DE10126099B4

DE10126099B4 - Keramischer Vielschichtkondensator und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number: DE10126099B4
Application number: DE10126099A
Authority: DE
Inventors: Yukie Nakano; Shunichi Yuri; Mari Miyauchi; Daisuke Iwanaga
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2000-05-30
Filing date: 2001-05-29
Publication date: 2008-11-13
Anticipated expiration: 2021-05-30
Also published as: KR100428961B1; US20020075632A1; TW504719B; US20040051216A1; US6785121B2; US7335329B2; KR20010109177A; DE10126099A1

Abstract

Keramischer Vielschichtkondensator mit Innenelektrodenschichten und dielektrischen Schichten, wobei ein mittlerer Partikeldurchmesser (R) in einer Richtung parallel zu den Innenelektrodenschichten in dielektrischen Partikeln, die die dielektrischen Schichten bilden, größer ist als eine Dicke (d) der dielektrischen Schicht.

Description

Die Erfindung betrifft einen keramischen Vielschichtkondensator und insbesondere einen keramischen Vielschichtkondensator, der eine große Kapazität, auch bei einer kompakten Größe eine große Kapazität, und hohe Zuverlässigkeit aufweist.
Eine Kapazität (gain capacitance) eines keramischen Vielschichtkondensators erfüllt folgende Beziehung, ausgedrückt in der folgenden Formel (1): c = ε0·εr × n × S/d (1)(C: Kapazität (F), ε₀: Dielektrizitätskonstante des Vakuums, ε_r: spezifische Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Materials, n: Anzahl der Schichten, S: wirksame Fläche, d: Dicke des Dielektrikums)
Um die Kapazität zu erhöhen, gibt es demzufolge Verfahren zur dünneren Ausführung der dielektrischen Schichtdicke d, zur Erhöhung der spezifischen Dielektrizitätskonstante ε_r, zur Erhöhung der wirksamen Fläche S und zur Erhöhung der Anzahl der dielektrischen Schichten.
Da jedoch bei der Erhöhung der wirksamen Fläche zur Erreichung einer hohen Kapazität bei einer kompakten Größe eine Grenze besteht, wird im allgemeinen ein Verfahren zur Erhöhung der Dielektrizitätskonstante oder zur dünneren Ausführung der Schicht verwendet.
Aufgrund des Problems der Ungleichmäßigkeit der Dicke ist man bisher davon ausgegangen, daß die Grenze einer dünneren dielektrischen Schicht 10 μm oder 5 μm betrug, aber es hat sich gezeigt, daß infolge der Entwicklung der Produktionstechniken ein Erzeugnis mit einer dünneren Schicht als diese Grenze hergestellt wird.
Auch wenn ein Chipkondensator mit einer extrem dünnen Schicht, bei dem die dielektrische Dicke 3 μm oder weniger beträgt, hergestellt werden kann, tritt jedoch ein Nachteil auf, nämlich daß er einer praktischen Verwendung nicht standhält, da der Widerstand des Dielektrikums zu gering ist. Bekannt ist daher ein Verfahren, bei dem der Durchmesser eines dielektrischen Partikels zwischen inneren Elektroden kleiner ausgeführt wird als die Dicke einer dielektrischen Schicht und die Anzahl der dielektrischen Partikel zwischen den Elektroden von zwei oder mehr ist. Eine Korngrenzenphase wird bereitgestellt und ein Isolierwiderstand sichergestellt, wenn die Anzahl der dielektrischen Partikel zwischen Elektroden zwei oder mehr ist. Man beachte folgendes: Der Zustand, daß die Anzahl der Dielektrika zwischen Elektroden zwei oder mehr ist, bedeutet, daß eine gerade Linie, die vertikal von einer inneren Elektrode zu einer inneren Elektrode direkt neben ihr gezogen wird, durch zwei oder mehr Partikel läuft.
Wenn jedoch die Schicht noch dünner und die dielektrische Dicke 3 μm oder kleiner wird, muß der Partikeldurchmesser 1,5 μm oder kleiner werden, um die dielektrischen Partikel zwischen den inneren Elektroden auf zwei oder mehr zu bringen, so daß es bisher ein Nachteil war, daß die Kapazität nicht vergrößert werden kann.
Die Kapazität pro Volumen wird daher unvermeidlich klein, und das ist bisher ein Hindernis zur Erreichung einer kompakten Größe und einer hohen Kapazität gewesen.
Man beachte, daß, wie in der ungeprüften japanischen Patentveröffentlichung JP-11-317 322 A beschrieben, ein Kondensator vorgeschlagen worden ist, bei dem ein Partikeldurchmesser der dielektrischen Partikel, die die dielektrische Schicht des keramischen Vielschichtkondensators bilden, von etwa 20% oder mehr eine im wesentliche gleiche Dicke hat wie die dielektrische Schicht. Diese Veröffentlichung offenbart eine Verbesserung des CR-Produkts, das ein Produkt aus der Kapazität und dem Widerstand des Kondensators ist, wenn man eine solche Konfiguration verwendet.
Diese Veröffentlichung offenbart jedoch nur keramische Vielschichtkondensatoren, bei denen ein mittlerer Partikeldurchmesser der dielektrischen Partikel kleiner oder gleich der Dicke der dielektrischen Schicht ist.
Die Erfindung erfolgte unter Berücksichtigung der oben genannten Nachteile des Standes der Technik und hat die Aufgabe, einen sehr zuverlässigen keramischen Vielschichtkondensator mit einer weiter verbesserten Kapazität pro Einheitsvolumen und einer großen Kapazität auch bei kompakter Größe bereitzustellen.
Um diese oben beschriebene erfindungsgemäße Aufgabe zu lösen, wird ein keramischer Vielschichtkondensator mit Innenelektrodenschichten und dielektrischen Schichten bereitgestellt, wobei ein mittlerer Partikeldurchmesser (R) in einer Richtung parallel zu den Innenelektrodenschichten bei dielektrischen Partikeln, die die dielektrischen Schichten bilden, größer ist als eine Dicke der dielektrischen Schicht (d). Man beachte folgendes: mittlerer Partikeldurchmesser der dielektrischen Partikel in den dielektrischen Schichten heißt mittlerer Partikeldurchmesser der dielektrischen Partikel in der wirksamen dielektrischen Schicht (die zur Kapazität beitragen) zwischen einem Paar Innenelektrodenschichten. Der mittlere Partikeldurchmesser ist ein Mittelwert, der keine dielektrischen Partikel in einer dielektrischen Schicht enthält, von der keine Teile zur Kapazität beitragen (z. B. eine dielektrische Schicht, die auf einer Außenseite der dielektrischen Schicht in der Stapelrichtung angeordnet und nicht sandwichartig von den Innenelektrodenschichten eingeschlossen ist).
Vorzugsweise erfüllt ein Verhältnis (R/d) zwischen dem mittleren Partikeldurchmesser (R) und der Dicke (d) der dielektrischen Schicht die Bedingung R/d < 3.
Vorzugsweise ist ein Hauptbestandteil der Innenelektrodenschichten Ni oder Cu.
Erfindungsgemäß kann ein keramischer Vielschichtkondensator mit besonders hoher Zuverlässigkeit auch dann hergestellt werden, wenn die Dicke der dielektrischen Schicht kleiner als 3 μm ist.
Erfindungsgemäß weist eine dielektrische Schicht mindestens das dielektrische Partikel und eine Korngrenzenphase auf. Ein Flächenanteil der Korngrenzenphase in einem Schnitt der dielektrischen Schicht ist vorzugsweise 2% oder kleiner. Das dielektrische Partikel kann beispielsweise eine Kern-Schale-Struktur haben.
Erfindungsgemäß besteht die dielektrische Schicht vorzugsweise aus dielektrischen Partikeln, einer Korngrenze oder einer Korngrenzenphase, und die Korngrenzenphase enthält mindestens zwei Arten von Elementen, die aus Mn, Y, Si, Ca, V und W gewählt sind.
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Vielschichtkondensators mit folgenden Schritten bereitgestellt: Brennen eines Rohchips zu einem Kondensatorelementkörper mit dielektrischen Schichten und Innenelektrodenschichten in einer reduzierenden Atmosphäre; und Durchführen einer Wärmebehandlung, in deren Atmosphäre ein Sauerstoffpartialdruck höher ist als die reduzierende Atmosphäre; wobei ein mittlerer Partikeldurchmesser (R) in einer Richtung parallel zu den Innenelektrodenschichten in dielektrischen Partikeln, die die dielektrische Schicht bilden, größer wird als eine Dicke (d) der dielektrischen Schicht.
Vorzugsweise beträgt eine Wärmebehandlungstemperatur nach dem Brennen in der reduzierenden Atmosphäre 1000°C oder mehr. Außerdem beträgt ein Sauerstoffpartialdruck zur Zeit der Wärmebehandlung nach dem Brennen in der reduzierenden Atmosphäre vorzugsweise 10^–3 Pa bis 1 Pa.
Man beachte, daß der mittlere Partikeldurchmesser nachstehend erfindungsgemäß definiert ist. Wenn der keramische Vielschichtkondensator einen Schnitt erfährt, der in bezug auf die inneren Elektroden vertikal ist und durch beide äußere Elektroden läuft, wird in einem Mittelabschnitt zwischen den inneren Elektroden in diesem geschnittenen Teil eine gerade Linie gezogen, die im wesentlichen parallel zu der Innenelektrodenschicht ist, und wenn man annimmt, daß die Anzahl der Partikel, die diese Linie kreuzen, n ist (n ist 10 oder mehr) und eine Länge der Linie L ist, dann ist L/n der mittlere Partikeldurchmesser (R) in der Richtung horizontal zu den inneren Elektroden.
Erfindungsgemäß kann aufgrund der dielektrischen Schicht mit der oben beschriebenen Konfiguration ein sehr zuverlässiger keramischer Vielschichtkondensator mit großer Kapazität pro Einheitsvolumen und großer Kapazität auch bei kompakter Größe realisiert werden.
Auch wenn die Dicke der dielektrischen Schicht erfindungsgemäß kleiner ist als 3 μm, kann eine auf das Volumen bezogene Kapazität von 100 F/m³ oder mehr erreicht werden, wenn man die Konfiguration herstellt, bei der der größte Partikeldurchmesser der Partikel größer ist als ein Abstand zwischen den Elektroden. Dieser Partikeldurchmesser kann realisiert werden, wenn man die dielektrische Zusammensetzung, die Brenntemperatur und der Brennatmosphäre reguliert. Außerdem kann ein hinreichender Isolationswiderstand erreicht werden, wenn nach dem Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre eine Wärmebehandlung unter einem optimalen Sauerstoffpartialdruck erfolgt, so daß sich die Zuverlässigkeit verbessert.
Diese und weitere Aufgaben und Merkmale der Erfindung werden in der nachstehenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen deutlich. Dabei zeigen:
1 eine schematische Schnittansicht eines mehrschichtigen Keramikkondensators gemäß einer Ausführungsform der Erfindung; und
2 eine vergrößerte Schnittansicht eines Hauptabschnitts einer in 1 gezeigten dielektrischen Schicht.
Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen beschrieben.
Keramischer Vielschichtkondensator
Wie in 1 gezeigt, weist ein keramischer Vielschichtkondensator 1 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung einen Kondensatorelementkörper 10 auf, wobei dielektrische Schichten 2 und Innenelektrodenschichten 3 abwechselnd gestapelt sind. An den beiden Endabschnitten des Kondensatorelementkörpers 10 sind ein Paar äußere Elektroden 4 ausgebildet, die jeweils mit den Innenelektrodenschichten 3 verbunden sind, die abwechselnd im Elementkörper 10 angeordnet sind. Die Form des Kondensator elementkörpers 10 ist nicht besonders eingeschränkt, ist jedoch normalerweise ein rechteckiges Parallelepiped. Außerdem ist seine Größe nicht besonders eingeschränkt und kann eine geeignete Größe entsprechend der Verwendung sein, ist jedoch normalerweise etwa (0,6 bis 5,6 mm) × (0,3 bis 5,0 mm) × (0,3 bis 1,9 mm).
Die Innenelektrodenschichten 3 sind so gestapelt, daß die jeweiligen Endflächen abwechselnd den Flächen von zwei zugewandten Endabschnitten des Kondensatorselementkörpers 10 zugewandt sind. Das Paar äußerer Elektroden 4 ist auf beiden Endabschnitten des Kondensatorselementkörpers 10 ausgebildet und mit den zugewandten Endflächen der abwechselnd angeordneten Innenelektrodenschichten 3 so verbunden, daß eine Kondensatorschaltung entsteht.
Dielektrische Schicht 2
Die Zusammensetzung der dielektrischen Schicht 2 ist erfindungsgemäß nicht besonders eingeschränkt, besteht aber z. B. aus einer nachstehend beschriebenen dielektrischen Keramikverbindung.
Die erfindungsgemäße dielektrische Keramikverbindung enthält beispielsweise einen Hauptbestandteil, der mit (Ba_(1-x-y) Ca_x Sr_y)O}_A (Ti_(i-x) Zr_x)_BO₂ bezeichnet ist. Man beachte, daß A, B, x, y, und z in irgendeinem Bereich liegen, aber vorzugsweise beispielsweise 0,990 ≤ A/B ≤ 1,010, 0 ≤ x ≤ 0,80, 0 ≤ y ≤ 0,5, 0,01 ≤ z ≤ 0,98 sind. Als Nebenbestandteile, die zusammen mit dem Hauptbestandteil in der dielektrischen Keramikverbindung enthalten sind, kann ein Nebenbestandteil als Beispiel erwähnt werden, der mindestens eine Art enthält, die aus den Oxiden des Y, Gd, Tb, Dy, V, Mo, Zn, Cd, Sn, W, Ca, Mn, Si und P gewählt ist.
Durch Zugabe der Nebenbestandteile wird ein Niedrigtemperaturbrennen ohne Verminderung der dielektrischen Charakteristik des Hauptbestandteils möglich, es können Zuverlässigkeitsfehler zur Zeit der dickenreduzierten Herstellung der dielektri schen Schicht reduziert werden, und es kann eine längere Lebensdauer erreicht werden. Man beachte, daß die Zusammensetzung der dielektrischen Schicht erfindungsgemäß nicht auf die vorstehende Beschreibung beschränkt ist.
Man beachte, daß die Bedingungen, nämlich die Anzahl und Dicke usw. der Schichten der in 1 gezeigten dielektrischen Schicht 2 entsprechend einer Aufgabe und einer Verwendung zweckmäßig festgelegt werden können, aber erfindungsgemäß beträgt die Dicke der dielektrischen Schicht 6 μm oder weniger, vorzugsweise 3 μm oder weniger, besonders bevorzugt weniger als 2 μm.
Wie in 2 gezeigt, weist die dielektrische Schicht 2 mindestens dielektrische Partikel 2a und eine Korngrenzenphase 2b auf. Der Flächenanteil der Korngrenzenphase 2b im Schnitt der dielektrischen Schicht 2 ist vorzugsweise 2% oder kleiner. Das dielektrische Partikel 2a hat beispielsweise eine Kern-Schale-Struktur. Die Korngrenzenphase hat als Bestandteile Oxide eines Materials, die dielektrische Materialien oder Innenelektrodenmaterialien bilden, Oxide von getrennt zugesetzten Materialien und ferner Oxide von Materialien, die als Verunreinigungen während der Verarbeitung hinzuzumischen sind. Die Korngrenzenphase 2b enthält mindestens zwei Arten von Elementen die aus Mn, Y, Si, Ca, V und W gewählt sind.
Erfindungsgemäß ist ein mittlerer Partikeldurchmesser R in der Richtung H, die parallel zu den Innenelektrodenschichten 3 in den dielektrischen Partikeln 2a ist, die die dielektrische Schicht 2 bilden, größer als die dielektrische Schichtdicke d, und ein Verhältnis (R/d) zwischen dem mittleren Partikeldurchmesser R und der dielektrischen Schichtdicke d ist vorzugsweise 1 < R/d < 3. Man beachte folgendes: Je größer das Verhältnis des mittleren Partikeldurchmessers R zur dielektrischen Schichtdicke d ist, um so größer ist die Verstärkungskapazität. Es besteht jedoch eine Tendenz, nämlich daß eine Dicke einer Korngrenze dick wird und eine Kapazität sich verringert, wenn R/d > 3, so daß vorzugsweise 1 < R/d < 3 gilt.
Man beachte folgendes: mittlerer Partikeldurchmesser der dielektrischen Partikel 2a in der dielektrischen Schicht 2 heißt mittlerer Partikeldurchmesser der dielektrischen Partikel 2a in den dielektrischen Schichten 2 (die zur Kapazität beitragen), die sandwichartig zwischen den Innenelektrodenschichten 3 angeordnet sind. Der mittlere Partikeldurchmesser ist ein Mittelwert, der keine dielektrischen Partikel in der dielektrischen Schicht enthält, von der keine Teile zur Kapazität beitragen (z. B. eine dielektrische Schicht, die auf einer Außenseite in Stapelrichtung der dielektrischen Schicht 2a und nicht sandwichartig zwischen den Innenelektrodenschichten 3 angeordnet ist). Die dielektrischen Partikel 2a berühren beide Teile des Paares von Innenelektrodenschichten 3, die die dielektrischen Partikel 2a sandwichartig einschließen.
Man beachte, daß der mittlere Partikeldurchmesser R nachstehend definiert ist. Wenn man nämlich annimmt, daß in einem Mittelabschnitt der inneren Elektroden 3 in dem in 2 gezeigten Schnitt eine gerade Linie H gezogen wird, die im wesentliche parallel zu der Innenelektrodenschicht ist, die Anzahl der Partikel, die diese Linie kreuzen, n ist (n ist 10 oder größer) und eine Länge der Linie L ist, ist L/n der mittlere Partikeldurchmesser (R) in der Richtung horizontal zu den. inneren Elektroden 3.
Innenelektrodenschicht 3
Ein leitfähiges Material, das in den Innenelektrodenschichten 3 enthalten ist, ist nicht besonders eingeschränkt, aber da das Material, das die dielektrische Schicht 2 bildet, eine Abschwächungswiderstandcharakteristik hat, kann ein Grundmetall (base metal) verwendet werden. Als Grundmetall, das als leitfähiges Material verwendet wird, wird Ni, Cu, Ni-Legierung oder Cu-Legierung bevorzugt. Wenn ein Hauptbestandteil der Innenelektrodenschicht 3 Ni ist, wird ein Brennverfahren mit ei nem niedrigen Sauerstoffpartialdruck (reduzierende Atmosphäre) gewählt, um das Dielektrikum nicht zu reduzieren. Weiterhin wird ein Verfahren gewählt, das die Anteile der Zusammensetzung gegenüber der stöchiometrischen Zusammensetzung ein wenig verändert, um das Dielektrikum nicht zu reduzieren. Die Dicke der Innenelektrodenschicht 3 kann entsprechend der Verwendung zweckmäßig festgelegt werden, ist jedoch normalerweise 0,5 bis 5 μm, insbesondere etwa 1 bis 2,5 μm.
Äußere Elektrode 4
Ein leitfähiges Material, das in der äußeren Elektrode 4 enthalten ist, ist nicht besonders eingeschränkt, und es wird normalerweise Cu, Cu-Legierung, Ni oder Ni-Legierung usw. verwendet. Man beachte, daß natürlich Ag, Ag-Pd-Legierungen usw. verwendet werden kann. Billiges Ni, Cu oder Legierungen aus diesen werden erfindungsgemäß verwendet.
Die Dicke der äußeren Elektrode kann entsprechend der Verwendung usw. zweckmäßig festgelegt werden, und es wird normalerweise etwa 10 bis 50 μm bevorzugt.
Herstellungsverfahren für keramischen Vielschichtkondensator Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Keramikkondensators gemäß einer Ausführungsform der Erfindung beschrieben.
Erfindungsgemäß wird er hergestellt, indem Rohchips in einem normalen Druckverfahren oder Plattenverfahren unter Verwendung einer Paste hergestellt und diese gebrannt werden, dann eine äußere Elektrode darauf aufgedruckt oder im Umdruck aufgebracht wird. Nachstehend wird das Herstellungsverfahren im einzelnen beschrieben.
Die Paste für die dielektrische Schicht kann eine Farbe auf organischer Grundlage, die durch Mischen eines dielektrischen Materials und eines organischen Trägers hergestellt wird, oder eine wasserlösliche Farbe sein.
Als dielektrisches Material werden nach Bedarf Materialien, die den Hauptbestandteil bilden, Materialien, die die Nebenbe standteile bilden, und Materialien, die Sinterhilfsstoffe bilden, entsprechend der oben beschriebenen Zusammensetzung der dielektrischen Keramikverbindung verwendet. Als Materialien, die den Hauptbestandteil bilden, werden Oxide des Ti, Ba, Sr, Ca, Zr und/oder einer Verbindung verwendet, die beim Brennen zum Oxid wird. Als Material, das den Nebenbestandteil bildet, wird vorzugsweise ein einzelnes oder ein zusammengesetztes Oxid mindestens einer Art, vorzugsweise von drei Arten oder mehr verwendet, die aus Oxiden des Sr, Y, Gd, Tb, Dy, V, Mo, Zn, Cd, Ti, Ca, Sn, W, Mn, Si und P und/oder einer Verbindung gewählt werden, die beim Brennen zum Oxid wird.
Bei dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren sind Sinterhilfsmittel nicht unbedingt enthalten, aber wenn sie enthalten sind, werden beispielsweise Oxide des Si oder des Li und/oder eine Verbindung verwendet, die durch Brennen zum Oxid wird. Als Verbindung, die durch Brennen zum Oxid wird, können beispielsweise Carbonat-, Nitrat-, Oxalat-, organische Metallverbindungen usw. genannt werden. Natürlich können das Oxid und die Verbindung, die durch Brennen zum Oxid wird, gemeinsam verwendet werden.
Was Pulver dieser Materialien betrifft, so werden normalerweise solche mit einem mittleren Partikeldurchmesser von etwa 0,005 bis 5 μm verwendet. Ein dielektrisches Material kann aus Materialpulvern hergestellt werden, indem wie folgt verfahren wird.
Zunächst werden Ausgangsmaterialien so kombiniert, daß sie einen vorbestimmten Mengenanteil haben, und es erfolgt ein Naßmischen unter Verwendung einer Kugelmühle usw. Dann wird das Material in einem Zerstäubungstrockner usw. getrocknet, dann calciniert und das dielektrische Oxid mit der oben erwähnten Formel hergestellt, das den Hauptbestandteil bildet. Man beachte, daß die Calcinierung normalerweise bei 500 bis 1300°C, vorzugsweise bei 500 bis 1000°C und besonders bevorzugt bei 800 bis 1000°C für etwa zwei bis zehn Stunden in Luft erfolgt. Als nächstes wird es in einer Strahl- oder Kugelmühle usw. auf einen vorbestimmten Partikeldurchmesser gemahlen, um das dielektrische Material herzustellen. Der Nebenbestandteil und die Sinterhilfsmittel (SiO₂ oder Li₂O usw.) werden jeweils getrennt vom Hauptbestandteil calciniert und in das hergestellte dielektrische Material gemischt. Wenn die Nebenbestandteile zusammen mit der Calcinierung calciniert werden, kann die Sollcharakteristik nicht erreicht werden.
Zusätze, z. B. Binder, Weichmacher, Dispergiermittel, Lösemittel usw., die zur Zeit der Abgleichung der dielektrischen Schichtpaste verwendet werden kann, sind zahlreich und verschieden. Außerdem kann der dielektrischen Schichtpaste Glasfritte zugesetzt werden. Als Binder können Ethylcellulose, Abietinsäureharz, Polyvinylbutyral usw., als Weichmacher beispielsweise Abietinsäurederivat, Diethyloxalat, Polyethylenglycol, Polyalkylenglycol, Phthalsäureester, Phthalsäuredibutyl usw., als Dispergiermittel, beispielsweise Glycerin, Octadecylamin, Trichlorethansäure, Ölsäure, Octadien, Ölsäureethyl, Monoölsäureglycerin, Triölsäureglycerin, Tristearinsäureglycerin, Mencedenöl usw. und als Lösemittel beispielsweise Toluen, Terpineol, Butylcarbidol, Methylethylketon usw. erwähnt werden. Durch Brennen der Paste wird erreicht, daß das dielektrische Material etwa 50 bis 80 Gew.-%, der Binder 2 bis 5 Gew.-%, der Weichmacher 0,01 bis 5 Gew.-%, das Dispergiermittel 0,01 bis 5 Gew.-% und das Lösemittel etwa 20 bis 50 Gew.-% der Gesamtpaste ausmacht. Die oben erwähnten dielektrischen Materialien werden mit dem Lösemittel gemischt usw. und beispielsweise unter Verwendung einer Dreifachrolle usw. zu einer Paste (Aufschlämmung) geknetet.
Man beachte folgendes: Wenn die dielektrische Schichtpaste eine wasserlösliche Farbe ist, reicht es aus, die dielektrischen Materialien und den wasserlöslichen Träger zu kneten, der durch Lösung eines wasserlöslichen Binders, von Dispergiermitteln usw. in Wasser hergestellt wird. Der für den wasserlöslichen Träger verwendete wasserlösliche Binder ist nicht besonders eingeschränkt, und es können Polyvinylalkohol, Cellulose, wasserlösliches Acrylharz usw. verwendet werden.
Die Innenelektrodenpaste wird hergestellt, indem leitfähige Materialien, die viele verschiedene leitfähige Metalle und Legierungen, viele verschiedene Oxide, die nach dem Brennen zu den oben beschriebenen leitfähigen Materialien werden, organische Metallverbindungen, Resinat usw. enthalten, mit einem organischen Träger geknetet werden.
Als das leitfähige Material, das während der Herstellung der Innenelektrodenpaste verwendet wird, werden Ni, Ni-Legierung, ferner ein Gemisch aus denselben verwendet. Solche leitfähigen Materialien sind kugelförmig, schuppenförmig usw., und die Form ist nicht besonders eingeschränkt und kann ein Gemisch aus diesen Formen sein. Außerdem können normalerweise die leitfähigen Materialien mit dem mittleren Partikeldurchmesser von etwa 0,1 bis 10 μm vorzugsweise etwa 0,2 bis 1 μm verwendet werden.
Der organische Träger enthält einen Binder und ein Lösemittel. Als Binder kann jeder bekannte Binder verwendet werden, beispielsweise Ethylcellulose, Acrylharz, Butyralharz usw. Der Anteil des Binders wird auf etwa 1 bis 5 Gew.-% gebracht. Als Lösemittel kann jedes bekannte Lösemittel verwendet werden, beispielsweise Terpineol, Butylcarbitol, Kerosin usw. Der Anteil des Lösemittels wird auf etwa 20 bis 55 Gew.-% in bezug auf die Gesamtpaste gebracht.
Die derartig hergestellte Innenelektrodenschichtpaste und die dielektrische Schichtpaste werden unter Verwendung eines Druckverfahrens, eines Umdruckverfahrens, eines Rohfolienverfahrens usw. abwechselnd gestapelt. Wenn das Druckverfahren verwendet wird, werden die dielektrische Schichtpaste und die Innenelektrodenschichtpaste nacheinander auf ein PET- oder anderes Substrat gedruckt, zu einer vorbestimmten Form zugeschnitten und dann vom Substrat abgezogen, um einen Stapelkörper zu bilden. Wenn dagegen das Folienverfahren verwendet wird, wird die dielektrische Schichtpaste verwendet, um eine Rohfolie (dielektrische Schicht vor dem Brennen) auszubilden, und ein Innenelektrodenmuster (Innenelektrodenschicht vor dem Brennen), das aus der Innenelektrodenschichtpaste besteht, wird aufgedruckt.
Eine große Anzahl der Rohfolien, die mit dem Innenelektrodenmuster bedruckt werden, werden in der Stapelrichtung gestapelt, um einen Stapelkörper zu bilden. Auf seinem obersten und untersten Ende in Stapelrichtung werden auch mehrere Rohfolien gestapelt, auf die kein Innenelektrodenmuster gedruckt wird.
Als nächstes wird der derartig hergestellte Stapelkörper auf eine vorbestimmte Größe des Stapelkörpers zugeschnitten, um einen Rohchip zu bilden, dann erfolgen Binderentfernungsbehandlung und Brennen. Eine Wärmebehandlung erfolgt dann, um die dielektrische Schicht 2 zu reoxidieren.
Die Binderentfernungsbehandlung kann unter normalen Bedingungen erfolgen, aber wenn Ni, Ni-Legierungen oder ein anderes Nichtedelmetall als leitfähiges Material der Innenelektrodenschichten verwendet wird, erfolgt die Behandlung vorzugsweise unter folgenden Bedingungen:

Temperaturanstiegsgeschwindigkeit: 5 bis 300°C/h, insbesondere 10 bis 50°C/h
Haltetemperatur: 200 bis 400°C, insbesondere 250 bis 350°C
Temperaturhaltezeit: 0,5 bis 20 h, insbesondere 1 bis 10 h
Atmosphäre: In einem Naßmischgas aus N₂ und H₂

Das Brennen erfolgt vorzugsweise unter den nachstehenden Bedingungen:

Temperaturanstiegsgeschwindigkeit: 50 bis 500°C/h, insbesondere 200 bis 300°C/h
Haltetemperatur: 1100 bis 1300°C, insbesondere 1150 bis 1250°C
Temperaturhaltezeit: 0,5 bis 8 h, insbesondere 1 bis 3 h
Abkühlgeschwindigkeit: 50 bis 500°C/h, insbesondere 200 bis 300°C/h
atmosphärisches Gas: ein Naßmischgas aus N₂ und H₂ usw.

Man beachte, daß der Sauerstoffpartialdruck in der Luftatmosphäre vorzugsweise 10^–2 Pa oder kleiner ist, insbesondere 10^–2 bis 10^–8 Pa. Beim Überschreiten des oben genannten Bereichs besteht die Gefahr, daß die Innenelektrodenschicht oxidiert, und wenn der Sauerstoffpartialdruck zu niedrig ist, besteht die Gefahr, daß das Elektrodenmaterial der Innenelektrodenschicht unnormal sintert und abbricht.
Die Wärmebehandlung nach dem oben beschriebenen Brennen erfolgt vorzugsweise dadurch, daß die Haltetemperatur oder die höchste Temperatur vorzugsweise auf. 1000°C oder mehr eingestellt wird, insbesondere auf 1000 bis 1100°C. Wenn die Haltetemperatur oder die höchste Temperatur während der Wärmebehandlung kleiner ist als der oben genannte Bereich, wird die Oxidation des dielektrischen Materials unzureichend, so daß die Isolationswiderstandslebensdauer mitunter kürzer wird. Wenn dagegen die Haltetemperatur den oben genannten Bereich überschreitet, oxidiert Ni der inneren Elektrode, und es sinkt nicht nur die Kapazität, sondern auch die Innenelektrodenschichten reagieren am Ende mit dem dielektrischen Material, was mitunter dazu führt, daß sich die Lebensdauer verkürzt. Der Sauerstoffpartialdruck während der Wärmebehandlung ist höher als die reduzierende Atmosphäre während des Brennens und ist vorzugsweise 10^–3 Pa bis 1 Pa, besonders bevorzugt 10^–2 Pa bis 1 Pa. Wenn der Sauerstoffpartialdruck kleiner ist als der oben genannte Bereich, ist eine Reoxidation der dielektrischen Schicht 2 schwierig, und wenn er über diesem Bereich liegt, neigt die Innenelektrodenschicht 3 zur Oxidation. Andere Wärmebehandlungsbedingungen sind vorzugsweise folgende:

Temperaturhaltezeit: 0 bis 6 h, insbesondere 2 bis 5 h
Abkühlgeschwindigkeit: 50 bis 500°C/h, insbesondere 100 bis 300°C/h
atmosphärisches Gas: N₂-Naßgas usw.

Man beachte, daß beispielsweise ein Befeuchter usw. verwendet werden kann, um das N₂-Gas und das Mischgas usw. zu befeuch ten. In diesem Fall ist die Temperatur des Wassers vorzugsweise 0 bis 75°C. Außerdem können die Binderentfernungsbehandlung, das Brennen und die Wärmebehandlung nacheinander oder unabhängig erfolgen. Wenn sie nacheinander erfolgen, wird vorzugsweise nach der Binderentfernungsbehandlung die Atmosphäre geändert, ohne abzukühlen, dann wird die Temperatur auf die Haltetemperatur zum Brennen erhöht, das Brennen erfolgt, dann wird abgekühlt, und die Atmosphäre wird geändert, wenn die Haltetemperatur der Wärmebehandlung erreicht ist, und dann erfolgt die Wärmebehandlung. Wenn diese dagegen unabhängig erfolgen, wird vorzugsweise während des Brennens die Temperatur bis zur Haltetemperatur während der Binderentfernungsbehandlung in einer N₂-Gas- oder N₂-Naßgasatmosphäre erhöht, dann wird die Atmosphäre geändert, und die Temperatur wird weiter. erhöht. Nachdem die Temperatur auf die Haltetemperatur während der Wärmebehandlung abgekühlt ist, wird die Atmosphäre wieder zu einer N₂-Gas- oder N₂-Naßgasatmosphäre geändert, und die Abkühlung geht weiter. Ferner kann während des Glühens die Temperatur auf die Haltetemperatur in einer N₂-Gasatmosphäre erhöht werden, dann kann die geänderte Atmosphäre und der gesamte Glühprozeß in einer N₂-Naßgasatmosphäre erfolgen.
Der derartig hergestellte Sinterkörper (Elementkörper 10) wird beispielsweise endpoliert, beispielsweise durch Trommelpolieren oder Sandstrahlen usw., dann wird eine Außenelektrodenpaste auf diesen aufgebrannt, um die äußeren Elektroden 4 zu bilden. Die Brennbedingungen der äußeren Elektrodenpaste sind beispielsweise vorzugsweise 600 bis 800°C für 10 min bis 1 h oder in einem Naßmischgas aus N₂ und H₂. Ferner können je nach Bedarf die Oberflächen der äußeren Elektroden 4 einer Plattierung unterzogen werden usw., um eine Anschlußflächenschicht zu bilden. Man beachte, daß die Außenelektrodenpaste auf die gleiche Weise hergestellt werden kann wie die Herstellung der oben genannten Innenelektrodenpaste.
Der derartig hergestellte, erfindungsgemäße keramische Vielschichtkondensator wird auf einem Drucksubstrat usw. durch Lö ten usw. angeordnet und in vielen verschiedenen elektrischen Vorrichtungen verwendet usw.
In der vorliegenden Ausführungsform kann durch Optimierung der dielektrischen Zusammensetzung, der Brennbedingungen und der Wärmebehandlungsbedingungen nach dem Brennen, auch wenn die Dicke der dielektrischen Schicht kleiner ist als 3 μm und der Partikeldurchmesser größer ist als die dielektrische Dicke, ein ausreichender Isolationswiderstand erreicht werden. Man beachte, daß die Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt ist und viele verschiedene Modifikationen innerhalb des Schutzbereichs der Ansprüche der Erfindung möglich sind.
Nachstehend wird die Erfindung auf der Grundlage von weiteren ausführlichen Beispielen beschrieben.
Beispiel 1
Als Ausgangsmaterialien wurden BaTiO₃ und BaZrO₃ verwendet, die in einem Flüssigphasensyntheseverfahren hergestellt werden. Man beachte, daß ein mittlerer Partikeldurchmesser des BaTiO₃ und BaZrO₃ 0,5 μm und der größte Partikeldurchmesser 1,5 μm war. Die Zusammensetzung der Hauptverbindung war so eingestellt, wie sie in der nachstehenden Formel angegeben ist.
Der Hauptbestandteil ist also Ba_1,005 {Ti_0,81 Zr_0,19}O₃. Dem Hauptbestandteil werden 0,20 Gew.-% MnCO₃, 0,30 Gew.-% Y₂O₃, 0,04 Gew.-% V₂O₅, 0,05 Gew.-% WO₃ und 0,2 Gew.-% SiO₂ (ein mittlerer Partikeldurchmesser ist 1,0 μm, und der größte Partikeldurchmesser bei allen Zusätzen ist 3,3 μm) jeweils für 16 h unter Verwendung einer Kugelmühle naß zugemischt, um dielektrische Materialien herzustellen. Die derartig hergestellten dielektrischen Materialien in dem oben beschriebenen Mischungsverhältnis werden unter Verwendung einer Zirconerde-Kugelmühle zu einer Aufschlämmung und dielektrischen Schicht paste gemischt. Die Anteile sind 100 Gew.-Teile dielektrisches Material, 5,0 Gew.-Teile Acrylharz, 2,5 Gew.-Teile Phthalsäurebenzylbutyl, 6,5 Gew.-Teile Lösungsbenzin, 4,0 Gew.-Teile Aceton, 20,5 Gew.-Teile Trichlorethan und 41,5 Gew.-Teile Methylenchlorid.
Als nächstes werden die Materialien in dem nachstehend beschriebenen Mischungsverhältnis unter Verwendung einer Dreiwalzenmaschine zu einer Aufschlämmung und Innenelektrodenpaste geknetet. Es wurden nämlich 44,6 Gew.-Teile Ni, 52 Gew.-Teile Terpineol, 3 Gew.-Teile Ethylcellulose und 0,4 Gew.-Teile Benzotriazol gemischt. Diese Fasten wurden zur Herstellung eines in 1 gezeigten keramischen Vielschichtkondensators 1 folgendermaßen verwendet.
Zunächst wurde die dielektrische Schichtpaste zur Ausbildung einer Lage mit einer Dicke von 3,5 μm auf einem Trägerfilm unter Verwendung eines Streichmesserverfahrens usw. verwendet, und die Innenelektrodenpaste wurde zum Aufdrucken eines Innenelektrodenmusters verwendet. Dann wird die obere Lage vom Trägerfilm abgezogen, mehrere Lagen, auf denen die innere Elektrode aufgedruckt worden ist, werden gestapelt und durch Druck verklebt. Man beachte, die Anzahl der Stapelschichten in der dielektrischen Schicht 2 betrug 100. Als nächstes wurden nach dem Zuschneiden des Stapelkörpers zu einer vorbestimmten Größe die Binderentfernungsbehandlung, das Brennen und die Wärmebehandlung nacheinander unter folgenden Bedingungen durchgeführt.
Binderentfernungsbehandlung

Temperaturanstiegsgeschwindigkeit: 20°C/h
Haltetemperatur: 300°C
Temperaturhaltezeit: 2 h
atmosphärisches Gas: in der Luft

Brennen

Temperaturanstiegsgeschwindigkeit: 200°C/h
Haltetemperatur: 1150°C
Temperaturhaltezeit: 2 h
Abkühlgeschwindigkeit: 300°C/h
atmosphärisches Gas: ein Naßmischgas aus N₂ und H₂
Sauerstoffpartialdruck: 10^–3 Pa

Wärmebehandlung

Haltetemperatur: 1100°C
Temperaturhaltezeit: 3 h
Abkühlgeschwindigkeit: 300°C/h
atmosphärisches Gas: ein N₂-Naßgas
Sauerstoffpartialdruck: 10^–2 Pa

Man beachte, daß ein Befeuchter verwendet wird, um die jeweiligen atmosphärischen Gase zu befeuchten und die Temperatur des Wassers war 0 bis 75°C.
Nach dem Polieren der Endflächen der derartig hergestellten Sinterkörper durch Sandstrahlen wurde eine In-Ga-Legierung aufgebracht, um eine Prüfelektrode zu bilden. Die Größe des derartig hergestellten keramischen Vielschichtkondensators war 3,2 mm × 2,5 mm × 1,6 mm, die Dicke der dielektrischen Schicht 2 war 2,3 μm, und die Dicke der Innenelektrodenschicht 3 war 1,5 μm.
Proben des keramischen Vielschichtkondensators des vorliegenden Beispiels wurden gemessen, wie nachstehend ausgeführt. Die Messung erfolgte 24 Stunden nach einer einstündigen Wärmebehandlung bei 150°C, um die Anfangscharakteristik zu messen. Ein Impedanzanalysegerät wurde zum Messen der Kapazität und des Verlustkoeffizienten bei 1 kHz und 1 V verwendet. Der Isolationswiderstand wurde unter Verwendung eines hochohmigen Meßgerätes bei 10 V gemessen. Außerdem wurde der mittlere Partikeldurchmesser der dielektrischen Partikel geprüft, wie nachstehend beschrieben.
Der keramische Vielschichtkondensator wurde in einem Schnitt vertikal zur Innenelektrode unterzogen, der durch beide Anschlußelektroden verlief, der Schnitt wurde poliert und der polierte Schnitt wurde mit dem Mikroskop betrachtet. Im Mittelabschnitt zwischen den Innenelektrodenschichten auf dem polierten Teil wurde eine gerade Linie H (siehe 2) parallel mit den Innenelektrodenschichten gezogen. Wenn man annimmt, daß die Anzahl der Partikel, die die Linie H kreuzen, n war und die Länge der Linie L war, dann gilt L/n als Partikeldurchmesser (R) in der Richtung horizontal zu den Innenelektrodenschichten.

Die Meßergebnisse des mittleren Partikeldurchmessers (R) der dielektrischen Partikel, das Verhältnis (R/d) zwischen dem mittleren Partikeldurchmesser und der dielektrischen Schichtdicke d, die Kapazität (C/V) pro Einheitsvolumen und das Produkt (CR) aus Kapazität und Isolationswiderstand sind in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1

	Brenntemperatur	dielektr. Schichtdicke d (μm)	Mittl. Partikeldurchmesser R (μm)	R/d	C/V (F/m³)	CR (MΩμF)
Bsp. 1	1150°C	2,3	3	1,3	375	4620
Bsp. 2	1100°C	2,3	2,5	1,09	363	5350
Bsp. 3	1200°C	4,2	5,4	1,29	143	2800
Bsp. 4	1150°C	4,2	4,5	1,07	129	3120
Vgl.-b. 1	1125°C	4,2	4,2	1	98	3230
Vgl.-b. 2	1100°C	4,2	3,8	0,9	93	3450
Bsp. 5	1200°C	5,8	6	1,03	75	2170
Vgl.-b. 3	1150°C	5,8	4,5	0,78	69	2500
Vgl.-b. 4	1100°C	5,8	3,8	0,66	59	3030

Beispiel 2
Wie in Tabelle 1 gezeigt, wurde eine Probe eines Kondensators auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß die Brenntemperatur 1100°C war, und die Ergebnisse der gleichen Messung sind in Tabelle 1 dargestellt.
Beispiel 3
Wie in Tabelle 1 gezeigt, wurde eine Probe eines Kondensators auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß die Brenntemperatur 1200°C und die dielektrische Schichtdicke 4,2 μm war, und die Ergebnisse der gleichen Messung sind in Tabelle 1 gezeigt.
Beispiel 4
Wie in Tabelle 1 gezeigt, wurde eine Probe eines Kondensators auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß die Brenntemperatur 1150°C und die dielektrische Schichtdicke 4,2 μm war, und die Ergebnisse der gleichen Messung sind in Tabelle 1 dargestellt.
Beispiel 5
Wie in Tabelle 1 gezeigt, wurde eine Probe eines Kondensators auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß die Brenntemperatur 1200°C und die dielektrische Schichtdicke 5,8 μm war, und die Ergebnisse der gleichen Messung sind in Tabelle 1 gezeigt.
Vergleichsbeispiel 1
Wie in Tabelle 1 gezeigt, wurde eine Probe eines Kondensators auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß die Brenntemperatur 1125°C, die Wärmebehandlungstemperatur nach dem Brennen 1000°C, der Sauerstoffpartialdruck während der Wärmebehandlung 10^–2 Pa und die dielektrische Schichtdicke 4,2 μm war, und die Ergebnisse der gleichen Messung sind in Tabelle 1 dargestellt.
Vergleichsbeispiel 2
Wie in Tabelle 1 gezeigt, wurde eine Probe eines Kondensators auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß die Brenntemperatur 1100°C, die Wärmebehandlungstemperatur nach dem Brennen 1000°C, der Sauerstoffpartialdruck während der Wärmebehandlung 10^–2 Pa und die dielektrische Schichtdicke 4,2 μm war, und die Ergebnisse der gleichen Messung sind in Tabelle 1 dargestellt.
Vergleichsbeispiel 3
Wie in Tabelle 1 gezeigt, wurde eine Probe eines Kondensators auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß die Brenntemperatur 1150°C, die Wärmebehandlungstemperatur nach dem Brennen 1000°C, der Sauerstoffpartialdruck während der Wärmebehandlung 10^–2 Pa und die dielektrische Schichtdicke 5,8 μm war, und die Ergebnisse der gleichen Messung sind in Tabelle 1 dargestellt.
Vergleichsbeispiel 4
Wie in Tabelle 1 gezeigt, wurde eine Probe eines Kondensators auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß die Brenntemperatur 1100°C, die Wärmebehandlungstemperatur nach dem Brennen 1000°C, der Sauerstoffpartialdruck während der Wärmebehandlung 10^–2 Pa und die dielektrische Schichtdicke 5,8 μm war, und die Ergebnisse der gleichen Messung sind in Tabelle 1 dargestellt.
Bewertung
Wie aus dem Vergleich der Beispiele 1 bis 5 und der Vergleichsbeispiele 1 bis 4 hervorgeht, wurde folgendes bestätigt: Wenn der mittlere Partikeldurchmesser R in der Richtung parallel zu den Innenelektrodenschichten größer ist als die dielektrische Schichtdicke d in den dielektrischen Partikeln (R/d > 1), kann ein sehr zuverlässiger keramischer Vielschichtkondensator, bei dem die Kapazität pro Einheitsvolumen (C/V) groß ist und der auch bei einer kompakten Größe eine große Kapazität aufweist, realisiert werden.
Außerdem wurde, wie in Beispiel 1 und 2 gezeigt, folgendes bestätigt: Auch wenn die dielektrische Schichtdicke d kleiner ist als 3 μm, kann durch die Struktur, bei der der größte Partikeldurchmesser der Partikel größer ist als ein Abstand zwischen Elektroden, eine auf das Volumen bezogene Kapazität von 100 F/m³ oder mehr erreicht werden. Ferner wurde, wie in Beispiel 1 bis 5 gezeigt, folgendes bestätigt: Wenn eine Wärmebehandlung unter einem optimalen Sauerstoffpartialdruck nach dem Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre durchgeführt wird, können ein ausreichendes Cr-Produkt und ein ausreichender Isolationswiderstand R erreicht werden, und die Zuverlässigkeit verbessert sich.

Claims

Keramischer Vielschichtkondensator mit Innenelektrodenschichten und dielektrischen Schichten, wobei ein mittlerer Partikeldurchmesser (R) in einer Richtung parallel zu den Innenelektrodenschichten in dielektrischen Partikeln, die die dielektrischen Schichten bilden, größer ist als eine Dicke (d) der dielektrischen Schicht.
Keramischer Vielschichtkondensator nach Anspruch 1, wobei ein Verhältnis (R/d) zwischen dem mittleren Partikeldurchmesser (R) und der Dicke (d) der dielektrischen Schicht die Bedingung R/d < 3 erfüllt.
Keramischer Vielschichtkondensator nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Hauptbestandteil der Innenelektrodenschichten Ni oder Cu ist.
Keramischer Vielschichtkondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Dicke der dielektrischen Schicht kleiner als 3 μm ist.
Keramischer Vielschichtkondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die dielektrische Schicht mindestens die dielektrischen Partikel und eine Korngrenzenphase aufweist und ein Flächenverhältnis der Korngrenzenphase in einem Schnitt der dielektrischen Schicht 2% oder kleiner ist.
Keramischer Vielschichtkondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die dielektrischen Partikel eine Kern-Schale-Struktur haben.
Keramischer Vielschichtkondensator nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die dielektrische Schicht aus dielektrischen Partikeln, einer Korngrenze und einer Korngrenzenphase besteht, und die Korngrenzenphase mindestens zwei Arten von Elementen enthält, die aus Mn, Y, Si, Ca, V und W gewählt sind.
Verfahren zur Herstellung eines keramischen Vielschichtkondensators mit den Schritten: Brennen eines Rohchips zu einem Kondensatorelementkörper mit dielektrischen Schichten und Innenelektrodenschichten in einer reduzierenden Atmosphäre; und Durchführung einer Wärmebehandlung, in deren Atmosphäre ein Sauerstoffpartialdruck höher ist als die reduzierende Atmosphäre; wobei ein mittlerer Partikeldurchmesser (R) in einer Richtung parallel zu den Innenelektrodenschichten in dielektrischen Partikeln, die die dielektrische Schicht bilden, größer ist als eine Dicke (d) der dielektrischen Schicht.
Verfahren zur Herstellung eines keramischen Vielschichtkondensators nach Anspruch 8, wobei eine Wärmebehandlungstemperatur nach dem Brennen unter der reduzierenden Atmosphäre 1000°C oder mehr beträgt.
Verfahren zur Herstellung eines keramischen Vielschichtkondensators nach Anspruch 8 oder 9, wobei ein Sauerstoffpartialdruck während der Wärmebehandlung nach dem Brennen in der reduzierenden Atmosphäre 10^–3 Pa bis 1 Pa ist.