CN1495804A - 电阻组成物、使用该组成物的电阻器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种电阻组成物、使用该组成物的电阻器及其制造方法。当由铜、锰和锗构成的导电金属混合粉的总重量为100份时,该金属混合粉通过混合重量份数为4.0-13.0的锰、重量份数为0.2-1.4的锗和重量份数为85.6-95.8的铜而形成,而后混合入重量份数为0-10玻璃粉和重量份数为0-10的氧化铜粉,其相对于这些金属组分的总量(重量为100份)而言的。然后对所获得的电阻糊料进行焙烧,从而获得具有低电阻值和低TCR的电阻组成物。此外,电阻器通过在基片上形成该电阻元件而形成。
Description
技术领域
本发明涉及电阻组成物、使用该组成物的电阻器及其制造方法,其中该电阻组成物用于一个电阻器以检测在电流检测电路或类似的电路中流动的电流。
背景技术
出于检测在设备或类似物的电子电路和/或电源电路中流动的电流的目的,需要有低电阻值和低电阻温度系数(TCR)的电阻器。这类电阻器使用诸如银(Ag)-钯(Pd)、铜(Cu)-镍(Ni)或铜-锰(Mn)合金等的电阻元件以获得低电阻性能,例如特许公开日本专利申请第8-83969号和第9-213503号所公开的。
现已提出了一种电流检测芯片电阻器,其使用铜-镍合金、铜-锰-锡(Sn)基合金、铜-锰-锗(Ge)基合金或类似物作为电阻组成物,并能控制由于电阻器温度变化而导致的电流检测精度的退化,例如特许公开日本专利申请第2002-50501号所公开的。
然而,在上述的铜-镍组分的电阻元件实例中,由于铜的固有特性,即铜的电阻值和TCR(电阻温度系数)是主要的,所以TCR会随着电阻值的降低而上升。此外,铜-锰电阻器也有一个问题,即它的本征电阻值会改变。因此,这些电阻糊料不能获得理想的性能(电流检测精度)。
此外,在上述的铜-镍电阻元件实例中, 因为其电阻率较高(0.65μΩm),所以存在一个问题,即不可能获得近来人们所要求的电阻值。
例如,当铜-镍组成为60:40时,其薄层电阻为35mΩ/□,而TCR为50×10-6/K。此外,当铜-镍组成为90:10时,其薄层电阻为15mΩ/□,而TCR为1200×10-6/K。
本发明是通过考虑到上述的各种问题而提出的;其目的在于提供具有较低电阻值的低TCR电阻组成物、使用该组成物的电阻器及其制造方法。
发明内容
下述方案是作为一种用于实现上述目的并解决上述问题的方法的实例而给出的。即根据本发明的电阻组成物含有:第一金属混合粉,其由铜粉、锰粉和锗粉构成,和/或第二金属混合粉,其由铜、锰和锗构成并含有由金属铜、锰和锗中的至少两种或者更多种构成的合金粉;玻璃粉和/或氧化铜粉;和媒介物,其包含树脂和溶剂。
例如,当第一金属混合粉和/或第二金属混合粉的总重量为100份时,该电阻组成物包括由重量份数为85.6-95.8的铜、重量份数为4.0-13.0的锰和重量份数为0.2-1.4的锗构成的组成物;和相对于重量为100份的金属混合粉重量份数为0-10的玻璃粉和/或氧化铜粉,以及重量份数为10-15的媒介物。且该氧化铜由CuO或Cu2O构成。
下述方案是作为另一种用于解决上述问题的方法的实例而给出的。即在绝缘基片上形成根据本发明的电阻器的电阻元件,含有相对于重量为100份的金属组分重量份数为0-10的玻璃粉和/或氧化铜粉,其是以包含铜、锰和锗的金属组分的重量为100份。且该氧化铜由CuO或Cu2O构成。
此外,下述方案是作为一种用于解决上述问题的方法而给出的。即制造该根据本发明的电阻组成物的方法包括:第一步,形成由铜粉、锰粉和锗粉构成的第一金属混合粉,和/或由铜、锰和锗构成的并含有由金属铜、锰和锗中的至少两种或者更多种所构成的合金粉的第二金属混合粉;第二步,混合入相对于重量为100份的第一金属混合粉和/或第二金属混合粉重量份数为0-10的玻璃粉和/或氧化铜粉;第三步,混合入相对于第一步和第二步组成物的总量重量份数为10-15的含有树脂和溶剂的媒介物;和当第一金属混合粉和/或第二金属混合粉的总重量为100份时,混合入重量份数为85.6-95.8的铜、重量份数为4.0-13.0的锰和重量份数为0.2-1.4的锗。且该氧化铜由CuO或Cu2O构成。
下述方案也是作为解决上述问题的另一种方法而给出的。即制造该根据本发明的电阻器的方法包括:称取铜、锰和锗等金属组分的重量;形成含有相对于重量为100份的金属组分重量份数为0-10的玻璃粉和/或氧化铜粉的电阻元件;和在绝缘基片上形成该电阻元件。且该氧化铜由CuO或Cu2O构成。
附图说明
图1是显示根据本发明实施例的电阻糊料制造过程的流程图;
图2是显示根据实施例的电阻元件成分的组成图;
图3是显示根据实施例的芯片电阻器剖面构型的简图;和
图4是说明根据实施例的电阻器制造过程的过程图。
具体实施方式
下面,参考附图和图表对本发明的一个代表性实例进行详细的说明。对于根据本发明的电阻糊料,例如成分为电阻组成物的电阻糊料,由下述组分构成:第一导电金属混合粉,其含有铜粉、锰粉和锗粉,和/或第二金属混合粉,其由铜、锰和锗构成并含有由金属铜、锰和锗中的至少两种或者更多种所构成的合金粉;待与金属混合粉混合的玻璃粉和/或氧化铜粉;和含有树脂和溶剂的媒介物。且电阻器由该电阻糊料制备而成。
在上述第一和/或第二电阻糊料的金属混合粉中,当混合粉的总重量为100份时,混合有作为金属组分的重量份数为4.0-13.0的锰、重量份数为0.2-1.4的锗和重量份数为85.6-95.8的铜。此外,相对于该金属组分的总量(总重为100份),上述玻璃粉的重量份数为0-10,氧化铜粉的重量份数为0-10。
使用玻璃粉的目的是为了实现后面即将说明的粘合剂组分与基片之间的物理粘着;若玻璃粉重量份数的比例超过10,则是不适当的,因为电阻率会上升。此外,使用氧化铜粉的目的是为了实现粘合剂组分与基片之间的化学粘着;如果氧化铜粉重量份数的比例超过10,电阻层会变得多孔,从而电阻层的光洁度会降低。
注意,根据本实施例的电阻糊料使用玻璃粉或氧化铜粉中的至少一种作为粘合剂组分,且不存在两者重量份数的总和为0的情况,因为这样就不能够与基片粘合了。
而且,在本实施例中,适合于涂印的电阻糊料粘性,优选地通过混合重量份数为10-15的含有树脂和溶剂的媒介物从而使电阻元件呈糊状而获得。而且,根据适印性,组分数量也可以超过这一范围。
在根据本实施例的电阻糊料中,除了由铜、锰和锗粉构成的金属混合粉之外,也可以使用含有由这些金属中的至少两种或者更多种所构成的合金粉的金属粉作为导电金属混合粉,或者这两种混合粉同时使用。
在上述的任何一种实例中,如果最终结合的铜、锰和锗的组成物比例为上述比例的话,那么该电阻糊料就可以获得理想的性能,如电阻值和TCR等。
作为电阻糊料导电金属混合材料的金属粉(铜、锰和锗粉),其颗粒直径优选地处于在基片上进行丝网印刷所允许的范围内。例如,颗粒直径的范围优选地为0.1μm-20μm。
适合于作为根据本实施例的电阻糊料玻璃粉的材料优选地以硼硅酸盐基玻璃为组分,其不仅具有使电阻糊料与绝缘基片粘合从而形成电阻层的能力,以及电阻元件所需的各种稳定性能,而且从可使用性的观点来看,其还具有耐酸、防水、软化点为500-1000℃等性能。
因此,硼硅酸钡基玻璃、硼硅酸钙基玻璃、硼硅酸钡钙基玻璃、硼硅酸锌基玻璃、硼酸锌基玻璃,或者类似物,都可以用作该玻璃粉。
此外,玻璃粉的颗粒直径优选地处于丝网印刷所允许的范围内,例如,颗粒直径优选地为0.1μm-20μm。更明确地讲,平均颗粒直径优选地为2μm或者更低。
在本实施例中,适合于作为氧化铜粉的氧化铜的材料优选地具有使电阻糊料与绝缘基片粘合从而形成电阻层的能力,以及电阻元件所需的各种稳定性能。例如,CuO(氧化铜)和Cu2O(氧化亚铜)都可以使用。此外,氧化铜粉的颗粒直径优选地处于丝网印刷所允许的范围内,例如,颗粒直径优选地为0.1μm-20μm;更明确地讲,平均颗粒直径优选地为2μm或者更低。
同时,根据本实施例,作为用于由树脂和溶剂构成的电阻糊料媒介物的树脂,比如纤维素树脂、丙烯酸树脂、醇酸树脂,或者类似物,既可以单独使用,也可以将它们混合使用。更明确地讲,例如可以使用乙基纤维素、乙基丙烯酸、丁基丙烯酸、乙基异丁烯酸、丁基异丁烯酸,或者类似物。
此外,例如萜烯基溶剂、酯醇基溶剂、芳烃基溶剂、酯基溶剂,或者类似物,既可以单独使用,也可以混合起来作为由树脂和溶剂构成的电阻糊料媒介物的溶剂使用。更明确地讲,例如可以使用萜品醇、二羟基萜品醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇、texanol、二甲苯、异丙苯、甲苯、乙酸二乙烯基乙二醇一甲基醚、乙酸二乙烯基乙二醇一乙基醚、乙酸二乙烯基乙二醇一丁基醚,或者类似物。
注意,媒介物的配方并不仅限于上述的树脂和溶剂,为了改进电阻糊料的性能可以加入各种添加剂。
图1图解了电阻糊料的制造过程,该电阻糊料是根据本实施例的一种电阻组成物。在附图的步骤S1中,混合用作该电阻糊料导电金属混合材料的金属粉。在该实例中,混合的是铜、锰和锗粉。
如上所述,该金属粉的特定混合比率为:当例如全部金属混合粉的重量为100份时,铜粉的重量份数为85.6-95.8,其平均颗粒直径为例如1.1μm,锰粉的重量份数为4.0-13.0,其平均颗粒直径为例如10μm,而锗粉的重量份数为0.2-1.4,其平均颗粒直径为例如10μm。
在随后的步骤S2中,玻璃粉和/或氧化铜粉与步骤S1中所混合的金属混合粉相混合。例如在本实例中,混合入相对于Cu-Mn-Ge金属粉的总量重量份数为0-10的玻璃粉和重量份数为0-10的氧化铜粉。
在步骤S3中混合入媒介物。电阻糊料是通过添加相对于上述Cu-Mn-Ge金属混合粉与玻璃粉和/或氧化铜粉的总组成物的量重量份数为10-15的媒介物而制得的,该媒介物由有机树脂和溶剂构成(例如含有重量百分数为2.5的乙基纤维素的texanol溶液),而后用3轧辊轧机对它们进行捏制。
根据本实施例,电阻元件是通过涂印由上所获得的电阻糊料从而使之沿铜电极扩展而制得的,该电极在铝的重量百分数为96的铝基片上形成。然后使电阻糊料干燥,并在氮气(N2)气氛中在例如980℃下烧结10分钟。在本实例中,电阻元件的尺寸为1mm×52mm,以免受到铜电极的影响,且烧结后电阻元件薄膜的厚度为20.3μm。
表1显示了通过上述烧结而获得的电阻元件的性能。根据本实施例,电阻糊料的制备过程如下:以表中所示的混合比率(单位为重量百分数(wt%))混合Cu-Mn-Ge金属合金粉,添加并充分混合玻璃粉(5wt%)和氧化铜粉(5wt%),接着进一步向其中添加媒介物。
也就是说,表1显示了电阻率(μΩm)和电阻温度系数(TCR),它们是通过烧结上述电阻糊料而获得的各种电阻元件(样品Nos.1-17)的特征值。注意,决定电阻元件电阻率和TCR的电阻值是在25℃和125℃下测定的。
表1
样品编号No. | Cu[wt%] | Mn[wt%] | Ge[wt%] | 电阻率[μΩm] | TCR×10-6/K |
1 | 83.8 | 16.0 | 0.2 | 0.75 | 45 |
2 | 86.8 | 13.0 | 0.2 | 0.63 | 73 |
3 | 90.0 | 10.0 | 0.0 | 0.63 | 260 |
4 | 91.8 | 8.0 | 0.2 | 0.32 | 92 |
5 | 95.8 | 4.0 | 0.2 | 0.35 | 820 |
6 | 98.9 | 1.0 | 0.1 | 0.16 | 2200 |
7 | 86.7 | 13.0 | 0.3 | 0.60 | 40 |
8 | 92.5 | 7.0 | 0.5 | 0.48 | 45 |
9 | 98.5 | 1.0 | 0.5 | 0.21 | 1450 |
10 | 86.5 | 13.0 | 0.5 | 0.61 | 55 |
11 | 89.8 | 9.5 | 0.7 | 0.47 | 28 |
12 | 89.0 | 10.0 | 1.0 | 0.61 | 38 |
13 | 95.0 | 4.0 | 1.0 | 0.34 | 90 |
14 | 98.0 | 1.0 | 1.0 | 0.25 | 580 |
15 | 92.6 | 6.0 | 1.4 | 0.40 | 86 |
16 | 96.6 | 2.0 | 1.4 | 0.25 | 330 |
17 | 96.2 | 2.0 | 1.8 | 0.38 | 360 |
现在对根据本实施例的电阻糊料的一些实例(实例1-3)的特性进行说明。首先说明实例1(相应的电阻元件为表1中的No.11)。根据实例1的电阻元件的电阻糊料为糊料状,其制备过程如下:称重和混合重量份数为89.8的铜粉、重量份数为9.5的锰粉和重量份数为0.7的锗粉,向该混合粉中添加并充分混合重量份数为5的氧化铜粉和重量份数为5的玻璃粉,接着进一步向该混合粉中添加重量份数为12的媒介物,随后用3轧辊轧机对它们进行捏制。
所获得电阻糊料的电阻元件通过上述的烧结而制得;且电阻率和电阻温度系数通过测量电阻元件的电阻值而确定。实例1的电阻元件,其电阻率为0.47μΩm,而电阻温度系数为28×10-6/K。注意,在2mm×2mm的区域内进行测量,结果电阻元件与基片之间的粘着强度为41.6N。
实例2对应于表1中的电阻元件样No.7;该电阻糊料的制备过程如下:称重并混合重量份数为86.7的铜粉、重量份数为13.0的锰粉和重量份数为0.3的锗粉,向该混合粉中添加并充分混合重量份数为5的氧化铜粉和重量份数为5的玻璃粉,接着进一步向该混合粉中添加重量份数为12的媒介物,随后用3轧辊轧机对它们进行捏制。
通过烧结根据实例2的电阻糊料而获得的电阻元件的电阻率为0.60μΩm,而电阻温度系数为40×10-6/K,其数值的确定与上面实例1的方法相同。
实例3对应于表1的电阻元件样品No.8;该电阻糊料的制备过程如下:称重并混合重量份数为92.5的铜粉、重量份数为7.0的锰粉和重量份数为0.5的锗粉,向该混合粉中添加并充分混合重量份数为5的氧化铜粉和重量份数为5的玻璃粉,接着进一步向该混合粉中添加重量份数为12的媒介物,随后用3轧辊轧机对它们进行捏制。
然后用与上面实例1中相同的方法,测量通过烧结根据实例3的电阻糊料而获得的电阻元件的性能。结果,其电阻率为0.48μΩm,而电阻温度系数为45×10-6/K。
下一电阻元件是作为对比实例而制备的。即称重和混合重量份数为57.0的铜粉和重量份数为43.0的镍粉,向该混合粉中添加并充分混合重量份数为5的氧化铜粉和重量份数为5的玻璃粉。通过进一步向该混合粉中添加重量份数为12的媒介物而获得电阻糊料,随后用3轧辊轧机对它们进行捏制。
对通过烧结该铜-镍电阻糊料而获得的电阻元件的性能进行测量的结果为,电阻率是0.65μΩm,而电阻温度系数是80×10-6/K。
图2是显示根据本实施例的电阻元件成分的组成图。在附图中,圆(O)内的数字分别对应于表1所示的样品编号Nos.1-17,且每种样品的Cu-Mn-Ge混合比率也已在图中标出。此外,处于附图中粗线所示范围内的Cu-Mn-Ge混合比率是优选的金属组分混合范围,其使所获得的电阻元件具有理想的低电阻值和低电阻温度系数。
也就是说,任何处于图2所示“优选范围”之外的电阻元件都是不合适的,因为它们的电阻率会大于0.65μΩm,该值是由传统铜-镍电阻糊料所制得的电阻元件的电阻率(见上述的对比实例),或者它们的电阻温度系数会大于靶定值(小于±100×10-6/K)。
图3显示的是使用根据本实施例的电阻糊料制得的平面型芯片电阻器(下文简称为芯片电阻器)实例的剖面构型。附图中,基片1是例如具有预确定尺寸的芯片状电绝缘陶瓷基片(绝缘基片)。电阻层2是通过用例如丝网印刷涂布该电阻糊料而在基片1上形成的,其中该电阻糊料是通过混合上述金属混合粉而制得的。然后对电阻层2进行烧结。
电阻层2的顶部用前玻璃(pre grass)7加以涂布和保护。而且,在前玻璃(pre grass)7的上面装备有起绝缘薄层作用的保护薄层3。在基片1的两个末端上和电阻层2两个末端的下面形成了上电极(表面电极)4a和4b,其相互电连接。此外,下电极(背部电极)5a和5b在基片底部的两末端处形成。为了将上电极4a和4b与下电极5a和5b电连接,在基片1的每个侧端上,将末端电极6a和6b施加在这些电极之间。
此外,外部电极8a通过电镀覆盖至少部分的上电极4a、下电极5a和末端电极6a而形成。类似地,外部电极8b通过电镀覆盖至少部分的上电极4b、下电极5b和末端电极6b而形成。
例如,铝基片、镁橄榄石基片、多铝红柱石基片、氮化铝基片、玻璃陶瓷基片,或者类似物,都可以用作该电阻器的绝缘基片。
此外,铜、锰和锗金属粉以上述比率加以混合的金属混合粉,或者铜、锰和锗的合金粉被用作电阻层2的导电金属组分。为了使用该铜、锰和锗的组成物,要对其进行烧结而使之成为合金。
下面,对根据本实施例的含有上述构型的电阻器的制造过程进行说明。图4是用于说明该根据实施例的电阻器制造过程的过程图。首先,在图4的步骤S11中,进行制造上述基片1的工序。注意,用作基片的是含铝96wt%的铝基片。
尽管基片,例如尺寸与预确定的制造单元尺寸相等的矩形基片,的形状已被制定,但是基片可以制成任意的尺寸,因此可以同时制备出不同的基片,使每个基片的尺寸都与每个电阻器相适应,或者每个基片的尺寸都与多个电阻器相适应。
在随后的步骤S12中,下电极(背部电极)5a和5b用丝网印刷进行厚膜涂刷(thick-film printing)而在基片1的底部(安装电阻器时的焊接侧)上形成,随后对该背部电极进行烧结。更明确地讲,背部电极是通过在铝基片的背部涂刷铜糊料(Cu糊料)而形成的,然后对其进行干燥,并在氮气(N2)气氛下于例如960℃烧结10分钟。
接着,在步骤S13中,上电极(表面电极)4a和4b用丝网印刷进行厚膜涂刷(thick-film printing)而在基片1的顶面(电阻元件在其上形成)上形成,随后对该顶部电极进行烧结。更明确地讲,表面电极是通过在铝基片的顶部涂刷铜糊料而形成的,然后对其进行干燥,并在氮气气氛下于例如960℃烧结10分钟。
注意,上电极(表面电极)4a和4b与下电极(背部电极)5a和5b可以同时焙烧。
在本实施例中,通过使用铜糊料作为电极材料和常规电阻器,并用铜糊料在背部和顶部进行厚膜涂刷(thick-film printing),从而避免了由于银的电子迁移(electronic migration)而导致的可靠性下降的问题。同时,在氮气(N2)气氛或者惰性气体气氛中进行烧结是为了防止铜电极的氧化。注意,烧结温度并不仅限于960℃,例如也可以在980℃下进行烧结。
在步骤S14中,例如,电阻糊料厚膜是通过在上电极(表面电极)4a和4b之间涂覆上述电阻糊料从而使部分糊料与上电极(表面电极)4a和4b相重叠而形成的。然后在氮气(N2)气氛下于例如960℃对该电阻糊料厚膜进行焙烧。注意,烧结温度也可以是980℃。
在本实施例中,通过向电阻糊料中添加氧化铜,便可能获得基片与电阻元件之间的良好粘着;并且通过玻璃(例如ZnBSiOx玻璃),便可能获得较好的无机粘合剂薄膜强度。而且,使用有机粘合剂,媒介物可以起到提供适印性的作用。
在步骤S15中,前玻璃(pre grass)涂布的厚膜通过涂刷或者类似的方法而在电阻层2上形成,而电阻层2又是以上述的方式形成的。然后,对该厚膜进行干燥和焙烧。例如在本实例中,前玻璃(pre grass)涂层是通过在电阻元件上涂刷ZnBSiOx基玻璃糊料而形成的,然后对其进行干燥,最终在氮气气氛下于例如670℃烧结10分钟。
注意,烧结温度也可以是690℃。此外,玻璃糊料并不仅限于ZnBSiOx基玻璃糊料,上述的硼硅酸钡基玻璃、硼硅酸钙基玻璃、硼硅酸钡钙基玻璃、硼硅酸锌基玻璃,或者硼酸锌基玻璃也可以使用。
接着,在步骤S16中,如果需要的话,可以对电阻元件进行修整(trimming)(调节电阻值)。通过该修整,电阻值可以通过使用例如激光束或喷沙器对电阻元件样品进行切割而加以调节。
在步骤S17中,外涂层,例如具有绝缘层功能的保护层3,是通过成形环氧树脂而形成的,而该环氧树脂的成形又是通过丝网印刷覆盖前玻璃层和部分的上电极4a和4b,然后对其进行硬化而实现的。
然后,如果需要的话,通过在外涂层(保护层3)上涂刷环氧树脂而形成用于显示电阻值及类似性质的显示截面,并随后对其进行硬化。
进一步,在步骤S18中进行A分割(初次分割),从而将铝基片分割成条带。在随后的步骤S19中,通过喷涂,在条带状铝基片的边缘上形成NiCr合金层从而形成末端电极6a和6b。注意,NiCr合金层的形成并不仅限于喷涂,也可以通过真空蒸发或类似的方法而形成。
在步骤S20中进行B分割(二次分割),从而使上面已经形成末端电极6a和6b的条带状铝基片进一步分割成芯片。所获得的芯片的尺寸为例如3.2mm×1.6mm。
在步骤S21中,外部电极8a和8b在上电极4a和4b未被保护层3覆盖的部分、下电极5a和5b以及末端电极6a和6b上形成。
例如,外部电极8a和8b依次为电解产生的镍(Ni)镀层、电解产生的铜(Cu)镀层、电解产生的镍(Ni)镀层和电解产生的锡(Sn)镀层,即该堆叠为Ni层-Cu层-Ni层-和Sn层。
如上制得的具有3.2mm×1.6mm芯片尺寸的电阻器,具有例如470μm的基片厚度、20μm的上电极厚度、20μm的下电极厚度、30-40μm的电阻层厚度、10μm的前玻璃涂层厚度、30μm的保护层厚度、0.05μm的末端电极厚度;且构成外部电极厚度的依次为3-7μm厚的Ni层、20-30μm厚的Cu层、3-12μm厚的Ni层和3-12μm厚的Sn层。
当使用本实施例的电阻糊料制造电阻器时,在对电阻糊料和后烧结电阻元件进行烧结的方法中,该电阻糊料优选地在中性气氛或惰性气氛(例如氮气气氛)中在600-1000℃下进行烧结。注意,上述电阻糊料的烧结时间可以任意设定。因此,可以获得铜-锰-锗基电阻元件,更优选地,铜-锰-锗合金电阻元件。
如上所述,根据本发明,可以制得具有低电阻值和低TCR的电阻组成物和电阻器。
也就是说,作为电阻糊料的材料,通过将导电金属粉如铜-锰-锗(Cu-Mn-Ge)与玻璃粉和/或氧化铜粉进行混合,而后对其进行烧结,从而制成电阻元件,这样便可能使电阻率比由铜-镍电阻糊料制成的电阻元件的电阻率更低,并可能降低该电阻元件的TCR。
此外,因为芯片电阻器能够采用具有这些特性的电阻糊料制备而成,所以该芯片电阻器可能成为最适合于要求电阻器具有低电阻率和低TCR的应用领域的芯片电阻器,如用于检测在电源电路和/或发动机电路中流动的电流的电阻器(分路变阻器)。
虽然本文通过参考特殊的实施例举例对本发明进行了说明,但是对于熟悉本技术领域的人员而言,还可以在附加权利要求的范围内对其进行进一步的修正和改进,而不脱离本发明更宽领域的范围。
Claims (9)
1.一种电阻组成物,包含:
第一金属混合粉,其由铜粉、锰粉和锗粉构成,和/或第二金属混合粉,其由铜、锰和锗构成,它们包含由金属铜、锰和锗中的至少两种或者更多种构成的合金粉;
玻璃粉和/或氧化铜粉;和
媒介物,其包含树脂和溶剂。
2.根据权利要求1的电阻组成物包含:
组成物,当以该第一金属混合粉和/或该第二金属混合粉的总重量为100份时,其由重量份数为85.6-95.8的铜、重量份数为4.0-13.0的锰和重量份数为0.2-1.4的锗构成;玻璃粉和/或氧化铜粉,其重量份数为0-10;和媒介物,其相对于重量为100份的该金属混合粉的重量份数为10-15。
3.根据权利要求2的电阻组成物,其中该氧化铜由CuO或Cu2O构成。
4.在绝缘基片上形成电阻元件的电阻器,包含,玻璃粉和/或氧化铜粉,当以由铜、锰和锗构成的金属组分的重量为100份时,其相对于重量为100份的该金属混合粉的重量份数为0-10。
5.根据权利要求4的电阻器,其中该氧化铜由CuO或Cu2O构成。
6.一种电阻组成物的制造方法,包括:
第一步,形成由铜粉、锰粉和锗粉构成的第一金属混合粉,和/或由铜、锰和锗构成的第二金属混合粉,它们含有由金属铜、锰和锗中的至少两种或者更多种所构成的合金粉;
第二步,混合入玻璃粉和/或氧化铜粉,其相对于重量为100份的第一金属混合粉和/或第二金属混合粉的重量份数为0-10;和
第三步,混合入含有树脂和溶剂的媒介物,其相对于在第一步和第二步混合获得的粉的总量的重量份数为10-15;
其中,当该第一金属混合粉和/或该第二金属混合粉的总重量为100份时,混合了重量份数为85.6-95.8的铜、重量份数为4.0-13.0的锰和重量份数为0.2-1.4的锗。
7.根据权利要求6的电阻组成物制造方法,其中该氧化铜由CuO或Cu2O构成。
8.一种电阻器的制造方法,包括:
称取铜、锰和锗等金属组分的重量的步骤;
形成含有玻璃粉和/或氧化铜粉的电阻元件的步骤,该玻璃粉和/或氧化铜粉含有的相对于重量为100份的上述称取的金属组分的重量份数为0-10;和
在绝缘基片上形成该电阻元件的步骤。
9.根据权利要求8的电阻器制造方法,其中该氧化铜由CuO或Cu2O构成。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP267610/2002 | 2002-09-13 | ||
JP2002267610A JP4623921B2 (ja) | 2002-09-13 | 2002-09-13 | 抵抗組成物および抵抗器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1495804A true CN1495804A (zh) | 2004-05-12 |
CN1312703C CN1312703C (zh) | 2007-04-25 |
Family
ID=31986710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB031581412A Expired - Fee Related CN1312703C (zh) | 2002-09-13 | 2003-09-12 | 电阻组成物、使用该组成物的电阻器及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7238296B2 (zh) |
JP (1) | JP4623921B2 (zh) |
CN (1) | CN1312703C (zh) |
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---|---|
US7238296B2 (en) | 2007-07-03 |
US20040051085A1 (en) | 2004-03-18 |
CN1312703C (zh) | 2007-04-25 |
JP2004104047A (ja) | 2004-04-02 |
JP4623921B2 (ja) | 2011-02-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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