JP2022083829A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents

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Abstract

【課題】高容量を確保し、かつ高い信頼性を確保することが可能な積層セラミックコンデンサを提供すること。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１であって、第１の内部電極３１は、第１の外周部３１Ａと、第１の外周部３１Ａの内側に位置する第１の内側電極部３１Ｂと、を有し、第２の内部電極３２は、第２の外周部３２Ａと、第２の外周部３２Ａの内側に位置する第２の内側電極部３２Ｂと、を有し、第１の誘電体層２１は、第１の高誘電率部２１Ａと、第１の高誘電率部２１Ａの内側に位置する第１の内側誘電体層部２１Ｂと、を有し、第２の誘電体層２２は、第２の高誘電率部２２Ａと、第２の高誘電率部２２Ａの内側に位置する第２の内側誘電体層部２２Ｂと、を有する。【選択図】図５

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
従来、積層セラミックコンデンサが知られている。一般に、積層セラミックコンデンサは、チタン酸バリウムなどの誘電体セラミックスからなるセラミック焼結体を備える。このセラミック焼結体の内部には、セラミック層を介して重なり合うように複数の内部電極が配置されている。また、このセラミック焼結体の一方端面上および他方端面上には、内部電極に電気的に接続されるように外部電極が形成されている（例えば、特許文献１）。
特開平８－３０６５８０号公報
近年、電子機器の小型化および高密度化に伴い、積層セラミックコンデンサの小型化、高容量化、および信頼性の向上が求められている。このため、誘電体層の薄層化および積層数の増加、ならびに内部電極の薄層化が試みられている。しかしながら、内部電極が薄層化されると、焼成後の内部電極には空隙が形成され易くなる。内部電極に空隙が形成されると、内部電極の面積が変化する。よって、静電容量の発生に寄与する有効面積の減少により容量が低下するという問題が生じる。上記の課題の解決方法として、例えば、積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層のすべての層において比誘電率を高くすることにより、高容量化することが考えられる。しかしながら、積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層のすべての層において比誘電率を高くした場合、積層セラミックコンデンサの信頼性が低下するといった問題が生じる場合があった。
本発明は、高容量を確保し、かつ高い信頼性を確保することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
本発明に係る積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極とを含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層は、第１の誘電体層と、第２の誘電体層とを有し、前記内部電極は、前記第１の誘電体層上に配置され前記第１の端面に引き出される第１の内部電極と、前記第２の誘電体層上に配置され前記第２の端面に引き出される第２の内部電極とを有し、前記外部電極は、前記第１の内部電極に接続され、前記第１の端面上に配置される第１の外部電極と、前記第２の内部電極に接続され、前記第２の端面上に配置される第２の外部電極とを有し、第１の内部電極は、４つの辺を有しており、前記第１の端面に引き出される１つの辺以外の３つの辺の近傍の第１の外周部と、前記第１の外周部の内側に位置する第１の内側電極部と、を有し、第２の内部電極は、４つの辺を有しており、前記第２の端面に引き出される１つの辺以外の３つの辺の近傍の第２の外周部と、前記第２の外周部の内側に位置する第２の内側電極部と、を有し、前記第１の外周部における前記第１の誘電体層に対する前記第１の内部電極の被覆率をＡ１、前記第１の内側電極部における前記第１の誘電体層に対する前記第１の内部電極の被覆率をＢ１としたとき、Ａ１＜Ｂ１の関係であり、前記第２の外周部における前記第２の誘電体層に対する前記第２の内部電極の被覆率をＡ２、前記第２の内側電極部における前記第２の誘電体層に対する前記第２の内部電極の被覆率をＢ２としたとき、Ａ２＜Ｂ２の関係であり、前記第１の誘電体層は、前記第１の内部電極が配置される領域内において、４つの辺を有しており、前記第１の端面に位置する１つの辺以外の３つの辺の近傍の第１の高誘電率部と、前記第１の高誘電率部の内側に位置する第１の内側誘電体層部と、を有し、前記第２の誘電体層は、前記第２の内部電極が配置される領域内において、４つの辺を有しており、前記第２の端面に位置する１つの辺以外の３つの辺の近傍の第２の高誘電率部と、前記第２の高誘電率部の内側に位置する第２の内側誘電体層部と、を有し、前記第１の高誘電率部における前記第１の誘電体層の比誘電率をＡ３、前記第１の内側誘電体層部における前記第１の誘電体層の比誘電率をＢ３としたとき、Ａ３＞Ｂ３の関係であり、前記第２の高誘電率部における前記第２の誘電体層の比誘電率をＡ４、前記第２の内側誘電体層部における前記第２の誘電体層の比誘電率をＢ４としたとき、Ａ４＞Ｂ４の関係であり、前記第１の高誘電率部の前記第１の外周部に対するカバー率および前記第２の高誘電率部の前記第２の外周部に対するカバー率が、６８％以上１８７％以下である。
本発明によれば、高容量を確保し、かつ高い信頼性を確保することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。
一実施形態の積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。 図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサのＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサのＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサのＶ－Ｖ線に沿った断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサのＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。 図２に示す積層セラミックコンデンサのＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿った断面図である。 上記実施形態の第１変形例の積層セラミックコンデンサの断面図であって、上記実施形態の図５に対応する断面図である。 上記変形例の積層セラミックコンデンサの断面図であって、上記実施形態の図７に対応する断面図である。 上記実施形態の第２変形例の積層セラミックコンデンサの断面図であって、上記実施形態の図４に対応する断面図である。 上記変形例の積層セラミックコンデンサの断面図であって、上記実施形態の図５に対応する断面図である。 実験例におけるカバー率を変化させた場合の容量の測定結果および信頼性の試験結果を示す図である。
以下、本開示の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について説明する。図１は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の外観斜視図である。図２は、図１の積層セラミックコンデンサ１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図２の積層セラミックコンデンサ１のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図２の積層セラミックコンデンサ１のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。図５は、図２の積層セラミックコンデンサ１のＶ－Ｖ線に沿った断面図である。図６は、図２の積層セラミックコンデンサ１のＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図である。図７は、図２の積層セラミックコンデンサ１のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿った断面図である。
積層セラミックコンデンサ１は、積層体１０と、外部電極４０と、を有する。
図１～図７には、ＸＹＺ直交座標系が示されている。積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の長さ方向Ｌは、Ｘ方向と対応している。積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の幅方向Ｗは、Ｙ方向と対応している。積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の高さ方向Ｔは、Ｚ方向と対応している。ここで、図２に示す断面はＬＴ断面とも称される。図３に示す断面はＷＴ断面とも称される。図４～図７に示す断面はＬＷ断面とも称される。
図１～図７に示すように、積層体１０は、高さ方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、高さ方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む。
図１に示すように、積層体１０は、略直方体形状を有している。なお、積層体１０の長さ方向Ｌの寸法は、幅方向Ｗの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。積層体１０の角部および稜線部には、丸みがつけられていることが好ましい。角部は、積層体の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体の２面が交わる部分である。なお、積層体１０を構成する表面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。
図２および図３に示すように、積層体１０は、内層部１１と、高さ方向Ｔにおいて内層部１１を挟み込むように配置された第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３と、を有する。
内層部１１は、複数の誘電体層２０と、複数の内部電極３０と、を含む。内層部１１は、高さ方向Ｔにおいて、最も第１の主面ＴＳ１側に位置する内部電極３０から最も第２の主面ＴＳ２側に位置する内部電極３０までを含む。内層部１１では、複数の内部電極３０が誘電体層２０を介して対向して配置されている。内層部１１は、静電容量を発生させ実質的にコンデンサとして機能する部分である。
内層部１１で用いられる複数の誘電体層２０は、複数の第１の誘電体層２１および複数の第２の誘電体層２２を有する。複数の第１の誘電体層２１および複数の第２の誘電体層２２は、内部電極３０を介して積層体１０の高さ方向Ｔに交互に配置されるように埋設されている。
複数の誘電体層２０は、誘電体材料により構成される。誘電体材料は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、またはＣａＺｒＯ３などの成分を含む誘電体セラミックであってもよい。また、誘電体材料は、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものであってもよい。
誘電体層２０の厚みは、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。積層される誘電体層２０の枚数は、１５枚以上７００枚以下であることが好ましい。なお、この誘電体層２０の枚数は、内層部１１の誘電体層の枚数と第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３の誘電体層の枚数との総数である。
なお、誘電体層２０の詳細な構成については後述する。
複数の内部電極３０は、複数の第１の内部電極３１および複数の第２の内部電極３２を有する。第１の内部電極３１は、第１の誘電体層２１上に配置されている。第２の内部電極３２は、第２の誘電体層２２上に配置されている。複数の第１の内部電極３１および複数の第２の内部電極３２は、誘電体層２０を介して積層体１０の高さ方向Ｔに交互に配置されるように埋設されている。
図２および図４に示すように、第１の内部電極３１は、第２の内部電極３２に対向する第１の対向部３１１と、第１の対向部３１１から第１の端面ＬＳ１に引き出される第１の引き出し部３１２とを有している。第１の引き出し部３１２は、第１の端面ＬＳ１に露出している。
図２および図６に示すように、第２の内部電極３２は、第１の内部電極３１に対向する第２の対向部３２１と、第２の対向部３２１から第２の端面ＬＳ２に引き出される第２の引き出し部３２２とを有している。第２の引き出し部３２２は、第２の端面ＬＳ２に露出している。
本実施形態では、第１の対向部３１１と第２の対向部３２１が誘電体層２０を介して対向することにより容量が形成され、コンデンサの特性が発現する。
第１の内部電極３１および第２の内部電極３２は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成される。合金を用いる場合、第１の内部電極３１および第２の内部電極３２は、例えばＡｇ－Ｐｄ合金等により構成されてもよい。
第１の内部電極３１および第２の内部電極３２の枚数は、合わせて１５枚以上７００枚以下であることが好ましい。
なお、内部電極３０の詳細な構成については後述する。
第１の主面側外層部１２は、積層体１０の第１の主面ＴＳ１側に位置する。第１の主面側外層部１２は、第１の主面ＴＳ１と最も第１の主面ＴＳ１に近い内部電極３０との間に位置する複数の誘電体層２０の集合体である。第１の主面側外層部１２で用いられる誘電体層２０は、内層部１１で用いられる第１の誘電体層２１または第２の誘電体層２２と同じものであってもよい。ただし、第１の主面側外層部１２で用いられる誘電体層２０は、図２に示されるように、誘電率が一様な誘電体層２３によって構成されることが好ましい。
第２の主面側外層部１３は、積層体１０の第２の主面ＴＳ２側に位置する。第２の主面側外層部１３は、第２の主面ＴＳ２と最も第２の主面ＴＳ２に近い内部電極３０との間に位置する複数の誘電体層２０の集合体である。第２の主面側外層部１３で用いられる誘電体層２０は、内層部１１で用いられる第１の誘電体層２１または第２の誘電体層２２と同じものであってもよい。ただし、第２の主面側外層部１３で用いられる誘電体層２０は、図２に示されるように、誘電率が一様な誘電体層２４によって構成されることが好ましい。
なお、積層体１０は、対向電極部１１Ｅを有する。対向電極部１１Ｅは、第１の内部電極３１の第１の対向部３１１と第２の内部電極３２の第２の対向部３２１が対向する部分である。対向電極部１１Ｅは、内層部１１の一部として構成されている。図２には、対向電極部１１Ｅの長さ方向Ｌの範囲が示されている。図３には、対向電極部１１Ｅの幅方向Ｗの範囲が示されている。図４～図７には、対向電極部１１Ｅの幅方向Ｗおよび長さ方向Ｌの範囲が示されている。なお、対向電極部１１Ｅは、コンデンサ有効部ともいう。
なお、積層体１０は、側面側外層部ＷＧを有する。側面側外層部ＷＧは、第１の側面側外層部ＷＧ１と、第２の側面側外層部ＷＧ２を有する。第１の側面側外層部ＷＧ１は、対向電極部１１Ｅと第１の側面ＷＳ１との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。第２の側面側外層部ＷＧ２は、対向電極部１１Ｅと第２の側面ＷＳ２との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。図３～図７には、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２の幅方向Ｗの範囲が示されている。なお、側面側外層部ＷＧは、Ｗギャップまたはサイドギャップともいう。
なお、積層体１０は、端面側外層部ＬＧを有する。端面側外層部ＬＧは、第１の端面側外層部ＬＧ１と、第２の端面側外層部ＬＧ２を有する。第１の端面側外層部ＬＧ１は、対向電極部１１Ｅと第１の端面ＬＳ１との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。第２の端面側外層部ＬＧ２は、対向電極部１１Ｅと第２の端面ＬＳ２との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。図２～図７には、第１の端面側外層部ＬＧ１および第２の端面側外層部ＬＧ２の長さ方向Ｌの範囲が示されている。なお、端面側外層部ＬＧは、Ｌギャップまたはエンドギャップともいう。
ここで、内部電極３０の詳細な構成について説明する。
図４に示すように、第１の内部電極３１は、第１の側面ＷＳ１側の第１の辺Ｅ１と、第２の側面ＷＳ２側の第２の辺Ｅ２と、第２の端面ＬＳ２側の第３の辺Ｅ３と、第１の端面ＬＳ１側の第４の辺Ｅ４と、を有する。第１の内部電極３１は、これら４つの辺Ｅ１～Ｅ４のうち、第１の端面に引き出される第４の辺Ｅ４を除く３つの辺Ｅ１～Ｅ３の近傍に位置する第１の外周部３１Ａと、第１の外周部３１Ａの内側に位置する第１の内側電極部３１Ｂと、を有する。なお、第１の内部電極３１の第１の辺Ｅ１～第４の辺Ｅ４は、第１の内部電極３１の外縁を画定している。
第１の内側電極部３１Ｂは、第１の対向部３１１に位置する第１の対向部領域３１Ｂ１と、第１の引き出し部３１２に位置する第１の引き出し部領域３１Ｂ２と、を有する。第１の外周部３１Ａは、第１の対向部３１１に位置する第１の対向部領域３１Ａ１と、第１の引き出し部３１２に位置する第１の引き出し部領域３１Ａ２と、を有する。なお、第１の外周部３１Ａは、以下のように部位を区分けすることもできる。すなわち、第１の外周部３１Ａは、第１の側面ＷＳ１側に位置する第１の側面側領域３１ＡＷ１と、第２の側面ＷＳ２側に位置する第２の側面側領域３１ＡＷ２と、第２の端面ＬＳ２側に位置する第２の端面側領域３１ＡＬ２と、を有する。
第１の外周部３１Ａの第２の端面側領域３１ＡＬ２の第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２を結ぶ長さ方向の長さＬ２は、第１の内部電極３１の第１の端面ＬＳ１側の第４の辺Ｅ４および第２の端面ＬＳ２側の第３の辺Ｅ３を結ぶ長さ方向の長さＬ１の５％以上１０％以下であることが好ましい。第１の外周部３１Ａの第１の側面側領域３１ＡＷ１の第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２を結ぶ幅方向の長さＷ２は、第１の内部電極３１の第１の側面ＷＳ１側の第１の辺Ｅ１および第２の側面ＷＳ２側の第２の辺Ｅ２を結ぶ幅方向の長さＷ１の５％以上２０％以下であることが好ましい。第１の外周部３１Ａの第２の側面側領域３１ＡＷ２の第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２を結ぶ幅方向の長さＷ２は、第１の内部電極３１の第１の側面ＷＳ１側の第１の辺Ｅ１および第２の側面ＷＳ２側の第２の辺Ｅ２を結ぶ幅方向の長さＷ１の５％以上２０％以下であることが好ましい。
ここで、第１の外周部３１Ａにおける第１の誘電体層２１に対する第１の内部電極３１の被覆率（カバレッジ）をＡ１、第１の内側電極部３１Ｂにおける第１の誘電体層２１に対する第１の内部電極３１の被覆率（カバレッジ）をＢ１としたとき、Ａ１＜Ｂ１の関係となっている。例えば、第１の外周部３１Ａにおける第１の誘電体層２１に対する第１の内部電極３１の被覆率Ａ１は、例えば５５％以上７５％以下である。そして、第１の内側電極部３１Ｂにおける第１の誘電体層２１に対する第１の内部電極３１の被覆率Ｂ１は、例えば７２％以上９８％以下の範囲内の値であって、かつ少なくとも被覆率Ａ１よりも高い値である。なお、第１の外周部３１Ａは、第１の低カバレッジ部３１Ａともいう。第１の内側電極部３１Ｂは、第１の高カバレッジ部３１Ｂともいう。
第１の外周部３１Ａに位置する第１の内部電極３１の厚みは、例えば、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であることが好ましい。第１の内側電極部３１Ｂに位置する第１の内部電極３１の厚みは、例えば、０．３μｍ以上０．７μｍ以下であることが好ましい。この範囲の場合に、本実施形態の構成によって得られる効果がより高まりやすい。
図６に示すように、第２の内部電極３２は、第１の側面ＷＳ１側の第５の辺Ｅ５と、第２の側面ＷＳ２側の第６の辺Ｅ６と、第１の端面ＬＳ１側の第７の辺Ｅ７と、第２の端面ＬＳ２側の第８の辺Ｅ８と、を有する。第２の内部電極３２は、これら４つの辺Ｅ５～Ｅ８のうち、第２の端面に引き出される第８の辺Ｅ８を除く３つの辺Ｅ５～Ｅ７の近傍に位置する第２の外周部３２Ａと、第２の外周部３２Ａの内側に位置する第２の内側電極部３２Ｂと、を有する。なお、第２の内部電極３２の第５の辺Ｅ５～第８の辺Ｅ８は、第２の内部電極３２の外縁を画定している。
第２の内側電極部３２Ｂは、第２の対向部３２１に位置する第２の対向部領域３２Ｂ１と、第２の引き出し部３２２に位置する第２の引き出し部領域３２Ｂ２と、を有する。第２の外周部３２Ａは、第２の対向部３２１に位置する第２の対向部領域３２Ａ１と、第２の引き出し部３２２に位置する第２の引き出し部領域３２Ａ２と、を有する。なお、第２の外周部３２Ａは、以下のように部位を区分けすることもできる。すなわち、第２の外周部３２Ａは、第１の側面ＷＳ１側に位置する第１の側面側領域３２ＡＷ１と、第２の側面ＷＳ２側に位置する第２の側面側領域３２ＡＷ２と、第１の端面ＬＳ１側に位置する第１の端面側領域３２ＡＬ１と、を有する。
第２の外周部３２Ａの第１の端面側領域３２ＡＬ１の第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２を結ぶ長さ方向の長さＬ２は、第２の内部電極３２の第１の端面ＬＳ１側の第７の辺Ｅ７および第２の端面ＬＳ２側の第８の辺Ｅ８を結ぶ長さ方向の長さＬ１の５％以上１０％以下であることが好ましい。第２の外周部３２Ａの第１の側面側領域３２ＡＷ１の第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２を結ぶ幅方向の長さＷ２は、第２の内部電極３２の第１の側面ＷＳ１側の第５の辺Ｅ５および第２の側面ＷＳ２側の第６の辺Ｅ６を結ぶ幅方向の長さＷ１の５％以上２０％以下であることが好ましい。第２の外周部３２Ａの第２の側面側領域３２ＡＷ２の第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２を結ぶ幅方向の長さＷ２は、第２の内部電極３２の第１の側面ＷＳ１側の第５の辺Ｅ５および第２の側面ＷＳ２側の第６の辺Ｅ６を結ぶ幅方向の長さＷ１の５％以上２０％以下であることが好ましい。
ここで、第２の外周部３２Ａにおける第２の誘電体層２２に対する第２の内部電極３２の被覆率（カバレッジ）をＡ２、第２の内側電極部３２Ｂにおける第２の誘電体層２２に対する第２の内部電極３２の被覆率（カバレッジ）をＢ２としたとき、Ａ２＜Ｂ２の関係となっている。例えば、第２の外周部３２Ａにおける第２の誘電体層２２に対する第２の内部電極３２の被覆率Ａ２は、例えば５５％以上７５％以下である。そして、第２の内側電極部３２Ｂにおける第２の誘電体層２２に対する第２の内部電極３２の被覆率Ｂ２は、例えば７２％以上９８％以下の範囲内の値であって、かつ少なくとも被覆率Ａ２よりも高い値である。なお、第２の外周部３２Ａは、第２の低カバレッジ部３２Ａともいう。第２の内側電極部３２Ｂは、第２の高カバレッジ部３２Ｂともいう。
第２の外周部３２Ａに位置する第２の内部電極３２の厚みは、例えば、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であることが好ましい。第２の内側電極部３２Ｂに位置する第２の内部電極３２の厚みは、例えば、０．３μｍ以上０．７μｍ以下であることが好ましい。この範囲の場合に、本実施形態の構成によって得られる効果がより高まりやすい。
次に、誘電体層２０の詳細な構成について説明する。
図５に示すように、第１の誘電体層２１は、第１の内部電極３１が配置される領域内において４つの辺を有している。すなわち、第１の誘電体層２１は、第１の内部電極３１が配置される領域内において、第１の側面ＷＳ１側の第１の辺Ｆ１と、第２の側面ＷＳ２側の第２の辺Ｆ２と、第２の端面ＬＳ２側の第３の辺Ｆ３と、第１の端面ＬＳ１側の第４の辺Ｆ４と、を有する。第１の誘電体層２１は、これら４つの辺Ｆ１～Ｆ４のうち、第１の端面に位置する第４の辺Ｆ４を除く３つの辺Ｆ１～Ｆ３の近傍に位置する第１の高誘電率部２１Ａと、第１の高誘電率部２１Ａの内側に位置する第１の内側誘電体層部２１Ｂと、を有する。第１の誘電体層２１は、第１の高誘電率部２１Ａの外側に、さらに第１の外側誘電体層部２１Ｃを有する。
第１の高誘電率部２１Ａは、第１の側面ＷＳ１側に位置する第１の側面側領域２１ＡＷ１と、第２の側面ＷＳ２側に位置する第２の側面側領域２１ＡＷ２と、第２の端面ＬＳ２側に位置する第２の端面側領域２１ＡＬ２と、を有する。第１の外側誘電体層部２１Ｃは、第１の側面ＷＳ１側に位置する第１の側面側領域２１ＣＷ１と、第２の側面ＷＳ２側に位置する第２の側面側領域２１ＣＷ２と、第２の端面ＬＳ２側に位置する第２の端面側領域２１ＣＬ２と、を有する。
第１の高誘電率部２１Ａの第２の端面側領域２１ＡＬ２の第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２を結ぶ長さ方向の長さＬ３は、第１の内部電極３１の第１の端面ＬＳ１側の第４の辺Ｅ４および第２の端面ＬＳ２側の第３の辺Ｅ３を結ぶ長さ方向の長さＬ１の５％以上２０％以下であることが好ましい。長さＬ３が長さＬ１の５％よりも小さくなった場合には、誘電体層の高誘電率部分の面積が十分に確保できず、容量の向上効果が小さくなる。一方、長さＬ３が長さＬ１の２０％よりも大きくなった場合には、誘電体層の高誘電率部分の面積が大きくなりすぎて、高温負荷信頼性低下の不具合が生じる場合がある。
第１の高誘電率部２１Ａの第１の側面側領域２１ＡＷ１の第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２を結ぶ幅方向の長さＷ３は、第１の内部電極３１の第１の側面ＷＳ１側の第１の辺Ｅ１および第２の側面ＷＳ２側の第２の辺Ｅ２を結ぶ幅方向の長さＷ１の５％以上３０％以下であることが好ましい。第１の高誘電率部２１Ａの第２の側面側領域２１ＡＷ２の第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２を結ぶ幅方向の長さＷ３は、第１の内部電極３１の第１の側面ＷＳ１側の第１の辺Ｅ１および第２の側面ＷＳ２側の第２の辺Ｅ２を結ぶ幅方向の長さＷ１の５％以上３０％以下であることが好ましい。長さＷ３が長さＷ１の５％よりも小さくなった場合には、誘電体層の高誘電率部分の面積が十分に確保できず、容量の向上効果が小さくなる。一方、長さＷ３が長さＷ１の３０％よりも大きくなった場合には、誘電体層の高誘電率部分の面積が大きくなりすぎて、高温負荷信頼性低下の不具合が生じる場合がある。
なお、積層方向で見たときに、第１の誘電体層２１の第１の辺Ｆ１～第４の辺Ｆ４はそれぞれ、第１の内部電極３１の外縁を画定している第１の辺Ｅ１～第４の辺Ｅ４と重なる。そして、第１の誘電体層２１の第１の辺Ｆ１は、対向電極部１１Ｅと第１の側面側外層部ＷＧ１との境界線を含む線である。第１の誘電体層２１の第２の辺Ｆ２は、対向電極部１１Ｅと第２の側面側外層部ＷＧ２との境界線を含む線である。第１の誘電体層２１の第３の辺Ｆ３は、対向電極部１１Ｅと第２の端面側外層部ＬＧ２との境界線である。すなわち、第１の誘電体層２１の第１の辺Ｆ１～第３の辺Ｆ３は、第１の誘電体層２１における対向電極部１１Ｅを画定する仮想的な線の少なくとも一部を含む。そして、本実施形態においては、第１の誘電体層２１の第１の辺Ｆ１～第３の辺Ｆ３は、第１の高誘電率部２１Ａの外縁部を形成している。
第１の誘電体層２１の第１の高誘電率部２１Ａの少なくとも一部は、第１の内部電極３１の第１の低カバレッジ部３１Ａ（第１の外周部３１Ａ）と、第２の内部電極３２の第２の低カバレッジ部３２Ａ（第２の外周部３２Ａ）との間に挟まれる位置に配置されている。
図７に示すように、第２の誘電体層２２は、第２の内部電極３２が配置される領域内において４つの辺を有している。すなわち、第２の誘電体層２２は、第２の内部電極３２が配置される領域内において、第１の側面ＷＳ１側の第５の辺Ｆ５と、第２の側面ＷＳ２側の第６の辺Ｆ６と、第１の端面ＬＳ１側の第７の辺Ｆ７と、第２の端面ＬＳ２側の第８の辺Ｆ８と、を有する。第２の誘電体層２２は、これら４つの辺Ｆ５～Ｆ８のうち、第２の端面に位置する第８の辺Ｆ８を除く３つの辺Ｆ５～Ｆ７の近傍に位置する第２の高誘電率部２２Ａと、第２の高誘電率部２２Ａの内側に位置する第２の内側誘電体層部２２Ｂと、を有する。第２の誘電体層２２は、第２の高誘電率部２２Ａの外側に、さらに第２の外側誘電体層部２２Ｃを有する。
第２の高誘電率部２２Ａは、第１の側面ＷＳ１側に位置する第１の側面側領域２２ＡＷ１と、第２の側面ＷＳ２側に位置する第２の側面側領域２２ＡＷ２と、第１の端面ＬＳ１側に位置する第１の端面側領域２２ＡＬ１と、を有する。第２の外側誘電体層部２２Ｃは、第１の側面ＷＳ１側に位置する第１の側面側領域２２ＣＷ１と、第２の側面ＷＳ２側に位置する第２の側面側領域２２ＣＷ２と、第１の端面ＬＳ１側に位置する第１の端面側領域２２ＣＬ１と、を有する。
第２の高誘電率部２２Ａの第１の端面側領域２２ＡＬ１の第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２を結ぶ長さ方向の長さＬ３は、第２の内部電極３２の第１の端面ＬＳ１側の第７の辺Ｅ７および第２の端面ＬＳ２側の第８の辺Ｅ８を結ぶ長さ方向の長さＬ１の５％以上２０％以下であることが好ましい。長さＬ３が長さＬ１の５％よりも小さくなった場合には、誘電体層の高誘電率部分の面積が十分に確保できず、容量の向上効果が小さくなる。一方、長さＬ３が長さＬ１の２０％よりも大きくなった場合には、誘電体層の高誘電率部分の面積が大きくなりすぎて、高温負荷信頼性低下の不具合が生じる場合がある。
第２の高誘電率部２２Ａの第１の側面側領域２２ＡＷ１の第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２を結ぶ幅方向の長さＷ３は、第２の内部電極３２の第１の側面ＷＳ１側の第５の辺Ｅ５および第２の側面ＷＳ２側の第６の辺Ｅ６を結ぶ幅方向の長さＷ１の５％以上３０％以下であることが好ましい。第２の高誘電率部２２Ａの第２の側面側領域２２ＡＷ２の第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２を結ぶ幅方向の長さＷ３は、第２の内部電極３２の第１の側面ＷＳ１側の第５の辺Ｅ５および第２の側面ＷＳ２側の第６の辺Ｅ６を結ぶ幅方向の長さＷ１の５％以上３０％以下であることが好ましい。長さＷ３が長さＷ１の５％よりも小さくなった場合には、誘電体層の高誘電率部分の面積が十分に確保できず、容量の向上効果が小さくなる。一方、長さＷ３が長さＷ１の３０％よりも大きくなった場合には、誘電体層の高誘電率部分の面積が大きくなりすぎて、高温負荷信頼性低下の不具合が生じる場合がある。
なお、積層方向で見たときに、第２の誘電体層２２の第５の辺Ｆ５～第８の辺Ｆ８はそれぞれ、第２の内部電極３２の外縁を画定している第５の辺Ｅ５～第８の辺Ｅ８と重なる。そして、第２の誘電体層２２の第５の辺Ｆ５は、対向電極部１１Ｅと第１の側面側外層部ＷＧ１との境界線を含む線である。第２の誘電体層２２の第６の辺Ｆ６は、対向電極部１１Ｅと第２の側面側外層部ＷＧ２との境界線を含む線である。第２の誘電体層２２の第７の辺Ｆ７は、対向電極部１１Ｅと第１の端面側外層部ＬＧ１との境界線である。すなわち、第２の誘電体層２２の第５の辺Ｆ５～第７の辺Ｆ７は、第２の誘電体層２２における対向電極部１１Ｅを画定する仮想的な線の少なくとも一部を含む。そして、本実施形態においては、第２の誘電体層２２の第５の辺Ｆ５～第７の辺Ｆ７は、第２の高誘電率部２２Ａの外縁部を形成している。
第２の誘電体層２２の第２の高誘電率部２２Ａの少なくとも一部は、第１の内部電極３１の第１の低カバレッジ部３１Ａ（第１の外周部３１Ａ）と、第２の内部電極３２の第２の低カバレッジ部３２Ａ（第２の外周部３２Ａ）との間に挟まれる位置に配置されている。
ここで、第１の高誘電率部２１Ａにおける誘電体層の比誘電率をＡ３、第１の内側誘電体層部２１Ｂにおける誘電体層の比誘電率をＢ３としたとき、Ａ３＞Ｂ３の関係となっている。例えば、第１の高誘電率部２１Ａにおける誘電体層の比誘電率Ａ３は、第１の内側誘電体層部２１Ｂの比誘電率Ｂ３に対して、５％以上２５％以下の範囲で高い比誘電率になっていることが好ましい。これにより、本実施形態の効果をより顕著なものにすることができる。より具体的には、第１の高誘電率部２１Ａにおける誘電体層の比誘電率Ａ３は、３５００以上４０００以下であることが好ましく、第１の内側誘電体層部２１Ｂにおける誘電体層の比誘電率Ｂ３は、３０００以上３４００以下であることが好ましい。なお、第１の外側誘電体層部２１Ｃの誘電体層の比誘電率は、３０００以上４０００以下であることが好ましい。
なお、第１の内側誘電体層部２１Ｂは、第１の高誘電率部２１Ａと比べて比誘電率低いため、第１の低誘電率部２１Ｂともいう。
なお、第１の外側誘電体層部２１Ｃは、第１の高誘電率部２１Ａよりも比誘電率が低い材料により構成されていてもよい。例えば、第１の外側誘電体層部２１Ｃは、第１の内側誘電体層部２１Ｂと同じ材料により構成されていてもよい。この場合、より高い信頼性を確保することができる。また、第１の外側誘電体層部２１Ｃは、第１の高誘電率部２１Ａと同じ材料により構成されていてもよい。この場合、第１の誘電体層２１の誘電体シート（グリーンシート）の製造が容易となる。
第２の高誘電率部２２Ａにおける誘電体層の比誘電率をＡ４、第２の内側誘電体層部２２Ｂにおける誘電体層の比誘電率をＢ４としたとき、Ａ４＞Ｂ４の関係となっている。例えば、第２の高誘電率部２２Ａにおける誘電体層の比誘電率Ａ４は、第２の内側誘電体層部２２Ｂの比誘電率Ｂ４に対して、５％以上２５％以下の範囲で高い比誘電率になっていることが好ましい。これにより、本実施形態の効果をより顕著なものにすることができる。より具体的には、第２の高誘電率部２２Ａにおける誘電体層の比誘電率Ａ４は、３５００以上４０００以下であることが好ましく、第２の内側誘電体層部２２Ｂにおける誘電体層の比誘電率Ｂ４は、３０００以上３４００以下であることが好ましい。なお、第２の外側誘電体層部２２Ｃの誘電体層の比誘電率は、３０００以上４０００以下であることが好ましい。
なお、第２の内側誘電体層部２２Ｂは、第２の高誘電率部２２Ａと比べて比誘電率低いため、第２の低誘電率部２２Ｂともいう。
なお、第２の外側誘電体層部２２Ｃは、第２の高誘電率部２２Ａよりも比誘電率が低い材料により構成されていてもよい。例えば、第２の外側誘電体層部２２Ｃは、第２の内側誘電体層部２２Ｂと同じ材料により構成されていてもよい。この場合、より高い信頼性を確保することができる。また、第２の外側誘電体層部２２Ｃは、第２の高誘電率部２２Ａと同じ材料により構成されていてもよい。この場合、第２の誘電体層２２の誘電体シート（グリーンシート）の製造が容易となる。
ここで、第１の高誘電率部２１Ａの第１の外周部３１Ａに対するカバー率は、６８％以上１８７％以下であることが好ましい。また、第２の高誘電率部２２Ａの第２の外周部３２Ａに対するカバー率は、６８％以上１８７％以下であることが好ましい。このように、内部電極３０の誘電体層２０に対する被覆率が小さい部分に対応する部分の誘電体層２０の比誘電率を高くすることにより、積層体１０全体での誘電体層２０の比誘電率を高くすることなく、容量の低下を抑制し、かつ高い信頼性を確保することができる。
前述のとおり、積層セラミックコンデンサは、小型化、高容量化、および信頼性の向上が求められている。このため、誘電体層の薄層化および積層数の増加、ならびに内部電極の薄層化が図られている。このような内部電極の薄層化を実現するために、内部電極用の導電性ペーストとして、多くの溶媒を含む低粘度化された導電性ペーストが用いられる。一方、導電性ペーストを印刷するための印刷用のスクリーンとしては、メッシュパターンのオープニングが均一なスクリーンが用いられることが多い。このため、印刷後の内部電極パターンは、その外周部が誘電体層のグリーンシート面に対して、通常、その厚みが先細りとなる。この状態で焼結すると、内部電極パターンを構成するＮｉ等の金属粉末が焼結することにより、印刷された内部電極パターンは全方位的に収縮し、さらに薄くなる。よって、焼成後の内部電極は、特に厚みの薄い外周部の近傍に空隙が形成され易くなる。内部電極にこのような空隙が形成されると、内部電極の面積が変化する。よって、静電容量の発生に寄与する有効面積の減少により容量が低下するという問題が生じる。この課題を解決するために、例えば、積層セラミックコンデンサを構成する誘電体層のすべての層において比誘電率を高くすることにより、高容量化することが考えられる。
しかしながら、誘電体層のすべての層において比誘電率を高くするためには、信頼性を担保するための添加物の量を全体的に少なくする必要がある。一方、本実施形態の構成であれば、第１の内部電極３１の第１の外周部３１Ａおよび第２の内部電極３２の第２の外周部３２Ａのみ、添加物の量を少なくすればよいため、容量の低下を抑制しつつ、信頼性の低下を最小限に抑えることができる。
また、誘電体層のすべての層において比誘電率を高くするためには、焼成時にセラミックの焼結を促進させるために高い熱量を加える必要がある。しかしながら、高い熱量を加えた場合、内部電極が横方向に凝集して厚みが増加する玉化現象が進行する。これにより、誘電体層の平滑性が低下して、局所的に誘電体層が薄い箇所ができる。このような誘電体層の薄い箇所が存在すると、そこに電界が集中するため、信頼性が低下する。一方、本実施形態の構成であれば、焼成時の熱量を抑えることができるため、玉化現象の発生を抑制することができる。よって、電界の集中が生じにくくなり、信頼性の低下が抑制される。
外部電極４０は、第１の外部電極４０Ａと、第２の外部電極４０Ｂと、を有する。
第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１上に配置されている。第１の外部電極４０Ａは、第１の内部電極３１に接続されている。第１の外部電極４０Ａは、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にも配置されていてもよい。本実施形態では、第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。
第２の外部電極４０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上に配置されている。第２の外部電極４０Ｂは、第２の内部電極３２に接続されている。第２の外部電極４０Ｂは、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にも配置されていてもよい。本実施形態では、第２の外部電極４０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。
前述のとおり、積層体１０内においては、第１の内部電極３１の第１の対向部３１１と第２の内部電極３２の第２の対向部３２１とが誘電体層２０を介して対向することにより容量が形成されている。そのため、第１の内部電極３１が接続された第１の外部電極４０Ａと第２の内部電極３２が接続された第２の外部電極４０Ｂとの間でコンデンサの特性が発現する。
第１の外部電極４０Ａは、第１の下地電極層５０Ａと、第１の下地電極層５０Ａ上に配置された第１のめっき層７０Ａと、を有する。
第２の外部電極４０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂと、第２の下地電極層５０Ｂ上に配置された第２のめっき層７０Ｂと、を有する。
第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１上に配置されている。第１の下地電極層５０Ａは、第１の内部電極３１に接続されている。本実施形態においては、第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。
第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上に配置されている。第２の下地電極層５０Ｂは、第２の内部電極３２に接続されている。本実施形態においては、第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。
第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層、導電性樹脂層、薄膜層等から選ばれる少なくとも１つを含む。本実施形態の第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層である。焼付け層は、金属成分と、ガラス成分もしくはセラミック成分のどちらか一方を含んでいるか、その両方を含んでいることが好ましい。金属成分は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。ガラス成分は、例えば、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。セラミック成分は、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いてもよいし、異なる種のセラミック材料を用いてもよい。セラミック成分は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３等から選ばれる少なくとも１つを含む。
焼き付け層は、例えば、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体に塗布して焼き付けたものである。焼き付け層は、内部電極および誘電体層を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時焼成したものでもよく、内部電極および誘電体層を有する積層チップを焼成して積層体を得た後に積層体に導電性ペーストを塗布して焼き付けたものでもよい。なお、内部電極および誘電体層を有する積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼付け層は、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。この場合、添加するセラミック材料として、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いることが特に好ましい。焼き付け層は、複数層であってもよい。
第１の端面ＬＳ１に位置する第１の下地電極層５０Ａの長さ方向の厚みは、第１の下地電極層５０Ａの高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上１６０μｍ以下程度であることが好ましい。
第２の端面ＬＳ２に位置する第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向の厚みは、第２の下地電極層５０Ｂの高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上１６０μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２の少なくも一方の面の一部にも第１の下地電極層５０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの高さ方向の厚みは、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２の少なくも一方の面の一部にも第１の下地電極層５０Ａを設ける場合には、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの幅方向の厚みは、この部分に設けられた第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌおよび高さ方向Ｔの中央部において、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２の少なくも一方の面の一部にも第２の下地電極層５０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの高さ方向の厚みは、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２の少なくも一方の面の一部にも第２の下地電極層５０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの幅方向の厚みは、この部分に設けられた第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌおよび高さ方向Ｔの中央部において、例えば、３μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂを設けずに、積層体１０上に後述の第１のめっき層７０Ａおよび第２のめっき層７０Ｂが直接配置される構成であってもよい。
なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層に限らず、薄膜層であってもよい。薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。薄膜層は、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。
第１のめっき層７０Ａは、第１の下地電極層５０Ａを覆うように配置されている。
第２のめっき層７０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂを覆うように配置されている。
第１のめっき層７０Ａおよび第２のめっき層７０Ｂは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。第１のめっき層７０Ａおよび第２のめっき層７０Ｂは、それぞれ複数層により形成されていてもよい。
第１のめっき層７０Ａおよび第２のめっき層７０Ｂは、Ｎｉめっき層の上にＳｎめっき層が形成された２層構造が好ましい。その場合、Ｎｉめっき層は、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂが、積層セラミックコンデンサ１を実装する際のはんだによって侵食されることを防止する。また、Ｓｎめっき層は、積層セラミックコンデンサ１を実装する際のはんだの濡れ性を向上させる。これにより、積層セラミックコンデンサ１の実装を容易にする。第１のめっき層７０Ａおよび第２のめっき層７０ＢのそれぞれをＮｉめっき層とＳｎめっき層との２層構造とする場合、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層それぞれの厚みは、２μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
なお、本実施形態の第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂは、例えば導電性粒子と熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層を有していてもよい。下地電極層（第１の下地電極層５０Ａ、第２の下地電極層５０Ｂ）として導電性樹脂層を設ける場合、導電性樹脂層は、焼き付け層を覆うように配置されてもよいし、焼き付け層を設けずに積層体１０上に直接配置されてもよい。導電性樹脂層は、焼き付け層上を完全に覆っていてもよいし、焼き付け層の一部を覆っていてもよい。
熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層は、例えばめっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ１に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層は、緩衝層として機能する。よって、導電性樹脂層は、積層セラミックコンデンサ１のクラック発生を抑制する。
導電性粒子を構成する金属は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたは、それらを含む合金であってもよい。導電性粒子は、好ましくはＡｇを含む。導電性粒子は、例えばＡｇの金属粉である。Ａｇは、金属の中でもっとも比抵抗が低いため、電極材料に適している。また、Ａｇは貴金属であるため、酸化しにくく、対候性が高い。よって、Ａｇの金属粉は、導電性粒子として好適である。
また、導電性粒子は、金属粉の表面にＡｇコーティングされた金属粉であってもよい。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には、金属粉は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたはそれらの合金粉であることが好ましい。Ａｇの特性は保ちつつ、母材の金属を安価なものにするために、Ａｇコーティングされた金属粉を用いることが好ましい。
さらに、導電性粒子は、Ｃｕ、Ｎｉに酸化防止処理を施したものであってもよい。また、導電性粒子は、金属粉の表面にＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕをコーティングした金属粉であってもよい。金属粉の表面にＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕをコーティングされたものを使用する際には、金属粉は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたはそれらの合金粉であることが好ましい。
導電性粒子の形状は、特に限定されない。導電性粒子は、球形状、扁平状などのものを用いることができるが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いることが好ましい。
導電性樹脂層に含まれる導電性粒子は、主に導電性樹脂層の通電性を確保する役割を担う。具体的には、複数の導電性粒子どうしが接触することにより、導電性樹脂層内部に通電経路が形成される。
導電性樹脂層を構成する樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂から選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は、最も適切な樹脂のひとつである。また、導電性樹脂層の樹脂は、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤は、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系、活性エステル系、アミドイミド系など公知の種々の化合物であってもよい。
なお、導電性樹脂層は、複数層で形成されていてもよい。導電性樹脂層の最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
なお、第１の下地電極層５０Ａ、第２の下地電極層５０Ｂを設けずにめっき層だけで外部電極４０を形成してもよい。すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、第１の内部電極３１と、第２の内部電極３２とに、直接電気的に接続されるめっき層を含む構成であってもよい。このような場合、前処理として積層体１０の表面に触媒を配設した後で、めっき層が形成されてもよい。
この場合においても、めっき層は、複数層であることが好ましい。下層めっき層および上層めっき層はそれぞれ、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉまたはＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属またはこれらの金属を含む合金を含むことが好ましい。下層めっき層は、はんだバリア性能を有するＮｉを用いて形成されることがより好ましい。上層めっき層は、はんだ濡れ性が良好なＳｎまたはＡｕを用いて形成されることがより好ましい。なお、例えば、第１の内部電極３１および第２の内部電極３２がＮｉを用いて形成される場合は、下層めっき層は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、上層めっき層は必要に応じて形成されればよく、外部電極４０は、下層めっき層のみで構成されてもよい。また、めっき層は、上層めっき層を最外層としてもよいし、上層めっき層の表面にさらに他のめっき層を形成してもよい。
下地電極層を設けずに配置するめっき層の１層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。なお、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９体積％以上であることが好ましい。
なお、めっき層を積層体１０上に直接形成する場合は、下地電極層の厚みを削減することができる。よって、下地電極層の厚みを削減した分、積層セラミックコンデンサ１の高さ方向Ｔの寸法を低減させて、積層セラミックコンデンサ１の低背化を図ることができる。あるいは、下地電極層の厚みを削減した分、第１の内部電極３１および第２の内部電極３２の間に挟まれる誘電体層２０の厚みを厚くし、素体厚みの向上を図ることができる。このように、めっき層を積層体１０上に直接形成することで、積層セラミックコンデンサの設計自由度を向上させることができる。
なお、積層体１０と外部電極４０を含む積層セラミックコンデンサ１の長さ方向の寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．４ｍｍ以上３．２ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ１の積層方向の寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．２ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ１の幅方向の寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．２ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であることが好ましい。
以上のように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体層２０と積層された複数の内部電極３０とを含み、高さ方向に相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む積層体１０と、外部電極４０と、を有する積層セラミックコンデンサ１であって、内部電極３０は、誘電体層２０上に配置され第１の端面ＬＳ１に引き出される第１の内部電極３１と、誘電体層２０上に配置され第２の端面ＬＳ２に引き出される第２の内部電極３２とを有し、外部電極４０は、第１の内部電極３１に接続され、第１の端面ＬＳ１上に配置される第１の外部電極４０Ａと、第２の内部電極３２に接続され、第２の端面ＬＳ２上に配置される第２の外部電極４０Ｂとを有し、第１の内部電極３１は、第１の内部電極の外周領域に設けられた第１の低カバレッジ部３１Ａ（第１の外周部３１Ａ）と、第１の低カバレッジ部３１Ａの内側に位置する第１の高カバレッジ部（第１の内側電極部３１Ｂ）と、を有し、第２の内部電極３２は、第２の内部電極３２の外周領域に設けられた第２の低カバレッジ部（第２の外周部３２Ａ）と、第２の低カバレッジ部３２Ａの内側に位置する第２の高カバレッジ部（第２の内側電極部３２Ｂ）と、を有し、誘電体層２０は、第１の低カバレッジ部３１Ａと第２の低カバレッジ部３２Ａに挟まれる位置に少なくとも一部が配置される高誘電率部２１Ａ、２２Ａと、高誘電率部の内側に位置する低誘電率部２１Ｂ、２２Ｂと、を有する。これにより、高容量を確保し、かつ高い信頼性を確保することが可能となる。
より詳細には、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体層２０と積層された複数の内部電極３０とを含み、高さ方向に相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む積層体１０と、外部電極４０と、を有する積層セラミックコンデンサ１であって、誘電体層２０は、第１の誘電体層２１と、第２の誘電体層２２とを有し、内部電極３０は、第１の誘電体層２１上に配置され第１の端面ＬＳ１に引き出される第１の内部電極３１と、第２の誘電体層２２上に配置され第２の端面ＬＳ２に引き出される第２の内部電極３２とを有し、外部電極４０は、第１の内部電極３１に接続され、第１の端面ＬＳ１上に配置される第１の外部電極４０Ａと、第２の内部電極３２に接続され、第２の端面ＬＳ２上に配置される第２の外部電極４０Ｂとを有し、第１の内部電極３１は、４つの辺Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４を有しており、第１の端面ＬＳ１に引き出される１つの辺Ｅ４以外の３つの辺Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３の近傍の第１の外周部３１Ａと、第１の外周部３１Ａの内側に位置する第１の内側電極部３１Ｂと、を有し、第２の内部電極３２は、４つの辺Ｅ５、Ｅ６、Ｅ７、Ｅ８を有しており、第２の端面ＬＳ２に引き出される１つの辺Ｅ８以外の３つの辺Ｅ５、Ｅ６、Ｅ７の近傍の第２の外周部３２Ａと、第２の外周部３２Ａの内側に位置する第２の内側電極部３２Ｂと、を有し、第１の外周部３１Ａにおける第１の誘電体層２１に対する第１の内部電極３１の被覆率をＡ１、第１の内側電極部３１Ｂにおける第１の誘電体層２１に対する第１の内部電極３１の被覆率をＢ１としたとき、Ａ１＜Ｂ１の関係であり、第２の外周部３２Ａにおける第２の誘電体層２２に対する第２の内部電極３２の被覆率をＡ２、第２の内側電極部３２Ｂにおける第２の誘電体層２２に対する第２の内部電極３２の被覆率をＢ２としたとき、Ａ２＜Ｂ２の関係であり、第１の誘電体層２１は、第１の内部電極３１が配置される領域内において、４つの辺Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４を有しており、第１の端面ＬＳ１に位置する１つの辺Ｆ４以外の３つの辺Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３の近傍の第１の高誘電率部２１Ａと、第１の高誘電率部２１Ａの内側に位置する第１の内側誘電体層部２１Ｂと、を有し、第２の誘電体層２２は、第２の内部電極３２が配置される領域内において、４つの辺Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７、Ｆ８を有しており、第２の端面ＬＳ２に位置する１つの辺Ｆ８以外の３つの辺Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７の近傍の第２の高誘電率部２２Ａと、第２の高誘電率部２２Ａの内側に位置する第２の内側誘電体層部２２Ｂと、を有し、第１の高誘電率部２１Ａにおける第１の誘電体層２１の比誘電率をＡ３、第１の内側誘電体層部２１Ｂにおける第１の誘電体層２１の比誘電率をＢ３としたとき、Ａ３＞Ｂ３の関係であり、第２の高誘電率部２２Ａにおける第２の誘電体層２２の比誘電率をＡ４、第２の内側誘電体層部２２Ｂにおける第２の誘電体層２２の比誘電率をＢ４としたとき、Ａ４＞Ｂ４の関係であり、第１の高誘電率部２１Ａの第１の外周部３１Ａに対するカバー率および第２の高誘電率部２２Ａの第２の外周部３２Ａに対するカバー率が、６８％以上１８７％以下である。これにより、高容量を確保し、かつ高い信頼性を確保することが可能となる。
次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。まず、積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。
誘電体層２０用の誘電体シートおよび内部電極３０用の導電性ペーストが準備される。誘電体シートおよび内部電極用の導電性ペーストは、バインダおよび溶剤を含む。バインダおよび溶剤は、公知のものであってもよい。
最初に、誘電体の主成分であるＢａＴｉＯ３粉末を用意する。具体的には、ＢａＣＯ３粉末、ＴｉＯ２粉末を所定量秤量し、ボールミルにより一定時間混合した後、熱処理を行い、主成分のＢａＴｉＯ３粉末を得る。
次に、誘電体の副成分である、Ｄｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＳｉＯ２の各粉末を用意する。
主成分１００モル部に対してＤｙ２Ｏ３が０．７５モル部、ＭｇＯが１モル部、ＭｎＯが０．２モル部、ＳｉＯ２が１モル部となるように秤量する。これらの粉末を主成分のＢＴ粉末（ＢａＴｉＯ３粉末）と配合し、ボールミルにより一定間混合した後、乾燥、乾式粉砕し、低比誘電率原料粉末を得る。この低比誘電率原料粉末に対して、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、低比誘電率誘電体スラリーを調整する。
次に、主成分１００モル部に対してＤｙ２Ｏ３が０．２５モル部、ＭｇＯが１モル部、ＭｎＯが０．２モル部、ＳｉＯ２が１モル部となるように秤量する。これらの粉末を主成分のＢＴ粉末と配合し、ボールミルにより一定時間混合した後、乾燥、乾式粉砕し、高比誘電率原料粉末を得る。この高比誘電率原料粉末に対して、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、高比誘電率誘電体スラリーを調整する。
誘電体層２０のＷギャップ（第１の側面側外層部ＷＧ１、第２の側面側外層部ＷＧ２となる部分）およびＬギャップ（第１の端面側外層部ＬＧ１、第２の端面側外層部ＬＧ２となる部分）となる部分に使用する誘電体スラリーとしては、低比誘電率誘電体スラリー、高比誘電率誘電体スラリーおよび、これらの中間の比誘電率を発現するスラリーの中から選択して使用することができる。以下に、それぞれのスラリーを用いた場合の誘電体シートの製法を説明する。
なお、誘電体層２０のＷギャップおよびＬギャップとなる部分とは、より具体的には、焼成されて積層体１０となったときに、第１の誘電体層２１の第１の外側誘電体層部２１Ｃ（第１の側面側外層部ＷＧ１、第２の側面側外層部ＷＧ２、第２の端面側外層部ＬＧ２）および第２の誘電体層２２の第２の外側誘電体層部２２Ｃ（第１の側面側外層部ＷＧ１、第２の側面側外層部ＷＧ２、第１の端面側外層部ＬＧ１）となる部分である。また、誘電体層２０の内側誘電体層部となる部分とは、焼成されて積層体１０となったときに、第１の誘電体層２１の第１の内側誘電体層部２１Ｂおよび第２の誘電体層２２の第２の内側誘電体層部２２Ｂとなる部分である。また、誘電体層２０の高誘電率部となる部分とは、焼成されて積層体１０となったときに、第１の誘電体層２１の第１の高誘電率部２１Ａおよび第２の誘電体層２２の第２の高誘電率部２２Ａとなる部分である。
ＬギャップおよびＷギャップとなる部分に低誘電率スラリーを使用する場合は、低比誘電率誘電体スラリーが、内側誘電体層部、Ｗギャップ部およびＬギャップ部（第１の側面側外層部、第２の側面側外層部、第１の端面側外層部、第２の端面側外層部）となる領域にスクリーン塗布またはインクジェット方式により塗布される。そして、高比誘電率誘電体スラリーが、高誘電率部となる領域にスクリーン塗布またはインクジェット方式により塗布される。
ＬギャップおよびＷギャップに高誘電率スラリーを使用する場合は、低比誘電率誘電体スラリーが、内側誘電体層部となる領域にスクリーン塗布またはインクジェット方式により塗布される。そして、高比誘電率誘電体スラリーが、高誘電率部、Ｗギャップ部およびＬギャップ部（第１の側面側外層部、第２の側面側外層部、第１の端面側外層部、第２の端面側外層部）となる領域にスクリーン塗布またはインクジェット方式により塗布される。
ＬギャップおよびＷギャップとなる部分に中間の誘電率のスラリーを使用する場合は、以下の方法で中間比誘電率誘電体スラリーを調整する。まず、主成分１００モル部に対してＤｙ２Ｏ３が０．５０モル部、ＭｇＯが１モル部、ＭｎＯが０．２モル部、ＳｉＯ２が１モル部となるように秤量する。これらの粉末を主成分のＢＴ粉末と配合し、ボールミルにより一定時間混合した後、乾燥、乾式粉砕し、中間比誘電率原料粉末を得る。この中間比誘電率原料粉末に対して、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、中間比誘電率誘電体スラリーを調整する。そして、低比誘電率誘電体スラリーが、内側誘電体層部となる領域にスクリーン塗布またはインクジェット方式により塗布される。さらに、高比誘電率誘電体スラリーが、高誘電率部となる領域にスクリーン塗布またはインクジェット方式により塗布される。また、中間比誘電率誘電体スラリーが、ＷギャップおよびＬギャップ（第１の側面側外層部、第２の側面側外層部、第１の端面側外層部、第２の端面側外層部）となる領域にスクリーン塗布またはインクジェット方式により塗布される。
これにより、第１の誘電体層２１となる誘電体シートおよび第２の誘電体層２２となる誘電体シートが準備される。
第１の誘電体層２１となる誘電体シート上に、内部電極３０用の導電性ペーストが、例えばスクリーン印刷やグラビア印刷などにより、第１の内部電極３１に対応する所定のパターンで印刷される。第２の誘電体層２２となる誘電体シート上に、内部電極３０用の導電性ペーストが、例えばスクリーン印刷やグラビア印刷などにより、第２の内部電極３２に対応する所定のパターンで印刷される。これにより、第１の内部電極３１のパターンが形成された誘電体シートおよび、第２の内部電極３２のパターンが形成された誘電体シートが準備される。この時の内部電極用の導電性ペーストの粘度は５０～６００ｍＰａ・ｓであるのが好ましい。これによって、本実施形態の内部電極の被覆率を実現できる。さらに、スクリーン印刷版やグラビア印刷版の第１の外周部３１Ａおよび第２の外周部３２Ａに対応する開口部面積を、第１の内側電極部３１Ｂおよび第２の内側電極部３２Ｂに対応する開口部面積よりも小さくすることで、より本実施形態の内部電極の被覆率をコントロールしやすくなる。
内部電極のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第１の主面ＴＳ１側の第１の主面側外層部１２となる部分が形成される。その上に、第１の内部電極３１のパターンが印刷された第１の誘電体層２１となる誘電体シートおよび第２の内部電極３２のパターンが印刷された第２の誘電体層２２となる誘電体シートが順次積層されることにより、内層部１１となる部分が形成される。この内層部１１となる部分の上に、内部電極のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面ＴＳ２側の第２の主面側外層部１３となる部分が形成される。これにより、積層シートが作製される。
積層シートが静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスされることにより、積層ブロックが作製される。
積層ブロックが所定のサイズにカットされることにより、積層チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みがつけられてもよい。
積層チップが焼成されることにより、積層体１０が作製される。焼成温度は、誘電体層２０や内部電極３０の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。
積層体１０の両端面に下地電極層（第１の下地電極層５０Ａ、第２の下地電極層５０Ｂ）となる導電性ペーストが塗布される。本実施形態においては、下地電極層は、焼き付け層である。ガラス成分と金属とを含む導電性ペーストが、例えばディッピングなどの方法により、積層体１０に塗布される。その後、焼き付け処理が行われ、下地電極層が形成される。この時の焼き付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。
なお、焼成前の積層チップと、積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼き付け層は、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。このとき、添加するセラミック材料として、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いることが特に好ましい。この場合は、焼成前の積層チップに対して、導電性ペーストを塗布し、積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストを同時に焼き付けて、焼き付け層が形成された積層体１０を形成する。
その後、下地電極層の表面に、めっき層が形成される。本実施形態においては、第１の下地電極層５０Ａの表面に、第１のめっき層７０Ａが形成される。また、第２の下地電極層５０Ｂの表面に、第２のめっき層７０Ｂが形成される。本実施形態では、めっき層として、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層が形成される。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよい。ただし、無電解めっきは、めっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となるため、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、例えばバレルめっきにより、順次形成される。
なお、下地電極層を薄膜層で形成する場合は、マスキングなどを行うことにより、外部電極を形成したい部分に下地電極層としての薄膜層が形成される。薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成される。薄膜層は、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。
なお、下地電極層として導電性樹脂層を設ける場合、導電性樹脂層は、焼き付け層を覆うように配置されてもよいし、焼き付け層を設けずに積層体１０上に直接配置されてもよい。導電性樹脂層を設ける場合は、熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性樹脂ペーストが焼き付け層上もしくは積層体１０上に塗布され、その後、２５０～５５０℃以上の温度で熱処理される。これにより、熱硬化樹脂が熱硬化して、導電性樹脂層が形成される。この熱処理時の雰囲気は、Ｎ２雰囲気であることが好ましい。また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は１００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
なお、下地電極層を設けずに、めっき層が積層体１０の内部電極３０の露出部に直接配置されてもよい。この場合は、積層体１０の第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２にめっき処理が施され、内部電極３０の露出部上にめっき層が形成される。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよい。ただし、無電解めっきは、めっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となるため、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっきを採用することが好ましい。また、必要に応じて、下層めっき層の表面に形成される上層めっき層を、下層めっき層と同様の工法により形成してもよい。
このような製造工程により、積層セラミックコンデンサ１が製造される。
以下、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第１変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図８は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第１変形例を示す断面図であり、図５に対応する図である。図９は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第１変形例を示す断面図であり、図７に対応する図である。
本変形例においては、第１の高誘電率部２１Ａおよび第２の高誘電率部２２Ａの態様が、上記実施形態とは異なる。
本変形例においては、図８に示すように、第１の高誘電率部２１Ａが、第１の側面側領域２１ＡＷ１、第２の側面側領域２１ＡＷ２、第２の端面側領域２１ＡＬ２に加えて、第１の端面側領域２１ＡＬ１を有する。この第１の端面側領域２１ＡＬ１は、第１の誘電体層２１における対向電極部１１Ｅの第１の端部側の辺である第９の辺Ｆ９の近傍に配置されている。
第１の誘電体層２１の第９の辺Ｆ９は、対向電極部１１Ｅと第１の端面側外層部ＬＧ１との境界線である。積層方向で見たときに、第１の誘電体層２１の第９の辺Ｆ９は、第１の内部電極３１の第１の対向部３１１と第１の引き出し部３１２の境界線と重なる。積層方向で見たときに、第１の誘電体層２１の第９の辺Ｆ９は、第２の内部電極３２の外縁を画定している第７の辺Ｅ７と重なる。すなわち、本変形例における第１の誘電体層２１の第１の辺Ｆ１～第３の辺Ｆ３および第９の辺Ｆ９は、第１の誘電体層２１における対向電極部１１Ｅの周囲を囲む仮想的な線である。そして、本変形例においては、第１の誘電体層２１の第９の辺Ｆ９は、第１の高誘電率部２１Ａの外縁部を形成している。なお、本変形例においては、第１の内側誘電体層部２１Ｂは、第１の端面側領域２１ＡＬ１によって、領域２１Ｂ１および領域２１Ｂ２に分離されている。
第１の高誘電率部２１Ａの第１の端面側領域２１ＡＬ１の第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２を結ぶ長さ方向の長さＬ３は、第１の内部電極３１の第１の端面ＬＳ１側の第４の辺Ｅ４および第２の端面ＬＳ２側の第３の辺Ｅ３を結ぶ長さ方向の長さＬ１の５％以上２０％以下であることが好ましい。
これにより、第２の内部電極３２の第２の低カバレッジ部３２Ａ（第２の外周部３２Ａ）を、第１の誘電体層２１の第１の高誘電率部２１Ａおよび第２の誘電体層２２の第２の高誘電率部２２Ａにより挟み込むことができるため、より高い容量を確保することが可能となる。
本変形例においては、図９に示すように、第２の高誘電率部２２Ａが、第１の側面側領域２２ＡＷ１、第２の側面側領域２２ＡＷ２、第１の端面側領域２２ＡＬ１に加えて、第２の端面側領域２２ＡＬ２を有する。この第２の端面側領域２２ＡＬ２は、第２の誘電体層２２における対向電極部１１Ｅの第２の端部側の辺である第１０の辺Ｆ１０の近傍に配置されている。
第２の誘電体層２２の第１０の辺Ｆ１０は、対向電極部１１Ｅと第２の端面側外層部ＬＧ２との境界線である。積層方向で見たときに、第２の誘電体層２２の第１０の辺Ｆ１０は、第２の内部電極３２の第２の対向部３２１と第２の引き出し部３２２の境界線と重なる。積層方向で見たときに、第２の誘電体層２２の第１０の辺Ｆ１０は、第１の内部電極３１の外縁を画定している第３の辺Ｅ３と重なる。すなわち、本変形例における第２の誘電体層２２の第５の辺Ｆ５～第７の辺Ｆ７および第１０の辺Ｆ１０は、第２の誘電体層２２における対向電極部１１Ｅの周囲を囲む仮想的な線である。そして、本変形例においては、第２の誘電体層２２の第１０の辺Ｆ１０は、第２の高誘電率部２２Ａの外縁部を形成している。なお、本変形例においては、第２の内側誘電体層部２２Ｂは、第２の端面側領域２２ＡＬ２によって、領域２２Ｂ１および領域２２Ｂ２に分離されている。
第２の高誘電率部２２Ａの第２の端面側領域２２ＡＬ２の第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２を結ぶ長さ方向の長さＬ３は、第２の内部電極３２の第１の端面ＬＳ１側の第８の辺Ｅ８および第２の端面ＬＳ２側の第７の辺Ｅ７を結ぶ長さ方向の長さＬ１の５％以上２０％以下であることが好ましい。
これにより、第１の内部電極３１の第１の低カバレッジ部３１Ａ（第１の外周部３１Ａ）を、第１の誘電体層２１の第１の高誘電率部２１Ａおよび第２の誘電体層２２の第２の高誘電率部２２Ａにより挟み込むことができ、より高い容量を確保することが可能となる。
以下、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第２変形例について説明する。なお、以下の説明において、上記実施形態と同じ構成については、同じ符号を付し、また詳細な説明を省略する。図１０は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第２変形例を示す断面図であり、図４に対応する図である。図１１は、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の第２変形例を示す断面図であり、図５に対応する図である。
本変形例においては、内部電極３０と誘電体層２０の態様が、上記実施形態とは異なる。
本変形例においては、図１０に示すように、第１の内部電極３１は、中央部から第１の外周部３１Ａに向かうにつれて、第１の誘電体層２１に対する第１の内部電極３１の被覆率が低下している。すなわち、第１の内部電極３１は、第１の内側電極部３１Ｂと第１の外周部３１Ａの間に被覆率移行部３１Ｇを有し、この部分において被覆率が徐々に変化している。また、図示は省略しているが、第２の内部電極３２も同様に、中央部から第２の外周部３２Ａに向かうにつれて、第２の誘電体層２２に対する第２の内部電極３２の被覆率が低下している。すなわち、第２の内部電極３２は、第２の内側電極部３２Ｂと第２の外周部３２Ａの間に被覆率移行部を有し、この部分において被覆率が徐々に変化している。
そして、図１１に示すように、第１の誘電体層２１は、中央部から第１の外周部３１Ａに対応する第１の高誘電率部２１Ａに向かうにつれて比誘電率が高くなっている。すなわち、第１の誘電体層２１は、第１の内側誘電体層部２１Ｂと第１の高誘電率部２１Ａとの間に比誘電率移行部２１Ｇを有し、この部分において、比誘電率が徐々に変化している。また、図示は省略しているが、第２の誘電体層２２も同様に、中央部から第２の外周部３２Ａに対応する第２の高誘電率部２２Ａに向かうにつれて比誘電率が高くなっている。すなわち、第２の誘電体層２２は、第２の内側誘電体層部２２Ｂと第２の高誘電率部２２Ａとの間に比誘電率移行部を有し、この部分において、比誘電率が徐々に変化している。
これにより、誘電体層２０を積層する際に積層ズレが発生した場合においても、内部電極３０の被覆率が低い部分に、誘電体層２０の比誘電率が低い第部分が重なることにより生じる静電容量の低下を抑制することができる。
本実施形態の積層セラミックコンデンサ１によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体層２０と積層された複数の内部電極３０とを含み、高さ方向に相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む積層体１０と、外部電極４０と、を有する積層セラミックコンデンサ１であって、誘電体層２０は、第１の誘電体層２１と、第２の誘電体層２２とを有し、内部電極３０は、第１の誘電体層２１上に配置され第１の端面ＬＳ１に引き出される第１の内部電極３１と、第２の誘電体層２２上に配置され第２の端面ＬＳ２に引き出される第２の内部電極３２とを有し、外部電極４０は、第１の内部電極３１に接続され、第１の端面ＬＳ１上に配置される第１の外部電極４０Ａと、第２の内部電極３２に接続され、第２の端面ＬＳ２上に配置される第２の外部電極４０Ｂとを有し、第１の内部電極３１は、４つの辺Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４を有しており、第１の端面ＬＳ１に引き出される１つの辺Ｅ４以外の３つの辺Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３の近傍の第１の外周部３１Ａと、第１の外周部３１Ａの内側に位置する第１の内側電極部３１Ｂと、を有し、第２の内部電極３２は、４つの辺Ｅ５、Ｅ６、Ｅ７、Ｅ８を有しており、第２の端面ＬＳ２に引き出される１つの辺Ｅ８以外の３つの辺Ｅ５、Ｅ６、Ｅ７の近傍の第２の外周部３２Ａと、第２の外周部３２Ａの内側に位置する第２の内側電極部３２Ｂと、を有し、第１の外周部３１Ａにおける第１の誘電体層２１に対する第１の内部電極３１の被覆率をＡ１、第１の内側電極部３１Ｂにおける第１の誘電体層２１に対する第１の内部電極３１の被覆率をＢ１としたとき、Ａ１＜Ｂ１の関係であり、第２の外周部３２Ａにおける第２の誘電体層２２に対する第２の内部電極３２の被覆率をＡ２、第２の内側電極部３２Ｂにおける第２の誘電体層２２に対する第２の内部電極３２の被覆率をＢ２としたとき、Ａ２＜Ｂ２の関係であり、第１の誘電体層２１は、第１の内部電極３１が配置される領域内において、４つの辺Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４を有しており、第１の端面ＬＳ１に位置する１つの辺Ｆ４以外の３つの辺Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３の近傍の第１の高誘電率部２１Ａと、第１の高誘電率部２１Ａの内側に位置する第１の内側誘電体層部２１Ｂと、を有し、第２の誘電体層２２は、第２の内部電極３２が配置される領域内において、４つの辺Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７、Ｆ８を有しており、第２の端面ＬＳ２に位置する１つの辺Ｆ８以外の３つの辺Ｆ５、Ｆ６、Ｆ７の近傍の第２の高誘電率部２２Ａと、第２の高誘電率部２２Ａの内側に位置する第２の内側誘電体層部２２Ｂと、を有し、第１の高誘電率部２１Ａにおける誘電体層２１の比誘電率をＡ３、第１の内側誘電体層部２１Ｂにおける第１の誘電体層２１の比誘電率をＢ３としたとき、Ａ３＞Ｂ３の関係であり、第２の高誘電率部２２Ａにおける第２の誘電体層２２の比誘電率をＡ４、第２の内側誘電体層部２２Ｂにおける第２の誘電体層２２の比誘電率をＢ４としたとき、Ａ４＞Ｂ４の関係であり、第１の高誘電率部２１Ａの第１の外周部３１Ａに対するカバー率および第２の高誘電率部２２Ａの第２の外周部３２Ａに対するカバー率が、６８％以上１８７％以下である。これにより、高容量を確保し、かつ高い信頼性を確保することが可能となる。
（２）本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第１の外周部３１Ａの第２の端面ＬＳ２側に位置する辺Ｅ３における第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２を結ぶ長さ方向Ｌの長さＬ２は、第１の内部電極３１の第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２を結ぶ長さ方向Ｌの長さＬ１の５％以上１０％以下である。これにより、本実施形態の効果をより顕著なものにすることができる。
（３）本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第２の外周部３２Ａの第１の端面ＬＳ１側に位置する辺Ｅ７における第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２を結ぶ長さ方向Ｌの長さＬ２は、第２の内部電極３２の第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２を結ぶ長さ方向Ｌの長さＬ１の５％以上１０％以下である。これにより、本実施形態の効果をより顕著なものにすることができる。
（４）本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第１の外周部３１Ａの第１の側面ＷＳ１側に位置する辺Ｅ１の近傍の部分（第１の側面側領域３１ＡＷ１）および第２の側面ＷＳ２側に位置する辺Ｅ２の近傍の部分（第２の側面側領域３１ＡＷ２）における第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２を結ぶ幅方向Ｗの長さＷ２は、第１の内部電極３１の第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２を結ぶ幅方向Ｗの長さＷ１の５％以上２０％以下である。これにより、本実施形態の効果をより顕著なものにすることができる。
（５）本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第２の外周部３２Ａの第１の側面ＷＳ１側に位置する辺Ｅ５の近傍の部分（第１の側面側領域３２ＡＷ１）および第２の側面ＷＳ２側に位置する辺Ｅ６の近傍の部分（第２の側面側領域３２ＡＷ２）における第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２を結ぶ幅方向Ｗの長さＷ２は、第２の内部電極３２の第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２を結ぶ幅方向Ｗの長さＷ１の５％以上２０％以下である。これにより、本実施形態の効果をより顕著なものにすることができる。
（６）本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第１の内部電極３１が位置する部分の第１の誘電体層２１は、中央部から第１の外周部３１Ａに対応する部分に向かうにつれて比誘電率が高く、第２の内部電極３２が位置する部分の第２の誘電体層２２は、中央部から第２の外周部３２Ａに対応する部分に向かうにつれて比誘電率が高い。これにより、誘電体層２０を積層する際に積層ズレが発生した場合においても、内部電極３０の被覆率が低い部分に、誘電体層２０の比誘電率が低い第部分が重なることにより生じる静電容量の低下を抑制することができる。
＜実験例＞
上述の製造方法にしたがって、図１２に示す実験例の積層セラミックコンデンサを作製し、静電容量の測定と、信頼性の試験を実施した。図１２には、実験例における内部電極の形状を表す模式的な図が示されている。
まず、実験例の試料を生成するために、上述の製造方法にしたがって、以下の仕様の積層セラミックコンデンサを作製した。
・積層セラミックコンデンサの寸法：Ｌ×Ｗ×Ｔ＝２．２ｍｍ×１．４ｍｍ×０．８ｍｍ
・誘電体層：ＢａＴｉＯ３
・第１の高誘電率部における第１の誘電体層の比誘電率Ａ３：３８００
・第１の内側誘電体層部における第１の誘電体層の比誘電率Ｂ３：３０００
・第２の高誘電率部における第２の誘電体層の比誘電率Ａ４：３８００
・第２の内側誘電体層部における第２の誘電体層の比誘電率Ｂ４：３０００
・内部電極の材料：Ｎｉ
・距離Ｗ１の寸法：１２００μｍ
・距離Ｗ２の寸法：１５０μｍ
・距離Ｌ１の寸法：１９２０μｍ
・距離Ｌ２の寸法：１５０μｍ
・第１の外周部における第１の誘電体層に対する第１の内部電極の被覆率Ａ１：７０％
・第１の内側電極部における第１の誘電体層に対する第１の内部電極の被覆率Ｂ１：９５％
・第２の外周部における第２の誘電体層に対する第２の内部電極の被覆率Ａ２：７０％
・第２の内側電極部における第２の誘電体層に対する第２の内部電極の被覆率Ｂ２：９５％
・カバー率（第１の高誘電率部の第１の外周部に対するカバー率および第２の高誘電率部の第２の外周部に対するカバー率）：図１２の「カバー率」を参照
・容量：２２μＦ
・定格電圧：２５Ｖ
・下地電極層：導電性金属（Ｃｕ）とガラス成分を含む電極
・めっき層：Ｎｉめっき層２μｍおよびＳｎめっき層２μｍの２層構造
次に、作製した試料について、以下の測定方法および試験方法にしたがって測定および試験を行った。
（１）距離Ｌ１、Ｗ１の測定方法
まず、積層体のＴ方向における中央部に位置する内部電極と誘電体層とを電界剥離により引き剥がした。次に、露出した内部電極のＬ方向１／２の位置における内部電極の幅をＷ１、露出した内部電極のＷ方向１／２の位置における内部電極のＬ方向の長さＬ１をデジタルマイクロスコープを用いて測定した。
（２）距離Ｌ２、Ｗ２の測定方法
まず、積層体のＴ方向における中央部に位置する内部電極と誘電体層とを電界剥離により引き剥がした。次に、露出した内部電極のＬ方向１／２の位置におけるＷ方向のＷギャップに隣接する最外周部を、顕微鏡を用いて倍率５００倍で観察し、得られた画像を解析することにより、露出した部分において内部電極が占める面積の割合を求めた。続いて観察箇所を最外周部から積層体中央（Ｗ方向中央）側に５０ｕｍずつ移動しながら被覆率の測定を繰り返し、最初に測定した最外周部の被覆率の１．３倍以上の被覆率が観測された箇所と最外周部からの距離Ｗ２を求めた。ただし、積層体のＷ方向中央部に到達するまでに１．３倍以上の被覆率上昇が確認できない場合は、Ｗ２＝０とした。
次に、露出した内部電極のＷ方向１／２の位置におけるＬ方向のＬギャップに隣接する最外周部を、顕微鏡を用いて倍率５００倍程度で観察し、得られた画像を解析することにより、内部電極の被覆率を求めた。観察箇所をＬ方向中央側に５０ｕｍ移動ずつ移動させながら測定を繰り返し行い、最初に測定した最外周部の被覆率の１．３倍以上の被覆率が観測された箇所と最外周部からの距離Ｌ２を求めた。ただし、積層体のＬ方向中央部に到達するまでに１．３倍以上の被覆率上昇が確認できない場合は、Ｌ２＝０とした。
（３）誘電体層に対する内部電極の被覆率の測定方法
（３－１）被覆率Ａ１の測定方法
積層体のＴ方向における中央部に位置する内部電極と誘電体層とを電界剥離により引き剥がすことにより内部電極を露出させた。上記Ｌ１、Ｌ２、Ｗ１、Ｗ２の測定結果から定義される第１の外周部の、Ｌ方向１／２の位置かつＷ方向の電極最外周部からＷ２／２だけ内側の箇所を、顕微鏡を用いて倍率５００倍程度で観察し、得られた画像を解析することにより、第１の外周部の内部電極の被覆率Ａ１を求めた。
（３－２）被覆率Ａ２の測定方法
積層体のＴ方向における中央部に位置する内部電極と誘電体層とを電界剥離により引き剥がすことにより内部電極を露出させた。上記Ｌ１、Ｌ２、Ｗ１、Ｗ２の測定結果から定義される第２の外周部の、Ｌ方向１／２の位置かつＷ方向の電極最外周部からＷ２／２だけ内側の箇所を、顕微鏡を用いて倍率５００倍程度で観察し、得られた画像を解析することにより、第２の外周部の内部電極の被覆率Ａ２を求めた。
（３－３）被覆率Ｂ１の測定方法
積層体のＴ方向における中央部に位置する内部電極と誘電体層とを電界剥離により引き剥がすことにより内部電極を露出させた。上記Ｌ１、Ｌ２、Ｗ１、Ｗ２の測定結果から定義される第１の内側電極部の、Ｌ方向１／２かつＷ方向１／２の位置を、顕微鏡を用いて倍率５００倍程度で観察し、得られた画像を解析することにより、第１の内側電極部の被覆率Ｂ１を求めた。
（３－４）被覆率Ｂ２の測定方法
積層体のＴ方向における中央部に位置する内部電極と誘電体層とを電界剥離により引き剥がすことにより内部電極を露出させた。上記Ｌ１、Ｌ２、Ｗ１、Ｗ２の測定結果から定義される第２の内側電極部の、Ｌ方向１／２かつＷ方向１／２の位置を、顕微鏡を用いて倍率５００倍程度で観察し、得られた画像を解析することにより、第２の内側電極部の被覆率Ｂ２を求めた。
（４）距離Ｌ３、Ｗ３の測定方法
まず、外部電極および、第１の側面側外層部、第２の側面側外層部、第１の端面側外層部、第２の端面側外層部を研磨により削り落とし、マニピュレータとＣメーターを用いて周波数１ｋＨｚ、印加電圧１Ｖｒｍｓの条件で積層体のＴ方向における中央部に位置する誘電体層１層分の静電容量Ｃ１を測定した。
続いて第１の側面および第２の側面側の外周部をそれぞれ５０ｕｍ研磨によって削り落とし、マニピュレータとＣメーターを用いて周波数１ｋＨｚ、印加電圧１Ｖｒｍｓの条件で１層分の静電容量Ｃ２を測定し、次の式（１）により第１の側面および第２の側面側の高誘電率部の比誘電率を算出した。
第１の側面および第２の側面側の高誘電率部の比誘電率＝（（Ｃ１－Ｃ２）×（誘電体素子の厚みｄ））／（（真空の比誘電率ε０）×（２×Ｌ１×片側研磨量）×（内部電極被覆率Ａ１とＡ２の平均値））・・・（１）
上記測定手順を研磨量を５０ｕｍずつ増やしながら同一箇所において繰り返し、比誘電率が最初に測定した最外周部の比誘電率の８０％未満になったときの片側研磨量をＷ３とした。ただし、Ｗ方向中央部に到達するまでに比誘電率が８０％未満に下がらないかった場合は、Ｗ３＝０とした。
続いて第１の端面および第２の端面側の高誘電率部をそれぞれ５０ｕｍ研磨によって削り落とし、マニピュレータとＣメーターを用いて周波数１ｋＨｚ、印加電圧１Ｖｒｍｓの条件で１層分の静電容量Ｃ３を測定し、次の式（２）により第１の端面および第２の端面側の高誘電率部の比誘電率を算出した。
第１の端面および第２の端面側の高誘電率部の比誘電率＝（（Ｃ１－Ｃ３）×（誘電体素子の厚みｄ））／（（真空の比誘電率ε０）×（２×Ｗ１×片側研磨量）×（内部電極被覆率Ａ１とＡ２の平均値））・・・（２）
上記測定手順を研磨量を５０ｕｍずつ増やしながら同一箇所において繰り返し、比誘電率が最初に測定した最外周部の比誘電率の８０％未満になったときの片側研磨量をＬ３とした。ただし、Ｌ方向中央部に到達するまでに比誘電率が８０％未満に下がらなかった場合は、Ｌ３＝０とした。
（５）誘電体の比誘電率Ａ３、Ａ４、Ｂ３、Ｂ４の測定方法
まず、外部電極および第１の側面側外層部、第２の側面側外層部、第１の端面側外層部、第２の端面側外層部を研磨により削り落とし、マニピュレータとＣメーターを用いて周波数１ｋＨｚ、印加電圧１Ｖｒｍｓの条件で積層体のＴ方向における中央部に位置する誘電体層１層分の静電容量Ｃ１を測定した。
（５－１）比誘電率Ａ３、Ａ４の算出
研磨によって第１の側面側、第２の側面側、第１の端面側、および第２の端面側の外周部をそれぞれ５０ｕｍ削り落とした。このとき、主面が側から見た削り落とした部分の面積は次の式（３）で計算した。
削り落とした部分の面積＝２×Ｌ１×５０ｕｍ＋２×（Ｗ１－２×５０ｕｍ）×５０ｕｍ・・・（３）
次に、マニピュレータとＣメーターを用いて周波数１ｋＨｚ、印加電圧１Ｖｒｍｓの条件でＴ方向における中央部に位置する誘電体層１層分の静電容量Ｃ４を測定し、内部電極の被覆率Ａ１、Ａ２を使用して次の式（４）により高誘電率部の比誘電率Ａ３を算出した。
高誘電率部の比誘電率Ａ３＝（（Ｃ１－Ｃ４）×（誘電体素子の厚みｄ））／（（真空の比誘電率ε０）×（研磨により削り落とした部分の面積×内部電極被覆率Ａ１とＡ２の平均値））・・・（４）
なお、高誘電率部の比誘電率Ａ４についても同様の手法で算出した。
（５－３）比誘電率Ｂ３、Ｂ４の算出
第１の側面側、第２の側面側から研磨を行い、上記で測定したＷ２で定義される第１の外周部、第２の外周部および、Ｗ３で定義される第１の高誘電率部、第２の高誘電率部を完全に削り落とした。また、第１の端面側、および第２の端面側から研磨を行い、上記で測定したＬ２で定義される第１の外周部、第２の外周部および、Ｌ３で定義される第１の高誘電率部、第２の高誘電率部を完全に削り落とした。研磨後の積層体を主面側から見た時の長さ方向をＬ４、幅方向をＷ４とし、マニピュレータとＣメーターを用いて周波数１ｋＨｚ、印加電圧１Ｖｒｍｓの条件でＴ方向における中央部に位置する誘電体層１層分の静電容量Ｃ５を測定し、内側電極部の被覆率Ｂ１、Ｂ２を使用して次の式（５）により内側誘電体層の比誘電率Ｂ３を算出した。
内側誘電体層の比誘電率Ｂ３＝（Ｃ５×（誘電体素子の厚みｄ））／（（真空の比誘電率ε０）×（Ｌ４×Ｗ４×内部電極被覆率Ｂ１とＢ２の平均値））・・・（５）
なお、内側誘電体層の比誘電率Ｂ４についても同様の手法で算出した。
（６）第１の高誘電率部の第１の外周部に対するカバー率および第２の高誘電率部の第２の外周部に対するカバー率の測定方法
上記、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３の測定結果から、次の式（６）を用いてカバー率を算出した。
カバー率＝（Ｌ１×Ｗ１－（Ｌ１－Ｌ３）×（Ｗ１－２×Ｗ３））／（Ｌ１×Ｗ１－（Ｌ１－Ｌ２）×（Ｗ１－２×Ｗ２））×１００％・・・（６）
（７）静電容量（Ｃａｐ）の測定方法と判定基準
Ｃメーターを用いて、周波数１ｋＨｚ、印加電圧１Ｖｒｍｓの条件で得られる静電容量を測定した。静電容量の判定基準は、公称容量２２ｕＦに対してエージング（静電容量の経時的減少）を考慮して±１０％の容量偏差に収まる程度とし、２０.４μＦ以上とした。
（８）耐用年数の試験方法と判定基準
試験温度１５０℃、試験電圧３０Ｖの条件でＨＡＬＴ（高加速寿命試験：Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｌｉｆｅ Ｔｅｓｔ）を実施し、Ｂ１ライフ（累積故障確率が１％となる故障時点）から耐用年数を算出した。耐用年数の合否判定基準は、民生品の基準である１０年とし、耐用年数１０年以上である場合に、信頼性試験の結果を合格とした。
図１２は、実験例におけるカバー率を変化させた場合の容量の測定結果および信頼性の試験結果を示す図である。実施例１～４の試料にかかる積層セラミックコンデンサは、静電容量が２０．４μＦ以上となり、信頼性試験の結果が合格（耐用年数１０年以上）となった。一方、比較例１および比較例２の試料にかかる積層セラミックコンデンサは信頼性試験の結果は合格判定となったものの、静電容量は２０．４μＦに満たなかった。また、比較例３の試料にかかる積層セラミックコンデンサは、静電容量が２０．４μＦ以上となったものの、信頼性試験の結果が合格判定とはならなかった。すなわち、本実験例より、第１の高誘電率部２１Ａの第１の外周部３１Ａに対するカバー率および第２の高誘電率部２２Ａの第２の外周部３２Ａに対するカバー率は、６８％以上１８７％以下であることが好ましいことが確認された。
以上の結果より、本実施形態の積層セラミックコンデンサは、積層体１０全体での誘電体層２０の比誘電率を高くすることなく、容量の低下を抑制し、かつ高い信頼性を確保することができる。
本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、上記実施形態において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
１ 積層セラミックコンデンサ
１０ 積層体
ＬＳ１ 第１の端面
ＬＳ２ 第２の端面
ＷＳ１ 第１の側面
ＷＳ２ 第２の側面
ＴＳ１ 第１の主面
ＴＳ２ 第２の主面
２０ 誘電体層
２１ 第１の誘電体層
２１Ａ 第１の高誘電率部
２１ＡＷ１ 第１の側面側領域
２１ＡＬ２ 第２の端面側領域
２１ＡＷ２ 第２の側面側領域
２１Ｂ 第１の内側誘電体層部（第１の低誘電率部）
２１Ｃ 第１の外側誘電体層部
２２ 第２の誘電体層
２２Ａ 第２の高誘電率部
２２ＡＷ１ 第１の側面側領域
２２ＡＬ１ 第１の端面側領域
２２ＡＷ２ 第２の側面側領域
２２Ｂ 第２の内側誘電体層部（第２の低誘電率部）
２２Ｃ 第２の外側誘電体層部
３０ 内部電極
３１ 第１の内部電極
３１１ 第１の対向部
３１２ 第１の引き出し部
３１Ａ 第１の外周部（第１の低カバレッジ部）
３１ＡＷ１ 第１の側面側領域
３１ＡＬ２ 第２の端面側領域
３１ＡＷ２ 第２の側面側領域
３１Ｂ 第１の内側電極部（第１の高カバレッジ部）
３２ 第２の内部電極
３２１ 第２の対向部
３２２ 第２の引き出し部
３２Ａ 第２の外周部（第１の低カバレッジ部）
３２ＡＷ１ 第１の側面側領域
３２ＡＬ１ 第１の端面側領域
３２ＡＷ２ 第２の側面側領域
３２Ｂ 第２の内側電極部（第２の高カバレッジ部）
４０ 外部電極
４０Ａ 第１の外部電極
４０Ｂ 第２の外部電極

Claims (6)

  1. 積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極とを含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
    外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサであって、
    前記誘電体層は、第１の誘電体層と、第２の誘電体層とを有し、
    前記内部電極は、前記第１の誘電体層上に配置され前記第１の端面に引き出される第１の内部電極と、前記第２の誘電体層上に配置され前記第２の端面に引き出される第２の内部電極とを有し、
    前記外部電極は、前記第１の内部電極に接続され、前記第１の端面上に配置される第１の外部電極と、前記第２の内部電極に接続され、前記第２の端面上に配置される第２の外部電極とを有し、
    第１の内部電極は、４つの辺を有しており、前記第１の端面に引き出される１つの辺以外の３つの辺の近傍の第１の外周部と、前記第１の外周部の内側に位置する第１の内側電極部と、を有し、
    第２の内部電極は、４つの辺を有しており、前記第２の端面に引き出される１つの辺以外の３つの辺の近傍の第２の外周部と、前記第２の外周部の内側に位置する第２の内側電極部と、を有し、
    前記第１の外周部における前記第１の誘電体層に対する前記第１の内部電極の被覆率をＡ１、前記第１の内側電極部における前記第１の誘電体層に対する前記第１の内部電極の被覆率をＢ１としたとき、Ａ１＜Ｂ１の関係であり、
    前記第２の外周部における前記第２の誘電体層に対する前記第２の内部電極の被覆率をＡ２、前記第２の内側電極部における前記第２の誘電体層に対する前記第２の内部電極の被覆率をＢ２としたとき、Ａ２＜Ｂ２の関係であり、
    前記第１の誘電体層は、前記第１の内部電極が配置される領域内において、４つの辺を有しており、前記第１の端面に位置する１つの辺以外の３つの辺の近傍の第１の高誘電率部と、前記第１の高誘電率部の内側に位置する第１の内側誘電体層部と、を有し、
    前記第２の誘電体層は、前記第２の内部電極が配置される領域内において、４つの辺を有しており、前記第２の端面に位置する１つの辺以外の３つの辺の近傍の第２の高誘電率部と、前記第２の高誘電率部の内側に位置する第２の内側誘電体層部と、を有し、
    前記第１の高誘電率部における前記第１の誘電体層の比誘電率をＡ３、前記第１の内側誘電体層部における前記第１の誘電体層の比誘電率をＢ３としたとき、Ａ３＞Ｂ３の関係であり、
    前記第２の高誘電率部における前記第２の誘電体層の比誘電率をＡ４、前記第２の内側誘電体層部における前記第２の誘電体層の比誘電率をＢ４としたとき、Ａ４＞Ｂ４の関係であり、
    前記第１の高誘電率部の前記第１の外周部に対するカバー率および前記第２の高誘電率部の前記第２の外周部に対するカバー率が、６８％以上１８７％以下である、積層セラミックコンデンサ。
  2. 前記第１の外周部の前記第２の端面側に位置する辺における前記第１の端面および前記第２の端面を結ぶ長さ方向の長さは、前記第１の内部電極の前記第１の端面および前記第２の端面を結ぶ長さ方向の長さの５％以上１０％以下である、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
  3. 前記第２の外周部の前記第１の端面側に位置する辺における前記第１の端面および前記第２の端面を結ぶ長さ方向の長さは、前記第２の内部電極の前記第１の端面および前記第２の端面を結ぶ長さ方向の長さの５％以上１０％以下である、請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
  4. 前記第１の外周部の前記第１の側面側に位置する辺の近傍の部分および前記第２の側面側に位置する辺の近傍の部分における前記第１の側面および前記第２の側面を結ぶ幅方向の長さは、前記第１の内部電極の前記第１の側面および前記第２の側面を結ぶ幅方向の長さの５％以上２０％以下である、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  5. 前記第２の外周部の前記第１の側面側に位置する辺の近傍の部分および前記第２の側面側に位置する辺の近傍の部分における前記第１の側面および前記第２の側面を結ぶ幅方向の長さは、前記第２の内部電極の前記第１の側面および前記第２の側面を結ぶ幅方向の長さの５％以上２０％以下である、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
  6. 前記第１の内部電極が位置する部分の前記第１の誘電体層は、中央部から前記第１の外周部に対応する部分に向かうにつれて比誘電率が高く、前記第２の内部電極が位置する部分の前記第２の誘電体層は、中央部から前記第２の外周部に対応する部分に向かうにつれて比誘電率が高い、請求項１～請求項５のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
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