JPH03110801A - 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はセラミックス基板用に適した抵抗体ペースト及
びそれを用いたセラミックス基板に関するものである。

［従来の技術］ 従来混成集積回路における抵抗はセラミックス基板上又
は内部に銀（Ａｇ）又はＡｇ−パラジウム（Ｐｄ）導体
を形成し、その間に抵抗体ペーストを印刷し、空気等の
酸化性雰囲気中で約８５０〜９００℃で焼成し、形成さ
れていた。

その際に使用されていた抵抗体ペーストは主としてＲｕ
ｂｓとガラスからなっていた。

しかし最近ではマイグレーション等の信頼性の面からＡ
ｇ又はＡｇ−Ｐｄ導体に代わり、銅（Ｃｕ）導体が使用
されるようになってきている。

しかしＣｕ導体は窒素等の非酸化性雰囲気中で焼成しな
いと酸化されてしまうため、非酸化性雰囲気で還元され
抵抗を形成しないＲｕＯ２は使用できない。

そこで最近、ＬａＢａ粉末とガラス粉末、　ＳｎＯ。

ドープ品とガラス粉末、珪化物とガラス粉末等が提案さ
れている。

しかし上記組み合わせは抵抗値や抵抗値温度係数（ＴＣ
Ｐ）がまだ十分に安定して得られないという欠点がある
。

［発明の解決しようとする課題］ 本発明は、窒素等の非酸化性雰囲気中で焼成が可能で、
抵抗値、抵抗値温度係数（ＴＣＰ）が安定的に得られる
従来知られてぃなかった抵抗体ペースト及びセラミック
ス基板を新規に提供することを目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、無機成分が、重量％で実質的にガラス粉末２０〜７
０とＩＴｏｏ〜１ｏｏ、■ｎ２ｏ３ｏ〜９９．９９　、
Ｓｂをドープした５ｎｏ２＋５ｎｏ２ｏ〜２ｏからなる
導電物質粉末３０〜８０からなる組成物に、該組成物の
総量に対して、次の群から選ばれた少なくとも１つ以上
の酸化物を０．１〜２０添加してなる抵抗体ペースト。

（ａ）　ＮｉＯ＋　Ｎ１ｚＯｓ （ｂ）　ＭｎＯ＋　Ｍｎ０ｉ　＋　Ｍｎ２０ｓ　＋　Ｍ
ｎａＯ４（ｃ）　Ｂ１２（Ｉｓ （ｄ）　Ｃｅ０＝　＋　Ｃｅ２０ｓ （ｅ）　ＣｕＯ＋　Ｃｕ５Ｏ （ｆ）　Ｍｏ５ｓ　＋　Ｍｏｓｓ （ｇ）　ＷＯ２＋ＷＯ３ （ｈ）　ＣｏＯ＋　ＣＯ＊Ｏｓ　＋　ＣＯ３０４（ｉ）
　ＣｒＯ＋　Ｃｒａｂｓ （ｊ）　５ｂｚＯｓ　＋　５ｂａＯｓ （ｋ）　ＦｅＯ＋　Ｆｅａｒ＜ （１）　ＶＩＯｓ　＋　ＶｚＯｓ 等を提供するものである。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明の抵抗体ペーストは単層又は多層セラミックス基
板に使用されるものとして適しており、焼成後の固化し
たアルミナ基板等のセラミックス基板、あるいはセラミ
ックス基板用のグリーンシート上に印刷等の方法により
形成した後、窒素雰囲気中等の非酸化性雰囲気中で焼成
されるものである。尚％は特に記載しない限り、重量％
を意味する。

本発明の抵抗体ペーストは無機成分が実質的に ガラス粉末　　２０〜７０％ 導電物質粉末　３０〜８０％ とこのガラス粉末＋導電物質粉末の総量に対して実質的
に （ａ）　ＮｉＯ＋Ｎ１２（ｈ （ｂ）　ＭｎＯ＋Ｍｎ０ｚ＋Ｍｎ２０ｚ　＋Ｍｎ３０４
（ｃ）　Ｂｉ、０゜ （ｄ）　　ＣｅＯ７＋Ｃｅ２０３ （ｅ）　ＣｕＯ＋　Ｃｕ、０ （ｆ）　ＭＯＯ２＋　ＭｎＯ３ （ｇ）　ＷＯ１＋ＷＯ３ （ｈ）　ＣｏＯ＋Ｃｏ２０ａ　＋ＣＯ３０４（ｉ）Ｃｒ
Ｏ＋　Ｃｒ２０３ Ｆ）ＳｂＪｓ　　＋　５ｂ２０ｓ （ｋ）　　ＦｅＯ＋　Ｆｅａ０４ （１）Ｖ２０３＋ＶｚＯｓ からなる群より選ばれた少なくとも１つ以上の酸化物を
０．１〜２０％添加してなり、以下順次これらについて
説明する。

ガラス粉末は、低温度（例えば９００℃以下）で充分に
流動性を有し、焼成時に上記導電物質粉末を覆って充分
に濡らし、かつ焼結する５１０２−８２０３系ガラスの
ものが好ましい。

かかるガラス粉末の含有量が２０％より少ないと導電物
質粉末を充分に濡らすことができないため、焼結層に空
孔が多くなり、本発明の抵抗体ペーストを焼成すること
によって得られる抵抗体の強度が弱くなり、又抵抗値の
安定性が低下するので好ましくな（，７０％を越えると
、導電物質粉末間の接着が少なくなり、上記抵抗値が太
き（なりすぎ適当でない。

本発明にかかるガラス粉末は上記範囲中２５〜６５％の
範囲が望ましい。

一方導電物質粉末としては、 ＳｎをＩｎ１Ｏｉにドープしたもの（以下ＩＴＯという
）　　　　　０〜１００％ ＩｎｚＯｘ　　　　　　　０〜９９．９９％Ｓｂをドー
プしたＳｎｕ□＋　５ｎＯｚ　　　０〜２０％からなる
ものが適当である。

該Ｉｎｚ０３粉末は９９．９９％を超えると抵抗値調整
の効果が少なく好ましくなく、Ｓｂをドープした５ｎＯ
ｚ＋ＳｎＯ□粉末は２０％を超えると抵抗値が大きくな
り好ましくない。望ましくは ＩＴＯ粉末　　　　０〜１００％ Ｉｎｚ０３粉末　　　０〜９９．９９％８ｂをドープし
たＳｎＯ，＋　５ｎＯｚ粉末０〜１５　％ 特に望ましくは、 ＩＴＯ粉末　　　　０〜１００％ Ｉｎｚ０３粉末　　　０〜９９％ Ｓｂをドープした５ｎＯｚ＋５ｎ０２粉末０〜　ＩＯ％ である。

上記導電物質粉末を使用する理由は、かかる物質は導電
率が高い、すなわち抵抗率が低い特性を有するため、導
電物質とガラスとの複合体である本発明にかかる抵抗体
の抵抗値を目標に合致させることが可能であるためであ
る。

ＩＴＯはドープしないＩｎｚＯ３に比較して抵抗値が低
（なり、ドープ量が多くなり過ぎると抵抗値が高（なる
。

上記ドープ量はＳｎＯ□の酸化物重量換算でＩｎ、０，
８０〜９９．９９％に対して０．０１〜２０％が適正な
範囲であり、望ましい範囲は０．１−１５％、特に望ま
しい範囲は１〜１０％である。

ＳｂをＳｎＯ□にドープしたものは、ドープしないＳｎ
Ｏ□に比較して抵抗値が低くなり、ドープ量が多くなり
過ぎると抵抗値が高くなる。上記ドープ量は５ｂＪａの
酸化物換算で０〜２０％が適正な範囲であり、望ましい
範囲は０．１〜１５％、特に望ましい範囲は１〜ｌＯ％
である。

本発明にかかるガラスの粒度は、小さすぎると上記抵抗
値が太き（なりすぎ好ましくな（、大きすぎると、ガラ
スを充分に濡らすことができず、焼結層に空孔が多くな
り好ましくない。

平均粒径は０．５〜６μｍが必要な範囲であり、望まし
い範囲は１〜５μｍである。

一方、本発明にかかる導電物質粉末の粒度は小さすぎる
と抵抗値が大きくなり過ぎ好ましくな（、大きすぎると
セラミックス基板上で不均一になり、抵抗値のバラツキ
が大きくなるので好ましくない。平均粒径は０．０１〜
５μｍの範囲が必要な範囲であり、望ましい範囲は０．
０５〜３μｍである。

本発明にかかるガラス粉末は、無機成分が実質的に ＳｉＯ□　　　　　　　　ｌ０〜７０％ＡＩ□０３０〜
４０％ ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋Ｂａ０　　１０〜７０％（Ｍ
ｇＯ０〜４０．ＣａＯ０〜４０．Ｓｒ００〜６０．Ｂａ
Ｏ０〜６０）ＬｉｚＯ＋Ｎａ１Ｏ＋ＫｚＯ＋Ｃ５ｚＯ０
〜１０％ｐｂｏ　　　　　　　　　　ｏ〜ｌＯ％ＺｎＯ
（１−４０％ ＺｒＯ２＋ＴｉＯ２０〜１０％ ８２０、　　　　　　　　　　　　　　　５〜４０％か
らなり、順次これらについて説明する。

かかる組成において、ＳｉＯ□はガラスのネットワーク
フォーマ−であり、１０％より少ないと、軟化点が低く
なりすぎ耐熱性が低下し、再焼成時に変形を生じ易くな
るので好ましくない。

一方、５ｉＯｚが７０％より多いと、軟化点が高くなり
過ぎ、焼成時にガラスの流動が悪くなり、導電物質粉末
を覆って濡らすことができず、焼結層の空孔が多（なり
すぎ、抵抗の安定性が悪（なるので適当でない。望まし
くは、１５〜６０％の範囲である。

Ａ１□０３は必須ではないが、含有することにより、耐
湿性の向上に効果がある。４０％を超えるとガラスの軟
化温度が高くなり、焼結性が悪くなり適当でない。望ま
しくは３５％以下である。

ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ÷ＢａＯはガラス粉末製造時の
溶解性を向上さすため及び熱膨張係数を調整する働きが
ある。１０％より少ないと上記の溶解性が充分に向上し
ないと共にガラス製造時に失透を生じやすく、７０％を
超えると熱膨張係数が太き（なりすぎ、いずれも適当で
ない。望ましくは、１５〜６５％の範囲である。

また、上記ＭｇＯ÷ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの内のＭｇ
Ｏ，ＣａＯはそれぞれ４０％以上であると、熱膨張係数
が大きくなりすぎ、不適当である。望ましい範囲は０〜
３５％である。上記ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯの
内のＳｒＯ，ＢａＯはそれぞれ６０％以上であると熱膨
張係数が太き（なりすぎ、不適当である。望ましい範囲
は０〜５５％である。

ＬｉａＯ＋ＮａｇＯ＋ＫａＯ＋Ｃ５ｚＯは必須ではない
が、ガラスの溶解性の向上を図ることができる。１０％
を超えると、熱膨張係数が大きくなりすぎ、基板とのマ
ツチングが悪（なり、焼成後座膜にクラックが入る可能
性が大となり、適当でない。

望ましくは８％以下である。

ＰｂＯは必須ではないが、ガラスのフラックス成分とし
ての効果がある。１０％を超えると抵抗値が不安定にな
るため適当でない。望ましくは５％以下である。

ＺｎＯは必須ではないが、ガラスの溶解性の改善のため
に４０％まで含有させることが可能であり、３５％以下
が望ましい範囲である。

Ｚｒ０ｉ＋ＴｉＯ□は必須ではないが、添加することに
より、抵抗体の耐湿信頼性を向上さすことができる。添
加量は１０％が可能であるが、望ましくは７％以下であ
る。

Ｂ２Ｏ３はフラックス成分として用いるが、５％より少
ないと軟化点が高くなり、焼結不足となり、焼結層に空
孔が多くなりすぎる。また４０％を超えるとガラスの耐
水性が低下し適当でない。望ましくは７〜３８％の範囲
である。

ガラス組成率の量は、目標抵抗、抵抗値温度係数（ＴＣ
Ｒ）、レーザートリミング性に合致させる量を含有する
。

以上記載した望ましい範囲についてまとめると以下の通
りとなる。

５ｉＯｚ　　　　　　　　　１５〜６０％ＡＩ　２０ａ
　　　　　　　　　　　　　　　０〜３５％ＭｇＯ＋Ｃ
ａＯ÷ＳｒＯ＋Ｂａ０　　　　１５〜６５％（ＭｇＯ０
〜３５．ＣａＯ０〜３５．ＳｒＯ（１〜５５．ＢａＯ０
〜５５）ＬｉｚＯ÷ＮａｇＯ÷に２０÷Ｃ３２００〜　
８％ｐｂｏ　　　　　　　　　　　　　　　　　ｏ〜　
５％ＺｎＯ０〜３５％ ＺｒＯ＊＋Ｔｉ０ｚ　　　　　　　　　　　Ｑ〜　７％
Ｂ２０ｘ　　　　　　　　　　　　　　　　７〜３８％
一方前記酸化物は、抵抗値の調整、抵抗値温度係数（Ｔ
ＣＲ）の調整およびレーザートリミング性の改良のため
に添加し、前記提示したＦｅＯ等の中で少なくとも１つ
が０．１〜２０％添加されればよい。

上記添加する酸化物粉末の粒度は小さすぎると抵抗値が
太き（なりすぎ好ましくな（、大きすぎるとセラミック
ス基板上で不均一になり抵抗値のバラツキが大きくなる
ので好ましくない。

平均粒径は０．０１〜５μｍの範囲が必要な範囲であり
、望ましい範囲は０．０５〜３μｍである。

Ｆｅｄ、　Ｆｅ５０４は抵抗値を上げ、ＴＣＲを負の方
向へ動かす。Ｃｕｂ、　ＣＬＩ２０は抵抗値を下げ、Ｔ
ＣＲを正の方向へ動かす。Ｎｉｐ、　Ｎ１ｚ０３は抵抗
値を下げ、ＴＣＲを正の方向へ動かす。ＭｎＯ，Ｍｎ０
ｚ、　Ｍｎｚ０３゜Ｍｎ３Ｌは抵抗値を上げ、ＴＣＲを
負の方向へ動かす。ＭｏＯ□、ＭＯＯ３は抵抗値を下げ
、ＴＣＲを正の方向へ動かす。ＷＯ□、ＷＯ２は抵抗値
を上げ、ＴＣＲを正の方向へ動かす。

Ｂｉｚ０３は抵抗値を下げ、ＴＣＰを正の方向へ動かす
。ＣｅＯ□、Ｃｅｚ０３は抵抗値を上げ、ＴＣＲを正の
方向へ動かす。Ｃｏｄ、　Ｃｏ５Ｏ４は抵抗値を上げ、
ＴＣＲを負の方向へ動かす。Ｃｒｙ、　ＣｒｚＯｓは抵
抗値を上げ、ＴＣＲを負の方向へ動かす。

５ｂ２ｏ３，５ｂ２ｏ、は抵抗値を上げ、ＴＣＲを負の
方向へ動かす。

Ｖ２Ｏ３，Ｖ、０５は抵抗値を上げ、ＴＣＲを正の方向
へ動かす。

以上の効果がある。

更に抵抗値の調整のためにレーザートリミングを行なう
際のカット性を向上さすことができる。

前記酸化物の添加量は、目標抵抗、抵抗値温度係数（Ｔ
ＣＰ）レーザートリミング性に合致させる量を添加する
が、その量は０．１％より少ないと効果がなく、２０％
を超えると高温放置試験による抵抗値ドリフトが太き（
なり、好ましくない。望ましくは０．２〜１８％の範囲
である。　また、上記酸化物の中で、抵抗値、ＴＣＰを
調整し抵抗値のドリフトを安定させる効果に優れている
のはＭｎＯ，Ｍｎ０ｚ、Ｍｎ２０ａ、ＭｓＯ４，Ｃｏｏ
、ＣＯ２Ｏ３゜Ｃｏ　、０４＋であり、このうちＭｎＯ
，ＭｎＯ□、Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ３Ｏ４が最も優れていて、
これらを単独又は併用して使用できる。

尚、上記添加される酸化物は、上記例示されたＭｎＯ，
ＣｏＯ等を主成分とするが、場合によってはその金属に
かかる別のタイプの酸化物を含有していることもある。

すなわち鉄、銅、ニッケル、マンガン、モリブデン、タ
ングステン、ビスマス、セリウム、コバルト、クロム、
アンチモン、バナジウム、これらの金属の酸化物を含有
していても使用できる。

本発明の抵抗体ペーストの組成物は、各粉末が上記のも
のからなり、以下本発明の抵抗体ペーストの作製方法と
それを使用した厚膜回路の製造の一例について説明する
。

上記本発明の抵抗体ペーストの組成物に有機バインダー
、溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、乾燥し、ペース
ト状とする。この有機バインダーとしては、エチルセル
ロース、アクリル樹脂、エヂレンー酢酸ビニル共重合樹
脂、ポリα−メチルスチレン樹脂、溶剤としては、α−
テルピネオール；ブチルカルピトールアセテート；ブチ
ルカルピトール、　２，２．４−トリメチルペンタンジ
オ−ルー１，３．−モノイソブチレート；ジエチレング
リコールジ−ｎ−ブチルエーテル等が通常使用できる。

さらに分散剤として界面活性剤を添加してもよい。

次いで焼成後の固化したアルミナ基板、又はガラスセラ
ミックス基板等のセラミックス基板上に導体を作成する
ために、Ｃｕペーストを所定の回路に印刷、乾燥後、酸
素濃度２０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で８５０〜９５０
℃、５〜２０分で焼成する。この焼成条件の望ましい範
囲は８８０〜９２０℃、７〜１５分である。次いで抵抗
を設けるべき所定の箇所に上記本発明の抵抗体ペースト
を印刷した後乾燥させ、上記窒素雰囲気中。

８５０〜９５０℃、５〜２０分で焼成する。この焼成条
件の望ましい範囲は８８０〜９２０℃、７〜１５分であ
る。

多層セラミックス基板−括焼成の場合は、上記Ｃｕペー
ストと本発明の抵抗体ペーストを印刷したセラミックス
基板用等のセラミックスのグリーンシートを熱圧着後積
層し、上記窒素雰囲気中で８５０〜９５０℃、数分〜数
時間で一括焼成し、多層基板を作成する。

尚本発明の抵抗体ペーストには、着色のために上記酸化
物以外の金属酸化物、耐熱性無機顔料等の着色顔料な０
〜５％添加することができる。

また、ガラス製造時、清澄剤、溶融促進剤として硝酸塩
、亜ヒ酸、硫酸塩、フッ化物、塩化物等を０〜５％添加
してすることができる。

［実施例］ 本発明にかかるガラス粉末の各原料を酸化物換算で表−
１に示す割合で調合し、これを白金ルツボに入れ、１３
５０〜１５００℃で２〜３時間撹拌しつつ加熱撹拌した
。次いでこれを水砕又はフレーク状とし、更に粉砕装置
により平均粒径０゜５〜６μｍになるように粉砕し、ガ
ラス粉末を製造した。次いで導電物質として表−１に示
す粉末を平均粒径０．０１〜５μｍになるように調整し
た。次に上記酸化物を表−２のサンプル番号に対応して
表−１の粒径で準備した。次いでこれらのガラス粉末と
該導電物質粉末と該酸化物を表−１９表−２に記載の割
合で混合し、本発明の抵抗体ペーストにかかる組成物を
得た。

次いでこれらに有機バインダーとしてエチルセルロース
、溶剤としてα−テルピネオールからなる有機ビヒクル
を添加し、混練し、粘度が３０Ｘ　１０’　ｃｐｓのペ
ーストを作成した。次いで固化したアルーミナ基板上に
本発明にかかる抵抗の電極としてＣｕペーストを所定の
回路にスクリーン印刷、乾燥し、酸素濃度２０ｐｐｍ以
下の窒素雰囲気中９００℃、１０分で焼成した。

次いで抵抗所定箇所に上記抵抗体ペーストを２００メツ
シユスクリーンでスクリーン印刷、乾燥し、酸素濃度２
０ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で９００℃ｌＯ分で焼成し
た。焼成膜厚は約１５μｍであった。

このようにしてセラミック基板上に回路を作成した。こ
の回路について、抵抗値、抵抗温度係数（ＴＣＲ）、高
温放置による抵抗値ドリフトを測定した。これらの結果
を表−１に記載した。表−１から明らかなように本発明
にかかる抵抗体ペーストは抵抗特性に優れ、厚膜回路用
抵抗体ペーストとして十分使用できる特性を有すること
が認められる。

比較例として本発明にかかる抵抗体ペースト以外のもの
についても同様の評価を行ったので表−３に記載した。

なお各特性の測定方法は次の通りである。

ｉ）抵抗値及び抵抗値温度係数（ＴＣＲ）２５℃、−５
５℃、　＋　１２５℃の抵抗値（Ｒａｓ。

Ｒ−ｓｓ　、　Ｒａｇｓ　）を恒温槽中で抵抗計により
測定し、次の式により算出した。

ｉｉ）高温放置による抵抗値ドリフト １５０℃の恒温槽中で１００時間放置し、式により算出
した。

Ｒ＋　ｏ　ｏ　ｈ　　Ｒｏ　×ｌｏ　ｏ　＜％）０ 次の 上式において Ｒ３゜。、＝　１００時間後の抵抗値 Ｒｏ＝抵抗の初期値 表−３ （比較例） ［発明の効果］ 本発明の抵抗体ペーストは、窒素雰囲気等の非酸化性雰
囲気中で焼成が可能で、安定した信頼性の高い抵抗をセ
ラミックス基板上に形成可能であり、特に高温放置によ
る抵抗値ドリフト特性に優れているという効果も認めら
れる。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）無機成分が、重量％で実質的にガラス粉末２０〜
   ７０とＩＴＯ０〜１００、Ｉｎ＿２Ｏ＿３０〜９９．９
   ９、ＳｂをドープしたＳｎＯ＿２＋ＳｎＯ＿２０〜２０
   からなる導電物質粉末３０〜８０からなる組成物に、該
   組成物の総量に対して、次の群から選ばれた少なくとも
   １つ以上の酸化物を０．１〜２０添加してなる抵抗体ペ
   ースト。 （ａ）ＮｉＯ＋Ｎｉ＿２Ｏ＿３ （ｂ）ＭｎＯ＋ＭｎＯ＿２＋Ｍｎ＿２Ｏ＿３＋Ｍｎ＿３
   Ｏ＿４（ｃ）Ｂｉ＿２Ｏ＿３ （ｄ）ＣｅＯ＿２＋Ｃｅ＿２Ｏ＿３ （ｅ）ＣｕＯ＋Ｃｕ＿２Ｏ （ｆ）ＭｏＯ＿２＋ＭｏＯ＿３ （ｇ）ＷＯ＿２＋Ｗ０＿３ （ｈ）ＣｏＯ＋Ｃｏ＿２Ｏ＿３＋Ｃｏ＿３Ｏ＿４（ｉ）
   ＣｒＯ＋Ｃｒ＿２Ｏ＿３ （ｊ）Ｓｂ＿２Ｏ＿３＋Ｓｂ＿２Ｏ＿５ （ｋ）ＦｅＯ＋Ｆｅ＿３Ｏ＿４ （ｌ）Ｖ＿２Ｏ＿３＋Ｖ＿２Ｏ＿５
2. （２）無機成分が重量％表示で実質的にガラス粉末２０
   〜７０とＩＴＯ０〜１００、Ｉｎ＿２Ｏ＿３０〜９９．
   ９９、ＳｂをドープしたＳｎＯ＿２＋ＳｎＯ＿２０〜２
   ０からなる導電物質粉末３０〜８０からなる組成物に、
   鉄、銅、ニッケル、マンガン、モリブデン、タングステ
   ン、ビスマス、セリウム、コバルト、クロム、アンチモ
   ン、バナジウムからなる群から選ばれる少なくとも１種
   の金属の酸化物を上記組成物に対して０．１〜２０添加
   してなる抵抗体ペースト。
3. （３）重量％表示で実施的にＳｉＯ＿２１０〜７０、Ａ
   ｌ＿２Ｏ＿３０〜４０、ＭｇＯ０〜４０、ＣａＯ０〜４
   ０、ＳｒＯ０〜６０、ＢａＯ０〜６０、ＭｇＯ＋ＣａＯ
   ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ１０〜７０、Ｌｉ＿２Ｏ＋Ｎａ＿２Ｏ
   ＋Ｋ＿２Ｏ＋Ｃｓ＿２Ｏ０〜１０、ＰｂＯ０〜１０、Ｚ
   ｎＯ０〜４０、ＺｒＯ＿２＋ＴｉＯ＿２０〜１０、Ｂ＿
   ２Ｏ＿２５〜４０からなる第１項又は第２項記載の抵抗
   ペースト用ガラス粉末。
4. （４）第１項又は第２項記載の抵抗体ペーストを使用し
   て焼成されたセラミックス基板。