JP6525669B2 - 積層セラミック電子部品 - Google Patents
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Description
複数の誘電体層と、複数の内部電極層とが交互に積層されて形成されたセラミック素体と、
セラミック素体の表面に前記内部電極層と接続される少なくとも一対の外部電極とを有する積層セラミック電子部品であって、
前記誘電体層の厚みは0.4μm以下であり、
前記セラミック素体の幅方向に沿った幅寸法(W0)は0.59mm以下であり、
前記セラミック素体の幅方向に沿って、前記セラミック素体の外面から前記内部電極層の端部までの隙間寸法(Wgap)は0.010〜0.025mmであり、
前記隙間寸法と前記幅寸法との比率(Wgap/W0寸法)は0.025以上であることを特徴とする。
前記積層方向に沿って前記内部電極層が前記誘電体層を挟んで積層する内装領域の積層方向外側に位置する外装領域に位置する第2誘電体粒子の平均粒径をDgとした場合に、
Dg/Di≧1である。
いずれか一方の前記外部電極に接続する前記内部電極層の引出部の間に位置する引出領域を構成する第3誘電体粒子の平均粒径をDhとした場合に、
Dh/Di≧1である。
まず、本発明に係る積層セラミック電子部品の一実施形態として、積層セラミックコンデンサの全体構成について説明する。
次に、本発明の一実施形態としての積層セラミックコンデンサ2の製造方法について説明する。
まず、主原料の原料紛体として平均粒子径が100nmの{(Ba1−x−y Cax Sry )O}u (Ti1−z Zrz )v O3 粉末(x=0.05、y=0、Z=0.05、u/v=1.004)を準備し、次にMgCO3 、MnCO3 、Y2 O3 、SiO2 を副成分として準備した。なお、副成分はあらかじめ予備解砕を行い、チタン酸バリウム原料の粒子径よりも小さい40nm程度に加工した。
静電容量は、コンデンサ試料に対し、基準温度25℃においてデジタルLCRメーターにて、周波数1.0kHz、入力信号レベル(測定電圧)1.0Vrmsの条件下で測定した。ただし、表1に示す静電容量の数値は、ある特定のL0寸法、W0寸法のコンデンサ素体に対して、Wgapが0.020であるときの静電容量を1としたときの静電容量比を表している。たとえば、試料番号3〜7の静電容量は、試料番号5の静電容量を基準とした比である。静電容量は0.90以上を良好とした。結果を表1に示す。
クラック発生率の測定方法は、作製した試料(n=1000)の外観を顕微鏡などを用いて目視で観察し、クラックが検出された割合である。クラック発生率が、0〜1.0までが良好であり、0〜0.1が特に良好である。結果を表1に示す。
表2に示すように、焼成後の誘電体層10の厚みtdおよび焼成後の内部電極層12の厚みteを0.3μmとした以外は、実施例1と同様にして、積層セラミックコンデンサの試料を作製し、それらの静電容量とクラック発生率を測定した。結果を表2に示す。
表1および表2に示す結果から、誘電体層の厚みtdは0.4μm以下であり、幅寸法W0は0.59mm以下であり、隙間寸法Wgapは0.010〜0.025mmであり、比率(Wgap/W0寸法)は0.025以上で、クラック発生率が少なく、静電容量の低下が少ない積層セラミックコンデンサが得られることが確認できた。
表3に示すように、焼成後の内部電極層12の厚みteを変化させた以外は、実施例1と同様にして、積層セラミックコンデンサの試料を作製し、それらの静電容量とクラック発生率を測定した。結果を表3に示す。
表3に示す結果から、te/tdが1.25未満、特に好ましくは、te/tdが0.95〜1.05となる場合に、クラック発生率が少なく、静電容量の低下が少ない積層セラミックコンデンサが得られることが確認できた。
表4に示すように、容量領域14の誘電体粒子の平均粒径Diに比較して、外装領域11の誘電体粒子の平均粒径Dgを変化させた以外は、実施例1の試料16と同様にして、積層セラミックコンデンサの試料(試料番号16a〜16b)を作製し、それらの静電容量とクラック発生率を測定した。結果を表4に示す。Dg/Diが1以上の関係を得るために、外装領域11を形成するための誘電体ペーストに含まれる原料の誘電体粒子の平均粒径を60nmとした。
表5に示すように、容量領域14の誘電体粒子の平均粒径Diに比較して、引出領域15A,15Bの誘電体粒子の平均粒径Dhを変化させた以外は、実施例1の試料16と同様にして、積層セラミックコンデンサの試料(試料番号16c〜16d)を作製し、それらの静電容量とクラック発生率を測定した。結果を表5に示す。Dh/Diが1以上の関係を得るために、引出領域12Aおよび12Bと側面保護領域16を形成するための段差吸収用誘電体ペーストに含まれる原料の誘電体粒子の平均粒径を60nmとした。
コンデンサ試料を、積層方向が上側になるように垂直に立て、直径25mm、縦20mmのテフロン(登録商標)製の容器を用いて試料の周辺を硬化樹脂で埋めた。ついでサンドペーパーと微細加工研磨機を使用して試料の長手方向の断面が出るように研磨を行った後、表面のダメージを取り除くために、アルゴンイオンを使用したミリングを行った。
表4に示す結果から、好ましくはDg/Di≧1、さらに好ましくはDg/Di≧1.05、特に好ましくはDg/Di≧1.15の関係にある時に、誘電体層が薄層化しても、静電容量がさらに向上し、しかもクラック発生率が低いことが確認できた。
4… コンデンサ素体
6… 第1端子電極
8… 第2端子電極
10… 内側誘電体層
10a… 内側グリーンシート
11… 外装領域
11a… 外側グリーンシート
12… 内部電極層
12A,12B… 引出部
12a… 内部電極パターン層
13… 内装領域
13a… 内部積層体
14… 容量領域
15A,15B…引出領域
16… 側面保護領域
20… 段差吸収層
Claims (4)
- 複数の誘電体層と、複数の内部電極層とが交互に積層されて形成されたセラミック素体と、
セラミック素体の表面に前記内部電極層と接続される少なくとも一対の外部電極とを有する積層セラミック電子部品であって、
前記誘電体層の厚みは0.4μm以下であり、
前記セラミック素体の幅方向に沿った幅寸法(W0)は0.59mm以下であり、
前記セラミック素体の幅方向に沿って、前記セラミック素体の外面から前記内部電極層の端部までの隙間寸法(Wgap)は0.010〜0.025mmであり、
前記隙間寸法と前記幅寸法との比率(Wgap/W0寸法)は0.025以上であり、
前記内部電極層の厚み(te)と前記誘電体層の厚み(td)との比率(te/td)が、1.25未満であることを特徴とする積層セラミック電子部品。 - 前記内部電極層の厚み(te)と前記誘電体層の厚み(td)との比率(te/td)が、1.05以下である請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 積層方向に沿って前記内部電極層の間に位置する前記誘電体層を構成する第1誘電体粒子の平均粒径をDiとし、
前記積層方向に沿って前記内部電極層が前記誘電体層を挟んで積層する内装領域の積層方向外側に位置する外装領域に位置する第2誘電体粒子の平均粒径をDgとした場合に、
Dg/Di≧1である請求項1または2に記載の積層セラミック電子部品。 - 積層方向に沿って前記内部電極層の間に位置する前記誘電体層を構成する粒子の平均粒径をDiとし、
いずれか一方の前記外部電極に接続する前記内部電極層の引出部の間に位置する引出領域を構成する第3誘電体粒子の平均粒径をDhとした場合に、
Dh/Di≧1である請求項1〜3のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
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