가함으로써, 환원 분위기 소성에서도 콘덴서로서의 특성을 얻을 수 있다. 또한, 불순물로서, C, F, Li, Na, K, P, S, Cl 등의 미량 성분이 0.1 중량% 이하 정도 함유되어도 된다. 단, 본 발명에서는, 층간 유전체층(2) 및 외측 유전체층(20)의 조성은, 상기에 한정되는 것이 아니다.
본 실시 형태에서는, 층간 유전체층(2) 및 외측 유전체층(20)으로서, 이하의 조성의 것을 이용하는 것이 바람직하다. 그 조성은, 주성분으로서 티탄산 바륨을 함유하고, 부성분으로서 산화 마그네슘과 산화 이트륨을 함유하고, 또한 다른 부성분으로서 산화 바륨 및 산화 칼슘으로부터 선택되는 적어도 1종과, 산화 규소, 산화 망간, 산화 바나듐 및 산화 몰리브덴으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것이다. 그리고, 티탄산 바륨을 BaTiO3로, 산화 마그네슘을 MgO로, 산화 이트륨을 Y2O3로, 산화 바륨을 BaO로, 산화 칼슘을 CaO로, 산화 규소를 SiO2로, 산화 망간을 MnO로, 산화 바나듐을 V2O5로, 산화 몰리브덴을 MoO3로 각각 환산하였을 때, BaTiO3 100몰에 대한 비율이 MgO : 0.1∼3몰, Y2O3 : 0몰 초과 5몰 이하, BaO+CaO : 0.5∼12몰, SiO2 : 0.5∼12몰, MnO : 0몰 초과 0.5몰 이하, V2O5 : 0∼0.3몰, MoO3 : 0∼0.3몰, V2O5+MoO3 : 0몰 초과이다.
층간 유전체층(2)의 적층수나 두께 등의 여러 가지 조건은, 목적이나 용도에 따라서 적당히 결정하면 되지만, 본 실시 형태에서는, 층간 유전체층(2)의 두께(x)는, 바람직하게는 2㎛ 미만, 보다 바람직하게는 1.5㎛ 이하로 박층화되어 있다. 외측 유전체층(20)의 두께는, 예를 들면 50㎛∼수백 ㎛ 정도이다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 층간 유전체층(2)은 유전체 입자(2a)와 입계상(2c)을 갖는다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 외측 유전체층(20)은 유전체 입자(20a)와 입계상(20c)을 갖는다.
여기에서, 층간 유전체층(2)에 포함되는 유전체 입자(2a)의 평균 입경을 D50a로 하고, 외측 유전체층(20)에 포함되고, 최외측에 배치된 내부 전극층(3a)으 로부터 두께 방향(도면에서는 상하 방향)으로 5㎛ 이상 떨어진 위치에 존재하는 유전체 입자(20a)의 평균 입경을 D50b로 하고, 층간 유전체층(2)을 형성하기 위해서 이용하는 주성분 원료의 평균 입경을 D50c로 한다. 그리고, D50a와 D50b와의 비(D50a/D50b)를 y1로 하고, D50a와 D50c와의 비(D50a/D50c)를 y3으로 하고, 상기 D50a의 2.25배 이상의 평균 입경을 갖는 유전체 입자(거친 입자)가 상기 층간 유전체층(2)에 포함되는 유전체 입자(2a) 중에 존재하는 비율을 y2로 한다. 또, 층간 유전체층(2)의 두께를 x로 한다.
이 때, 제1 관점에서는, y1과 x가, y1≤-0.75x+2.275, 또한 y1≥-0.75x+1.675의 관계를 만족한다. 예를 들면, 층간 유전체층(2)의 두께(x)가 1.3㎛일 때에, y1이 0.7∼1.3, 바람직하게는 0.7∼1.2가 되도록 한다. 또, x가 1.1㎛일 때에, y1이 0.85∼1.45, 바람직하게는 0.85∼1.3이 되도록 한다.
제2 관점에서는, y2와 x가, y2≤-25x+37.5, 또한 y2≥-2.75x+4.125의 관계를 만족한다. 예를 들면, 층간 유전체층(2)의 두께(x)가 1.3㎛일 때에, y2가 0.55∼5, 바람직하게는 0.55∼3.5가 되도록 한다. 또, x가 1.1일 때에, y2가 1.1∼10, 바람직하게는 1.1∼8.5가 되도록 한다.
제3 관점에서는, 상기 제1 관점과, 제2 관점을 합한 케이스이다.
제4 관점에서는, y3과 x가, y3≤-0.95x+2.865, 또한 y3≥-0.95x+2.115의 관계를 만족한다. 예를 들면, 층간 유전체층(2)의 두께(x)가 1.3㎛일 때에, y3이 0.88∼1.63, 바람직하게는 0.88∼1.5가 되도록 한다. 또, x가 1.1㎛일 때에, y3이 1.07∼1.82, 바람직하게는 1.07∼1.70이 되도록 한다.
y1>-0.75x+2.275나 y1<-0.75x+1.675, y2>-25x+37.5나 y2<-2.75x+4.125, y3>-0.95x+2.865나 y3<-0.95x+2.115이면, 소성후에 유전체 입자(2a, 20a)의 입자 성장을 억제할 수 없고, 그 결과, 각종 전기 특성, 특히 TC 바이어스 특성의 향상을 도모할 수 없는 것이 본 발명자들에 의해 발견되었다.
D50a는, 바람직하게는 0.05∼0.5㎛, 보다 바람직하게는 0.05∼0.4㎛이다. D50a가 너무 크면 박층화가 곤란해져, TC 바이어스 등의 전기 특성이 저하하며, 너무 작으면 유전율의 감소가 발생한다.
D50b는, 상기 D50a와 동일한 것이 바람직하다.
D50a 및 D50b는, 이하와 같이 정의된다.
「D50a」란, 콘덴서 소자 본체(10)를 유전체층(2, 20) 및 내부 전극층(3)의 적층 방향으로 절단하여, 도 2에 도시하는 단면에서 유전체 입자(2a)의 200개 이상의 평균 면적을 측정하고, 원 상당의 직경으로서 직경을 산출하여 1.5배한 값이다.
「D50b」란, 도 2에 도시하는 단면에서 유전체 입자(20a)의 200개 이상의 평균 면적을 측정하고, 원 상당의 직경으로서 직경을 산출하여 1.5배한 값이다.
여기에서의 D50a는, 내부 전극층(3) 사이에 끼워진 층간 유전체층(2)(정전 용량에 기여하는 부분)에서의 유전체 입자(2a)의 평균 입경을 의미한다.
D50b는, 내부 전극층(3) 사이에 끼워져 있지 않은 외측 유전체층(20)(정전 용량에 기여하지 않은 부분)에서의 유전체 입자(20a)의 평균 입경을 의미한다.
입계상(2c)은, 통상, 유전체 재료 혹은 내부 전극 재료를 구성하는 재질의 산화물이나, 별도 첨가된 재질의 산화물, 또한 공정 중에 불순물로서 혼입하는 재 질의 산화물을 성분으로 하고 있다.
내부 전극층
도 1에 도시하는 내부 전극층(3)은, 실질적으로 전극으로서 작용하는 비(卑)금속의 도전재로 구성된다. 도전재로서 이용하는 비금속으로서는, Ni 또는 Ni 합금이 바람직하다. Ni 합금으로서는, Mn, Cr, Co, Al, Ru, Rh, Ta, Re, Os, Ir, Pt 및 W 등으로부터 선택되는 1종 이상과 Ni와의 합금이 바람직하고, 합금 중의 Ni 함유량은 95중량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, Ni 또는 Ni 합금 중에는, P, C, Nb, Fe, Cl, B, Li, Na, K, F, S 등의 각종 미량 성분이 0.1중량% 이하 정도 포함되어 있어도 된다.
본 실시 형태에서는, 내부 전극층(3)의 두께는, 바람직하게는 2㎛ 미만, 보다 바람직하게는 1.5㎛ 이하로 박층화되어 있다.
외부 전극
도 1에 도시하는 외부 전극(4)으로서는, 통상 Ni, Pd, Ag, Au, Cu, Pt, Rh, Ru, Ir 등 중 적어도 1종 또는 그들의 합금을 이용할 수 있다. 통상은, Cu, Cu 합금, Ni 또는 Ni 합금 등이나, Ag, Ag-Pd 합금, In-Ga 합금 등이 사용된다. 외부 전극(4)의 두께는 용도에 따라서 적당한 시기에 결정되면 되지만, 통상 10∼200㎛ 정도인 것이 바람직하다.
적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법
다음에, 본 실시 형태에 따른 적층 세라믹 콘덴서(1)의 제조 방법의 일례를 설명한다.
(1) 우선, 소성후에 도 1에 도시하는 층간 유전체층(2) 및 외측 유전체층(20)을 구성하게 되는 유전체층용 페이스트와, 소성후에 도 1에 도시하는 내부 전극층(3)을 구성하게 되는 내부 전극층용 페이스트를 준비한다.
유전체층용 페이스트
유전체층용 페이스트는, 유전체 원료와 유기 비히클(vehicle)을 혼련하여 조제한다.
유전체 원료로서는, 복합 산화물이나 산화물이 되는 각종 화합물, 예를 들면 탄산염, 질산염, 수산화물, 유기 금속 화합물 등으로부터 적당히 선택되고, 혼합하여 이용할 수 있다. 유전체 원료는, 통상, 평균 입경(D50c)이 0.5㎛ 이하, 바람직하게는 0.05∼0.4㎛ 정도의 분체로서 이용된다. 또한, 「D50c」란, 원료의 입자를 SEM로 관찰하여, 원 상당의 직경으로 환산하여 구한 값이다.
유기 비히클은, 바인더 및 용제를 함유하는 것이다. 바인더로서는, 예를 들면 에틸셀룰로오스, 폴리비닐부티랄, 아크릴 수지 등의 통상의 각종 바인더를 이용할 수 있다. 용제도, 특별히 한정되는 것이 아니라, 테르피네올, 부틸카르비톨, 아세톤, 톨루엔, 크실렌, 에탄올 등의 유기 용제가 이용된다.
유전체층용 페이스트는, 유전체 원료와, 물 중에 수용성 바인더를 용해시킨 비히클을 혼련하여 형성할 수도 있다. 수용성 바인더는, 특별히 한정되는 것이 아니라, 폴리비닐알코올, 메틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 수용성 아크릴 수지, 에멀션 등이 이용된다.
유전체층용 페이스트 중의 각 성분의 함유량은, 특별히 한정되는 것이 아니 라, 예를 들면, 약 1∼약 50중량%의 용제를 포함하도록, 유전체층용 페이스트를 조제할 수 있다.
유전체층용 페이스트 중에는, 필요에 따라서, 각종 분산제, 가소제, 유전체, 부성분 화합물, 유리 프릿, 절연체 등으로부터 선택되는 첨가물이 함유되어 있어도 된다. 유전체층용 페이스트 중에, 이들 첨가물을 첨가하는 경우에는, 총 함유량을, 약 10중량% 이하로 하는 것이 바람직하다.
내부 전극층용 페이스트
본 실시 형태에서는, 내부 전극층용 페이스트는, 도전재와, 첨가용 유전체 원료와, 유기 비히클을 혼련하여 조제한다.
도전재로서는, Ni나 Ni 합금, 또한 이들의 혼합물을 이용한다. 이와 같은 도전재는, 구형상, 비늘조각 형상 등, 그 형상에 특별히 제한은 없고, 또, 이들의 형상의 것이 혼합된 것이어도 된다. 또, 도전재의 입자 직경은, 통상, 구형상의 경우, 평균 입자 직경이 0.4㎛ 이하, 바람직하게는 0.01∼0.2㎛ 정도의 것을 이용하는 것으로 한다. 보다 고도의 박층화를 실현할 수 있도록 하기 위해서이다. 도전재는, 내부 전극층용 페이스트 중에, 바람직하게는 35∼60중량% 포함된다.
첨가용 유전체 원료는, 소성 과정에서 내부 전극(도전재)의 소결을 억제하는 작용을 이룬다.
본 실시 형태에서는, 첨가용 유전체 원료는, 첨가용 주성분 원료와, 첨가용 부성분 원료를 함유한다. 본 실시 형태에서는, 적어도, 첨가용 유전체 원료에 포함되는 첨가용 주성분 원료와, 상기 유전체층용 페이스트 중의 유전체 원료에 포함 되는 주성분 원료가, 실질적으로 동일 조성계이면 된다. 따라서, 첨가용 유전체 원료의 일부인 첨가용 주성분 원료만이, 상기 유전체층용 페이스트 중의 유전체 원료에 포함되는 주성분 원료와 실질적으로 동일 조성계이어도 된다. 또, 첨가용 유전체 원료의 전부가, 유전체층용 페이스트 중의 유전체 원료의 전부와 실질적으로 동일 조성계이어도 된다. 이와 같이, 적어도 첨가용 주성분 원료와, 주성분 원료를 실질적으로 동일 조성계로 함으로써, 내부 전극층(3)으로부터 유전체층(2, 20)으로의 확산에 의한 유전체층(2, 20)의 조성을 변화시키는 경우가 없다.
본 실시 형태에서는, 첨가용 유전체 원료 중의 첨가용 주성분체 원료로서, 특정한 격자 정수를 갖는 것을 이용하는 것이 바람직하다. 특정한 격자 정수를 갖는 주성분 원료를 첨가용으로서 이용함으로써, 최종적으로 얻어지는 콘덴서(1)의 각종 전기 특성의 향상을 도모할 수 있다. 첨가용 주성분 원료의 격자 정수는, 바람직하게는 4.00을 넘고 4.057 미만, 보다 바람직하게는 4.004∼4.0475이다. 격자 정수가 너무 작아도 너무 커도 각종 전기 특성의 향상 효과를 얻을 수 없는 경향이 있다.
본 실시 형태에서는, 첨가용 유전체 원료 중의 첨가용 주성분체 원료로서, 특정한 OH기 방출량을 갖는 것을 이용하는 것이 바람직하다. 특정한 OH기 방출량을 갖는 주성분 원료를 첨가용으로서 이용함으로써, 최종적으로 얻어지는 콘덴서(1)의 각종 전기 특성의 향상을 도모할 수 있다. 첨가용 주성분 원료의 OH기 방출량은, 바람직하게는 25∼250, 보다 바람직하게는 25∼150이다. OH기 방출량이 너무 작아도 너무 커도 각종 전기 특성의 향상 효과를 얻을 수 없는 경향이 있다.
첨가용 주성분 원료의 평균 입경은, 유전체층용 페이스트 중의 유전체 원료에 포함되는 주성분 원료의 입경과 동일해도 되지만, 보다 작은 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01∼0.2㎛, 특히 바람직하게는 0.01∼0.15㎛이다. 또한, 평균 입경의 값은, 비표면적(SSA)과 상관이 있는 것이 알려져 있다.
첨가용 유전체 원료(첨가용 주성분 원료만인 경우도 있고, 첨가용 주성분 원료와 첨가용 부성분 원료의 양쪽을 포함하는 경우도 있다. 이하, 특별히 언급되지 않는 한 동일)는, 특별히 한정은 되지 않지만, 예를 들면, 옥살산염법, 수열합성법, 졸겔법, 가수분해법, 알콕시드법 등의 공정을 거쳐서 제조되는 것이 바람직하다. 이 방법을 이용함으로써, 상기 격자 정수와 OH기 방출량을 갖는 유전체 원료를 효율적으로 제조할 수 있다.
첨가용 유전체 원료는, 내부 전극층용 페이스트 중에, 도전재에 대해서, 바람직하게는 10∼30중량%, 보다 바람직하게는 15∼20중량%로 포함된다. 첨가용 유전체 원료의 함유량이 너무 적으면 도전재의 소결 억제 효과가 저하하고, 너무 많으면 내부 전극의 연속성이 저하한다. 즉 첨가용 유전체 원료가 너무 적어도 너무 많아도, 모두 콘덴서로서의 충분한 정전 용량을 확보할 수 없는 등의 문제점이 발생할 수 있다.
유기 비히클은, 바인더 및 용제를 함유하는 것이다.
바인더로서는, 예를 들면 에틸셀룰로오스, 아크릴 수지, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐아세탈, 폴리비닐알코올, 폴리올레핀, 폴리우레탄, 폴리스티렌, 또는, 이들의 공중합체 등이 예시된다. 바인더는, 내부 전극층용 페이스트 중에, 도전재와, 첨가용 유전체 원료와의 혼합 분말에 대해서, 바람직하게는 1∼5중량% 포함된다. 바인더가 너무 적으면 강도가 저하하는 경향이 있고, 너무 많으면 소성전의 전극 패턴의 금속 충전 밀도가 저하하여, 소성후에, 내부 전극층(3)의 평활성을 유지하는 것이 곤란해지는 경우가 있다.
용제로서는, 예를 들면 테르피네올, 디히드로테르피네올, 부틸카르비톨, 케로신 등 공지의 것은 모두 사용 가능하다. 용제 함유량은, 페이스트 전체에 대해서, 바람직하게는 20∼50중량% 정도로 한다.
내부 전극층용 페이스트에는, 가소제가 포함되어 있어도 된다. 가소제로서는, 프탈산벤질부틸(BBP) 등의 프탈산 에스테르, 아디핀산, 인산 에스테르, 글리콜류 등이 예시된다.
(2) 다음에, 유전체층용 페이스트와 내부 전극층용 페이스트를 이용하여, 그린칩을 제작한다. 인쇄법을 이용하는 경우에는, 유전체층용 페이스트 및 소정 패턴의 내부 전극층용 페이스트를 캐리어 시트 상에 적층 인쇄하고, 소정 형상으로 절단한 후, 캐리어 시트로부터 박리하여 그린칩으로 한다. 시트법을 이용하는 경우에는, 유전체층용 페이스트를 캐리어 시트 상에 소정 두께로 형성하여 얻어진 그린 시트를 형성하고, 이 위에 내부 전극층용 페이스트를 소정 패턴으로 인쇄한 후, 이들을 적층하여 그린칩으로 한다.
(3) 다음에, 얻어진 그린칩을 탈바인더한다. 탈바인더는, 분위기 온도(T0)를, 예를 들면 도 4에 도시하는 바와 같이, 예를 들면 실온(25℃)으로부터 탈바인더 유지 온도(T1)를 향해서 소정의 승온 속도로 상승시키고, 이 T1을 소정 시간 동 안, 유지시킨 후, 소정의 강온 속도로 하강시키는 공정이다.
본 실시 형태에서는, 승온 속도는, 바람직하게는 5∼300℃/시간, 보다 바람직하게는 10∼100℃/시간이다. 탈바인더 유지 온도(T1)는, 바람직하게는 200∼400℃, 보다 바람직하게는 220∼380℃이고, 이 T1의 유지 시간은, 바람직하게는 0.5∼24시간, 보다 바람직하게는 2∼20시간이다. 강온 속도는, 바람직하게는 5∼300℃/시간, 보다 바람직하게는 10∼100℃/시간이다. 탈바인더의 처리 분위기는, 바람직하게는 공기 또는 환원 분위기이다. 환원 분위기에서의 분위기 가스로서는, 예를 들면 N2와 H2의 혼합 가스를 가습하여 이용하는 것이 바람직하다. 처리 분위기 중의 산소 분압은, 바람직하게는 10-45∼105㎩이다. 산소 분압이 너무 낮으면 탈바인더 효과가 저하하고, 너무 높으면 내부 전극층이 산화하는 경향이 있다.
(4) 다음에, 그린칩을 소성한다. 소성은, 분위기 온도(T0)를, 예를 들면 도 4에 도시하는 바와 같이, 예를 들면 실온(25℃)으로부터 소성 유지 온도(T2)를 향해서 소정의 승온 속도로 상승시키고, 이 T2를 소정 시간 동안, 유지시킨 후, 소정의 강온 속도로 분위기 온도를 하강시키는 공정이다.
본 실시 형태에서는, 승온 속도는, 바람직하게는 50∼500℃/시간, 보다 바람직하게는 100∼300℃/시간이다. 소성 유지 온도(T2)는, 바람직하게는 1100∼1350℃, 보다 바람직하게는 1100∼1300℃, 더욱 바람직하게는 1150∼1250℃이고, 이 T2의 유지 시간은, 바람직하게는 0.5∼8시간, 보다 바람직하게는 1∼3시간이다. T2가 너무 낮으면, 이 T2의 유지 시간을 길게 해도 치밀화가 불충분해지고, 너무 높으면, 내부 전극층의 이상 소결에 의한 전극의 끊어짐이나, 내부 전극층을 구성하는 도전재의 확산에 의한 용량 온도 특성의 악화, 유전체층을 구성하는 유전체 자기 조성물의 환원이 발생하기 쉬워진다.
강온 속도는, 바람직하게는 50∼500℃/시간, 보다 바람직하게는 200∼300℃/시간이다. 소성의 처리 분위기는, 바람직하게는 환원 분위기이다. 환원 분위기에서의 분위기 가스로서는, 예를 들면 N2와 H2의 혼합 가스를 가습하여 이용하는 것이 바람직하다.
소성 분위기 중의 산소 분압은, 바람직하게는 6×10-9∼10-4㎩이다. 산소 분압이 너무 낮으면 내부 전극층의 도전재가 이상 소결을 일으켜서, 끊어져 버리는 경우가 있고, 너무 높으면 내부 전극층이 산화하는 경향이 있다.
(5) 다음에, 그린칩을 환원 분위기로 소성한 경우에는, 이것에 계속해서 열 처리(어닐링)를 행하는 것이 바람직하다. 어닐링은, 유전체층을 재 산화하기 위한 처리이고, 이것에 의해, 최종물인 콘덴서의 특성이 얻어진다.
어닐링은, 분위기 온도(T0)를, 예를 들면 도 4에 도시하는 바와 같이, 예를 들면 실온(25℃)으로부터 어닐링 유지 온도(T3)를 향해서 소정의 승온 속도로 상승시키고, 이 T3을 소정 시간 동안, 유지시킨 후, 소정의 강온 속도로 분위기 온도(T0)를 하강시키는 공정이다.
본 실시 형태에서는, 승온 속도는, 바람직하게는 100∼300℃/시간, 보다 바람직하게는 150∼250℃/시간이다. 어닐링 유지 온도(T3)는, 바람직하게는 800∼ 1100℃, 보다 바람직하게는 900∼1100℃이고, 이 T3의 유지 시간은, 바람직하게는 0∼20시간, 보다 바람직하게는 2∼10시간이다. T3이 너무 낮으면, 유전체층(2)의 산화가 불충분해지기 때문에, IR이 낮고, 또한 IR 수명이 짧아지기 쉽다. T3이 너무 높으면, 내부 전극층(3)이 산화하여 용량이 저하할 뿐만 아니라, 내부 전극층(3)이 유전체 기질과 반응해 버려서, 용량 온도 특성의 악화, IR의 저하, IR 수명의 저하가 발생하기 쉬워진다.
강온 속도는, 바람직하게는 50∼500℃/시간, 보다 바람직하게는 100∼300℃/시간이다. 어닐링의 처리 분위기는, 바람직하게는 중성 분위기이다. 중성 분위기에서의 분위기 가스로서는, 예를 들면, 가습한 N2 가스를 이용하는 것이 바람직하다. 어닐링시에는, N2 가스 분위기 하에서 유지 온도(T3)까지 승온한 후, 분위기를 변경해도 되고, 어닐링의 전 과정을 가습한 N2 가스 분위기로 해도 된다. 어닐링 분위기 중의 산소 분압은, 바람직하게는 2×10-4∼1㎩이다. 산소 분압이 너무 낮으면 유전체층(2)의 재 산화가 곤란하고, 너무 높으면 내부 전극층(3)이 산화하는 경향이 있다.
본 실시 형태에서는, 어닐링은, 승온 과정과 강온 과정만으로 구성해도 된다. 즉, 온도 유지 시간을 0으로 해도 된다. 이 경우, 유지 온도(T3)는 최고 온도와 동일하다.
상기한 탈바인더 처리, 소성 및 어닐링에서, N2 가스나 혼합 가스 등을 가습 하기 위해서는, 예를 들면 웨터(wetter) 등을 사용하면 된다. 이 경우, 수온은 0∼75℃ 정도가 바람직하다.
또한, 탈바인더, 소성, 어닐링은 연속적으로 행해도 되고, 분할하여 행해도 된다.
이상의 각 처리에 의해, 소결체로 구성되는 콘덴서 소자 본체(10)가 형성된다.
(6) 다음에, 얻어진 콘덴서 소자 본체(10)에 외부 전극(4)을 형성한다. 외부 전극(4)의 형성은, 상기 소결체로 구성되는 콘덴서 소자 본체(10)의 단면(端面)을, 예를 들면 배럴 연마나 샌드블라스트 등에 의해 연마한 후, 그 양단면에, 통상 Ni, Pd, Ag, Au, Cu, Pt, Rh, Ru, Ir 등 중 적어도 1종 또는 그들의 합금을 포함하는 외부 전극용 페이스트를 소성하거나, 혹은 In-Ga 합금을 도포하는 등, 공지의 방법으로 형성할 수 있다. 필요에 따라서, 외부 전극(4) 표면에, 도금 등에 의해 피복층을 형성해도 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명해 왔지만, 본 발명은 이러한 실시 형태에 조금도 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 요지를 일탈하지 않은 범위 내에서 다양한 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
예를 들면, 상술한 실시 형태에서는, 탈바인더 처리, 소성 및 어닐링은, 각각 독립하여 행하고 있지만, 본 발명에서는 이것에 한정되지 않고, 적어도 2개의 공정을 연속하여 행해도 된다. 연속하여 행하는 경우, 탈바인더 처리 후, 냉각하지 않고 분위기를 변경하여, 계속해서 소성시의 유지 온도(T2)까지 승온하여 소성 을 행하고, 다음에 냉각하여 어닐링의 유지 온도(T3)에 도달하였을 때에 분위기를 변경하여 어닐링을 행하는 것이 바람직하다.
예
이하, 본 발명을 더욱 상세한 실시예에 기초하여 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다.
실시예 1
유전체층용 페이스트의 제작
우선, 유전체 원료와, 바인더로서의 PVB(폴리비닐부티랄) 수지와, 가소제로서의 DOP(프탈산디옥틸)과, 용매로서의 에탄올을 준비하였다. 유전체 원료는, 주성분 원료로서의 평균 입경(D50c)이 0.2㎛인 BaTiO3를 복수 준비하고, 각 BaTiO3에 대해서, 부성분 원료로서의, MnCO3 : 0.2몰%, MgO : 0.5몰%, V2O5 : 0.3몰%, Y2O3 : 2몰%, CaCO3 : 3몰%, BaCO3 : 3몰%, SiO2 : 3몰%를, 볼밀로 16시간 습식 혼합하여, 건조하여 제조하였다.
다음에, 유전체 원료에 대해서, 10중량%의 바인더와, 5중량%의 가소제와, 150중량%의 용매를 각각 칭량하여, 볼밀로 혼련하고, 슬러리화하여 유전체층용 페이스트를 얻었다.
내부 전극층용 페이스트의 제작
도전재로서의 평균 입경이 0.4㎛인 Ni 입자와, 첨가용 유전체 원료와, 바인더로서의 에틸셀룰로오스 수지와, 용매로서의 테르피네올을 준비하였다.
첨가용 유전체 원료로서는, 상기 유전체층용 페이스트 중의 유전체 원료와 실질적으로 동일 조성계의, 첨가용 주성분 원료로서의 BaTiO3와, 첨가용 부성분 원료로서의 MnCO3, MgO, V2O5, Y2O3, CaCO3, BaCO3 및 SiO2를 함유하는 것을 이용하였다. 단, 첨가용 주성분 원료로서의 BaTiO3에 대해서는, 각 시료마다, 표 1에 나타내는 바와 같이, 격자 정수와 OH기 방출량을 변화시킨 것을 이용하였다.
표 1에서의 첨가용 주성분 원료의 격자 정수는, XRD(이학사제 rent 2000) 300㎃, 50㎸ 10-85도로부터 얻어지는 피크 위치로부터 입방정(立方晶)의 격자 정수로서 산출한 값이다.
또, 표 1에서의 첨가용 주성분 원료의 OH기 방출량은, FT-IR(푸리에 변환 적외분광) 확산 반사법에 의해, -OH 신축 진동 기인의 3510㎝-1의 피크 강도로부터 산출한 값이다.
다음에, 도전재에 대해서 20중량%의 첨가용 유전체 원료를 첨가하였다. 도전재 및 첨가용 유전체 원료의 혼합 분말에 대해서, 5중량%의 바인더와, 35중량%의 용매를 칭량하여 첨가하고, 볼밀로 혼련하여, 슬러리화하여 내부 전극층용 페이스트를 얻었다.
적층 세라믹 칩 콘덴서 시료의 제작
얻어진 유전체층용 페이스트 및 내부 전극층용 페이스트를 이용하여, 이하와 같이 하여, 도 1에 도시하는 적층 세라믹 칩 콘덴서(1)를 제조하였다.
우선, PET 필름 상에 유전체층용 페이스트를 닥터 블레이드법에 의해서, 소 정 두께로 도포하고, 건조함으로써, 두께가 2㎛인 세라믹 그린 시트를 형성하였다. 본 실시예에서는, 이 세라믹 그린 시트를 제1 그린 시트로 하고, 이것을 다수장 준비하였다.
얻어진 제1 그린 시트의 위에, 내부 전극층용 페이스트를 스크린 인쇄법에 의해서 소정 패턴으로 형성하여, 두께 약 1㎛의 전극 패턴을 갖는 세라믹 그린 시트를 얻었다. 본 실시예에서는, 이 세라믹 그린 시트를 제2 그린 시트로 하고, 이것을 다수장 준비하였다.
제1 그린 시트를 두께가 300㎛가 될 때까지 적층하여 그린 시트군을 형성하였다. 이 그린 시트군의 위에, 제2 그린 시트를 11장 적층하고, 이 위에 또한, 상기 동일한 그린 시트군을 적층, 형성하여, 온도 80℃ 및 압력 1톤/㎠의 조건으로 가열·가압하여 그린 적층체를 얻었다.
다음에, 얻어진 적층체를 세로 3.2㎜×가로 1.6㎜×높이 1.0㎜의 사이즈로 절단한 후, 탈바인더 처리, 소성 및 어닐링을 하기의 조건으로 행하여 소결체를 얻었다. 탈바인더 처리, 소성 및 어닐링의 각 온도 변화를 나타내는 그래프를 도 4에 도시한다.
탈바인더는, 승온 속도 : 30℃/시간, 유지 온도(T1) : 250℃, 유지 시간 : 8시간, 강온 속도 : 200℃/시간, 처리 분위기 : 공기 분위기의 조건으로 행하였다.
소성은, 승온 속도 : 200℃/시간, 유지 온도(T2) : 1240℃, 유지 시간 : 2시간, 강온 속도 : 200℃/시간, 처리 분위기 : 환원 분위기(산소 분압 : 10-6㎩에 N2 와 H2의 혼합 가스를 수증기를 통해서 조정하였다)의 조건으로 행하였다,
어닐링은, 승온 속도 : 200℃/시간, 유지 온도(T3) : 1050℃, 유지 시간 : 2시간, 강온 속도 : 200℃/시간, 처리 분위기 : 중성 분위기(산소 분압 : 0.1㎩에 N2 가스를 수증기를 통해서 조정하였다)의 조건으로 행하였다.
D50a(층간 유전체층(2)에 포함되는 유전체 입자(2a)의 평균 입경)에 대해서는, 얻어진 소결체를, 내부 전극층의 적층 방향에 대해서 수직인 면에서 절단 연마하여, 서멀 에칭 처리(1200℃, 10분)를 행하고, 주사형 전자 현미경(SEM)으로 입자를 관찰하여, 입자 면적을 원의 면적으로 환산하여, 그 직경을 1.5배하여 구하였다.
D50b(외측 유전체층(20)에 포함되는 유전체 입자(20a)의 평균 입경)에 대해서는, 외측 유전체층(20)에 포함되고, 최외측에 배치된 내부 전극층(3a)으로부터 두께 방향으로 5㎛ 떨어진 위치에 존재하는 유전체 입자(20a)를, D50a와 동일한 방법으로 측정하여 구하였다.
D50c(층간 유전체층(2)을 형성하기 위해서 이용하는 주성분 원료의 평균 입경)에 대해서는, SEM로 입자를 관찰하여, 입자 면적을 원 면적으로 환산하여 구하였다.
또한, D50a, D50b, D50c 모두, n수=250개에서의 평균값으로서 산출된 것이다.
전기 특성의 측정에 대해서는, 얻어진 소결체의 단면(端面)을 샌드블라스트 로 연마한 후, In-Ga 합금을 도포하여, 시험용 전극을 형성하고, 적층 세라믹 칩 콘덴서 시료를 얻었다. 콘덴서 시료의 사이즈는, 세로 3.2㎜×가로 1.6㎜×높이 1.0㎜이고, 층간 유전체층(2)의 두께(x)는 약 1.3㎛, 내부 전극층(3)의 두께는 0.9㎛였다. 동일하게 하여, 층간 유전체층(2)의 두께(x)가 약 1.1㎛인 콘덴서 시료도 제작하였다.
얻어진 콘덴서 시료의 TC 바이어스, 온도 특성 및 비유전율(ε)을 평가하였다. 단, 층간 유전체층(2)의 두께(x)가 약 1.3㎛인 콘덴서 시료에 대해서는, TC 바이어스와 비유전율만을 평가하였다.
TC 바이어스에 대해서는, 콘덴서 시료를, 85℃로 유지한 항온조 내에서, LCR 미터로, 120㎐, 0.5Vrms, 2V/㎛의 바이어스 전압으로 측정하고, 20℃의 바이어스 전압 무인가 중의 측정값으로부터의 용량 변화율을 산출하여 평가하였다. 평가 기준은, 유전체 두께 1.3㎛에서는 -23%보다 커지는 것을, 유전체 두께 1.1㎛에서는 -25%보다 커지는 것을, 각각 양호로 하였다.
온도 특성(TC)에 대해서는, 85℃의 항온조 내에서 LCR 미터로, 120㎐, 0.5Vrms, 0.5V/㎛로 측정하여, -7.0%보다 커지는 것을 양호로 하였다.
비유전율(ε)에 대해서는, 콘덴서 시료에 대해서, 기준 온도 25℃에서, 디지털 LCR 미터(YHP사제 4274A)로, 주파수 1㎑, 입력 신호 레벨(측정 전압) 1.0Vrms의 조건 하에서 측정된 정전 용량으로부터 산출하였다(단위 없음). 평가 기준은, 유전체 두께 1.3㎛에서는 1800 이상을, 유전체 두께 1.1㎛에서는 1700 이상을, 각각 양호로 하였다. 결과를 표 1∼2에 나타낸다.
표 1
시료 번호 내부 전극층용 페이스트에 포함되는 BaTiO3 y1 y2 y3 TC 바이어스 ε
격자 정수 OH기 방출량
1 비교예 3.991 10 0.65 0.2 0.814 -17.1 1720
2 실시예 4.019 28 0.755 0.6 0.946 -17.8 1800
3 실시예 4.011 42 0.929 1.9 1.164 -20.0 1903
4 실시예 4.018 68 0.943 0.9 1.182 -19.2 1962
5 실시예 4.036 114 1.140 2.3 1.429 -21.0 1850
6 실시예 4.046 220 1.261 4.8 1.608 -22.1 1920
7 비교예 4.064 266 1.350 6.2 1.692 -23.5 1750
층간 유전체층의 두께 x=1.3㎛
표 1에 나타내는 바와 같이, 1.3㎛의 층간 유전체층 두께를 갖는 콘덴서 시료에서, y1이 0. 7미만, y2가 0.55미만, y3이 0.88미만인 시료 1에서는, TC 바이어스 특성은 양호하지만, ε가 뒤떨어진다. y1이 1.3초과, y2가 5초과, y3이 1.63초과인 시료 7에서는, TC 바이어스 특성이 뒤떨어지고, ε도 낮다. 시료 7에서 ε가 저하한 이유는, 유전체층의 입자 성장이 진행하여, 거친 입자의 존재량이 많아졌기 때문에, 내부 전극층의 끊어짐이 많아진 것에 의한 것이라고 생각된다. 이것에 대해서, y1이 0.7∼1.3, y2가 0.55∼5, y3이 0.88∼1.63인 시료 2∼6에서는, TC 바이어스 특성이 양호하고, ε도 충분한 값을 나타내고 있는 것이 확인되었다.
y1이 0.7∼1.3만을 만족하는 경우에 대해서, 동일하게 하여 콘덴서 시료를 제작하여 실험하였지만, 동일한 결과가 얻어졌다. y2가 0.55∼5만을 만족하는 경우에 대해서, 동일하게 하여 콘덴서 시료를 제작하여 실험하였지만, 동일한 결과가 얻어졌다. y3이 0.88∼1.63만을 만족하는 경우에 대해서, 동일하게 하여 콘덴서 시료를 제작하여 실험하였지만, 동일한 결과가 얻어졌다.
표 2
시료 번호 내부 전극층용 페이스트에 포함되는 BaTiO3 y1 y2 y3 TC 바이 어스 TC ε
격자 정수 OH기 방출량
8 비교예 3.985 10 0.81 0.9 1.02 -16.2 -4.8 1400
9 실시예 4.019 28 1.15 2.5 1.44 -20.2 -5.5 1730
10 실시예 4.024 98 1.18 3.0 1.48 -22.3 -5.6 2063
11 실시예 4.011 42 1.21 3.2 1.51 -23.3 -5.7 2115
12-1 실시예 4.029 60 1.39 4.1 1.75 -23.6 -6.1 1950
12 실시예 4.029 110 1.39 9.8 1.75 -24.1 -6.6 1725
13 비교예 4.064 266 1.47 15.3 1.85 -25.8 -7.2 1590
13-1 실시예 4.001 50 1.50 6.2 1.89 -24.3 -6.8 1850
13-2 실시예 4.018 300 1.30 12.5 1.64 -24.6 -6.9 1820
층간 유전체층의 두께 x=1.1㎛
표 2에 나타내는 바와 같이, 1.1㎛의 층간 유전체층 두께를 갖는 콘덴서 시료에서, y1이 0.85미만, y2가 1.1미만, y3이 1.07미만인 시료 8에서는, TC 바이어스 특성, 온도 특성은 양호하지만, ε가 뒤떨어진다. y1이 1.45초과, y2가 10초과, y3이 1.82초과인 시료 13에서는, TC 바이어스 특성, 온도 특성, ε 모두 뒤떨어진다. 시료 13에서 ε가 저하한 이유는, 유전체층의 입자 성장이 진행하여, 거친 입자의 존재량이 많아졌기 때문에, 내부 전극층의 끊어짐이 많아진 것에 의한 것이라고 생각된다.
이것에 대해서, y1이 0.85∼1.45, y2가 1.1∼10, y3이 1.07∼1.82인 시료 9∼12, 12-1에서는, TC 바이어스 특성, 온도 특성, ε 모두가 양호한 것이 확인되었다. y1이 동일 경우에는, y2의 값이 작을수록, TC 바이어스 특성이 향상한다.
또, 표 1과 비교하여, 표 2에 나타내는 바와 같이, 층간 유전체층의 두께가 박층화되어 오면(1.3㎛로부터 1.1㎛로), 콘덴서의 내부 구조의 영향이 보다 현저해지는 것을 확인할 수 있었다.
y1이 0.85∼1.45만을 만족하는 경우에 대해서, 동일하게 하여 콘덴서 시료를 제작하여 실험하였지만, 동일한 결과가 얻어졌다. y2가 1.1∼10만을 만족하는 경우에 대해서, 동일하게 하여 콘덴서 시료를 제작하여 실험하였지만, 동일한 결과가 얻어졌다(시료 13-1). y3이 1.07∼1.82만을 만족하는 경우에 대해서, 동일하게 하여 콘덴서 시료를 제작하여 실험하였지만, 동일한 결과가 얻어졌다. y1이 0.85∼1.45이고, y3이 1.07∼1.82만을 만족하는 경우에 대해서, 동일하게 하여 콘덴서 시료를 제작하여 실험하였지만, 동일한 결과가 얻어졌다(시료 13-2).
또한, x와 y1의 관계를 도 5에, x와 y2의 관계를 도 6에, x와 y3의 관계를 도 7에 각각 나타내었다.
실시예 2
층간 유전체층(2)의 두께를 1.9㎛, 1.7㎛, 1.5㎛, 0.9㎛로 변화시킨 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 콘덴서 시료를 제작하여, 동일한 평가를 행하였다. 그 결과, 동일한 결과가 얻어졌다.
비교예 1
층간 유전체층(2)의 두께를 2.0㎛, 2.2㎛로 변화시킨 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 콘덴서 시료를 제작하여, 동일한 평가를 행하였다.
그 결과, 층간 유전체층(2)의 두께가 2㎛ 이상인 경우에는, 첨가용 유전체 원료의 영향이 작기 때문에, 유전체층의 입자 성장이 거의 보이지 않고, 내부 전극층 중의 세라믹 입자(첨가용 유전체 원료)에 의한, 층간 유전체층(2)의 유전체 입자의 평균 입경에는 거의 차이가 인정되지 않았다.
본 발명에 따르면, 층간 유전체층을 박층화한 경우에도, 각종 전기 특성, 특히 충분한 유전율을 가지면서도 TC 바이어스 특성의 향상을 기대할 수 있는 적층 세라믹 콘덴서를 제공하는 것이다.

Claims (4)

  1. 내부 전극층과, 2㎛ 미만의 두께를 갖는 층간 유전체층과, 외측 유전체층을 갖는 적층 세라믹 콘덴서에 있어서,
    상기 층간 유전체층 및 외측 유전체층은, 복수의 유전체 입자를 포함하고,
    상기 층간 유전체층에 포함되는 유전체 입자의 평균 입경을 D50a로 하고, 상기 외측 유전체층에 포함되고, 최외측에 배치된 내부 전극층으로부터 두께 방향으로 5㎛ 이상 떨어진 위치에 존재하는 유전체 입자의 평균 입경을 D50b로 하였을 때의 이 D50a와 D50b와의 비(D50a/D50b)를 y1로 하고,
    상기 층간 유전체층의 두께를 x로 하였을 때에,
    상기 y1과 x가,
    y1≤-0.75x+2.275, 또한 y1≥-0.75x+1.675의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  2. 내부 전극층과, 2㎛ 미만의 두께를 갖는 층간 유전체층과, 외측 유전체층을 갖는 적층 세라믹 콘덴서에 있어서,
    상기 층간 유전체층은, 복수의 유전체 입자를 포함하고,
    상기 층간 유전체층에 포함되는 유전체 입자의 평균 입경을 D50a로 하였을 때의, 이 D50a의 2.25배 이상의 평균 입경을 갖는 유전체 입자(거친 입자)가 상기 유전체 입자 중에 존재하는 비율을 y2로 하고,
    상기 층간 유전체층의 두께를 x로 하였을 때에,
    상기 y2와 x가,
    y2≤-25x+37.5, 또한 y2≥-2.75x+4.125의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  3. 내부 전극층과, 2㎛ 미만의 두께를 갖는 층간 유전체층과, 외측 유전체층을 갖는 적층 세라믹 콘덴서에 있어서,
    상기 층간 유전체층 및 외측 유전체층은, 복수의 유전체 입자를 포함하고,
    상기 층간 유전체층에 포함되는 유전체 입자의 평균 입경을 D50a로 하고, 상기 외측 유전체층에 포함되고, 최외측에 배치된 내부 전극층으로부터 두께 방향으로 5㎛ 이상 떨어진 위치에 존재하는 유전체 입자의 평균 입경을 D50b로 하였을 때의 이 D50a와 D50b와의 비(D50a/D50b)를 y1로 하고,
    상기 D50a의 2.25배 이상의 평균 입경을 갖는 유전체 입자(거친 입자)가 상기 층간 유전체층에 포함되는 유전체 입자 중에 존재하는 비율을 y2로 하고,
    상기 층간 유전체층의 두께를 x로 하였을 때에,
    상기 y1과 x가,
    y1≤-0.75x+2.275, 또한 y1≥-0.75x+1.675의 관계를 만족하고, 또한
    상기 y2와 x가,
    y2≤-25x+37.5, 또한 y2≥-2.75x+4.125의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
  4. 내부 전극층과, 2㎛ 미만의 두께를 갖는 층간 유전체층과, 외측 유전체층을 갖는 적층 세라믹 콘덴서에 있어서,
    상기 층간 유전체층 및 외측 유전체층은, 복수의 유전체 입자를 포함하고,
    상기 층간 유전체층에 포함되는 유전체 입자의 평균 입경을 D50a로 하고, 상기 층간 유전체층을 형성하기 위해서 이용하는 주성분 원료의 평균 입경을 D50c로 하였을 때의 이 D50a와 D50c와의 비(D50a/D50c)를 y3으로 하고,
    상기 층간 유전체층의 두께를 x로 하였을 때에,
    상기 y3과 x가,
    y3≤-0.95x+2.865, 또한 y3≥-0.95x+2.115의 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 적층 세라믹 콘덴서.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7507682B2 (en) * 2004-02-24 2009-03-24 Kyocera Corporation Method of manufacturing ceramic paste and ceramic multi-layer wiring substrate utilizing the same
JP4293553B2 (ja) * 2005-05-31 2009-07-08 Ｔｄｋ株式会社 積層型電子部品及び積層セラミックコンデンサ
US8929054B2 (en) * 2010-07-21 2015-01-06 Cleanvolt Energy, Inc. Use of organic and organometallic high dielectric constant material for improved energy storage devices and associated methods
KR101872520B1 (ko) 2011-07-28 2018-06-29 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품
KR101771728B1 (ko) * 2012-07-20 2017-08-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
JP2015026837A (ja) * 2013-10-30 2015-02-05 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法及び積層セラミック電子部品
JP6525669B2 (ja) * 2015-03-27 2019-06-05 Tdk株式会社 積層セラミック電子部品
JP2018037473A (ja) * 2016-08-30 2018-03-08 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
KR20190121159A (ko) * 2018-08-29 2019-10-25 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
JP2022125694A (ja) * 2021-02-17 2022-08-29 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0867561A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Taiyo Yuden Co Ltd 半導体磁器の製造方法
JPH11354370A (ja) 1998-06-10 1999-12-24 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミック電子部品
JP2000150298A (ja) 1998-11-10 2000-05-30 Mitsubishi Polyester Film Copp コンデンサ用二軸配向ポリエステルフィルム
JP2003124049A (ja) 2001-10-10 2003-04-25 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2003264120A (ja) 2002-03-07 2003-09-19 Tdk Corp セラミック電子部品及びその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2872838B2 (ja) 1991-08-30 1999-03-24 太陽誘電株式会社 積層磁器コンデンサ及びその製造方法
JP3391268B2 (ja) * 1998-01-20 2003-03-31 株式会社村田製作所 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP3391269B2 (ja) 1998-01-20 2003-03-31 株式会社村田製作所 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP2000277369A (ja) 1999-03-29 2000-10-06 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミック電子部品とその導電ペースト
JP4153206B2 (ja) * 1999-11-02 2008-09-24 Ｔｄｋ株式会社 積層コンデンサ
JP2001307939A (ja) 2000-04-26 2001-11-02 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサとその製造方法
JP3785966B2 (ja) * 2001-08-23 2006-06-14 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法および積層セラミック電子部品
JP2003077761A (ja) 2001-09-05 2003-03-14 Nec Tokin Ceramics Corp 積層セラミックコンデンサ、及び積層セラミック部品
JP4208448B2 (ja) 2001-09-27 2009-01-14 太陽誘電株式会社 磁器コンデンサ及びその製造方法
JP2003133164A (ja) 2001-10-29 2003-05-09 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサとその製造方法
US6780494B2 (en) * 2002-03-07 2004-08-24 Tdk Corporation Ceramic electronic device and method of production of same
KR101108958B1 (ko) * 2003-02-25 2012-01-31 쿄세라 코포레이션 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0867561A (ja) * 1994-08-29 1996-03-12 Taiyo Yuden Co Ltd 半導体磁器の製造方法
JPH11354370A (ja) 1998-06-10 1999-12-24 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミック電子部品
JP2000150298A (ja) 1998-11-10 2000-05-30 Mitsubishi Polyester Film Copp コンデンサ用二軸配向ポリエステルフィルム
JP2003124049A (ja) 2001-10-10 2003-04-25 Taiyo Yuden Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2003264120A (ja) 2002-03-07 2003-09-19 Tdk Corp セラミック電子部品及びその製造方法

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