JPS6232562B2 - - Google Patents
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- JPS6232562B2 JPS6232562B2 JP54127564A JP12756479A JPS6232562B2 JP S6232562 B2 JPS6232562 B2 JP S6232562B2 JP 54127564 A JP54127564 A JP 54127564A JP 12756479 A JP12756479 A JP 12756479A JP S6232562 B2 JPS6232562 B2 JP S6232562B2
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Description
本発明は、絶縁基板上に印刷し、焼成して電気
回路（導体）を形成する為の導体組成物に関する
ものである。 導体組成物として、貴金属の微粉末と無機結合
剤を不活性ビヒクル中に添加分散して成るものが
良く知られており、これを絶縁基板上に所望の形
状に印刷し、次に、これを焼成して貴金属と無機
結合剤を焼付固着することにより電気回路（導
体）が得られる。 現在、このような貴金属導体組成物には様々な
種類があり、夫々の用途に使い分けられ、エレク
トロニクス部品に内装され、世に出ている。特に
Ag合金導体組成物については、半田ぬれ性、半
田くわれ性、密着強度、フアインライン性、耐マ
イグレーシヨン、ボンデイング性、導体抵抗等の
諸特性とコストとの兼ね合いから、夫々に特徴を
持つたAg合金導体組成物が選択され、使い分け
られてきた。 ところで、エレクトロニクス部品に内装される
絶縁基板上に印刷焼成された電気回路（導体）は
半田付けの工程を経た後、或る長時間の熱履歴を
経る場合がある。即ち、部品が樹脂モールド等で
150℃、数10時間の熱履歴を経て外装された場
合、或いは完成部品が熱的雰囲気に曝される自動
車などに内装された場合などである。このような
場合、絶縁基板上に印刷、焼成された電気回路
（導体）が長時間の熱履歴を受けると、半田中の
Snが導体層へ徐々に拡散して金属間化合物が数
多く生成され、これにより体積膨張を起こして密
着強度が確実に劣下する。甚だしい場合は、初期
強度の10％以下にまで低下し、その結果リード付
け部が取れてしまうことがある。 一方、昨今エレクトロニクス部品の多層化が進
み、リードの引廻しの制約から、できるだけ低い
導体抵抗のものが要求されつつある。現在使用さ
れているAg合金導体組成物の中には、長時間の
熱的経時変化による密着強度劣化、所謂エージン
グ特性においてかなりの水準のものが開発されて
いる。たとえば、絶縁基板上に印刷、焼成された
電気回路（導体）に半田ぬれ性の悪い中間めつき
層を設け、その上に半田ぬれ性のよい表層を設け
てリード線を半田付けする方法が特開昭54−
60497号に見られる。しかし、長時間の熱履歴を
受けると、中間層であるめつき層のピンホール、
クラツク等を介して半田が中間層から導体表面に
滲み込み、上述した金属間化合物の問題を起こ
す。また、導体組成物のメタル分の配合比によつ
て導体抵抗が変化するため、エージング特性をメ
タル分の調整によつて高めようとすると、所望の
導体抵抗が得られなかつたり、半田ぬれ性が犠牲
になつたりする。したがつて、導体抵抗を維持し
たままエージング特性を高めるには、導体組成物
の無機結合剤を改良することが必要不可欠とな
る。 本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、
導体組成物のメタル分が焼結する温度とガラスフ
リツトの結晶化温度を同等にすることによつて、
長時間の熱的経時変化による強度劣化を防ごうと
するものである。 本発明による導体組成物は、微細に分割された
Agと、微細に分割されたPd、Ptの少なくとも１
種と、微細に分割された無機結合剤とがビヒクル
中に分散されて成る導体組成物に於いて、前記無
機結合剤がZnO30〜60w／ｏ（ｗ／ｏは「重量
％」を意味する。以下、同じ。）、B2O312〜25w／
ｏ、PbO4〜35w／ｏ、SiO25〜12w／ｏおよび
SnO2とMnO2の少なくとも１種0.01〜3w／ｏより
成るガラスフリツト１重量部と酸化ビスマス1.5
〜4.5重量部とからなることを特徴とするもので
ある。 かかる導体組成物に於いて、ビヒクル中に分散
されるAgと、Pd又はPtの少なくとも１種より成
るメタル分は、導体抵抗に応じて適度な割合に選
択配合されるもので、通常の範囲としては、Ag
―Pdの場合でAg65〜98w／ｏ、Pd2〜35w／ｏ、
Ag―Pdの場合でAg65〜99w／ｏ、Pt1〜35w／
ｏ、Ag―Pt―Pdの場合でAg40〜90w／ｏ、Pt1
〜35w／ｏ、Pd2〜35w／ｏである。尚、ここで
は、Agは平均粒径0.4〜２μｍでＳ・A0.5〜２
m2／ｇ、Pdは平均粒径0.1〜１μｍで、Ｓ・A5〜
15m2／ｇ、Pt％平均粒径0.1〜１μｍで、Ｓ・
A10〜30m2／ｇである。 また、ビヒクル中でのAgとPd又はPtの少なく
とも１種より成るメタル分に対する無機結合剤の
割合は、所望される導体抵抗に照らし合わせ、任
意に操作可能であるが、通常６〜25％であり、最
適な割合は10〜18％である。 然して、無機結合剤を、ZnO30〜60w／ｏ、
B2O312〜25w／ｏ、PbO4〜35w／ｏ、SiO25〜
12w／ｏ、およびSnO2とMnO2の少なくとも１種
0.01〜3w／ｏより成るガラスフリツト１重量部
と酸化ビスマス1.5〜4.5重量部とに限定した理由
について説明する。まず、ガラスフリツトについ
て説明すると、前記成分のガラスフリツトはAg
―Pd、Ag―Pt、Ag―Pt―Pd、というメタル分の
質及び割合に限らず、メタル分の焼結温度と同等
の温度で結晶化するため、導電率の高いAg合金
の導体組成物においても、密着強度の熱的経時変
化の劣化を極力押さえることができるからであ
る。さらに詳しく述べるならば、前記成分のガラ
スフリツトは比較的高温（600℃〜800℃）で結晶
化することから、Ag及びPd、Ptの焼結のタイミ
ングがうまくかみ合い、強固で緻密なガラスとメ
タルのマトリツクスが組み込まれる。そのため、
熱によつて促進される半田の導体膜への拡散、さ
らにはそれによる体積膨張等による密着強度の劣
化が軽減されるのであり、Pe、Ptがその強固な
メタルとガラスのマトリツクスの核になつている
のである。 前記ガラスフリツトを構成するZnOを30〜
60w／ｏと限定した理由は、30w／ｏ未満では結
晶化温度が低く、強固で緻密なガラス―メタルの
マトリツクスを作らない。そのため、長時間加熱
すると、マトリツクスのクラツク等から半田が滲
透してエージング特性を劣化する。また、60w／
ｏを超えると、ガラスの軟化点が上がるため700
〜800℃の焼成温度では粘度が高くなりすぎる。
そのため、Ag合金に添加したガラスの流れが悪
く、導体表面層にガラスが分散した状態となつて
半田がぬれず、初期密着強度が不十分となつて脆
くなるからである。また、B2O3を12〜25w／ｏと
限定した理由は、12w／ｏ未満では結晶化が低い
温度で起こり、25w／ｏを超えると結晶化されに
くくなり、いずれも長時間の加熱加速テストで高
エージング特性のものが得られないからである。
また、PbOを４〜25w／ｏと限定した理由は、
4w／ｏ未満では粘度が高くなりすぎて半田がぬ
れなくなり、25w／ｏを超えると結晶化の温度が
低くなり、長時間の加熱加速テストで所望の高エ
ージング特性のものが得られないからである。ま
た、SiO2を５〜12w／ｏを限定した理由は、
5w／ｏ未満ではガラス―メタルのマトリツクス
を作りにくく、12w／ｏを超えると粘度が高くな
りすぎて半田が部分的にぬれたり、ぬれなかつた
りするからである。さらに、SnO2とMnO2の少な
くとも１種を0.01〜3w／ｏと限定した理由は、
0.01w／ｏ未満では結晶化を促進乃至助長させる
ことができず、3w／ｏを超えると粘度が高くな
りすぎて半田がぬれなくなる現象を引き起こすか
らである。 無機結合剤中の一方の構成成分である上記成分
組成のガラスフリツト１重量部に対し、他方の構
成成分である酸化ビスマスを1.5〜4.5重量部含有
させる理由は、絶縁基板と導体との境界附近で最
も強固にガラスとメタルのマトリツクスを首尾良
く形成するためで、1.5重量部未満の場合はその
強固な層が形成されず、且つ半田がぬれずらくな
り、4.5重量部を超えると長時間の加熱に対して
印刷焼成した導体の元のパターンを維持すること
ができなくなるからである。 尚、前記Agと、Pd、Ptの少なくとも１種と、
無機結合剤を分散させるビヒクルは、分散物に対
して任意の割合でかまわないが、通常13〜29w／
ｏで行なわれる。 次に、本発明による導体組成物の効果を明瞭な
らしめるため、その具体的な実施例と従来例につ
いて説明する。 表―１に示す成分組成の実施例におけるガラス
フリツトＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄと従来例におけるガラス
フリツトＥ、Ｆを調整する。次に、このガラスフ
リツトを、表―２に示す如く、酸化ビスマスと混
合して無機結合剤となし、この無機結合剤とメタ
ル分、Ag粉末とPd、Ptの少なくとも１種とをビ
ヒクル中に表―２の成分組成で入れる。このビヒ
クルは、エチルセルロース等のレジンをタービネ
オール、ブチルビトール、アセートなどの溶剤に
溶解したものである。これを混練分散した後、96
％Al2O3のセラミツク絶縁基板上にスクリーン印
刷し、コンベア炉にて760℃〜960℃で２回焼成
し、膜厚10〜14μｍの電気回路（導体）を形成し
た。尚、スクリーンは325メツシユ総厚80μｍの
ものを用いた。 こうして形成された電気回路（導体）の半田ぬ
れ性、初期強度、150℃で100時間後のエージング
強度、導電率についてテストしたところ、表―３
に示すような結果を得た。
回路（導体）を形成する為の導体組成物に関する
ものである。 導体組成物として、貴金属の微粉末と無機結合
剤を不活性ビヒクル中に添加分散して成るものが
良く知られており、これを絶縁基板上に所望の形
状に印刷し、次に、これを焼成して貴金属と無機
結合剤を焼付固着することにより電気回路（導
体）が得られる。 現在、このような貴金属導体組成物には様々な
種類があり、夫々の用途に使い分けられ、エレク
トロニクス部品に内装され、世に出ている。特に
Ag合金導体組成物については、半田ぬれ性、半
田くわれ性、密着強度、フアインライン性、耐マ
イグレーシヨン、ボンデイング性、導体抵抗等の
諸特性とコストとの兼ね合いから、夫々に特徴を
持つたAg合金導体組成物が選択され、使い分け
られてきた。 ところで、エレクトロニクス部品に内装される
絶縁基板上に印刷焼成された電気回路（導体）は
半田付けの工程を経た後、或る長時間の熱履歴を
経る場合がある。即ち、部品が樹脂モールド等で
150℃、数10時間の熱履歴を経て外装された場
合、或いは完成部品が熱的雰囲気に曝される自動
車などに内装された場合などである。このような
場合、絶縁基板上に印刷、焼成された電気回路
（導体）が長時間の熱履歴を受けると、半田中の
Snが導体層へ徐々に拡散して金属間化合物が数
多く生成され、これにより体積膨張を起こして密
着強度が確実に劣下する。甚だしい場合は、初期
強度の10％以下にまで低下し、その結果リード付
け部が取れてしまうことがある。 一方、昨今エレクトロニクス部品の多層化が進
み、リードの引廻しの制約から、できるだけ低い
導体抵抗のものが要求されつつある。現在使用さ
れているAg合金導体組成物の中には、長時間の
熱的経時変化による密着強度劣化、所謂エージン
グ特性においてかなりの水準のものが開発されて
いる。たとえば、絶縁基板上に印刷、焼成された
電気回路（導体）に半田ぬれ性の悪い中間めつき
層を設け、その上に半田ぬれ性のよい表層を設け
てリード線を半田付けする方法が特開昭54−
60497号に見られる。しかし、長時間の熱履歴を
受けると、中間層であるめつき層のピンホール、
クラツク等を介して半田が中間層から導体表面に
滲み込み、上述した金属間化合物の問題を起こ
す。また、導体組成物のメタル分の配合比によつ
て導体抵抗が変化するため、エージング特性をメ
タル分の調整によつて高めようとすると、所望の
導体抵抗が得られなかつたり、半田ぬれ性が犠牲
になつたりする。したがつて、導体抵抗を維持し
たままエージング特性を高めるには、導体組成物
の無機結合剤を改良することが必要不可欠とな
る。 本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、
導体組成物のメタル分が焼結する温度とガラスフ
リツトの結晶化温度を同等にすることによつて、
長時間の熱的経時変化による強度劣化を防ごうと
するものである。 本発明による導体組成物は、微細に分割された
Agと、微細に分割されたPd、Ptの少なくとも１
種と、微細に分割された無機結合剤とがビヒクル
中に分散されて成る導体組成物に於いて、前記無
機結合剤がZnO30〜60w／ｏ（ｗ／ｏは「重量
％」を意味する。以下、同じ。）、B2O312〜25w／
ｏ、PbO4〜35w／ｏ、SiO25〜12w／ｏおよび
SnO2とMnO2の少なくとも１種0.01〜3w／ｏより
成るガラスフリツト１重量部と酸化ビスマス1.5
〜4.5重量部とからなることを特徴とするもので
ある。 かかる導体組成物に於いて、ビヒクル中に分散
されるAgと、Pd又はPtの少なくとも１種より成
るメタル分は、導体抵抗に応じて適度な割合に選
択配合されるもので、通常の範囲としては、Ag
―Pdの場合でAg65〜98w／ｏ、Pd2〜35w／ｏ、
Ag―Pdの場合でAg65〜99w／ｏ、Pt1〜35w／
ｏ、Ag―Pt―Pdの場合でAg40〜90w／ｏ、Pt1
〜35w／ｏ、Pd2〜35w／ｏである。尚、ここで
は、Agは平均粒径0.4〜２μｍでＳ・A0.5〜２
m2／ｇ、Pdは平均粒径0.1〜１μｍで、Ｓ・A5〜
15m2／ｇ、Pt％平均粒径0.1〜１μｍで、Ｓ・
A10〜30m2／ｇである。 また、ビヒクル中でのAgとPd又はPtの少なく
とも１種より成るメタル分に対する無機結合剤の
割合は、所望される導体抵抗に照らし合わせ、任
意に操作可能であるが、通常６〜25％であり、最
適な割合は10〜18％である。 然して、無機結合剤を、ZnO30〜60w／ｏ、
B2O312〜25w／ｏ、PbO4〜35w／ｏ、SiO25〜
12w／ｏ、およびSnO2とMnO2の少なくとも１種
0.01〜3w／ｏより成るガラスフリツト１重量部
と酸化ビスマス1.5〜4.5重量部とに限定した理由
について説明する。まず、ガラスフリツトについ
て説明すると、前記成分のガラスフリツトはAg
―Pd、Ag―Pt、Ag―Pt―Pd、というメタル分の
質及び割合に限らず、メタル分の焼結温度と同等
の温度で結晶化するため、導電率の高いAg合金
の導体組成物においても、密着強度の熱的経時変
化の劣化を極力押さえることができるからであ
る。さらに詳しく述べるならば、前記成分のガラ
スフリツトは比較的高温（600℃〜800℃）で結晶
化することから、Ag及びPd、Ptの焼結のタイミ
ングがうまくかみ合い、強固で緻密なガラスとメ
タルのマトリツクスが組み込まれる。そのため、
熱によつて促進される半田の導体膜への拡散、さ
らにはそれによる体積膨張等による密着強度の劣
化が軽減されるのであり、Pe、Ptがその強固な
メタルとガラスのマトリツクスの核になつている
のである。 前記ガラスフリツトを構成するZnOを30〜
60w／ｏと限定した理由は、30w／ｏ未満では結
晶化温度が低く、強固で緻密なガラス―メタルの
マトリツクスを作らない。そのため、長時間加熱
すると、マトリツクスのクラツク等から半田が滲
透してエージング特性を劣化する。また、60w／
ｏを超えると、ガラスの軟化点が上がるため700
〜800℃の焼成温度では粘度が高くなりすぎる。
そのため、Ag合金に添加したガラスの流れが悪
く、導体表面層にガラスが分散した状態となつて
半田がぬれず、初期密着強度が不十分となつて脆
くなるからである。また、B2O3を12〜25w／ｏと
限定した理由は、12w／ｏ未満では結晶化が低い
温度で起こり、25w／ｏを超えると結晶化されに
くくなり、いずれも長時間の加熱加速テストで高
エージング特性のものが得られないからである。
また、PbOを４〜25w／ｏと限定した理由は、
4w／ｏ未満では粘度が高くなりすぎて半田がぬ
れなくなり、25w／ｏを超えると結晶化の温度が
低くなり、長時間の加熱加速テストで所望の高エ
ージング特性のものが得られないからである。ま
た、SiO2を５〜12w／ｏを限定した理由は、
5w／ｏ未満ではガラス―メタルのマトリツクス
を作りにくく、12w／ｏを超えると粘度が高くな
りすぎて半田が部分的にぬれたり、ぬれなかつた
りするからである。さらに、SnO2とMnO2の少な
くとも１種を0.01〜3w／ｏと限定した理由は、
0.01w／ｏ未満では結晶化を促進乃至助長させる
ことができず、3w／ｏを超えると粘度が高くな
りすぎて半田がぬれなくなる現象を引き起こすか
らである。 無機結合剤中の一方の構成成分である上記成分
組成のガラスフリツト１重量部に対し、他方の構
成成分である酸化ビスマスを1.5〜4.5重量部含有
させる理由は、絶縁基板と導体との境界附近で最
も強固にガラスとメタルのマトリツクスを首尾良
く形成するためで、1.5重量部未満の場合はその
強固な層が形成されず、且つ半田がぬれずらくな
り、4.5重量部を超えると長時間の加熱に対して
印刷焼成した導体の元のパターンを維持すること
ができなくなるからである。 尚、前記Agと、Pd、Ptの少なくとも１種と、
無機結合剤を分散させるビヒクルは、分散物に対
して任意の割合でかまわないが、通常13〜29w／
ｏで行なわれる。 次に、本発明による導体組成物の効果を明瞭な
らしめるため、その具体的な実施例と従来例につ
いて説明する。 表―１に示す成分組成の実施例におけるガラス
フリツトＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄと従来例におけるガラス
フリツトＥ、Ｆを調整する。次に、このガラスフ
リツトを、表―２に示す如く、酸化ビスマスと混
合して無機結合剤となし、この無機結合剤とメタ
ル分、Ag粉末とPd、Ptの少なくとも１種とをビ
ヒクル中に表―２の成分組成で入れる。このビヒ
クルは、エチルセルロース等のレジンをタービネ
オール、ブチルビトール、アセートなどの溶剤に
溶解したものである。これを混練分散した後、96
％Al2O3のセラミツク絶縁基板上にスクリーン印
刷し、コンベア炉にて760℃〜960℃で２回焼成
し、膜厚10〜14μｍの電気回路（導体）を形成し
た。尚、スクリーンは325メツシユ総厚80μｍの
ものを用いた。 こうして形成された電気回路（導体）の半田ぬ
れ性、初期強度、150℃で100時間後のエージング
強度、導電率についてテストしたところ、表―３
に示すような結果を得た。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
半田ぬれ性の表示 ◎○△は、 半田に覆わ
れた面積の割合を示し、 ◎は略100％、 ○は
90％、△は90％未満である。
尚、このテストでは主に2w／oAg入り共晶半
田を用いたが、Ag―96w／oSn、Pb―10w／oSn
半田の場合でも、エージング強度の焼成温度依存
性を実施例１、３、８、10、12で確認したとこ
ろ、下記の表―４の通りであつた。
れた面積の割合を示し、 ◎は略100％、 ○は
90％、△は90％未満である。
尚、このテストでは主に2w／oAg入り共晶半
田を用いたが、Ag―96w／oSn、Pb―10w／oSn
半田の場合でも、エージング強度の焼成温度依存
性を実施例１、３、８、10、12で確認したとこ
ろ、下記の表―４の通りであつた。
【表】
前記表―３で明らかなように、本発明のガラス
フリツトＡ〜Ｄを用いた無機結合材を含有する実
施例１〜14の導体組成物より作つた電気回路（導
体）は、Ag―Pd、Ag―Pt、Ag―Pt―Pdという
メタル分の質及びその割合にかかわらず、150℃
で100時間経過後の密着強度が初期値の37％〜78
％まで保持され、平均50％以上保持される高エー
ジング特性を示しているのに対し、従来のガラス
フリツトＥ、Ｆを用いた無機結合剤を含有する従
来例１、２は、150℃で100時間経過後の密着強度
が初期値の18％以下に劣化しているのが判る。こ
のような電気回路（導体）はリードワイヤを軽く
押さえただけで剥離してしまい、実用性に乏し
い。また、導電率を見ると、実施例１、３、７、
９、或いは11、12のように、AgとPd又はPtの割
合がAg側に移行するにしたがつて、上つてくる
のは明白である。またそれに伴い、150℃で100時
間経過後の密着強度は劣化しているが、ガラスフ
リツトＡ〜Ｄを用いた無機結合剤を含有する導電
率の高いAg合金の導体組成物にて作つた電気回
路（導体）は、密着強度の熱的経時変化において
その劣化を押さえることができている。 尚、表―１のガラスフリツトＥは、一般的なホ
ウケイ酸亜鉛鉛系の非晶質のガラスである。ま
た、ガラスフリツトＦは、ホウケイ酸亜鉛鉛ガラ
スから鉛成分を除いた亜鉛ガラスである。これら
Ｅ、Ｆのガラスフリツトを含有する導体組成物
は、メタルの焼結する段階で結晶化が著しく弱い
か全く結晶化しないため、密着強度の熱的経時劣
化を押さえることができない。一方、Pt、Pdの
存在はガラスとメタルのマトリツクスの核になる
と思われ、それらが比較的多い組成では、より強
固にガラスとメタルのマトリツクスが形成し得る
と思われるが、それでも従来例のガラスフリツト
Ｅ、Ｆを用いた導体組成物では、長時間熱履歴を
受けた後の高エージング特性が得られない。 然して、前記表―４に示される半田の相異によ
るエージング特性及び焼成温度の相異によるエー
ジング特性では、実施例のガラスフリツトを用い
た無機結合剤を含有する導体組成物は、760〜920
℃の焼成条件では長時間の苛酷な加熱を受けても
全て充分なるエージング強度が得られ、しかも、
半田を変えても同様の結果がえられることが確認
された。 以上の説明で判るように、本発明による導体組
成物は、長時間の熱履歴を受けても高エージング
特性が備わつており、また初期半田ぬれ性も優れ
ているので、従来の導体組成物にとつて代わるこ
とのできる画期的なものと言える。
フリツトＡ〜Ｄを用いた無機結合材を含有する実
施例１〜14の導体組成物より作つた電気回路（導
体）は、Ag―Pd、Ag―Pt、Ag―Pt―Pdという
メタル分の質及びその割合にかかわらず、150℃
で100時間経過後の密着強度が初期値の37％〜78
％まで保持され、平均50％以上保持される高エー
ジング特性を示しているのに対し、従来のガラス
フリツトＥ、Ｆを用いた無機結合剤を含有する従
来例１、２は、150℃で100時間経過後の密着強度
が初期値の18％以下に劣化しているのが判る。こ
のような電気回路（導体）はリードワイヤを軽く
押さえただけで剥離してしまい、実用性に乏し
い。また、導電率を見ると、実施例１、３、７、
９、或いは11、12のように、AgとPd又はPtの割
合がAg側に移行するにしたがつて、上つてくる
のは明白である。またそれに伴い、150℃で100時
間経過後の密着強度は劣化しているが、ガラスフ
リツトＡ〜Ｄを用いた無機結合剤を含有する導電
率の高いAg合金の導体組成物にて作つた電気回
路（導体）は、密着強度の熱的経時変化において
その劣化を押さえることができている。 尚、表―１のガラスフリツトＥは、一般的なホ
ウケイ酸亜鉛鉛系の非晶質のガラスである。ま
た、ガラスフリツトＦは、ホウケイ酸亜鉛鉛ガラ
スから鉛成分を除いた亜鉛ガラスである。これら
Ｅ、Ｆのガラスフリツトを含有する導体組成物
は、メタルの焼結する段階で結晶化が著しく弱い
か全く結晶化しないため、密着強度の熱的経時劣
化を押さえることができない。一方、Pt、Pdの
存在はガラスとメタルのマトリツクスの核になる
と思われ、それらが比較的多い組成では、より強
固にガラスとメタルのマトリツクスが形成し得る
と思われるが、それでも従来例のガラスフリツト
Ｅ、Ｆを用いた導体組成物では、長時間熱履歴を
受けた後の高エージング特性が得られない。 然して、前記表―４に示される半田の相異によ
るエージング特性及び焼成温度の相異によるエー
ジング特性では、実施例のガラスフリツトを用い
た無機結合剤を含有する導体組成物は、760〜920
℃の焼成条件では長時間の苛酷な加熱を受けても
全て充分なるエージング強度が得られ、しかも、
半田を変えても同様の結果がえられることが確認
された。 以上の説明で判るように、本発明による導体組
成物は、長時間の熱履歴を受けても高エージング
特性が備わつており、また初期半田ぬれ性も優れ
ているので、従来の導体組成物にとつて代わるこ
とのできる画期的なものと言える。
Claims (1)
- １ 微細に分割されたAgと、微細に分割された
Pd、Ptの少なくとも１種と、微細に分割された
無機結合剤とがビヒクル中に分散されて成る導体
組成物に於いて、前記無機結合剤がZnO30〜
60w／ｏ、B2O312〜25w／ｏ、PbO4〜35w／ｏ、
SiO25〜12w／ｏ、およびSnO2とMnO2の少なく
とも１種0.01〜3w／ｏより成るガラスフリツト
１重量部と酸化ビスマス1.5〜4.5重量部とから成
ることを特徴とする導体組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12756479A JPS5652805A (en) | 1979-10-03 | 1979-10-03 | Conductive composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12756479A JPS5652805A (en) | 1979-10-03 | 1979-10-03 | Conductive composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5652805A JPS5652805A (en) | 1981-05-12 |
| JPS6232562B2 true JPS6232562B2 (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=14963146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12756479A Granted JPS5652805A (en) | 1979-10-03 | 1979-10-03 | Conductive composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5652805A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH074486Y2 (ja) * | 1987-06-10 | 1995-02-01 | ミツミ電機株式会社 | 磁気センサの取付構造 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58167445A (ja) * | 1982-03-24 | 1983-10-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 半導体被覆用ガラス |
| FR2652226B1 (fr) * | 1989-09-19 | 1991-10-25 | Alsthom Gec | Procede de realisation de pistes conductrices pour circuits hybrides, notamment pour circuits hybrides de puissance. |
| JP4948876B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2012-06-06 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子用導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池素子の製造方法。 |
| JP5937904B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2016-06-22 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池電極用ペースト組成物 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5460497A (en) * | 1977-10-21 | 1979-05-15 | Toyo Dengu Seisakushiyo Kk | Conductive paste for thick film circuit |
-
1979
- 1979-10-03 JP JP12756479A patent/JPS5652805A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5460497A (en) * | 1977-10-21 | 1979-05-15 | Toyo Dengu Seisakushiyo Kk | Conductive paste for thick film circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH074486Y2 (ja) * | 1987-06-10 | 1995-02-01 | ミツミ電機株式会社 | 磁気センサの取付構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5652805A (en) | 1981-05-12 |
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| JPH0558201B2 (ja) |