JPS6221739B2 - - Google Patents
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- JPS6221739B2 JPS6221739B2 JP8169983A JP8169983A JPS6221739B2 JP S6221739 B2 JPS6221739 B2 JP S6221739B2 JP 8169983 A JP8169983 A JP 8169983A JP 8169983 A JP8169983 A JP 8169983A JP S6221739 B2 JPS6221739 B2 JP S6221739B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/04—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Description
本発明はガラス組成物に関する。
絶縁基板上に厚膜法により抵抗体、導体の回
路、この回路上に絶縁層、該絶縁層上に上部導体
を形成した単層厚膜回路部品、絶縁層を介して複
数の回路を形成した多層厚膜回路部品が電子部品
として提案されている。かかる部品の絶縁層用ガ
ラスとしては、PbO―B2O3―SiO2系ガラスが知
られている。 しかしながら、かかるガラスは上部導体の焼成
過程において、PbO又はB2O3が導体に拡散し導
体上にまで浮き出る結果、上部導体に端子等をハ
ンダ付けする際のハンダ濡れ性を著しく悪化させ
る難点があつた。また、焼成による抵抗体の抵抗
値変化率及びバラツキが大きく、目的とする抵抗
値が得られ難いという難点があつた。 本発明は、かかる難点を解決した新規なガラス
組成物の提供を目的とする。 即ち、本発明は、ガラス粉末70〜99重量%とフ
イラー1〜30重量%とからなり、該ガラス粉末は
重量表示%で SiO2 41〜50 Al2O3 2〜15 BaO 30〜45 ZnO 5〜20 CaO+Mgo 0.5〜2 ZrO2 0.5〜4 SnO2 0.1〜1.5 R2O 0.05〜1.5 (RはLi,Na及び/又はKである)の範囲の
組成であり、該フイラーはZrSiO4,2MgO・SiO2
及び/又はAl2O3であるガラス組成物である。 本発明によれる組成物で厚膜回路の絶縁層を形
成すると、その上に形成される上部導体の焼成過
程でPbO又はB2O3が導体に拡散することがない
ので、該導体とのハンダ濡れ性が極めてよい。ま
た、該絶縁層は焼成により回路中の抵抗体に影響
を与えることが極めて少ないので抵抗体の抵抗値
変化率及びバラツキが極めて少ない。 本発明による組成物は厚膜回路の絶縁層用ガラ
スとして効適であるが、該組成物に導電粉末を添
加して、導体又は抵抗体を厚膜法によつて形成す
るためのバインダーガラスとしても使用できる。 本発明による組成物は、適当なビヒクルを混練
してペースト化し、スクリーン印刷等により塗布
したのち焼成することによりガラス層を形成す
る。この焼成過程で一部結晶化し、その結晶とし
ては、主としてBaAl2SiO8であるが、3BaO・
SiO8も微量含まれる。 本発明による組成物の限定理由は次の通りであ
る。 組成物中のフイラーは、焼成過程におけるガラ
スと導体又は抵抗体との反応を低減する目的で添
加される。具体的にはZrSiO4,ZrO2,2MgO・
SiO2又はAl2O3が、かかる目的が達成でき、か
つ、比較的入手し易いので望ましい。本発明の組
成物においては、ガラスの粉末の残部としてフイ
ラーが1〜30重量%添加されるが、1%より少な
いと上記目的が達成されず、30%より多いとガラ
ス成分が不足し緻密なガラス層が形成され難い。
フイラーは上記範囲中2〜25重量%の範囲より望
ましい。 ガラス粉体のSiO2は、ガラスのネツトワーク
フオーマであり、一部焼成により析出する結晶の
成分でもある。SiO2<41重量%では、軟化温度
が低くなりすぎ、焼成時に流動し過ぎる回路のパ
ターンを変形させ易く、また、導体、抵抗体との
反応性が増加し、それらの特性を損なう恐れがあ
るので好ましくない。一方、SiO2>50重量%で
は、ガラス粉末を製造する際の溶解性が低下する
とともに、軟化温度が高くなり、焼成温度が高く
なり過ぎるので好ましくない。SiO2は上記範囲
中41〜48重量%の範囲がより望ましい。 Al2O3は析出結晶の成分である。Al2O3<2重
量%では結晶が析出し難く、Al2O3>15重量%で
はガラス化し難くなる。Al2O3は上記範囲中3〜
14重量%の範囲がより望ましい。 BaOはガラス粉末を製造する際の溶解性を向上
する作用をすると共に析出結晶の成分でもある。
BaO<30重量%では、ガラスの軟化温度が高くな
り過ぎ、焼成温度が高くなり過ぎるので好ましく
ない。また、BaO>45重量%では、熱膨脹係数が
大きくなり過ぎ、アルミナ等の基板に対しては適
用が難かしくなる。BaOは上記範囲中31〜42重量
%の範囲がより望ましい。 ZnOは、ガラス粉末製造における溶解性を向上
する作用がある。ZnO<5重量%では、ガラスの
軟化温度が高すぎる。ZnO>20重量%では、ガラ
スの軟化温度が低すぎ、焼成時に回路パターンを
変形したり、導体、低抗体との反応性が増し特性
を損う恐れがある。ZnOは上記範囲中8〜18重量
%の範囲がより望ましい。 CaO及びMgOは、ガラス粉末製造時の溶解過
程で生じる失透の防止作用および焼成時に析出す
る結晶の生成速度を調整する作用を有する。CaO
+MgO<0.5重量%では、かかる作用が少なく、
CaO+MgO>2重量%では、ガラスの熱膨脹係
数が大きくなりすぎ、いずれも好ましくない。
CaO+MgOは上記範囲中1〜1.5重量%の範囲が
より望ましい。 ZrO2は、焼成後のガラスを高軟化点化する作
用及び焼成時の結晶の析出速度を調整する作用を
有する。 ZrO2<0.5重量%では、かかる作用効果が不充
分であり、ZrO2>4重量%では、ガラスの軟化
温度が高くなり過ぎ、いずれも好ましくない。
ZrO2は上記範囲中1〜3重量%の範囲がより望
ましい。 SnO2は、ガラスの耐水性、耐酸性を向上する
ために添加する。SnO2<0.1重量%では、添加に
よる上記効果が少なく、1.5重量%より多く添加
しても、その効果は向上しない。SnO2は上記範
囲中0.5〜1重量%の範囲がより望ましい。 R2O(RはLi,Na及び/又はKである)は、
ガラスの軟化温度を低下させる作用及び化学的耐
久性、特に耐酸性の向上作用を有する。R2O<
0.05重量%では、かかる作用が不充分であり、
R2O>1.5重量%では、熱膨脹係数が大きくなり
過ぎ、いずれも好ましくない。R2Oは上記範囲中
0.1〜1重量%の範囲がより望ましい。 本発明による組成物は、次のようにして製造す
ることができる。 常法により、目標組成となるように各原料を秤
量し混合し溶融する。次いで溶融したガラスを板
状、フレーク状に成形し、水砕または機械的粉砕
によりガラス粉末を製造する。次いで、かかるガ
ラス粉末とフイラーとを所定割合で混することに
より本発明の組成物が製造される。 かくして製造された組成物は、適当な有機ビヒ
クルを用いて混練され、ペースト化されて使用さ
れる。 かかるペーストにAg,Cu等の導電性金属粒子
を添加することにより導電性ペーストとすること
ができ、また、RuO2等の抵抗性粒子を添加する
ことにより抵抗体ペーストとすることができる。
これらのペーストは、常法の印刷を行なつた後、
850〜950℃の温度で焼成することにより絶縁層、
導体、抵抗体を形成できる。 実施例 表1の目標組成のガラスになるように、各原料
を秤量し混合した後、これをルツボに入れ、
14001500℃に加熱し、2〜3時間撹拌しつつ溶解
した。次いで、溶解したガラスを水砕しガラス粉
末を製造した。次いで、このガラス粉末とフイラ
ーとが同表に記載の割合になるように秤量し、ポ
ツトミル中で微粉砕しつつ混合し、同表記載の組
成物を製造した。なお、ガラス粉末及びフイラー
粉末の粒径は、フアインパターンを形成する場合
には最大45μm、平均2μm以下とするのが望ま
しい。 この組成物によるガラスの特性を調べるために
上記組成物にα―テルピネオール95%及びエチル
セルロース5%からなる有機ビヒクルを添加しペ
ースト化した。このペーストを印刷焼成してガラ
ス層を形成し、このガラス層について同表記載の
特性を測定し、その結果を併記した。なお、表の
資材No.7は従来のもので比較のために示した。 同表から明らかなように、本発明による組成物
は抵抗体の抵抗値変化率が極めて少なく優れたも
のである。 なお、同表に示した特性値は次のものである。 絶縁抵抗:ガラスにDC100Vを印加したときの室
温における抵抗値Ωである。 誘電率:1KHzの電圧印加における室温での値で
ある。 上部導体のハンダ濡れ性:ガラス上に形成した厚
膜導体を230℃±5℃に溶融した2%Agを含
むPb―Sn共晶ハンダ浴に3秒間浸漬し引上
げる。これにより導体表面積の90%以上がハ
ンダに濡れているものを良とした。 焼結断面構造:ガラスの断面を走査型電子顕微鏡
により観察し気泡のないものを良とした。 抵抗体の抵抗値変化率:アルミナ基板上に厚膜抵
抗ペーストを印刷焼成により抵抗体を形成し
この抵抗値を測定する。次いでこの抵抗体に
ガラスペーストにより絶縁層を形成し抵抗体
の抵抗値を測定する。絶縁層は形成する前後
の抵抗体の抵抗値変化を示す。(+は絶縁層
を形成することにより抵抗値が増加したこと
を示す。)
路、この回路上に絶縁層、該絶縁層上に上部導体
を形成した単層厚膜回路部品、絶縁層を介して複
数の回路を形成した多層厚膜回路部品が電子部品
として提案されている。かかる部品の絶縁層用ガ
ラスとしては、PbO―B2O3―SiO2系ガラスが知
られている。 しかしながら、かかるガラスは上部導体の焼成
過程において、PbO又はB2O3が導体に拡散し導
体上にまで浮き出る結果、上部導体に端子等をハ
ンダ付けする際のハンダ濡れ性を著しく悪化させ
る難点があつた。また、焼成による抵抗体の抵抗
値変化率及びバラツキが大きく、目的とする抵抗
値が得られ難いという難点があつた。 本発明は、かかる難点を解決した新規なガラス
組成物の提供を目的とする。 即ち、本発明は、ガラス粉末70〜99重量%とフ
イラー1〜30重量%とからなり、該ガラス粉末は
重量表示%で SiO2 41〜50 Al2O3 2〜15 BaO 30〜45 ZnO 5〜20 CaO+Mgo 0.5〜2 ZrO2 0.5〜4 SnO2 0.1〜1.5 R2O 0.05〜1.5 (RはLi,Na及び/又はKである)の範囲の
組成であり、該フイラーはZrSiO4,2MgO・SiO2
及び/又はAl2O3であるガラス組成物である。 本発明によれる組成物で厚膜回路の絶縁層を形
成すると、その上に形成される上部導体の焼成過
程でPbO又はB2O3が導体に拡散することがない
ので、該導体とのハンダ濡れ性が極めてよい。ま
た、該絶縁層は焼成により回路中の抵抗体に影響
を与えることが極めて少ないので抵抗体の抵抗値
変化率及びバラツキが極めて少ない。 本発明による組成物は厚膜回路の絶縁層用ガラ
スとして効適であるが、該組成物に導電粉末を添
加して、導体又は抵抗体を厚膜法によつて形成す
るためのバインダーガラスとしても使用できる。 本発明による組成物は、適当なビヒクルを混練
してペースト化し、スクリーン印刷等により塗布
したのち焼成することによりガラス層を形成す
る。この焼成過程で一部結晶化し、その結晶とし
ては、主としてBaAl2SiO8であるが、3BaO・
SiO8も微量含まれる。 本発明による組成物の限定理由は次の通りであ
る。 組成物中のフイラーは、焼成過程におけるガラ
スと導体又は抵抗体との反応を低減する目的で添
加される。具体的にはZrSiO4,ZrO2,2MgO・
SiO2又はAl2O3が、かかる目的が達成でき、か
つ、比較的入手し易いので望ましい。本発明の組
成物においては、ガラスの粉末の残部としてフイ
ラーが1〜30重量%添加されるが、1%より少な
いと上記目的が達成されず、30%より多いとガラ
ス成分が不足し緻密なガラス層が形成され難い。
フイラーは上記範囲中2〜25重量%の範囲より望
ましい。 ガラス粉体のSiO2は、ガラスのネツトワーク
フオーマであり、一部焼成により析出する結晶の
成分でもある。SiO2<41重量%では、軟化温度
が低くなりすぎ、焼成時に流動し過ぎる回路のパ
ターンを変形させ易く、また、導体、抵抗体との
反応性が増加し、それらの特性を損なう恐れがあ
るので好ましくない。一方、SiO2>50重量%で
は、ガラス粉末を製造する際の溶解性が低下する
とともに、軟化温度が高くなり、焼成温度が高く
なり過ぎるので好ましくない。SiO2は上記範囲
中41〜48重量%の範囲がより望ましい。 Al2O3は析出結晶の成分である。Al2O3<2重
量%では結晶が析出し難く、Al2O3>15重量%で
はガラス化し難くなる。Al2O3は上記範囲中3〜
14重量%の範囲がより望ましい。 BaOはガラス粉末を製造する際の溶解性を向上
する作用をすると共に析出結晶の成分でもある。
BaO<30重量%では、ガラスの軟化温度が高くな
り過ぎ、焼成温度が高くなり過ぎるので好ましく
ない。また、BaO>45重量%では、熱膨脹係数が
大きくなり過ぎ、アルミナ等の基板に対しては適
用が難かしくなる。BaOは上記範囲中31〜42重量
%の範囲がより望ましい。 ZnOは、ガラス粉末製造における溶解性を向上
する作用がある。ZnO<5重量%では、ガラスの
軟化温度が高すぎる。ZnO>20重量%では、ガラ
スの軟化温度が低すぎ、焼成時に回路パターンを
変形したり、導体、低抗体との反応性が増し特性
を損う恐れがある。ZnOは上記範囲中8〜18重量
%の範囲がより望ましい。 CaO及びMgOは、ガラス粉末製造時の溶解過
程で生じる失透の防止作用および焼成時に析出す
る結晶の生成速度を調整する作用を有する。CaO
+MgO<0.5重量%では、かかる作用が少なく、
CaO+MgO>2重量%では、ガラスの熱膨脹係
数が大きくなりすぎ、いずれも好ましくない。
CaO+MgOは上記範囲中1〜1.5重量%の範囲が
より望ましい。 ZrO2は、焼成後のガラスを高軟化点化する作
用及び焼成時の結晶の析出速度を調整する作用を
有する。 ZrO2<0.5重量%では、かかる作用効果が不充
分であり、ZrO2>4重量%では、ガラスの軟化
温度が高くなり過ぎ、いずれも好ましくない。
ZrO2は上記範囲中1〜3重量%の範囲がより望
ましい。 SnO2は、ガラスの耐水性、耐酸性を向上する
ために添加する。SnO2<0.1重量%では、添加に
よる上記効果が少なく、1.5重量%より多く添加
しても、その効果は向上しない。SnO2は上記範
囲中0.5〜1重量%の範囲がより望ましい。 R2O(RはLi,Na及び/又はKである)は、
ガラスの軟化温度を低下させる作用及び化学的耐
久性、特に耐酸性の向上作用を有する。R2O<
0.05重量%では、かかる作用が不充分であり、
R2O>1.5重量%では、熱膨脹係数が大きくなり
過ぎ、いずれも好ましくない。R2Oは上記範囲中
0.1〜1重量%の範囲がより望ましい。 本発明による組成物は、次のようにして製造す
ることができる。 常法により、目標組成となるように各原料を秤
量し混合し溶融する。次いで溶融したガラスを板
状、フレーク状に成形し、水砕または機械的粉砕
によりガラス粉末を製造する。次いで、かかるガ
ラス粉末とフイラーとを所定割合で混することに
より本発明の組成物が製造される。 かくして製造された組成物は、適当な有機ビヒ
クルを用いて混練され、ペースト化されて使用さ
れる。 かかるペーストにAg,Cu等の導電性金属粒子
を添加することにより導電性ペーストとすること
ができ、また、RuO2等の抵抗性粒子を添加する
ことにより抵抗体ペーストとすることができる。
これらのペーストは、常法の印刷を行なつた後、
850〜950℃の温度で焼成することにより絶縁層、
導体、抵抗体を形成できる。 実施例 表1の目標組成のガラスになるように、各原料
を秤量し混合した後、これをルツボに入れ、
14001500℃に加熱し、2〜3時間撹拌しつつ溶解
した。次いで、溶解したガラスを水砕しガラス粉
末を製造した。次いで、このガラス粉末とフイラ
ーとが同表に記載の割合になるように秤量し、ポ
ツトミル中で微粉砕しつつ混合し、同表記載の組
成物を製造した。なお、ガラス粉末及びフイラー
粉末の粒径は、フアインパターンを形成する場合
には最大45μm、平均2μm以下とするのが望ま
しい。 この組成物によるガラスの特性を調べるために
上記組成物にα―テルピネオール95%及びエチル
セルロース5%からなる有機ビヒクルを添加しペ
ースト化した。このペーストを印刷焼成してガラ
ス層を形成し、このガラス層について同表記載の
特性を測定し、その結果を併記した。なお、表の
資材No.7は従来のもので比較のために示した。 同表から明らかなように、本発明による組成物
は抵抗体の抵抗値変化率が極めて少なく優れたも
のである。 なお、同表に示した特性値は次のものである。 絶縁抵抗:ガラスにDC100Vを印加したときの室
温における抵抗値Ωである。 誘電率:1KHzの電圧印加における室温での値で
ある。 上部導体のハンダ濡れ性:ガラス上に形成した厚
膜導体を230℃±5℃に溶融した2%Agを含
むPb―Sn共晶ハンダ浴に3秒間浸漬し引上
げる。これにより導体表面積の90%以上がハ
ンダに濡れているものを良とした。 焼結断面構造:ガラスの断面を走査型電子顕微鏡
により観察し気泡のないものを良とした。 抵抗体の抵抗値変化率:アルミナ基板上に厚膜抵
抗ペーストを印刷焼成により抵抗体を形成し
この抵抗値を測定する。次いでこの抵抗体に
ガラスペーストにより絶縁層を形成し抵抗体
の抵抗値を測定する。絶縁層は形成する前後
の抵抗体の抵抗値変化を示す。(+は絶縁層
を形成することにより抵抗値が増加したこと
を示す。)
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ガラス粉末70〜99重量%とフイラー1〜30重
量%とからなり、該ガラス粉末は重量%表示で SiO2 41〜50 Al2O3 2〜15 BaO 30〜45 ZnO 5〜20 CaO+Mgo 0.5〜2 ZrO2 0.5〜4 SnO2 0.1〜1.5 R2O 0.05〜1.5 (RはLi,Na及び/又はKである。)の範囲の
組成であり、該フイラーはZrSiO4,2MgO・SiO2
及び/又はAl2O3であるガラス組成物。 2 前記ガラス粉末は重量%表示で SiO2 41〜48 Al2O3 3〜14 BaO 31〜42 ZnO 8〜18 CaO+Mgo 1〜1.5 ZrO2 1〜3 SnO2 0.5〜1 R2O 0.1〜1 の範囲の組成である特許請求の範囲第1項記載の
組成物。 3 前記ガラス粉末75〜98重量%と前記フイラー
2〜25重量%とからなる特許請求の範囲第1項又
は第2項記載の封着用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8169983A JPS59207853A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | ガラス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8169983A JPS59207853A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | ガラス組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59207853A JPS59207853A (ja) | 1984-11-26 |
JPS6221739B2 true JPS6221739B2 (ja) | 1987-05-14 |
Family
ID=13753620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8169983A Granted JPS59207853A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | ガラス組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59207853A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0287496A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-28 | Wako Electric Co Ltd | 照明装置 |
CN1316219C (zh) * | 2004-04-09 | 2007-05-16 | Lg电子株式会社 | 电冰箱 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61227940A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-11 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ガラスペ−スト |
JPS61278195A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-09 | 株式会社日立製作所 | 多層回路基板及びその製造方法 |
JP4370686B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2009-11-25 | 旭硝子株式会社 | バリウムホウケイ酸ガラスおよびガラスセラミックス組成物 |
JP6201190B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2017-09-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜導体形成用組成物及びそれを用いて得られる厚膜導体 |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP8169983A patent/JPS59207853A/ja active Granted
Cited By (2)
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JPH0287496A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-28 | Wako Electric Co Ltd | 照明装置 |
CN1316219C (zh) * | 2004-04-09 | 2007-05-16 | Lg电子株式会社 | 电冰箱 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59207853A (ja) | 1984-11-26 |
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