JP2872838B2 - 積層磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
積層磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 55
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 43
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 10
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 claims description 10
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WAKZZMMCDILMEF-UHFFFAOYSA-H barium(2+);diphosphate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[Ba+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O WAKZZMMCDILMEF-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052916 barium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- HMOQPOVBDRFNIU-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ba+2].[O-][Si]([O-])=O HMOQPOVBDRFNIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は信頼性の高い積層磁器コ
ンデンサに関する。
ンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】複数の誘電体磁器層と各磁器層の相互間
に配設した内部電極層とから成る積層磁器コンデンサは
種々の分野で使用されている。
に配設した内部電極層とから成る積層磁器コンデンサは
種々の分野で使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、積層磁器コ
ンデンサの小型化又は大容量化を図るためには誘電体磁
器層の厚みを減少させ且つ結晶粒子の粒径をある程度大
きくすることが必要になる。しかし、磁器コンデンサに
おいて粒径を大きくすると、一対の電極間の厚み方向に
配置される粒子の数が少なくなり、極端の場合には１個
になる。この結果、比抵抗（抵抗率）の低下、信頼性の
低下、tan δの低下を招く。
ンデンサの小型化又は大容量化を図るためには誘電体磁
器層の厚みを減少させ且つ結晶粒子の粒径をある程度大
きくすることが必要になる。しかし、磁器コンデンサに
おいて粒径を大きくすると、一対の電極間の厚み方向に
配置される粒子の数が少なくなり、極端の場合には１個
になる。この結果、比抵抗（抵抗率）の低下、信頼性の
低下、tan δの低下を招く。
【０００４】そこで、本発明の目的は、比抵抗及び信頼
性を確保しつつ大容量化を図ることが可能な積層磁器コ
ンデンサを提供することにある。
性を確保しつつ大容量化を図ることが可能な積層磁器コ
ンデンサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の各請求項に係わる発明の実施例を示す図面の符号を参
照して説明する。本願の第１の方法の発明は、未焼結の
第１の誘電体磁器層２の上に第１の内部電極層３を形成
する工程と、焼成した時に第１の粒径の結晶粒子を得る
ことができる誘電体磁器組成物から成る未焼結の第２の
誘電体磁器層４を前記第１の内部電極層３の上に設ける
工程と、焼成した時に前記第１の粒径よりも大きい第２
の粒径の結晶粒子を得ることができる誘電体磁器組成物
から成る未焼結の第３の誘電体磁器層１ａを前記第２の
誘電体磁器層４の上に設ける工程と、焼成した時に前記
第１の粒径と同一又は前記第２の粒径よりも小さい粒径
の結晶粒子を得ることができる誘電体磁器組成物から成
る未焼結の第４の誘電体磁器層２ａを前記第３の誘電体
磁器層１ａの上に設ける工程と、前記第４の誘電体磁器
層２ａの上に第２の内部電極層３ａを設ける工程と、前
記内部電極層３ａの上に未焼結の第５の誘電体磁器層４
ａを設ける工程と、少なくとも、前記第１、第２、第
３、第４及び第５の誘電体磁器層２、４、１ａ、２ａ、
４ａと前記第１及び第２の内部電極層３、３ａとを含む
積層体を焼成して焼結体を得る工程とを備えていること
を特徴とする積層磁器コンデンサの製造方法に係わるも
のである。なお、請求項２に示すように、第２及び第４
の誘電体磁器層４、２ａのそれぞれをチタン酸バリウ
ム、ジルコン酸バリウム、及び酸化ジルコニウムを主成
分として含む磁器組成物とし、第３の誘電体磁器層１ａ
を、チタン酸バリウム及びジルコン酸バリウムを主成分
として含む磁器組成物とし、第２及び第４の誘電体磁器
層４、２ａのそれぞれにおけるジルコニウムの含有率を
第３の誘電体磁器層１ａにおけるジルコニウムの含有率
よりも大きく設定することが望ましい。 本願の第２の方
法の発明は、未焼結の第１の誘電体磁器層１１の上に、
焼成時に誘電体磁器の結晶粒子の成長を抑制させる作用
を有する物質が混入されたペースト状電極材料を塗布し
て第１の内部電極層１２を成形する工程と、前記第１の
内部電極層１２の上に未焼結の第２の誘電体磁器層１１
を形成する工程と、前記第２の誘電体磁器層１１の上
に、焼成時に誘電体磁器の結晶粒子の成長を抑制さ せる
作用を有する物質が混入されたペースト状電極材料を塗
布して第２の内部電極層１２を形成する工程と、前記第
２の内部電極層１２の上に、未焼結の第３の誘電体磁器
層１１を形成する工程と、少なくとも前記第１、第２及
び第３の誘電体磁器層１１と前記第１及び第２の内部電
極層とを含む積層体を焼成して焼結体を得る工程とを備
えていることを特徴とする積層磁器コンデンサの製造方
法に係わるものである。 なお、上記第２の方法の発明に
おいて、第１、第２及び第３の誘電体磁器層１１のそれ
ぞれをチタン酸バリウムとジルコン酸バリウムとを主成
分とする誘電体磁器組成物とし、且つ粒径を小さくさせ
る作用を有する物質を酸化ジルコニウムの微粒子とする
ことが望ましい。 本願の物の発明は、少なくとも第１の
誘電体磁器層と第１の内部電極層と第２の誘電体磁器層
と第３の誘電体磁器層と第４の誘電体磁器層と第２の内
部電極層と第５の誘電体磁器層とがこの順番に積層され
ている積層体を有し、前記第３の誘電体磁器層はチタン
酸バリウムとジルコン酸バリウムとを主成分とする誘電
体磁器から成り、前記第２及び第４の誘電体磁器層のそ
れぞれはチタン酸バリウムとジルコン酸バリウムと酸化
ジルコニウムとを主成分とする誘電体磁器から成り、前
記第２及び第４の誘電体磁器層の結晶粒子の平均粒径は
前記第３の誘電体磁器層の結晶粒子の平均粒径よりも小
さいことを特徴とする積層磁器コンデンサに係わるもの
である。
の各請求項に係わる発明の実施例を示す図面の符号を参
照して説明する。本願の第１の方法の発明は、未焼結の
第１の誘電体磁器層２の上に第１の内部電極層３を形成
する工程と、焼成した時に第１の粒径の結晶粒子を得る
ことができる誘電体磁器組成物から成る未焼結の第２の
誘電体磁器層４を前記第１の内部電極層３の上に設ける
工程と、焼成した時に前記第１の粒径よりも大きい第２
の粒径の結晶粒子を得ることができる誘電体磁器組成物
から成る未焼結の第３の誘電体磁器層１ａを前記第２の
誘電体磁器層４の上に設ける工程と、焼成した時に前記
第１の粒径と同一又は前記第２の粒径よりも小さい粒径
の結晶粒子を得ることができる誘電体磁器組成物から成
る未焼結の第４の誘電体磁器層２ａを前記第３の誘電体
磁器層１ａの上に設ける工程と、前記第４の誘電体磁器
層２ａの上に第２の内部電極層３ａを設ける工程と、前
記内部電極層３ａの上に未焼結の第５の誘電体磁器層４
ａを設ける工程と、少なくとも、前記第１、第２、第
３、第４及び第５の誘電体磁器層２、４、１ａ、２ａ、
４ａと前記第１及び第２の内部電極層３、３ａとを含む
積層体を焼成して焼結体を得る工程とを備えていること
を特徴とする積層磁器コンデンサの製造方法に係わるも
のである。なお、請求項２に示すように、第２及び第４
の誘電体磁器層４、２ａのそれぞれをチタン酸バリウ
ム、ジルコン酸バリウム、及び酸化ジルコニウムを主成
分として含む磁器組成物とし、第３の誘電体磁器層１ａ
を、チタン酸バリウム及びジルコン酸バリウムを主成分
として含む磁器組成物とし、第２及び第４の誘電体磁器
層４、２ａのそれぞれにおけるジルコニウムの含有率を
第３の誘電体磁器層１ａにおけるジルコニウムの含有率
よりも大きく設定することが望ましい。 本願の第２の方
法の発明は、未焼結の第１の誘電体磁器層１１の上に、
焼成時に誘電体磁器の結晶粒子の成長を抑制させる作用
を有する物質が混入されたペースト状電極材料を塗布し
て第１の内部電極層１２を成形する工程と、前記第１の
内部電極層１２の上に未焼結の第２の誘電体磁器層１１
を形成する工程と、前記第２の誘電体磁器層１１の上
に、焼成時に誘電体磁器の結晶粒子の成長を抑制さ せる
作用を有する物質が混入されたペースト状電極材料を塗
布して第２の内部電極層１２を形成する工程と、前記第
２の内部電極層１２の上に、未焼結の第３の誘電体磁器
層１１を形成する工程と、少なくとも前記第１、第２及
び第３の誘電体磁器層１１と前記第１及び第２の内部電
極層とを含む積層体を焼成して焼結体を得る工程とを備
えていることを特徴とする積層磁器コンデンサの製造方
法に係わるものである。 なお、上記第２の方法の発明に
おいて、第１、第２及び第３の誘電体磁器層１１のそれ
ぞれをチタン酸バリウムとジルコン酸バリウムとを主成
分とする誘電体磁器組成物とし、且つ粒径を小さくさせ
る作用を有する物質を酸化ジルコニウムの微粒子とする
ことが望ましい。 本願の物の発明は、少なくとも第１の
誘電体磁器層と第１の内部電極層と第２の誘電体磁器層
と第３の誘電体磁器層と第４の誘電体磁器層と第２の内
部電極層と第５の誘電体磁器層とがこの順番に積層され
ている積層体を有し、前記第３の誘電体磁器層はチタン
酸バリウムとジルコン酸バリウムとを主成分とする誘電
体磁器から成り、前記第２及び第４の誘電体磁器層のそ
れぞれはチタン酸バリウムとジルコン酸バリウムと酸化
ジルコニウムとを主成分とする誘電体磁器から成り、前
記第２及び第４の誘電体磁器層の結晶粒子の平均粒径は
前記第３の誘電体磁器層の結晶粒子の平均粒径よりも小
さいことを特徴とする積層磁器コンデンサに係わるもの
である。
【０００６】
【作用】請求項１〜４の方法によれば、第１及び第２の
内部電極層の間に、結晶粒子の平均粒径の小さい領域と
平均粒径の大きい領域と平均粒径の小さい領域との３層
構造が得られ、平均粒径の小さい領域が第１及び第２の
内部電極層間の比抵抗の向上及び耐圧向上に寄与する。
なお、電極層近傍の粒径の小さい粒子は容量の増大に対
しては不利に働くが、電極層近傍では、等価的に粒径の
小さい結晶に基づく微小コンデンサの並列接続回路が構
成されるので、小さい粒子に基づく容量の大幅の低下は
生じない。
内部電極層の間に、結晶粒子の平均粒径の小さい領域と
平均粒径の大きい領域と平均粒径の小さい領域との３層
構造が得られ、平均粒径の小さい領域が第１及び第２の
内部電極層間の比抵抗の向上及び耐圧向上に寄与する。
なお、電極層近傍の粒径の小さい粒子は容量の増大に対
しては不利に働くが、電極層近傍では、等価的に粒径の
小さい結晶に基づく微小コンデンサの並列接続回路が構
成されるので、小さい粒子に基づく容量の大幅の低下は
生じない。
【０００７】
【第１の実施例】まず、ＢａＴｉＯ3 （チタン酸バリウ
ム）７８モル％とＢａＺｒＯ3 （ジルコン酸バリウム）
２２モル％から成る主成分にＮｄ2 Ｏ3 （酸化ネオジ
ム）とＭｎＯ（酸化マンガン）を微量添加した第１の磁
器材料を用意した。なお、この第１の磁器材料は仮焼し
たものであって平均粒径０．３〜０．６μｍを有する粉
末である。また、ＢａＴｉＯ3 ７８モル％とＢａＺｒＯ
3 ２２モル％とＺｒＯ2 （酸化ジルコニウム）１．５モ
ル％とから成る主成分にＮｄ2 Ｏ3 とＭｎＯを微量添加
した第２の磁器材料を用意した。この第２の磁器材料は
仮焼したものであって平均粒径０．１〜０．２μｍを有
する粉末である。
ム）７８モル％とＢａＺｒＯ3 （ジルコン酸バリウム）
２２モル％から成る主成分にＮｄ2 Ｏ3 （酸化ネオジ
ム）とＭｎＯ（酸化マンガン）を微量添加した第１の磁
器材料を用意した。なお、この第１の磁器材料は仮焼し
たものであって平均粒径０．３〜０．６μｍを有する粉
末である。また、ＢａＴｉＯ3 ７８モル％とＢａＺｒＯ
3 ２２モル％とＺｒＯ2 （酸化ジルコニウム）１．５モ
ル％とから成る主成分にＮｄ2 Ｏ3 とＭｎＯを微量添加
した第２の磁器材料を用意した。この第２の磁器材料は
仮焼したものであって平均粒径０．１〜０．２μｍを有
する粉末である。
【０００８】次に、第１の磁器材料を使用してスラリー
を作製し、このスラリーによって図１に示す厚さ約８μ
ｍの誘電体磁器生シート（グリーンシート）１を作っ
た。
を作製し、このスラリーによって図１に示す厚さ約８μ
ｍの誘電体磁器生シート（グリーンシート）１を作っ
た。
【０００９】次に、上述の第２の磁器材料を使用してス
ラリー又はペーストを作成し、これを印刷法によって磁
器生シート１上に塗布して図１に示す厚さ１〜２μｍの
微粒子磁器層２を形成した。
ラリー又はペーストを作成し、これを印刷法によって磁
器生シート１上に塗布して図１に示す厚さ１〜２μｍの
微粒子磁器層２を形成した。
【００１０】次に、図１に示すものを乾燥させた後に、
微粒子磁器層２の上にＰｄ（パラジウム）ペーストを所
定パターンに塗布して乾燥して図２に示す電極層３を１
〜３μｍの厚みに形成した。
微粒子磁器層２の上にＰｄ（パラジウム）ペーストを所
定パターンに塗布して乾燥して図２に示す電極層３を１
〜３μｍの厚みに形成した。
【００１１】次に、電極層３の上に第２の磁器材料のペ
ーストを印刷法で塗布して乾燥して図３に示す微粒子磁
器層４を１〜２μｍの厚みに形成した。
ーストを印刷法で塗布して乾燥して図３に示す微粒子磁
器層４を１〜２μｍの厚みに形成した。
【００１２】次に、図３の最も下の磁器生シート１と同
一の磁器生シートを微粒子磁器層４の上に配置してこれ
等を軽く圧着して相互間の密着性を良くした。
一の磁器生シートを微粒子磁器層４の上に配置してこれ
等を軽く圧着して相互間の密着性を良くした。
【００１２】次に、第１の磁器材料から成る大粒子磁器
層１ａの上に図４に示すように、微粒子磁器層２、電極
層３、微粒子磁器層４と実質的に同一の微粒子磁器層２
ａ、電極層３ａ、微粒子磁器層４ａを順次に形成し、更
に大粒子磁器層１ｂ、微粒子磁器層２ｂ、電極層３ｂ、
微粒子磁器層４ｂを繰返して形成し、最後に上下に第１
の磁器材料から成る厚み約１５０μｍのカバーシート
５、６を重ね、圧着した。
層１ａの上に図４に示すように、微粒子磁器層２、電極
層３、微粒子磁器層４と実質的に同一の微粒子磁器層２
ａ、電極層３ａ、微粒子磁器層４ａを順次に形成し、更
に大粒子磁器層１ｂ、微粒子磁器層２ｂ、電極層３ｂ、
微粒子磁器層４ｂを繰返して形成し、最後に上下に第１
の磁器材料から成る厚み約１５０μｍのカバーシート
５、６を重ね、圧着した。
【００１３】次に、積層体を大気中、１３２０℃で焼成
して焼結体を得た。図５は焼結体を説明的に示すもので
あり、図４の各原料磁器層１、１ａ、１ｂ、２、２ａ、
２ｂ、４、４ａ、４ｂ、５、６に対応して焼結後の磁器
層１′、１ａ′、１ｂ′、２′、２ａ′、２ｂ′、
４′、４ａ′、４ｂ′、５′、６′が生じている。ま
た、電極層３、３ａ、３ｂに対応して内部電極層３′、
３ａ′、３ｂ′が生じている。図５では説明の都合上、
焼結体を各磁器層に分離して示したが実際には一体化さ
れている。電極層３′、３ａ′、３ｂ′の相互間の中央
の磁器層１ａ′、１ｂ′の結晶粒子の平均粒径は５〜６
μｍであり、この両側の磁器層４′、２ａ′、４ａ′、
２ｂ′の結晶粒子の平均粒径は０．２〜０．４μｍであ
る。図４の微粒子磁器層２、４、２ａ、４ａ、２ｂ、４
ｂはＺｒＯ2 を過剰に含むので、焼成時に大粒径の結晶
が生じにくい。なお、焼結後の内部電極層３′、３
ａ′、３ｂ′の相互間の磁器層の厚みは約７μｍであ
る。
して焼結体を得た。図５は焼結体を説明的に示すもので
あり、図４の各原料磁器層１、１ａ、１ｂ、２、２ａ、
２ｂ、４、４ａ、４ｂ、５、６に対応して焼結後の磁器
層１′、１ａ′、１ｂ′、２′、２ａ′、２ｂ′、
４′、４ａ′、４ｂ′、５′、６′が生じている。ま
た、電極層３、３ａ、３ｂに対応して内部電極層３′、
３ａ′、３ｂ′が生じている。図５では説明の都合上、
焼結体を各磁器層に分離して示したが実際には一体化さ
れている。電極層３′、３ａ′、３ｂ′の相互間の中央
の磁器層１ａ′、１ｂ′の結晶粒子の平均粒径は５〜６
μｍであり、この両側の磁器層４′、２ａ′、４ａ′、
２ｂ′の結晶粒子の平均粒径は０．２〜０．４μｍであ
る。図４の微粒子磁器層２、４、２ａ、４ａ、２ｂ、４
ｂはＺｒＯ2 を過剰に含むので、焼成時に大粒径の結晶
が生じにくい。なお、焼結後の内部電極層３′、３
ａ′、３ｂ′の相互間の磁器層の厚みは約７μｍであ
る。
【００１４】次に、図５の焼結体の側面にＡｇペースト
を塗布して焼付けて一対の外部電極７、８を形成する。
を塗布して焼付けて一対の外部電極７、８を形成する。
【００１５】図５の積層磁器コンデンサの電気的特性を
測定したところ、２０℃におけるみかけの比誘電率εは
１８６００、２０℃における誘電体損失tanδは４．２
％、１５０℃における比抵抗は７．１×１０12Ωcm、破
壊電圧ＶBDは６８０Ｖであった。比較のために、図４の
磁器層２、４、２ａ、４ａ、２ｂ、４ｂを磁器層１、１
ａ、１ｂと同一の第１の磁器材料とした他は実施例と同
一の積層磁器コンデンサを作り、電気的特性を同様に測
定したところ、εは１９３００、tan δは６．３％、比
抵抗は５．２×１０11 Ωcm、ＶBDは４１０Ｖであっ
た。
測定したところ、２０℃におけるみかけの比誘電率εは
１８６００、２０℃における誘電体損失tanδは４．２
％、１５０℃における比抵抗は７．１×１０12Ωcm、破
壊電圧ＶBDは６８０Ｖであった。比較のために、図４の
磁器層２、４、２ａ、４ａ、２ｂ、４ｂを磁器層１、１
ａ、１ｂと同一の第１の磁器材料とした他は実施例と同
一の積層磁器コンデンサを作り、電気的特性を同様に測
定したところ、εは１９３００、tan δは６．３％、比
抵抗は５．２×１０11 Ωcm、ＶBDは４１０Ｖであっ
た。
【００１６】上記の比較から明らかなように、本実施例
のように構成することによってみかけの比誘電率は僅か
に低下するが、tan δ、比抵抗、ＶBDは改善される。こ
れは、内部電極層３′、３ａ′、３ｂ′の近くに粒径の
小さい磁器層４′、２ａ′、４ａ′、２ｂ′が存在し、
絶縁性が向上するためである。
のように構成することによってみかけの比誘電率は僅か
に低下するが、tan δ、比抵抗、ＶBDは改善される。こ
れは、内部電極層３′、３ａ′、３ｂ′の近くに粒径の
小さい磁器層４′、２ａ′、４ａ′、２ｂ′が存在し、
絶縁性が向上するためである。
【００１７】
【第２の実施例】第１図の実施例における磁器生シート
１と同一の組成の磁器生シート１１に平均粒径０．１〜
０．２μｍ程度のＺｒＯ2 （酸化ジルコニウム）の微粒
子を含有するＰｄ（パラジウム）ペーストを塗布して電
極層１２を形成し、これ等を図６のように積層した。
１と同一の組成の磁器生シート１１に平均粒径０．１〜
０．２μｍ程度のＺｒＯ2 （酸化ジルコニウム）の微粒
子を含有するＰｄ（パラジウム）ペーストを塗布して電
極層１２を形成し、これ等を図６のように積層した。
【００１８】次に、図６に示す積層体を大気中、１３２
０℃で焼成することによって図７に示す焼結体１３を得
た。焼結体１３は、対の電極層１２′間に平均粒径５〜
６μｍ程度の大粒子の磁器層１１ａと平均粒径０．２〜
０．４μｍ程度の微粒子の磁器層１１ｂ、１１ｃを有す
る。次に、外部電極１４、１５を形成して積層磁器コン
デンサを完成させた。
０℃で焼成することによって図７に示す焼結体１３を得
た。焼結体１３は、対の電極層１２′間に平均粒径５〜
６μｍ程度の大粒子の磁器層１１ａと平均粒径０．２〜
０．４μｍ程度の微粒子の磁器層１１ｂ、１１ｃを有す
る。次に、外部電極１４、１５を形成して積層磁器コン
デンサを完成させた。
【００１９】この積層磁器コンデンサの電気的特性を測
定したところ、２０℃のみかけの比誘電率εは１８００
０、２０℃の誘電体損失tan δは４．１％、１５０℃の
比抵抗は４．１×１０12 Ωcm、破壊電圧ＶBDは７１０
Ｖであった。
定したところ、２０℃のみかけの比誘電率εは１８００
０、２０℃の誘電体損失tan δは４．１％、１５０℃の
比抵抗は４．１×１０12 Ωcm、破壊電圧ＶBDは７１０
Ｖであった。
【００２０】この第２の実施例では図６の電極層１２の
中のＺｒＯ2 が焼成時に電極層１２の近傍の磁器の中に
拡散する。この結果、電極層１２の近傍における結晶粒
子の成長が抑制され、図７に模式的に示すように電極層
１２′の近傍に粒径の小さい粒子から成る磁器層１１
ｂ、１１ｃが生じ、第１の実施例と同様に特性が改善さ
れる。
中のＺｒＯ2 が焼成時に電極層１２の近傍の磁器の中に
拡散する。この結果、電極層１２の近傍における結晶粒
子の成長が抑制され、図７に模式的に示すように電極層
１２′の近傍に粒径の小さい粒子から成る磁器層１１
ｂ、１１ｃが生じ、第１の実施例と同様に特性が改善さ
れる。
【００２１】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 磁器の組成は実施例に限定されるものでなく、
別の種々の磁器組成にすることができる。 （２） 図４の磁器層２、４ｂを省くことができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 磁器の組成は実施例に限定されるものでなく、
別の種々の磁器組成にすることができる。 （２） 図４の磁器層２、４ｂを省くことができる。
【００２２】
【発明の効果】上述から明らかなように本願の各請求項
の発明によれば、比抵抗、破壊電圧、誘電体損失の悪化
を伴なわないで、積層磁器コンデンサの小型化及び大容
量化を容易に達成することができる。
の発明によれば、比抵抗、破壊電圧、誘電体損失の悪化
を伴なわないで、積層磁器コンデンサの小型化及び大容
量化を容易に達成することができる。
【図１】第１の実施例の積層磁器コンデンサの製造方法
を説明するための磁器生シートと微粒子磁器層を示す断
面図である。
を説明するための磁器生シートと微粒子磁器層を示す断
面図である。
【図２】図１の磁器層上に電極層を形成した状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】図２の電極層の上に微粒子磁器層を形成した状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図４】積層体を示す断面図である。
【図５】積層磁器コンデンサを模式的に示す断面図であ
る。
る。
【図６】第２の実施例の積層体を示す断面図である。
【図７】第２の実施例の積層磁器コンデンサの一部を模
式的に示す断面図である。
式的に示す断面図である。
１ａ′、１ｂ′ 大粒子磁器層 ４′、２ａ′、４ａ′、２ｂ′ 小粒子磁器層 ３′、３ａ′、３ｂ′ 内部電極層
Claims (5)
- 【請求項１】 未焼結の第１の誘電体磁器層の上に第１
の内部電極層を形成する工程と、 焼成した時に第１の粒径の結晶粒子を得ることができる
誘電体磁器組成物から成る未焼結の第２の誘電体磁器層
を前記第１の内部電極層の上に設ける工程と、 焼成した時に前記第１の粒径よりも大きい第２の粒径の
結晶粒子を得ることができる誘電体磁器組成物から成る
未焼結の第３の誘電体磁器層を前記第２の誘電体磁器層
の上に設ける工程と、 焼成した時に前記第１の粒径と同一又は前記第２の粒径
よりも小さい粒径の結晶粒子を得ることができる誘電体
磁器組成物から成る未焼結の第４の誘電体磁器層を前記
第３の誘電体磁器層の上に設ける工程と、 前記第４の誘電体磁器層の上に第２の内部電極層を設け
る工程と、 前記内部電極層の上に未焼結の第５の誘電体磁器層を設
ける工程と、 少なくとも、前記第１、第２、第３、第４及び第５の誘
電体磁器層と前記第１及び第２の内部電極層とを含む積
層体を焼成して焼結体を得る工程とを備えている ことを
特徴とする積層磁器コンデンサの製造方法。 - 【請求項２】 前記第２及び第４の誘電体磁器層のそれ
ぞれは、チタン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、及び
酸化ジルコニウムを主成分として含む磁器組成物から成
り、 前記第３の誘電体磁器層はチタン酸バリウム及びジルコ
ン酸バリウムを主成分として含む磁器組成物から成り、 前記第２及び第４の誘電体磁器層のそれぞれにおけるジ
ルコニウムの含有率が前記第３の誘電体磁器層における
ジルコニウムの含有率よりも大きく設定されていること
を特徴とする請求項１記載の積層磁器コンデンサの製造
方法。 - 【請求項３】 未焼結の第１の誘電体磁器層の上に、焼
成時に誘電体磁器の結晶粒子の成長を抑制させる作用を
有する物質が混入されたペースト状電極材料を塗布して
第１の内部電極層を成形する工程と、 前記第１の内部電極層の上に未焼結の第２の誘電体磁器
層を形成する工程と、 前記第２の誘電体磁器層の上に、焼成時に誘電体磁器の
結晶粒子の成長を抑制 させる作用を有する物質が混入さ
れたペースト状電極材料を塗布して第２の内部電極層を
形成する工程と、 前記第２の内部電極層の上に、未焼結の第３の誘電体磁
器層を形成する工程と、 少なくとも前記第１、第２及び第３の誘電体磁器層と前
記第１及び第２の内部電極層とを含む積層体を焼成して
焼結体を得る工程とを備えていることを特徴とする積層
磁器コンデンサの製造方法。 - 【請求項４】 前記第１、第２及び第３の誘電体磁器層
のそれぞれが、チタン酸バリウムとジルコン酸バリウム
とを主成分とする誘電体磁器組成物から成り、前記成長
を抑制させる作用を有する物質は酸化ジルコニウムの微
粒子であることを特徴とする請求項３記載の積層磁器コ
ンデンサの製造方法。 - 【請求項５】 少なくとも第１の誘電体磁器層と第１の
内部電極層と第２の誘電体磁器層と第３の誘電体磁器層
と第４の誘電体磁器層と第２の内部電極層と第５の誘電
体磁器層とがこの順番に積層されている積層体を有し、 前記第３の誘電体磁器層はチタン酸バリウムとジルコン
酸バリウムとを主成分とする誘電体磁器から成り、 前記第２及び第４の誘電体磁器層のそれぞれはチタン酸
バリウムとジルコン酸バリウムと酸化ジルコニウムとを
主成分とする誘電体磁器から成り、 前記第２及び第４の誘電体磁器層の結晶粒子の平均粒径
は前記第３の誘電体磁器層の結晶粒子の平均粒径よりも
小さいことを特徴とする積層磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3245075A JP2872838B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 積層磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3245075A JP2872838B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 積層磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562855A JPH0562855A (ja) | 1993-03-12 |
| JP2872838B2 true JP2872838B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=17128226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3245075A Expired - Fee Related JP2872838B2 (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 積層磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2872838B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69701294T2 (de) * | 1996-03-08 | 2000-07-06 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Keramisches Dielektrikum und dieses verwendendes monolithisches keramisches Elektronikbauteil |
| DE10126099B4 (de) | 2000-05-30 | 2008-11-13 | Tdk Corp. | Keramischer Vielschichtkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP2002299145A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | セラミック積層体およびその製法 |
| US6780494B2 (en) * | 2002-03-07 | 2004-08-24 | Tdk Corporation | Ceramic electronic device and method of production of same |
| JP4182007B2 (ja) | 2004-01-30 | 2008-11-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP4407299B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2010-02-03 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP4073416B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-04-09 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2005294314A (ja) | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tdk Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| JP4809036B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-11-02 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 |
| KR20140033750A (ko) * | 2012-09-10 | 2014-03-19 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5936919A (ja) * | 1982-08-25 | 1984-02-29 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 磁器コンデンサ |
| JP2532626B2 (ja) * | 1988-12-07 | 1996-09-11 | 松下電器産業株式会社 | 積層磁器コンデンサ用グリ―ンシ―ト |
| JPH03133115A (ja) * | 1989-10-18 | 1991-06-06 | Tdk Corp | 積層型セラミックチップコンデンサおよびその製造方法 |
| JP3207846B2 (ja) * | 1989-10-18 | 2001-09-10 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型セラミックチップコンデンサおよびその製造方法 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP3245075A patent/JP2872838B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0562855A (ja) | 1993-03-12 |
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