JP2003124049A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
- Publication number
- JP2003124049A JP2003124049A JP2001312835A JP2001312835A JP2003124049A JP 2003124049 A JP2003124049 A JP 2003124049A JP 2001312835 A JP2001312835 A JP 2001312835A JP 2001312835 A JP2001312835 A JP 2001312835A JP 2003124049 A JP2003124049 A JP 2003124049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal electrode
- ceramic particles
- ceramic
- contact
- core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 容量の温度特性（Ｂ，Ｃ，Ｄ特性）、ｔａｎ
δ、寿命特性を悪化させることなく、且つ、高誘電率化
が実現できる積層セラミックコンデンサを提供するこ
と。 【解決手段】 内部電極に接しているセラミック粒子の
平均粒径Ｄ５０ｅを内部電極に接していないセラミック
粒子の平均粒径Ｄ５０ｄより大きくするか、内部電極に
接しているセラミック粒子中の添加成分濃度Ｃｅを内部
電極に接していないセラミック粒子中の添加成分の濃度
Ｃｄより大きくするか、または、内部電極に接している
セラミック粒子のコア部とシェル部の面積比Ｒｅを、内
部電極に接していないセラミック粒子のコア部とシェル
部の面積比Ｒｄより大きくした。
δ、寿命特性を悪化させることなく、且つ、高誘電率化
が実現できる積層セラミックコンデンサを提供するこ
と。 【解決手段】 内部電極に接しているセラミック粒子の
平均粒径Ｄ５０ｅを内部電極に接していないセラミック
粒子の平均粒径Ｄ５０ｄより大きくするか、内部電極に
接しているセラミック粒子中の添加成分濃度Ｃｅを内部
電極に接していないセラミック粒子中の添加成分の濃度
Ｃｄより大きくするか、または、内部電極に接している
セラミック粒子のコア部とシェル部の面積比Ｒｅを、内
部電極に接していないセラミック粒子のコア部とシェル
部の面積比Ｒｄより大きくした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は内部電極に接する
セラミック粒子の大きさ又は内部構造を制御することに
より誘電体層の誘電率を高めた積層セラミックコンデン
サに関するものである。
セラミック粒子の大きさ又は内部構造を制御することに
より誘電体層の誘電率を高めた積層セラミックコンデン
サに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、積層セラミックコンデンサは、
セラミックグリーンシートと内部電極パターンとを交互
に多数層積層し、内部電極パターン毎に裁断し、得られ
たチップ状の積層体の端部に外部電極ペーストを付加
し、１２００℃程度の高温で焼成することにより製造さ
れている。
セラミックグリーンシートと内部電極パターンとを交互
に多数層積層し、内部電極パターン毎に裁断し、得られ
たチップ状の積層体の端部に外部電極ペーストを付加
し、１２００℃程度の高温で焼成することにより製造さ
れている。
【０００３】ここで、セラミックグリーンシートはセラ
ミック原料粉末を有機バインダでつないでシート状に形
成したものからなり、焼成により誘電体層になる。内部
電極パターン及び外部電極ペーストは金属粉末を主成分
とする導電性ペーストからなり、この導電性ペーストは
焼成により内部電極層や外部電極になる。
ミック原料粉末を有機バインダでつないでシート状に形
成したものからなり、焼成により誘電体層になる。内部
電極パターン及び外部電極ペーストは金属粉末を主成分
とする導電性ペーストからなり、この導電性ペーストは
焼成により内部電極層や外部電極になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、電子
機器の小型・高性能化にともない、積層セラミックコン
デンサに対する更なる小型・大容量化、低価格化、高信
頼性化への要求が益々厳しくなってきている。
機器の小型・高性能化にともない、積層セラミックコン
デンサに対する更なる小型・大容量化、低価格化、高信
頼性化への要求が益々厳しくなってきている。
【０００５】積層セラミックコンデンサの小型・大容量
化のためには、誘電体層を薄層化し、且つ誘電体層の積
層数を増やす必要がある。
化のためには、誘電体層を薄層化し、且つ誘電体層の積
層数を増やす必要がある。
【０００６】しかし、誘電体層の薄層化は、即ち誘電体
層に加わる電界強度の上昇をもたらし、ｔａｎδの悪
化、寿命特性の極端な悪化、またコア・シェル構造のセ
ラミック粒子を含むようなＢ，Ｃ，Ｄ特性などの誘電体
材料では、容量の温度特性の悪化（特に高温側）を引き
起こす。
層に加わる電界強度の上昇をもたらし、ｔａｎδの悪
化、寿命特性の極端な悪化、またコア・シェル構造のセ
ラミック粒子を含むようなＢ，Ｃ，Ｄ特性などの誘電体
材料では、容量の温度特性の悪化（特に高温側）を引き
起こす。
【０００７】寿命特性を改善させる為、誘電体層を形成
しているセラミック粒子の粒径を小さくし、寿命特性に
大きな影響を及ぼす粒界の体積を稼ぐなどの方法がある
が、セラミック粒子の粒径を小さくすると、誘電率の減
少を招き、同容量を得る為には更なる薄層・多積層化が
必要となるばかりでなく、多積層化はコストアップにも
繋がる。
しているセラミック粒子の粒径を小さくし、寿命特性に
大きな影響を及ぼす粒界の体積を稼ぐなどの方法がある
が、セラミック粒子の粒径を小さくすると、誘電率の減
少を招き、同容量を得る為には更なる薄層・多積層化が
必要となるばかりでなく、多積層化はコストアップにも
繋がる。
【０００８】この発明は、容量の温度特性（Ｂ，Ｃ，Ｄ
特性）、ｔａｎδ、寿命特性を悪化させることなく、且
つ、高誘電率化が実現できる積層セラミックコンデンサ
を提供することを目的とする。
特性）、ｔａｎδ、寿命特性を悪化させることなく、且
つ、高誘電率化が実現できる積層セラミックコンデンサ
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る積層セラ
ミックコンデンサは、誘電体磁器組成物からなる誘電体
層と、該誘電体層を挟持している内部電極と、該内部電
極に電気的に接続されている外部電極とを備え、該誘電
体磁器組成物はセラミック粒子の焼結体からなり、該セ
ラミック粒子のうちで、該内部電極に接しているセラミ
ック粒子の平均粒径Ｄ５０ｅが該内部電極に接していな
いセラミック粒子の平均粒径Ｄ５０ｄより大きいことを
特徴とするものである。
ミックコンデンサは、誘電体磁器組成物からなる誘電体
層と、該誘電体層を挟持している内部電極と、該内部電
極に電気的に接続されている外部電極とを備え、該誘電
体磁器組成物はセラミック粒子の焼結体からなり、該セ
ラミック粒子のうちで、該内部電極に接しているセラミ
ック粒子の平均粒径Ｄ５０ｅが該内部電極に接していな
いセラミック粒子の平均粒径Ｄ５０ｄより大きいことを
特徴とするものである。
【００１０】ここで、前記セラミック粒子の平均粒径Ｄ
５０ｅ，Ｄ５０ｄは、１．０５≦Ｄ ５０ｅ／Ｄ５０ｄ≦
１．２０の関係にあるのが好ましい。
５０ｅ，Ｄ５０ｄは、１．０５≦Ｄ ５０ｅ／Ｄ５０ｄ≦
１．２０の関係にあるのが好ましい。
【００１１】また、この発明に係る積層セラミックコン
デンサは、誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、該誘
電体層を挟持している内部電極と、該内部電極に電気的
に接続されている外部電極とを備え、該誘電体磁器組成
物はセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミック粒
子は主成分と粒成長を促進させる添加成分とからなり、
該セラミック粒子のうちで、該内部電極に接しているセ
ラミック粒子中の添加成分の濃度Ｃｅが該内部電極に接
していないセラミック粒子中の添加成分の濃度Ｃｄより
大きいことを特徴とするものである。
デンサは、誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、該誘
電体層を挟持している内部電極と、該内部電極に電気的
に接続されている外部電極とを備え、該誘電体磁器組成
物はセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミック粒
子は主成分と粒成長を促進させる添加成分とからなり、
該セラミック粒子のうちで、該内部電極に接しているセ
ラミック粒子中の添加成分の濃度Ｃｅが該内部電極に接
していないセラミック粒子中の添加成分の濃度Ｃｄより
大きいことを特徴とするものである。
【００１２】ここで、前記セラミック粒子の粒成長を促
進させる添加成分としては、希土類元素（Ｌａ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ、Ｙ）、Ｓｉ、アルカリ金属及びアルカリ土類金属か
ら選択された１種又は２種以上の元素を含む化合物を使
用することができる。
進させる添加成分としては、希土類元素（Ｌａ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ、Ｙ）、Ｓｉ、アルカリ金属及びアルカリ土類金属か
ら選択された１種又は２種以上の元素を含む化合物を使
用することができる。
【００１３】また、この発明に係る積層セラミックコン
デンサは、誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、該誘
電体層を挟持している内部電極と、該内部電極に電気的
に接続されている外部電極とを備え、該誘電体磁器組成
物はセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミック粒
子のうちで、該内部電極に接しているセラミック粒子の
コア部（ＴＥＭ観察にて縞状のドメイン構造が確認され
る部分）の面積Ｓｅ− ｃｏｒｅとシェル部（ＴＥＭ観察
にて縞状のドメイン構造が確認できない部分）の面積Ｓ
ｅ−ｓｈｅｌｌとの面積比Ｒｅ（Ｓｅ−ｃｏｒｅ／Ｓｅ
−ｓｈｅｌｌ）が、該内部電極に接していないセラミッ
ク粒子のコア部の面積Ｓｄ−ｃｏｒｅとシェル部の面積
Ｓｄ−ｓｈｅｌｌとの面積比Ｒｄ（Ｓｄ−ｃｏｒｅ／Ｓ
ｄ−ｓｈ ｅｌｌ）より小さいことを特徴とするものであ
る。
デンサは、誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、該誘
電体層を挟持している内部電極と、該内部電極に電気的
に接続されている外部電極とを備え、該誘電体磁器組成
物はセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミック粒
子のうちで、該内部電極に接しているセラミック粒子の
コア部（ＴＥＭ観察にて縞状のドメイン構造が確認され
る部分）の面積Ｓｅ− ｃｏｒｅとシェル部（ＴＥＭ観察
にて縞状のドメイン構造が確認できない部分）の面積Ｓ
ｅ−ｓｈｅｌｌとの面積比Ｒｅ（Ｓｅ−ｃｏｒｅ／Ｓｅ
−ｓｈｅｌｌ）が、該内部電極に接していないセラミッ
ク粒子のコア部の面積Ｓｄ−ｃｏｒｅとシェル部の面積
Ｓｄ−ｓｈｅｌｌとの面積比Ｒｄ（Ｓｄ−ｃｏｒｅ／Ｓ
ｄ−ｓｈ ｅｌｌ）より小さいことを特徴とするものであ
る。
【００１４】
【実施例】まず、主成分として表１に示すような０．１
５〜０．７５μｍの粒子径（μｍ）のＢａＴｉＯ３を準
備した。このＢａＴｉＯ３の粒度Ｄ５０（％）はレーザ
ー回折粒度分布計によって測定した。また、添加成分で
あるＨｏ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＭｎＯ２，ＳｉＯ２，ＣａＣＯ
３をこのＢａＴｉＯ３に対して表１に示すような割合に
なるように各々秤量した。
５〜０．７５μｍの粒子径（μｍ）のＢａＴｉＯ３を準
備した。このＢａＴｉＯ３の粒度Ｄ５０（％）はレーザ
ー回折粒度分布計によって測定した。また、添加成分で
あるＨｏ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＭｎＯ２，ＳｉＯ２，ＣａＣＯ
３をこのＢａＴｉＯ３に対して表１に示すような割合に
なるように各々秤量した。
【００１５】次に、これらをボールミルに入れ、水を加
え、湿式で約２０時間攪拌・混合し、得られたスラリー
を取り出して乾燥させ、これを１０００℃で２時間仮焼
して仮焼物を得た。そして、この仮焼物をポットミルに
入れ、乾式で、比表面積が１０〜２０ｍ２／ｇとなるよ
うに粉砕し、原料粉末を得た。比表面積はＢＥＴ法によ
り測定した。
え、湿式で約２０時間攪拌・混合し、得られたスラリー
を取り出して乾燥させ、これを１０００℃で２時間仮焼
して仮焼物を得た。そして、この仮焼物をポットミルに
入れ、乾式で、比表面積が１０〜２０ｍ２／ｇとなるよ
うに粉砕し、原料粉末を得た。比表面積はＢＥＴ法によ
り測定した。
【００１６】次に、この原料粉末１０００ｇ（１００重
量部）に対し、アクリル酸エステルポリマー、グリセリ
ン、縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダーを１
５重量％添加し、更に、５０重量％の水を加え、これら
をボールミルに入れ、粉砕及び混合してセラミックスラ
リーを作成した。
量部）に対し、アクリル酸エステルポリマー、グリセリ
ン、縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダーを１
５重量％添加し、更に、５０重量％の水を加え、これら
をボールミルに入れ、粉砕及び混合してセラミックスラ
リーを作成した。
【００１７】次に、このセラミックスラリーを真空脱泡
機に入れて脱泡した後、リバースロールコータに入れ、
ポリエステルフィルム上にこのセラミックスラリーから
なる薄膜を形成した。そして、この薄膜をポリエステル
フィルム上で１００℃に加熱して乾燥させ、打ち抜き、
厚さ約５μｍで、１０ｃｍ×１０ｃｍの正方形のセラミ
ックグリーンシートを得た。
機に入れて脱泡した後、リバースロールコータに入れ、
ポリエステルフィルム上にこのセラミックスラリーから
なる薄膜を形成した。そして、この薄膜をポリエステル
フィルム上で１００℃に加熱して乾燥させ、打ち抜き、
厚さ約５μｍで、１０ｃｍ×１０ｃｍの正方形のセラミ
ックグリーンシートを得た。
【００１８】一方、ニッケル粉末と添加成分とエチルセ
ルロースをブチルカルビトールに溶解させ、内部電極ペ
ーストを調製した。添加成分の種類及び量は表１に示す
通りとした。そして、上記グリーンシートにこの内部電
極ペーストからなる内部電極パターンを印刷し、乾燥さ
せた。
ルロースをブチルカルビトールに溶解させ、内部電極ペ
ーストを調製した。添加成分の種類及び量は表１に示す
通りとした。そして、上記グリーンシートにこの内部電
極ペーストからなる内部電極パターンを印刷し、乾燥さ
せた。
【００１９】
【表１】
【００２０】次に、上記導電パターンの印刷面を上にし
てグリーンシートを１０枚積層した。この際、隣接する
上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手方
向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物
の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグリ
ーンシートを積層した。
てグリーンシートを１０枚積層した。この際、隣接する
上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手方
向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物
の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグリ
ーンシートを積層した。
【００２１】次に、この積層物を約５０℃の温度で厚さ
方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させ、その後、こ
の積層物を格子状に裁断し、縦３．２ｍｍ×横１．６ｍ
ｍの積層チップを得た。
方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させ、その後、こ
の積層物を格子状に裁断し、縦３．２ｍｍ×横１．６ｍ
ｍの積層チップを得た。
【００２２】次に、内部電極が露出する積層チップの端
面にＮｉ外部電極をディップで形成し、この積層チップ
を雰囲気焼成が可能な炉に入れ、Ｎ２雰囲気中で加熱し
て有機バインダを除去させ、続いて、酸素分圧が１０
−５〜１０−１０ａｔｍの条件下、１２６０℃〜１３６
０℃で１〜５時間焼成し、その後、Ｎ２雰囲気下、６０
０〜８００℃で再酸化処理を行ない、積層セラミックコ
ンデンサを得た。
面にＮｉ外部電極をディップで形成し、この積層チップ
を雰囲気焼成が可能な炉に入れ、Ｎ２雰囲気中で加熱し
て有機バインダを除去させ、続いて、酸素分圧が１０
−５〜１０−１０ａｔｍの条件下、１２６０℃〜１３６
０℃で１〜５時間焼成し、その後、Ｎ２雰囲気下、６０
０〜８００℃で再酸化処理を行ない、積層セラミックコ
ンデンサを得た。
【００２３】次に、積層セラミックコンデンサの誘電体
層を形成しているセラミック粒子についてＴＥＭを用い
て、内部電極に接するセラミック粒子の粒径Ｄ５０ｅと
内部電極に接しないセラミック粒子の粒径Ｄ５０ｄを測
定したところ、表２に示す通りであった。図１に誘電体
層１０、内部電極１２及びセラミック粒子１４の位置関
係及びセラミック粒子の粒径Ｄ５０ｅ，Ｄ５０ｄを示
す。
層を形成しているセラミック粒子についてＴＥＭを用い
て、内部電極に接するセラミック粒子の粒径Ｄ５０ｅと
内部電極に接しないセラミック粒子の粒径Ｄ５０ｄを測
定したところ、表２に示す通りであった。図１に誘電体
層１０、内部電極１２及びセラミック粒子１４の位置関
係及びセラミック粒子の粒径Ｄ５０ｅ，Ｄ５０ｄを示
す。
【００２４】また、積層セラミックコンデンサの誘電体
層を形成しているセラミック粒子についてＴＥＭ−ＥＤ
Ｘを用いて、内部電極に接するセラミック粒子中の添加
成分の濃度Ｃｅと内部電極に接しないセラミック粒子中
の添加成分の濃度Ｃｄを分析したところ、表２に示す通
りであった。
層を形成しているセラミック粒子についてＴＥＭ−ＥＤ
Ｘを用いて、内部電極に接するセラミック粒子中の添加
成分の濃度Ｃｅと内部電極に接しないセラミック粒子中
の添加成分の濃度Ｃｄを分析したところ、表２に示す通
りであった。
【００２５】また、積層セラミックコンデンサの誘電体
層を形成しているセラミック粒子を１粒子ずつＴＥＭ観
察→写真撮影し、内部電極に接するセラミック粒子のコ
ア部の面積Ｓｅ−ｃｏｒｅとシェル部の面積Ｓｅ
−ｓｈｅｌｌを求め、面積比Ｒｅ（Ｓｅ−ｃｏｒｅ／Ｓ
ｅ−ｓｈｅｌｌ）を算出したところ表２に示す通りであ
った。また、内部電極に接しないセラミック粒子のコア
部の面積Ｓｄ−ｃｏｒｅとシェル部の面積Ｓｄ
−ｓｈｅｌｌの面積を求め、面積比Ｒｄ（Ｓｄ
−ｃｏｒｅ／Ｓｄ−ｓｈｅｌｌ）を算出したところ表２
に示す通りであった。図２に誘電体層１０、内部電極１
２、セラミック粒子１４のコア部の面積Ｓ
ｅ−ｃｏｒｅ、シェル部の面積Ｓｅ−ｓｈｅｌｌを示
す。
層を形成しているセラミック粒子を１粒子ずつＴＥＭ観
察→写真撮影し、内部電極に接するセラミック粒子のコ
ア部の面積Ｓｅ−ｃｏｒｅとシェル部の面積Ｓｅ
−ｓｈｅｌｌを求め、面積比Ｒｅ（Ｓｅ−ｃｏｒｅ／Ｓ
ｅ−ｓｈｅｌｌ）を算出したところ表２に示す通りであ
った。また、内部電極に接しないセラミック粒子のコア
部の面積Ｓｄ−ｃｏｒｅとシェル部の面積Ｓｄ
−ｓｈｅｌｌの面積を求め、面積比Ｒｄ（Ｓｄ
−ｃｏｒｅ／Ｓｄ−ｓｈｅｌｌ）を算出したところ表２
に示す通りであった。図２に誘電体層１０、内部電極１
２、セラミック粒子１４のコア部の面積Ｓ
ｅ−ｃｏｒｅ、シェル部の面積Ｓｅ−ｓｈｅｌｌを示
す。
【００２６】次に、得られた積層セラミックコンデンサ
の電気的特性を測定したところ、表２に示す通りであっ
た。
の電気的特性を測定したところ、表２に示す通りであっ
た。
【００２７】電気的特性は次の要領で測定した。
【００２８】(A) 比誘電率εは、温度２０℃、周波数１
ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測
定し、この測定値と、一対の内部電極１４の対向面積
と、一対の内部電極間の誘電体磁器層の厚さから計算で
求めた。
ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測
定し、この測定値と、一対の内部電極１４の対向面積
と、一対の内部電極間の誘電体磁器層の厚さから計算で
求めた。
【００２９】(B) 誘電損失ｔａｎδ（％）は、上記した
比誘電率の測定の場合と同一の条件で測定した。
比誘電率の測定の場合と同一の条件で測定した。
【００３０】(Ｃ) 容量変化率ΔＣ（％）は、恒温槽の
中に試料を入れ、８５℃において、周波数１ｋＨｚ、電
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、２０
℃の静電容量に対する静電容量の変化率を求めることに
よって得た。
中に試料を入れ、８５℃において、周波数１ｋＨｚ、電
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、２０
℃の静電容量に対する静電容量の変化率を求めることに
よって得た。
【００３１】(D) 加速寿命（ｓｅｃ）は、２００℃／５
０Ｖ／μｍの直流電界下にて絶縁抵抗率（ρ）が１×１
０１０Ωｃｍになるまでの時間を測定し、内部電極ペー
スト中に添加成分を入れない試料Ｎｏ．１１〜１５の値
を１とし、これとの比率で表した。
０Ｖ／μｍの直流電界下にて絶縁抵抗率（ρ）が１×１
０１０Ωｃｍになるまでの時間を測定し、内部電極ペー
スト中に添加成分を入れない試料Ｎｏ．１１〜１５の値
を１とし、これとの比率で表した。
【００３２】
【表２】
【００３３】表２から、試料Ｎｏ．１〜１０に示すよう
に、内部電極ペースト中に粒成長を促進させる添加成分
を添加した場合、内部電極に接しているセラミック粒子
の平均粒径Ｄ５０ｅは、内部電極に接していないセラミ
ック粒子の平均粒径Ｄ５０ｄより大きくなることがわか
る。
に、内部電極ペースト中に粒成長を促進させる添加成分
を添加した場合、内部電極に接しているセラミック粒子
の平均粒径Ｄ５０ｅは、内部電極に接していないセラミ
ック粒子の平均粒径Ｄ５０ｄより大きくなることがわか
る。
【００３４】これに対し、試料Ｎｏ．１１〜１５に示す
ように、内部電極ペースト中に添加成分を添加しない場
合、内部電極に接しているセラミック粒子の平均粒径Ｄ
５０ｅと内部電極に接していないセラミック粒子の平均
粒径Ｄ５０ｄは同等になることがわかる。
ように、内部電極ペースト中に添加成分を添加しない場
合、内部電極に接しているセラミック粒子の平均粒径Ｄ
５０ｅと内部電極に接していないセラミック粒子の平均
粒径Ｄ５０ｄは同等になることがわかる。
【００３５】また、試料Ｎｏ．１６，１７のように、内
部電極ペースト中に粒成長を抑制する添加成分を添加し
た場合、内部電極に接しているセラミック粒子の平均粒
径Ｄ ５０ｅは、内部電極に接していないセラミック粒子
の平均粒径Ｄ５０ｄより小さくなることがわかる。
部電極ペースト中に粒成長を抑制する添加成分を添加し
た場合、内部電極に接しているセラミック粒子の平均粒
径Ｄ ５０ｅは、内部電極に接していないセラミック粒子
の平均粒径Ｄ５０ｄより小さくなることがわかる。
【００３６】また、試料Ｎｏ．１〜１０に示すように、
内部電極ペースト中に粒成長を促進させる添加成分を添
加した場合、内部電極に接しているセラミック粒子のシ
ェル部中の添加成分の濃度Ｃｅは、内部電極に接してい
ないセラミック粒子のシェル部中の添加成分の濃度Ｃｄ
より大きくなることがわかる。
内部電極ペースト中に粒成長を促進させる添加成分を添
加した場合、内部電極に接しているセラミック粒子のシ
ェル部中の添加成分の濃度Ｃｅは、内部電極に接してい
ないセラミック粒子のシェル部中の添加成分の濃度Ｃｄ
より大きくなることがわかる。
【００３７】また、試料Ｎｏ．１〜１０に示すように、
内部電極ペースト中に粒成長を促進させる添加成分を添
加した場合、内部電極に接しているセラミック粒子のコ
ア部の面積Ｓｅ−ｃｏｒｅとシェル部の面積Ｓｅ
−ｓｈｅｌｌの面積比Ｒｅ＝Ｓｅ− ｃｏｒｅ／Ｓｅ
−ｓｈｅｌｌは、内部電極に接していないセラミック粒
子のコア部の面積Ｓｄ−ｃｏｒｅとシェル部の面積Ｓｄ
−ｓｈｅｌｌの面積比Ｒｄ＝Ｓｄ −ｃｏｒｅ／Ｓｄ
−ｓｈｅｌｌより小さくなることがわかる。
内部電極ペースト中に粒成長を促進させる添加成分を添
加した場合、内部電極に接しているセラミック粒子のコ
ア部の面積Ｓｅ−ｃｏｒｅとシェル部の面積Ｓｅ
−ｓｈｅｌｌの面積比Ｒｅ＝Ｓｅ− ｃｏｒｅ／Ｓｅ
−ｓｈｅｌｌは、内部電極に接していないセラミック粒
子のコア部の面積Ｓｄ−ｃｏｒｅとシェル部の面積Ｓｄ
−ｓｈｅｌｌの面積比Ｒｄ＝Ｓｄ −ｃｏｒｅ／Ｓｄ
−ｓｈｅｌｌより小さくなることがわかる。
【００３８】これに対し、試料Ｎｏ．１１〜１５に示す
ように、内部電極ペースト中に粒成長を促進させる添加
成分を添加しない場合、内部電極に接しているセラミッ
ク粒子のコア部の面積Ｓｅ−ｃｏｒｅとシェル部の面積
Ｓｅ−ｓｈｅｌｌの面積比Ｒｅ＝Ｓｅ−ｃｏｒｅ／Ｓｅ
−ｓｈｅｌｌが内部電極に接していないセラミック粒子
のコア部／シェル部の面積比Ｒｄ＝Ｓｄ−ｃｏｒｅ／Ｓ
ｄ−ｓｈｅｌｌより大きくなることがわかる。
ように、内部電極ペースト中に粒成長を促進させる添加
成分を添加しない場合、内部電極に接しているセラミッ
ク粒子のコア部の面積Ｓｅ−ｃｏｒｅとシェル部の面積
Ｓｅ−ｓｈｅｌｌの面積比Ｒｅ＝Ｓｅ−ｃｏｒｅ／Ｓｅ
−ｓｈｅｌｌが内部電極に接していないセラミック粒子
のコア部／シェル部の面積比Ｒｄ＝Ｓｄ−ｃｏｒｅ／Ｓ
ｄ−ｓｈｅｌｌより大きくなることがわかる。
【００３９】また、試料Ｎｏ．１６，１７に示すよう
に、粒成長を抑制する添加成分を添加した場合、内部電
極に接しているセラミック粒子のコア部の面積Ｓｅ
−ｃｏｒｅとシェル部の面積Ｓｅ−ｓｈｅｌｌの面積比
Ｒｅ＝Ｓｅ−ｃｏｒｅ／Ｓｅ−ｓｈ ｅｌｌは内部電極に
接していないセラミック粒子のコア部の面積Ｓｅ
−ｃｏｒｅとシェル部の面積Ｓｅ−ｓｈｅｌｌの面積比
Ｒｄ＝Ｓｄ−ｃｏｒｅ／Ｓｄ−ｓｈ ｅｌｌより小さくな
ることがわかる。
に、粒成長を抑制する添加成分を添加した場合、内部電
極に接しているセラミック粒子のコア部の面積Ｓｅ
−ｃｏｒｅとシェル部の面積Ｓｅ−ｓｈｅｌｌの面積比
Ｒｅ＝Ｓｅ−ｃｏｒｅ／Ｓｅ−ｓｈ ｅｌｌは内部電極に
接していないセラミック粒子のコア部の面積Ｓｅ
−ｃｏｒｅとシェル部の面積Ｓｅ−ｓｈｅｌｌの面積比
Ｒｄ＝Ｓｄ−ｃｏｒｅ／Ｓｄ−ｓｈ ｅｌｌより小さくな
ることがわかる。
【００４０】また、試料Ｎｏ．１〜５に示すように、内
部電極ペースト中に粒成長を促進させる添加成分を１０
ｗｔ％添加した場合、前述したＤ５０ｅ＞Ｄ５０ｄ、Ｃ
ｅ＞Ｃｄ、Ｒｅ＜Ｒｄのいずれかの条件を満たせば寿命
及び電気的特性が向上することがわかる。
部電極ペースト中に粒成長を促進させる添加成分を１０
ｗｔ％添加した場合、前述したＤ５０ｅ＞Ｄ５０ｄ、Ｃ
ｅ＞Ｃｄ、Ｒｅ＜Ｒｄのいずれかの条件を満たせば寿命
及び電気的特性が向上することがわかる。
【００４１】また、試料Ｎｏ．６〜１０に示すように、
粒成長を促進させる添加成分の増加にともない電気的特
性が向上し、寿命も向上することがわかる。
粒成長を促進させる添加成分の増加にともない電気的特
性が向上し、寿命も向上することがわかる。
【００４２】また、粒成長を促進させる添加成分の添加
量は微量でも効果があり、３５ｗｔ％以下で効果が認め
られる。ただし、３５ｗｔ％以上添加すると、内部電極
の特性が悪化し、電気的特性が著しく悪化する。
量は微量でも効果があり、３５ｗｔ％以下で効果が認め
られる。ただし、３５ｗｔ％以上添加すると、内部電極
の特性が悪化し、電気的特性が著しく悪化する。
【００４３】また、試料Ｎｏ．１６，１７に示すよう
に、内部電極ペースト中に粒成長を抑制する添加成分を
添加しても、寿命特性や電気的特性が改善されないこと
がわかる。
に、内部電極ペースト中に粒成長を抑制する添加成分を
添加しても、寿命特性や電気的特性が改善されないこと
がわかる。
【００４４】
【発明の効果】この発明によれば、静電容量の温度特
性、ｔａｎδ及び寿命特性を悪化させることなく誘電体
層を薄層化させることができ、従って、積層セラミック
コンデンサを小型・大容量化させることができるという
効果がある。
性、ｔａｎδ及び寿命特性を悪化させることなく誘電体
層を薄層化させることができ、従って、積層セラミック
コンデンサを小型・大容量化させることができるという
効果がある。
【図１】本発明に係る積層セラミックコンデンサの内部
電極に対するセラミック粒子の位置と粒径との関係を説
明するための説明図である。
電極に対するセラミック粒子の位置と粒径との関係を説
明するための説明図である。
【図２】本発明に係る積層セラミックコンデンサの内部
電極に対するセラミック粒子の位置とコア部面積／シェ
ル部面積との関係を説明するための説明図である。
電極に対するセラミック粒子の位置とコア部面積／シェ
ル部面積との関係を説明するための説明図である。
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AD00 AE04 AF06
5E082 AB03 BC14 BC39 FG01 FG26
PP09
Claims (5)
- 【請求項１】 誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、
該誘電体層を挟持している内部電極と、該内部電極に電
気的に接続されている外部電極とを備え、該誘電体磁器
組成物はセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミッ
ク粒子のうちで、該内部電極に接しているセラミック粒
子の平均粒径Ｄ５０ｅが該内部電極に接していないセラ
ミック粒子の平均粒径Ｄ５０ｄより大きいことを特徴と
する積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 前記セラミック粒子の平均粒径Ｄ
５０ｅ，Ｄ５０ｄが、１．０５≦Ｄ５０ｅ／Ｄ５０ｄ≦
１．２０の関係にあることを特徴とする請求項１に記載
の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項３】 誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、
該誘電体層を挟持している内部電極と、該内部電極に電
気的に接続されている外部電極とを備え、該誘電体磁器
組成物はセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミッ
ク粒子は主成分と粒成長を促進させる添加成分とからな
り、該セラミック粒子のうちで、該内部電極に接してい
るセラミック粒子中の該添加成分の濃度Ｃｅが該内部電
極に接していないセラミック粒子中の該添加成分の濃度
Ｃｄより大きいことを特徴とする積層セラミックコンデ
ンサ。 - 【請求項４】 前記添加成分が、希土類元素（Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ、Ｙ）、Ｓｉ、アルカリ金属及びアルカリ土類
金属から選択された１種又は２種以上の元素を含む化合
物からなることを特徴とする請求項３に記載の積層セラ
ミックコンデンサ。 - 【請求項５】 誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、
該誘電体層を挟持している内部電極と、該内部電極に電
気的に接続されている外部電極とを備え、該誘電体磁器
組成物はセラミック粒子の焼結体からなり、該セラミッ
ク粒子のうちで、該内部電極に接しているセラミック粒
子のコア部（ＴＥＭ観察にて縞状のドメイン構造が確認
される部分）の面積Ｓｅ−ｃｏｒｅとシェル部（ＴＥＭ
観察にて縞状のドメイン構造が確認できない部分）の面
積Ｓｅ−ｓｈｅｌｌとの面積比Ｒｅ（Ｓｅ−ｃｏｒｅ／
Ｓｅ−ｓｈｅｌｌ）が、該内部電極に接していないセラ
ミック粒子のコア部の面積Ｓｄ−ｃｏｒｅとシェル部の
面積Ｓｄ−ｓｈｅｌｌとの面積比Ｒｄ（Ｓｄ−ｃｏｒｅ
／Ｓｄ−ｓｈｅｌｌ）より小さいことを特徴とする積層
セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001312835A JP2003124049A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001312835A JP2003124049A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124049A true JP2003124049A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19131424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001312835A Pending JP2003124049A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124049A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039179A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| EP1536438A2 (en) * | 2003-11-28 | 2005-06-01 | TDK Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| EP1560233A1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-03 | TDK Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| US6975502B2 (en) | 2004-03-31 | 2005-12-13 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| US6987662B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-01-17 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| US7046502B2 (en) | 2004-03-31 | 2006-05-16 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| JP2010285336A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Seoul National Univ Research & Development Business Foundation | 誘電物質用焼結物質およびその製造方法、並びにコア−シェル微細構造を有する誘電物質用焼結物質およびその製造方法 |
| JP2011210826A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| CN102903520A (zh) * | 2011-07-28 | 2013-01-30 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子组件 |
| US8537521B2 (en) | 2010-03-29 | 2013-09-17 | Tdk Corporation | Electronic device and method for producing electronic device |
| JP2013236084A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック部品 |
| CN106373779A (zh) * | 2015-07-22 | 2017-02-01 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子组件 |
-
2001
- 2001-10-10 JP JP2001312835A patent/JP2003124049A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005039179A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| EP1536438A2 (en) * | 2003-11-28 | 2005-06-01 | TDK Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| EP1536438A3 (en) * | 2003-11-28 | 2008-08-06 | TDK Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| US7072170B2 (en) | 2003-11-28 | 2006-07-04 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| KR100651021B1 (ko) | 2003-11-28 | 2006-11-29 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| EP1560233A1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-03 | TDK Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| US6930876B1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-08-16 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| USRE40665E1 (en) | 2004-01-30 | 2009-03-17 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| US6987662B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-01-17 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| KR100602004B1 (ko) | 2004-01-30 | 2006-07-18 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 |
| KR100683542B1 (ko) | 2004-03-31 | 2007-02-15 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층 세라믹 컨덴서 |
| US7046502B2 (en) | 2004-03-31 | 2006-05-16 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| US6975502B2 (en) | 2004-03-31 | 2005-12-13 | Tdk Corporation | Multilayer ceramic capacitor |
| JP2010285336A (ja) * | 2009-06-12 | 2010-12-24 | Seoul National Univ Research & Development Business Foundation | 誘電物質用焼結物質およびその製造方法、並びにコア−シェル微細構造を有する誘電物質用焼結物質およびその製造方法 |
| JP2011210826A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| US8537521B2 (en) | 2010-03-29 | 2013-09-17 | Tdk Corporation | Electronic device and method for producing electronic device |
| CN102903520A (zh) * | 2011-07-28 | 2013-01-30 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子组件 |
| JP2013236084A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック部品 |
| CN106373779A (zh) * | 2015-07-22 | 2017-02-01 | 三星电机株式会社 | 多层陶瓷电子组件 |
| US10607776B2 (en) | 2015-07-22 | 2020-03-31 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic component |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4491794B2 (ja) | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ | |
| JP4821357B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP5332807B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP4839913B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP4428187B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
| JP2007331958A (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP2007331957A (ja) | 誘電体磁器組成物、電子部品およびその製造方法 | |
| JP2007261876A (ja) | 誘電体粒子、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP2004214539A (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JP3882054B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2007063040A (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法、および電子部品 | |
| JP4696891B2 (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP2003124049A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP4403705B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および電子部品 | |
| JP2001307940A (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
| JP4208448B2 (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2006066835A (ja) | セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP3908458B2 (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法 | |
| JP4552260B2 (ja) | ニッケル粉末、電極用ペーストおよび電子部品の製造方法 | |
| JP2001217137A (ja) | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2007230819A (ja) | 誘電体磁器組成物、電子部品およびその製造方法 | |
| JP4691978B2 (ja) | 誘電体組成物の製造方法 | |
| JP2005255461A (ja) | 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP4691977B2 (ja) | 誘電体組成物の製造方法 | |
| JP2004210604A (ja) | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20041005 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070206 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20070404 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070710 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070814 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20071225 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20080205 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080317 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080516 |