JPS6166304A - 導体組成物 - Google Patents
導体組成物Info
- Publication number
- JPS6166304A JPS6166304A JP18778784A JP18778784A JPS6166304A JP S6166304 A JPS6166304 A JP S6166304A JP 18778784 A JP18778784 A JP 18778784A JP 18778784 A JP18778784 A JP 18778784A JP S6166304 A JPS6166304 A JP S6166304A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- conductor composition
- inorganic binder
- conductor
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は絶縁基板上に印刷し、焼成して電気回路を形成
するための導体組成物に関するものである。
するための導体組成物に関するものである。
（発明の目的）
これらの導体に必要な特性は種々あるがここでは、導体
と絶縁基板との密着強度ことにはんだでリード付けした
後の熱的経時における密着強度の劣化を極力おさえた強
密着性の導体組成物を提供せんとするものである。
と絶縁基板との密着強度ことにはんだでリード付けした
後の熱的経時における密着強度の劣化を極力おさえた強
密着性の導体組成物を提供せんとするものである。
（発明の構成）
本発明による導体組成物は、微細に分割された金属粉と
微細に分割された無機結合剤とがビヒクル中に分散され
て成る導体組成物において、前記無機結合剤がガラスフ
リフト、ビスマス化合物及びニッケル若しくはニッケル
化合物とから成ることを特徴とするものである。
微細に分割された無機結合剤とがビヒクル中に分散され
て成る導体組成物において、前記無機結合剤がガラスフ
リフト、ビスマス化合物及びニッケル若しくはニッケル
化合物とから成ることを特徴とするものである。
ところで現在種々市販されている導体ペーストは密着強
度に大きく寄与する無機結合剤の質により大きく３つの
タイプに分れている。すなわち、ガラスフリフトを用い
たブリットタイプ、ガラスフリ・ノドを用いず酸化物を
用いたフリットレスタイプ、ガラスフリフトと酸化物を
併用したミ・ノクスタイプで本発明における導体組成物
はミックスタイプである。さらに本発明について詳しく
述べると、ガラスフリットには、４００〜７５０℃の軟
化点を有する通常のガラスフリフトでよく、一般的な硼
珪酸鉛に代表される非晶質ガラスあるいは結晶化ガラス
でも良い。またビスマス化合物には、酸化ビスマス粉末
でもオクチル酸ビスマス等の液状金属石けんでも良く、
ニッケル若しくはニッケル化合物には、平均粒ｉ０．１
〜３μ程度のニッケル金属粉または酸化ニッケル粉末若
しくはオクチル酸ニッケル等の液状金属石けんでも良い
。
度に大きく寄与する無機結合剤の質により大きく３つの
タイプに分れている。すなわち、ガラスフリフトを用い
たブリットタイプ、ガラスフリ・ノドを用いず酸化物を
用いたフリットレスタイプ、ガラスフリフトと酸化物を
併用したミ・ノクスタイプで本発明における導体組成物
はミックスタイプである。さらに本発明について詳しく
述べると、ガラスフリットには、４００〜７５０℃の軟
化点を有する通常のガラスフリフトでよく、一般的な硼
珪酸鉛に代表される非晶質ガラスあるいは結晶化ガラス
でも良い。またビスマス化合物には、酸化ビスマス粉末
でもオクチル酸ビスマス等の液状金属石けんでも良く、
ニッケル若しくはニッケル化合物には、平均粒ｉ０．１
〜３μ程度のニッケル金属粉または酸化ニッケル粉末若
しくはオクチル酸ニッケル等の液状金属石けんでも良い
。
本発明における特徴は、無機結合剤がガラスフリット、
ビスマス化合物及びニッケルないしニッケル化合物より
成る点である。そしてこれら３種の無機結合剤成分が導
体組成物の焼成段階で相互に反応し、かつそれが金属粉
の成分の焼結と合いまって緻密なマトリックスを基板界
面に形成し、所望の強密着性の導体組成膜が得られると
考えられる。
ビスマス化合物及びニッケルないしニッケル化合物より
成る点である。そしてこれら３種の無機結合剤成分が導
体組成物の焼成段階で相互に反応し、かつそれが金属粉
の成分の焼結と合いまって緻密なマトリックスを基板界
面に形成し、所望の強密着性の導体組成膜が得られると
考えられる。
かかる導体組成物において、ビヒクル中に分散される金
属粉の成分は単独でも複数でもよく、その比率は適度な
割合でかまわない。通常は、Ａｇ１００〜４０重量％、
Ｐｄ０〜３５重量％、ｐｔｏ〜３５重量％である。
属粉の成分は単独でも複数でもよく、その比率は適度な
割合でかまわない。通常は、Ａｇ１００〜４０重量％、
Ｐｄ０〜３５重量％、ｐｔｏ〜３５重量％である。
尚、ここで用いられるＡｇは平均粒径０．５〜７μ、Ｓ
Ａ（表面積）０．５〜３ｒｄ／ｇ、Ｐｄは平均粒径０．
１〜ｉ ｐ、 ＳＡ５〜２０ｒ＋？／ｇ、 Ｐ ｔは
平均粒径０．１〜１μ、５ＡＩＯ〜４０ｒｒ？／ｇであ
る。またビヒクル中の金属粉の成分に対する無機結合剤
の割合は、所望される諸特性に照らし合わせて成分比を
選択できるが、通常は１〜３０％である。さらにまたか
かる導体組成物における金属粉の成分及び無機結合剤を
分散されるビヒクルは、分散物に対して任意の割合でか
まわないが、通常１０〜３０重量％で行なわれる。
Ａ（表面積）０．５〜３ｒｄ／ｇ、Ｐｄは平均粒径０．
１〜ｉ ｐ、 ＳＡ５〜２０ｒ＋？／ｇ、 Ｐ ｔは
平均粒径０．１〜１μ、５ＡＩＯ〜４０ｒｒ？／ｇであ
る。またビヒクル中の金属粉の成分に対する無機結合剤
の割合は、所望される諸特性に照らし合わせて成分比を
選択できるが、通常は１〜３０％である。さらにまたか
かる導体組成物における金属粉の成分及び無機結合剤を
分散されるビヒクルは、分散物に対して任意の割合でか
まわないが、通常１０〜３０重量％で行なわれる。
（実施例及び比較例）
エチルセルロースレジンをターピネオールに溶解したビ
ヒクル中に、微細に分割されたＡｇ金属粉と無機結合剤
とを下記の表の左欄に示す様な配合で混合し混線分散し
た実施例及び比較例の導体組成物を、９６％Ａｌ２Ｏ３
のセラミック基板上に印刷し、コンベア炉にて８５０℃
Ｘ １０ ｌ１ｌｉｎで２回焼成し膜厚１０〜１４μの
電気回路を形成した。
ヒクル中に、微細に分割されたＡｇ金属粉と無機結合剤
とを下記の表の左欄に示す様な配合で混合し混線分散し
た実施例及び比較例の導体組成物を、９６％Ａｌ２Ｏ３
のセラミック基板上に印刷し、コンベア炉にて８５０℃
Ｘ １０ ｌ１ｌｉｎで２回焼成し膜厚１０〜１４μの
電気回路を形成した。
尚スクリーンは２００＋ｗｅｓｈ、総厚９０μのものを
用いた。こうして形成された電気回路をロジンフランク
スにつけ、２２０℃の２％Ａｇ入りＰｄ−３ｎ共晶はん
だに５秒間浸し、そのｆ＆２Ｘ２パッドにはんだごてに
て０．６φのすずめつき銅線をはんだ付けし、１５０℃
のオープンに３００時間放置後ビールテストにて密着強
度を測定したところ、下記の表の右欄のような結果を得
た。
用いた。こうして形成された電気回路をロジンフランク
スにつけ、２２０℃の２％Ａｇ入りＰｄ−３ｎ共晶はん
だに５秒間浸し、そのｆ＆２Ｘ２パッドにはんだごてに
て０．６φのすずめつき銅線をはんだ付けし、１５０℃
のオープンに３００時間放置後ビールテストにて密着強
度を測定したところ、下記の表の右欄のような結果を得
た。
（以下余白）
ガラスフリットに関し、Ａは軟化点４２５℃のＰｂＯＢ
２０Ｊ−ＺｎＯ系の結晶化ガラス、Ｂは軟化点５１５℃
のＢ２Ｏ３ＳｉＯ２ＰｂＯ系の非晶質ガラス、Ｃは軟化
点６００℃のＺｎＯ−８２０３系の結晶化ガラスである
。
２０Ｊ−ＺｎＯ系の結晶化ガラス、Ｂは軟化点５１５℃
のＢ２Ｏ３ＳｉＯ２ＰｂＯ系の非晶質ガラス、Ｃは軟化
点６００℃のＺｎＯ−８２０３系の結晶化ガラスである
。
ビスマス化合物に関し、ＡはＢｉ２Ｏ３、Ｂはオクチル
酸ビスマスである。
酸ビスマスである。
ニッケルあるいはニッケル化合物に関し、Ａはニッケル
粉、Ｂは酸化ニッケル、Ｃはオクチル酸ニッケルである
。
粉、Ｂは酸化ニッケル、Ｃはオクチル酸ニッケルである
。
尚ここで２２０℃のはんだに５秒間浸した後のはんだぬ
れ性は、いずれの例でも導体面の９０％以上をはんだが
おおい良好であった。また焼成を７６０℃あるいは９３
０℃にし同様のテストを行ったがいずれも８５０℃での
結果と大差がなかった故、ここでは８５０℃の結果を代
表とした。
れ性は、いずれの例でも導体面の９０％以上をはんだが
おおい良好であった。また焼成を７６０℃あるいは９３
０℃にし同様のテストを行ったがいずれも８５０℃での
結果と大差がなかった故、ここでは８５０℃の結果を代
表とした。
上記の表から明らかな様に本発明による導体組成物は、
比較例にある導体組成物にくらべ、明らかに１５０℃Ｘ
３００１１放置後の密着強度が極めて高いことが判る
。
比較例にある導体組成物にくらべ、明らかに１５０℃Ｘ
３００１１放置後の密着強度が極めて高いことが判る
。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明の導体組成物は、無機結
合剤としてガラスフリフト及びビスマス化合物の他にニ
ッケルまたはニッケル化合物を配合しているので、焼成
段階で相互に反応し金属成分の焼結と含まって緻密なマ
トリックスが基板界面に形成され、密着強度の高い電気
回路が得られる画期的なものである。
合剤としてガラスフリフト及びビスマス化合物の他にニ
ッケルまたはニッケル化合物を配合しているので、焼成
段階で相互に反応し金属成分の焼結と含まって緻密なマ
トリックスが基板界面に形成され、密着強度の高い電気
回路が得られる画期的なものである。
Claims (1)
- 微細に分割された金属粉と微細に分割された無機結合剤
とがビヒクル中に分散されて成る導体組成物において、
前記無機結合剤がガラスフリットとビスマス化合物とニ
ッケル若しくはニッケル化合物とより成ることを特徴と
する導体組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18778784A JPS6166304A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 導体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18778784A JPS6166304A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 導体組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6166304A true JPS6166304A (ja) | 1986-04-05 |
Family
ID=16212216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18778784A Pending JPS6166304A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 導体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6166304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01218089A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Toshiba Corp | 表面導電性セラミックス基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP18778784A patent/JPS6166304A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01218089A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Toshiba Corp | 表面導電性セラミックス基板の製造方法 |
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