TW504719B - Multilayer ceramic capacitor and production method thereof - Google Patents

Description

504719 五、發明說明（1) ' '—* 發明背景 技術範圍： 本發明是有關於積層陶瓷電容，更詳細的說是有關於 具有增大同單位體積的靜電容量，小型化卻仍具有大容 量，且可信度高的積層陶瓷電容。 背景技術： 積層陶瓷電容的取得靜電容量為如以下式（D的關 係。 C= ε0 · εΓ x n x S/d 式（1 ) (C:容量（F)、eG :真空的介電常數、卜：介電材料的 比介電率、η ··層數、S :有效面積、d ••介電體厚度） ▲ ★因此，為了增加靜電容量，其方法為使介電體層厚度 d變薄、增加比介電率ε r、增加有效面積s、增加介電體 層數η。 然而，小型卻想得到大容量時，有效面積的增加是有 =限的’-般採用介電率增加或是薄層化的手法以達成目 二電體的薄層化由於有厚度等問題，其界限雖說為“ =:出由來於製造技術的開發 電容: 為3"m以下的極薄層晶片 電極間的介電體粒子；丄體層厚度不及内部 i極間的介電體粒子數採用2

卜上的方法來製作。電極間的介電體粒子數 寺；置於，粒界相，是為了可確保絕緣抗阻個以上 電極間的介電體數為2個以上時，由 而且， 弓1導2個以上的粒子直線通過鄰接的内部電極枝，可垂直 不過，愈是薄層化，介電體厚度為3#m以下 内部電極間的介電體粒子維持2個以上，寺么了 以下：而會有不能取得較大靜電容量的問題'料 跨越！Ξ且：2:ί體積變小的靜電容量減少，而難以 ，飚小^[且大容量的障礙。 另外，特開 究電容介電體層 電體層厚度幾乎 採用此種構成， 加。 平1 1 -31 7322號公報揭示了，構成積層陶 之，電體粒子中約20%以上的粒徑為與介 同等之電容體的提案。此公報之目的在於 而使電容體的靜電容量與抗阻的積CR增 然而，此 體層厚度同等 發明概要： 公報中並未提到介電體粒子平均粒徑為介電 以下的積層陶瓷電容體。 之*目的是提供鑑於此實際狀況，具有單位體積 陶i電：里“口、小型化卻有大容量、且可信度高的積層 徵為ϊίΐΐ述"’關於本發明的積層陶究電容，， 介電^声之1電極層與介電體的積層陶瓷電容，構成負 敕彳a /電體粒手與前述内部電極層平行方向的4 仏（）為比前述介電體層厚度（d)更大。此外，介電谓 L、發明說明（3) ί 粒子平均粒徑為-對内部電極層之間所夾之有效 =體層（靜電容量所屬部位）的介電體 含有不屬靜電容量部份之介電體層(例如於介 ί = 層方向外側配置不為内部電極層之間所夾的介 電體層）的介電體粒子之平均粒彳获。 最好徑⑻與前述介電體層厚度⑷比率謂 前述内部電極層主成分最好為Ni或Cu。此時，前述内 部電極層中F e以偏析為佳。 w Ϊ Ϊ明為介電體層厚度未滿3 " m時也可以得到特別高 可仏度的積層陶瓷電容。 相 $發明的介電體層至少具有前述的介電體粒子與粒界 二電體斷面之前述粒界相面積比為2%以下時較佳。 刚述”電體粒子具有如核鞘shel丨）的構造也 以0 本發=疋則述介電體層為介電體粒子、粒界及粒界相 Ι 述粒界相中存在有偏析相（第2相），前述偏析 相含：由广^^中選擇二種以上之元素。 miif發明的積層陶曼電容製造方法為具有介電體 層内4電極層之電容體元件本體的綠色晶片（green 圍氣體下燒結後，進行比還原氛圍氣體高 Φ t r f ”、处理工程。其特徵為與構成前述介電體層之介 内°卩電極層平行方向的平均粒徑（R)比前述介電 體層厚度（d)更大。 ^ τ ^ %

發明說明（4) °c以！=還：：氛2體下燒結後的熱處理溫度以1000 佳。為佳。此外，其熱處理時的氧分壓以i〇-3Pa〜1Pa為 是1而t ’本發明t，平均粒子徑乃是如以下定義。也就 =t，垂直於積層陶瓷電容之内部電極，且切斷通外 ::t =極之斷面’於該切斷面之内部電極間中央部分， Μ内部電極層略平行之直線，與該線交又之粒子數 η二為Γ以上）’線的長度為L時的L/n ’即為内部電極水； 万向的平均粒子徑（R)。 丁 j發明為實現具有上述構造之介電體層，並有單位 積的靜電容量增大、小型化卻仍具有大容 的積陶瓷電容。 此外本發明中，介電體層厚度未滿3 /z m，但仍能得 到粒子的最大粒徑比電極間大的構造。並可以達成 〇F/m以上的南體積比（v〇iume 靜電容量。該粒 ，為調整介電體^成、燒結溫度、燒結氛圍氣體後所Λ可以 κ見的此外，還原氛圍氣體下燒結後以最適氧分壓進行 熱處理，得到非常有絕緣抗性，可信度高的產物。 圖面的簡單說明 以下’對於本發明以圖面所示的實施狀態為基礎進行 說明。其中， 圖1為關於本發明一實施狀態之積層陶瓷電容概略剖 面圖， 圖2為圖1所示介電體層要部之放大剖面圖。

2030-4048-pf.ptd 胃7頁 504719 五、發明說明（5) 最佳狀態 積層陶奢.雷宄 如圖1所示，與本發明之一實施狀態有關的積層陶瓷 + 為具有介電體層2與内部電極層3交互積層而構成之 1 件本體1 〇。該電容元件本體1 0之兩端部份形成元件 [〇内部交互配置之内部電極層3及個別導電之一對外 ί = ί!ι、。電谷几件本體1〇的形狀並無特定限制，通常為 用、裔a 2此外’其長度也無特定限制，因應其用途而採 用適 ，通常為（0·6〜5·6ιηιη) χ(〇·3〜5〇 3〜1· 9mm)的程度。 f、的極層3為各端面於電容元件本體10相對之2端部 = 的積層。一對外部電極4形成於電容元 露Ϊ端面：^份，接續於交互配置之内部電極層3的 路出鈿面，而構成電容迴路。 ^ ^ ^ ^ 介電體層2 介電體層2的組成於本發明並盔特 述介電體磁器組合物構成。 ’、、、特疋限制’例如以下 本實施形態的介電體磁器組合物 CaxSi^OUTi^ZrjBO2 所示之主成的; 物。且，A、B、x、y、z為任意範圍的1電體磁器組合 U.010、〇^龍80、Uy 就5、〇HXU9〇a/B 佳。在介電體磁器組合物中，與主成八$ζ$0· 98為 有，如含有Υ、Gd、Tb、Dy、V、Mo、& 7時含有的副成分

Ca、Mn、Si、及p的氧化物中選擇1種二Cd、Sn、w、 里M上作為副成分。

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以添加副成份的方法，可使主成分介電特性不會劣 化而能進行低溫燒結，並可在介電體層薄層化時減^可作 度不良，以求長壽命化。正確的說，本發明之介電體屉° 成並非只限於上述物質。 "、、且 9 而且’圖1所示介電體層2之積層數及厚度等諸條件 =因應目的及用途而決定適當條件為佳，本實施形態中， 介電體層的厚度為6 以下，以3 下為佳，且=’ # m更佳。 个两z 如圖2所示，介電體層2至少具有介電體粒子“與粒界 ^2b ’丨電體層2之剖面中，粒界相2b之面積比以2%以下 了佳。介電體粒子2a具有如核心套模的構造。粒界相 :介電體材料或是内部電極材料構成材質的氧化物、及直 :J,加材質的氧化物、還有工程中混入作為不純物： 、、氧化物作為其成分。粒界相2b含有由Μη、Y、Si、 =V W中選擇至少二種以上的偏析物（偏析相（第2 部電形態士中’構成介電體層2之介電體粒子2a與内 始I三入仃方向Η的平均粒徑R比介電體層厚度d大，平 厂電體層厚度dfc(R/d)以1<R/d<3為佳。而且， 量愈大。然、而R/d>3i 之比值愈大’取得靜電容 傾向，所以還是介上: t ^ 2 ^2( f ^ ^2a ^ ^ ^ ^ 電體層2(靜電容量所在部份）之介電體

五、發明說明（7) 粒子2a的平均粒徑。該 介電體層（例如不被介電声、I為#電容量不存在部份的 電極層3之間所夹的Λ體體層層2义=外側配置之内部的 粒徑。介電體粒子2a為介電體 广丨電體粒子之平均 3之雙方相對接觸者。 、子2a所夾一對内部電極層 所示:i之定=也就是說，_ :=:L與，r又之 R Μ ” L/n為内部電極層3水平方向之平均24 部電極層3 内部電極層3所含有的導電材 電體層2構成材料具有耐 2…、特疋限制’由於介 屬。作為導電材料的基質金原二Ν、Γ以採用基質产 金為佳。内部電極層3之主成八1 u、Nl合金〜或疋Cu合 還原，以低氧分壓(還原氛：體1時，為不使介電體被 方面’為不使介電體被還體=的方法：行。另-(St〇iChi〇metric)紐成法其組成比亦不採用理想配比 定，Π:'層:之厚度為相應於用途等而作適當的決 :卜部，特別是以的程度為佳。 用有的導電材料並無特定限制，通常採 = 及以合金等。而且，Ag及Ag-ίΜ合金 田*，、、' 抓用。而本實施形態為採用便宜之Ni、Cu及

五、發明說明（8) 其合金。 常以電極之厚度為相應於用途等而作適當的決定，通 吊以10〜50 的程度為佳。 造方法 製造於本發明一實施形態對積層…容之 本實施形態為用塗料 (sheet)法製作綠色晶片（二二以通常的印刷法及片狀 部電極再以印刷或是二：來：1 广晶片燒結Η 作具體的說明。 來製作。以下對於製造方法 介電體層用塗料可以 “Ph; Τ g 電體原料與有機載體 二：Λ之有機系塗料，也可以採用水系塗料。 摄“！應於前述介電體磁器組合物之組成， @s 成成伤之原料，採用必要相應的 燒結助劑構成原料。構成主成分之原料有制Ti、Ba、 r、Ca、Zr之乳化物及/或以燒結得到之氧化物等化合 物。構成副成份之原料有Sr、γ、Gd、Tb，、.v、m〇、 、TJ、Ά、W、Mn、SiW之氧化物及/或以燒 結付到之乳化物等化合物中選擇i種以i，以採用3種以上 之單一氧化物或複數氧化物為佳。 有關本發日f的製造方法中，介電體原料不需含有燒結 助劑，當含有燒結助劑時，採用如Si或是Li之氧化物及/ 化物等化合物。以燒結得到之氧化物等 口物有，厌文鹽、硝酸鹽、草酸鹽、有機金屬化合物

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以燒結得到之氧化物等化合物 等。當然也可以與氧化物 併用。 這些原料粉末通常平均粒子徑採用〇· 〇〇5〜5 “ m程 物質。由這樣的粉末得到介電體材料可如下述方法。又 首先，出發原料配合所訂之量比，例如以球磨機 (bal 1 mi 11)等濕式混合。接著，以噴霧乾燥器 dryer)等乾燥，之後進行假燒，得到構成主成份的上述介 電體氧化物。此外，假燒通常於5〇〇〜13〇(rc，以5〇〇〜ι〇〇〇

°C為佳，以800〜1〇〇〇它更佳，並以2〜1〇小時程度，空氣中 進行:接著，以噴射磨機（jet mill)或球磨機等粉$至所 疋粒徑，彳f到介電體材料。副成份與燒結助劑（$丨％或L i Q 等）分別與主成分假燒，與得到之介電體材料混合。此主2 成分假燒時’若含有副成份進行將不能得到所期待的特 性。 、 介電體層用塗料調製之時可採用結合劑、可塑劑、分 散劑、溶劑等添加劑等物質。此外，介電體層用塗料添2 玻璃釉（glass frit)也可以。結合劑有，如乙基纖維素 (ethyl cellulose)、松香酸樹脂（abietic acid resin)、聚乙稀醉縮丁駿（polyvinyl butyral)等，可塑 劑有，如松香酸衍生物、二乙基草酸（diethy 1 oxalate)、聚乙二醇（polyethylene glycol)、聚烷醇 (polyalkylene glycol)、苯二曱酸酯（phthalic acid ester)、苯二曱酸二丁基（phthalic dibutyl)等，分散鋼 有’如丙三醇（glycerin)、十八胺（〇ctadecylamine)、三

2030-4048-pf.ptd 第12頁 504719 五、發明說明（ίο) 氣乙酸（trichloroacetic acid)、油酸（oleic acid)、辛 二烯（octadiene)、油酸乙基（〇ieic acid ethyl)、單油 酸丙二醇（mono oleic acid glycerin)、三油酸丙三醇 (tri oleic acid glycerin)、硬脂酸丙三醇（tristearic acid glycerin)、麥斯頓油（mencedene oil)等，溶劑 有，如甲苯（toluene)、蔥品醇（terpineol)、丁基二甘醇 乙醚（butyl carbitol)、甲基乙酮（methyl ethyl ketone)等。此塗料燒結時，介電體材料對塗料所佔比率 為50〜80重量％之程度，其他，結合劑佔2〜5重量％、可塑劑 佔0·(Π〜5重量％、分散劑佔〇·01〜5重量。/q、溶劑佔2〇〜5()重 量％之程度。之後將前述介電體材料與這些溶劑等混合， 例如以三滾筒等混煉後塗覆漿液。 此外，介電體層用塗料為水系塗料時，水溶性的塗料 (paint)與分散劑等溶解於水中形成水系載劑，再與介電 體原料混煉亦佳。水系載劑用水溶性黏合劑並無特定限 制，例如，採用聚乙烯醇（p〇lyviny alc〇h〇1 )、纖維素 (ellulose)、水溶性丙烯酸系樹脂（acryUc resin)等皆 可° 内部電極層用塗料為各種導電性金屬及合金形成之 電體材才斗，或是燒結後之形成上料電體材料的各種氧化 物、有機金屬化合物、樹脂酸鹽（resinate) 劑混煉而調製。 寸_有機戰 製造内部電極用塗料時採用之暮#鉍 人厶十甘、日人w 了休用足导體材科為採用Ni與Ni &金或其混合物。這樣的導體材料為球狀、鱗片狀（scaie

五、發明說明（11) shaje)等’其形狀並無特定限制，此 混合使用亦佳…卜，導體材料之 的物質 口’以採用0.2] „程度者為佳。 、吊為〇.卜10 有機載劑為含右斑人為丨β ^ h u 為，如乙美纖：： 溶劑之物質。作為黏合劑者 稀酸系樹脂、丁醛樹脂 質皆可以採用。黏合劑含有量為1〜5重量％ ^又 ' :刎者為，如蔥品醇、丁基二甘醇乙趟、煤油 匕知物皆可以採用。溶劑含有量為相丄 枓全體約20〜55重量％程度。 如此而得到之内部電極層用塗料與介電體層用塗 以印刷法、轉錄法、綠&墙 〇 m Βπ βιΙ. B± '、、，表色濤片法專個別交互積層而得。採

i lp刷法犄，介電體層用塗料及内部電極層用塗料於PET =上：：印刷，以固定形狀切斷後，*基板=寻 “薄片(燒結’:介用電4片;^於；用塗_ y 則電體層），於其上由内部電極層用塗料 P刷开内α[5電極模型（pattern)(燒結前内部電極層）。 虹社2部電極模型印刷而得之綠色薄片為於積層方向有多 數積積層體，於其積層方向上下端將内部電極模型未 印刷之複數綠色薄片亦進行積層。 接著，將以此方法得到之積層體以固定積層體大小切 ’綠色晶片化後，經脫黏合劑處理並進行燒結。之後， 為使介電體層2再酸化，進行熱處理。 脫黏合劑之處理為於通常之條件下進行即可，内部電 極層之導電材料採用…或…合金等基礎金屬時，以下述條

五、發明說明（12) 件進行效果 昇溫速 保持溫 保持時 氣圍氣 燒結條 昇溫速 特別好 度 度 間 體 5〜3 0 0 C /時間、特別是1 0〜5 0 °C /時間 200 〜400、特別是250〜350 °C , 0 · 5〜2 0小時、特別是丨〜丨〇小時， 加濕之Mg與H2混合氣體。 件以下述條件為佳 間 間 保持溫 保持時 冷卻速 度 度 間 度 50〜50 0 °C/時間、特別是200〜300 °C/時 11 〇 0 〜1 3 0 0 °C、特別是 i i 5 〇 ~ J 2 5 〇 t， 〇 · 5〜8小時、特別是卜3小時， 50〜50 0 °C/時間、特別是“❽〜⑽卩它/時 氛圍氣 的確， 下，特別是 部電極層會 之電極材料 進行如 以1 000 t：以 熱處理 使介電體材 若是超過前 低，並會與 熱處理時的 體：加濕 燒結時之 在10九10-傾向氧化 會發生異 此之燒結 上為佳， 之保持溫 料氧化不 述範圍， 介電體本 氧分壓為 之队與H2混合氣體等。 空氣氛圍氣體中之氧分壓為10-2pa以 8 Pa進行為佳。若超過前述範圍，内 ，此外，氧分壓也過低，内部電極層 常燒結，而有中途斷掉之傾向。 後的熱處理為，保持溫度或最高溫度 或是以1 0 0 0〜1 1 〇 〇 °c進行更佳。 度或最高溫度若是不到前述範圍，會 完全，而造成絕緣壽命變短之傾向， 内部電極之N i會氧化，不僅使容量降 身反應，也會造成壽命變短之傾向。 比燒結時還原氛圍氣體高之氧分壓，

2030-4048-p f.p t d 第15頁 / 丄^ 發明說明（13) 以10_3Pa〜lPa為佳，若是1〇_2 時，介電體層2難以再氣化.a更佳。不到前述範圍 極層3會有氧化之傾向氧：且超過前述範圍時，則内部電 條件進行為佳。 ’每裡的熱處理條件以下述 ;持時間："小時、特別是2〜5小時， =度辨5°~500。。、特別是1〇〇,〇。。， 圍用I體·加濕之n2氣體等。 此外’ N2氣體或混合氣妒 (wetter) ^ gp w & 士體4加濕時，例如使用加渴器 ^wetter)寺即可。此時，水溫以〇〜 n 脫黏合劑處理、燒結及教處 為佳Q此外， 行，亦可以獨立、隹一；；處理時，各項反應可以連續進 .仃。备連續進行時，脫黏合劑處理德， :冷部而Μ氛圍氣體，接著進行燒結時保持溫；為】的 t靖峨，•著冷卻，在達到熱 變更巩圍乳體以進行熱處理為佳。另-方®，在獨立二行 ^ #J 4 s ^ # ^ ^ ^ ^ i繼二二^濕後之仏氣體氛圍下升溫後’變更氛圍氣體 I、’、, f級為佳，達到熱處理時的保持溫度再冷卻後，再 變更N2氣體或加濕\氣體氛圍，之後繼續冷卻為佳。此 i 處理時，〜氣體氛圍下至保持溫度的升溫後，變更 氛圍氣體亦可，熱處理全過程加濕N2氣體氛圍亦可。 ;如此传到之燒結體（元件本體1 0)施行例如末研磨 (end polished)、噴砂清理（sand-blast)等端面研磨，燒 處理夕γ 4電極用塗料，形成外部電極$。外部電極用塗料 之燒結條件為，例如於加濕Ν2與112之混合氣體中，在

504719 五、發明說明（14) 6 0 0〜8 0 0 C下’進行1 〇分鐘〜丨小時程度為佳。之後，必要 因應的於外部電極4上進行鍍金等而形成板層（pad)。此 外’外部電極層用塗料為與上述内部電極層用塗料同樣方 法調製即可。 如此製造得到之本發明積層陶瓷電容為以銲錫 (solder)等於印刷基板上等實施，使用於各種電子機器 等。 本實施形態為介電體組成與燒結條件及燒結後熱處理 條件進行最適化反應，得到介電體層厚度未滿3 # m且粒徑 比介電體厚度為大而具備完全絕緣抗性之產品。 此外’本發明不限於上述實施形態，於本發明範圍内 可進行種種改變。 以下基於貫施例對本發明進行更詳細說明，但本發明 並不限於實施例所述之狀態。 實施例1 採用以液相合成生成之BaTi〇3 ABaZr〇3作為起始原 料。且BaTi〇3及BaZr〇3的平均粒徑為〇·5 ，最大粒徑為 1 · 5 // m。母材為以下述所示物質組成。 也就是說，母材組成為Β~.〇〇5(Τ181Ζιγ19)〇3。相對於 母材組成，取MnC03 : 0· 20重量％、γ2〇3 : 〇· 3〇重量。/〇、 V2 05 : 〇· 04 重量％、W03 : 〇· 05%、及Si〇2 : 〇· 2 重量％(添加物 全體之平均粒徑1· 0 /zm，最大粒徑3· 3 μιη)，分別以球磨 機濕式粉碎1 6小時’得到介電體材料。此介電體材料以下 述所示比例，採用Zirconia製球混合於球磨機，形成

504719 五、發明說明（15) slurry化之介電體層用塗料。也就是說，介電體材料： 1 0 0重量比、丙烯酸系樹脂：5. 0重量比、苯二甲酸苄基丁 基：2. 5重量比、礦油精：6 · 5重量比、丙酮·· 4 · 〇重量 比、三氣乙烧：2 0 · 5重量比、氣化甲稀·· 41 · 5重量比之比 例0 接著以下述所示之比例，以三滚筒（three-rol 1 )混 煉，形成slurry化之内部電極用塗料。也就是說，Ni ·· 44· 6重量比、蔥品醇·· 52重量比、乙基纖維素·· 3重量 比、笨并三唑：〇 · 41重量比等之比例。採用該塗料，如以 下所述，製造圖1所示之積層型陶瓷電容1。 首先’採用介電體層用塗料於載體膠片（carrier ® film) ’以塗膠刀（d〇ct〇r blade)法等形成3.5//m厚的片 狀物（sheet)，在於其上採用内部電極層用塗料，印刷内 部電極圖樣（pattern)。之後，由載體膠片剝離上述·片狀 物，内部電極印刷所得之片狀物複數個積層，加壓接著而 得。且介電體層2的積層數為1〇〇層。接著，將積層體以固 疋大小切斷後，連續以下述條件進行脫黏合劑處理、燒結 及熱處理。 Λ ° 脫黏合劑處理 幵溫速度· 2 0 C /小時、

保持溫度：3 0 0 °c、 W 保持時間：2小時、 氛圍用氣體··空氣。 燒結

504719 五、發明說明（16) 昇溫速度：2 0 0 °C /小時、 保持溫度：1150 °C、 保持時間·· 2小時、 冷卻速度：3 0 0 °C /小時、 氛圍用氣體：加濕之N2及112混合氣體、 氧分壓：l〇-3Pa。 熱處理 保持溫度：110(TC、 保持時間：3小時、 冷卻速度：3 0 0 °C /小時、 氛圍用氣體：加濕之N2氣體、 氧分壓：1 〇™2Pa。 、此外，個別的氛圍用氣體的加濕是採用加濕器，於水 溫0〜7 5 °C進行。 /得到之燒結體之端面以喷砂（sand blast ing)研磨 後，塗佈In-Ga合金，形成試驗用電極。如此製造而得之 積層電容之大小為3· 2_ x 2. 5mm X 1· 6mra，介電體層2之厚 度為2.3em，内部電極層3之厚度為15//1{1。 本實施例之積層電容檢體由以下方法進行測定。 測疋為1 5 0 °C、1小時熱處理後，於其2 4小時後測定初 』特|*生探用阻抗分析H(impedence analyzer HP4f84A) ’於1 KHz、1 V下測定靜電容量與損失係數。絕緣 阻抗為採用咼阻抗計R 8 3 4 〇於丨〇 V條件下測定。此外，介電 體粒子平均粒徑之觀察是以下述方法進行。

504719 五、發明說明（π) 積層陶瓷電容於内部電極垂直且通過兩端子電極斷面 切斷，研磨該切斷面，以顯微鏡觀察該研磨面。於該研磨 面的内部電極層間中央部分，及與内部電極平行拉出之直 線Η(參照圖2)交叉之粒子數為η，線的長度為L時，L/n為 在内部電極層水平方向之粒徑（R)。 介電體粒子平均粒徑（R)、平均粒徑R與介電體層厚度 d之比（R/d)、單位體積之靜電容量（C/V)、靜電容量與絕 緣阻抗之積（CR)等之測定結果列示於表1。 表1 燒結溫度 介電體層厚度 d(/m) 平均粒徑 R(/m) R/d c/v (F/m3) CR (MQjuE) 實施例1 1150°C 2.3 3 1·30 375 4620 實施例2 1100°C 2.3 2.5 1.09 363 5350 實施例3 1200〇C 4.2 5.4 1.29 143 2800 實施例4 1150°C 4.2 4.5 1.07 129 3120 比較例1 1125〇C 4.2 4.2 1.0 98 3230 比較例2 1100°C 4.2 3.8 0.90 93 3450 實施例5 1200°C 5.8 6 L03 75 2170 比較例3 1150°C 5.8 4.5 0.78 69 2500 比較例4 1100°C 5.8 3.8 0.66 59 3030 實施例2 如表1所示，除燒結溫度11 〇 〇 °C以外，與實施例1同樣 方法製作電容之檢體，進行同樣測定之結果列示於表1。 f施例3 如表1所示，除燒結溫度1200 °C、介電體層厚度4 ·2//

2030-4048-pf.ptd 第20頁 504719 五、發明說明（18) m以外，與實施例1同樣方法製作電容之檢體， 定之結果列示於表1。 j丁 R樣測 實施例4 如表1所示’除燒結溫度115(rc、介電體層厚 ro以外，與實施例1同樣方法製作電容之檢體，X · 定之結果列示於表1。 4丁 R樣測 實施例5 如表1所示，除燒結溫度120(rc、介電體層 m以外，與實施例1同樣方法製作電容之檢體，χ = 定之結果列示於表1。 订R樣測 比較例1 如表1所示，除燒結溫度1125t、燒結後熱處理 1000 C、熱處理時氧分壓i〇~2pa、介電體層厚度4 又 外，與實施例1同樣方法製作電容之檢體， = 之結果列示於表1。 進仃问樣測定 比較例2 如表1所示，除燒結溫度110(rc、燒結後熱處理溫产 1 000 Ϊ：、熱處理時氧分壓10-2!^、介電體層厚度4 又 外，與實施例1同樣方法製作電容之檢體，進ς同j 之結果列示於表1。 ^果州疋 比較例3 如表1所示，除燒結溫度U 5〇 、燒結後埶 1 000 °C、熱處理時氧分壓1〇-2!>8、介電體層厚产5 外，與實施例1同樣方法製作電容之檢體，t · um ^ 衣1卞电谷I檢篮，進行同樣測定

2030-4048-pf.ptd 第21頁 504719 五、發明說明（19) 之結果列示於表1。 比較例4 如表1所示，除燒結溫度11 0 0 °c、燒結後熱處理溫度 1 000 °C、熱處理時氧分壓l〇_2Pa、介電體層厚度5. 8 /zm以 外，與實施例1同樣方法製作電容之檢體，進行同樣測定 之結果列示於表1。 評價 實施例卜5與比較例卜4相比較可以了解，與介電體粒 子之内部電極平行方向之平均粒徑R比介電體層厚度d大時 (R/d>l)，單位體積之靜電容量（C/V)變大，確認可以實現 具有小型化又大容量，且可信度高之積層型陶瓷電容。 此外，如實施例1及2所示，得到介電體層厚度d不滿3 # m，且粒子最大粒徑比電極間大之構造，確認可得到 10OF/m3以上之高電容比之靜電容量。此外，如實施例卜5 所示，還原氛圍氣體燒結後以最適氧分壓進行熱處理，確 認得到高CR積、絕緣抗阻R亦高，可信度提高之積層電 容。

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Claims (1)

1. ：)U4/iy 六、申請專利範圍 1. -種具有内部電極介電體層之積層陶究電= 其特徵在於構成前述介二辟介電體粒子與前述内#電 化贷尤μ 、. ’丨$體詹l · 乂愈艚靥歷疮「rO大。 極層平行方向之平均粒前述介電體層厚度（d)大 2. 如申請專利範園第卞項);斤述之積層陶变電容’前述 平均粒徑（R)與前述介電體芦庳度（d)之比（R/d)為 l<R/d<3 。 _ 3. 如中請專利範圍第i項戶斤述之積層冑曼電容 内部電極層之主成分為 4. 如申請專利範圍第^戶斤述之積層陶竟電容 内部電極層之主成分為Ni或cu。 . 5. 如申請專利範圍第^戶斤述之積層陶究電容 内部電極層中Fe為偏析。 6·如申請專利範圍第4項戶斤述-積層陶究電容 内部電極層中Fe為偏析。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之 介電體層厚度為小於3#^。 8·如申請專利範圍第2項所述之 介電體層厚度為小於3_。 前述 前述 前述 前述 積層陶瓷電容，前述 積層陶瓷電容，前述 9 ·如申請專利範圍第3項所述之 前述 介電體層厚度為小於3 〃m。 ^ J 之積層陶瓷電容，前述 I 0 ·如申請專利範圍第1項所丄 ^ -Γ yv Φ ^ 介電體層至少具有前述介電體粒孑與^ ^ 層斷面之前述粒界相面積比為2:::積層陶兗電容，前述 II ·如申請專利範圍第2項所5^

   2030-4048-pf.ptd 第23貢 ^U4719

   與粒界相，前述介電體 下。 之積層陶瓷電容，前述 之構造。 之積層陶瓷電容，前述 層至少具有前述介電體粒子 之刚述粒界相面積比為2 %以 •如申請專利範圍第1項所述 粒子具有核勒（core shell) •如申請專利範圍第2項所述 粒子具有核鞘之構造。 •如申請專利範圍第1項所述 述介電體層為介電體粒子、 界相中存在偏析相，前述偏 、V 中選擇至少二種以上 •如申請專利範圍第2項所述 述介電體層為介電體粒子、 界相中存在偏析相，前述偏 、V或？中選擇至少二種以上 介電體 層斷面 12 介電體 13 介電體 14 之積層陶瓷電容，其特 粒界以及粒界相形成， 析相含有由Μη、γ、 之元素。 之積層陶瓷電容，其特 粒界以及粒界相形成， 析相含有由Μη、Υ、 之元素。 徵為前 前述粒 Si、Ca 15 徵為前 前述粒 Si、Ca 雷乂6.;二積層陶究電容之製造方法’其特徵為具有介 -s /、内邛電極層之電容元件本體之綠色晶片於 圍氣體燒結後，具有比還原氛圍氣體高之氧分壓孰處理步 驟，構成前述介電體層之介電體粒子中與内部電極層平行 方向之平均粒徑（R)為比前述介電體層厚度U)大。a 17·如申請專利範圍第16項所述之積層陶瓷電容製造 方法，於前述還原性氛圍氣體燒結後之熱處理溫 〇〇 °C以上。 1 8·如申請專利範圍第丨6項所述之積層陶瓷電容製造 方法’於前述還原氛圍氣體燒結後之熱處理時的氧分壓為

   2030-4048-pf.ptd 第24頁 504719 六、申請專利範圍 10_3Pa〜IPa。 1 9.如申請專利範圍第1 7項所述之積層陶瓷電容製造 方法，於前述還原氛圍氣體燒結後之熱處理時的氧分壓為 10_3Pa〜IPa。

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