JP4247682B2 - 混成集積回路装置 - Google Patents

Description

本発明は厚膜回路基板と電子部品とから成る混成集積回路装置、特に絶縁性の基板上に形成される配線パターン（導体膜）が銅導体から成るものに関する。

混成集積回路装置を構成する厚膜回路基板の一種に、絶縁性の基板上に銀導体又は銅導体で導体膜（配線パターン）を形成したものがある。導体膜としては銀から成る銀導体膜が一般的であるが、マイグレーション性が劣り、電気抵抗が大きい欠点がある。これを考慮して、マイグレーション性に優れ、電気抵抗が小さい銅から成る銅導体膜を使用することがある。

銅導体膜は、銅粉末に酸化物、ガラス粉末及びビヒクルを加えて調整した銅導体ペーストを、基板上にスクリーン印刷法で印刷し、焼成して形成されている。焼成時の温度が低いこと即ち銅が低温（６００から７００℃程度）で溶融することが望まれる場合がある。例えば、基板の上にルテニウムから成る抵抗体膜を搭載し基板及び抵抗体膜の上に銅導体膜を形成する場合、銅導体ペーストは窒素雰囲気で焼成するので、焼成温度が高すぎるとルテニウムが還元されてしまうからである。

これを考慮して、従来の銅導体ペースト（特許文献１参照）では、銅（Ｃｕ）に銅以外の添加金属としてチタン（Ｔｉ）やマンガン（Ｍｎ）を混合して、銅合金の融点を下げている。
特開２０００−４８６４０号

しかし、従来例ではチタンやマンガンを金属粉末の状態で銅粉末と混合しているため、チタン粉末やマンガン粉末が銅粉末内へ均一に分散し難い。不均一な分散の結果、銅導体膜内のチタンやマンガンが少ない部分ではボイド（空洞）ができ、ポーラスな構造となる。このポーラス構造は、特に銅導体膜にはんだを介して電子部品を実装する際に問題となる。はんだ付けの際、はんだ内のすず（Ｓｎ）がポーラスな銅導体膜内に拡散して合金層を作り、銅導体膜と基板との結合を破り、界面で剥離が発生し易くなる。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、絶縁性基板上に銅導体ペーストの焼成により銅導体膜を形成するに当たり、銅導体膜が緻密な構造を持つ厚膜回路基板を含む混成集積回路装置を提供することを目的とする。

本願の発明者は、厚膜回路基板における銅導体ぺ一ストの調整時、銅粉末に添加する添加金属を有機金属とすることを着想して、本発明を完成した。

本発明の混成集積回路装置は、請求項１に記載したように、絶縁性の基板と、基板上に形成され銅粉末に、有機チタン、有機マンガン、有機ゲルマニウム、有機銀より選ばれる有機金属、硼珪酸鉛系のガラスの酸化物を添加した銅導体ペーストを６００から７００℃の焼成温度で焼成して成る銅導体膜とを含む厚膜回路基板と、銅導体膜上にはんだによりはんだ付けされた電子部品と、から成る。この混成集積回路装置において、銅導体膜ははんだではんだ付けした電子部品と、銅導体膜に実装される他の電子部品とを接続する。銅導体膜は銅粉末に有機金属を添加した銅導体ペーストを焼成して成るので緻密な構造を持つ。銅導体ぺ一ストの焼成温度が６００から７００℃と低いので、焼成時に他の部品に悪影響を与えない。

本発明にかかる混成集積回路装置によれば、厚膜回路基板の銅導体膜が銅粉末に有機金属を添加した銅導体ペーストを用いて焼成するため、銅導体ぺ一スト中に有機金属が均一に分散し導体の焼結が均一に起こり、緻密な導体膜構造を持つ。従って、はんだ内のすずと銅とが合金層を形成するスピードが遅くなり、合金層の進展による銅導体膜と基板との界面での分離が防止できる。

請求項２の混成集積回路装置によれば、ガラスの酸化物は、軟化点が４３０℃以下であるので、基板と銅導体膜との密着性を確実に得ることができる。請求項３の混成集積回路装置によれば、有機マンガンは、０．５〜２％で銅導体ペーストに含まれるので、請求項１の効果が容易かつ確実に得られる。請求項４の混成集積回路装置によれば、有機マンガンは、０．７〜２％で銅導体ペーストに含まれるので、請求項１の効果が容易かつ確実に得られる。請求項５の混成集積回路装置によれば、銅粉末は、平均粒径が１μｍの粉末と２μｍの粉末の混合粉末であるので、基板と銅導体膜との密着性を確実に得ることができる。請求項６の混成集積回路装置によれば、銅導体膜の膜厚が５０から２００μｍであるので、配線抵抗値が低くなり、その結果導体電圧ドロップが低くなり、消費電力を低減できる。

請求項７の混成集積回路装置によれば、基板と銅導体膜との間にボンディング導体膜や抵抗体膜が形成されているので、これらを利用して所望の厚膜回路基板を構成できる。

請求項８の混成集積回路装置によれば、抵抗体が酸化ルテニウム等のように銀系抵抗体であっても、銅導体膜と容易かつ確実に接続できる。請求項９の混成集積回路装置によれば、基板と銅導体膜との間に介在したガラス層が、基板と銅導体膜との間の結合強度を向上させる。

請求項１０の混成集積回路装置によれば、基板と銅導体膜との間に銀導体膜が形成されているので、換言すれば銀導体膜の上に銅導体膜が形成された二重膜構造を採用しているので、配線抵抗をより小さく抑えることができる。

請求項１１の混成集積回路装置によれば、銀導体膜は銀導体ペーストの焼成により、銅導体ぺ一ストから銅導体膜の焼成と同じ工程で形成でき、作製工程が複雑化しない。請求項１２の混成集積回路装置によれば、銀導体ぺ一ストの焼成温度は８００から９００℃であるので、抵抗体と同じ工程で形成でき、作製工程が複雑化しない。

＜混成集積回路装置＞
本発明の混成集積回路装置は厚膜回路基板と、電子部品とから成り、厚膜回路基板は絶縁性の基板及び銅導体膜を含む。このうち、基板は絶縁性材料（例えばアルミナ基板）から成り、形状や厚さに特別の制約はない。なお、基板は一つの又は複数の貫通孔を備えることができる。

導電性の銅導体膜は銅導体ペーストを焼成して形成されたもので、その膜厚は５０から２００μｍである（請求項６参照）。このように、銅導体膜の膜厚を厚くすることで配線抵抗値を低く抑えることができ、その結果導体電圧ドロップが小さくなり、配線での消費電力が小さくなる等、混成集積回路装置としての製品特性が向上する。

銅導体ぺ一ストは銅粉末に有機金属を添加して調整し、焼成温度は６００から７００℃である。この焼成温度であれば、抵抗体等の部材に高熱による悪影響を与えるおそれが少ない。

絶縁性の基板上の銅導体膜が形成されている部分には、少なくともはんだにより電子部品が実装されている。基板上には更にボンディング導体膜及び／又は抵抗体膜が形成され、その上に銅導体膜が形成されていても良い（請求項７参照）。抵抗体膜は銀系抵抗体膜、例えばルテニウムから成る（請求項８参照）。ボンディング導体膜及び／又は抵抗体膜は基板の上面に形成しても良いし、下面に形成しても良い。

＜銅導体ぺ一スト＞
銅導体ぺ一ストは銅粉末に有機金属を添加して調整する。有機金属とは、樹脂の分子構造を持ち、その分子構造の一部に金属原子が結合している化合物であり、有機チタン、有機マンガン、有機ゲルマニウム、有機銀より選ばれる化合物が挙げられる。有機金属化合物は配位化合物の一種とみなすことができ、有機基は中心金属に対する配位子と考えられる。ナフテン酸塩等の骨格部分にマンガンなどが結合している。なお、ナフテン酸塩の他、テトラエチルチネタートやオクチルアルコート等で骨格部分を形成しても良い。

＜ガラス膜、銀導体膜＞
絶縁性の基板の上に直接銅導体膜を形成するのではなく、基板の所定部分（例えば電子部品の搭載部分）と銅導体膜との間にガラス層を介在させることができる（請求項９参照）。ガラス層はガラスペーストの焼成により形成できる。また、基板上の所定部分（例えば、電子部品の搭載部分）にはじめに銀導体膜を形成し、その後銅導体膜を形成することもできる（請求項１０参照）。この場合、銀導体膜は銀導体ペーストを焼成して形成され、その焼成温度は８００から９００℃である（請求項１１、１２参照）。

以下、本発明の実施例を添付図面を参照しつつ説明する。

＜第１実施例＞
第１実施例に係る混成集積回路装置について、図１から図７を用いて説明する。
（混成集積回路装置）
図１に示す混成集積回路装置は、厚膜回路基板２５と、その上に実装された電子部品 とから成る。厚膜回路基板２５はアルミナ基板１０と、その上面の一部に搭載されたボンディング導体膜（Ｂｇ導体膜）１３及び抵抗体膜１６と、基板１０、Ｂｇ導体１３及び抵抗体膜１６上に形成された銅導体膜（配線パターン）２０から２２とを含む。銅導体膜２１にはんだ３５及び３６により電子部品３８がはんだ付けされている。

アルミナ基板１０はアルミナを主成分（９６重量％）とするもので、Ｂｇ導体膜１３はＡｇ−Ｐｄから成り、電子部品（不図示）のアルミナワイヤが超音波にて電気的に接続されるものである。抵抗体膜１６は酸化ルテニウム（ＲｕＯ₂）から成る。銅導体膜２０は、次述するように、銅粉末に有機金属を添加した銅導体ぺ一ストを焼成して形成したものである。結局、Ｂｇ導体膜１３に接続された電子部品と電子部品３８とが、銅導体膜２０，抵抗体膜１６及び銅導体膜２１を介して接続されている。
（混成集積回路装置の作製方法）
（イ）抵抗体膜及びボンディング導体の形成
図２に示すように、ボンディング導体（以下「Ｂｇ導体」という）ぺ一スト（田中貴金属製ＴＲ４８４６ぺ一スト）、及び一般的な大気焼成用抵抗体膜ぺ一スト（例えばDｕpont製２１００ＳＲ）を用いて、アルミナ基板１０上にスクリーン印刷でＢｇ導体ペースト１３Ａ及び抵抗体膜ペースト１６Ａを形成した。

その後、アルミナ基板１０、Ｂｇ導体ペースト１３Ａ及び抵抗体膜ペースト１６Ａを１２５℃にて１０分間乾燥させ、８５０℃で６０分間焼成した。こうして、図３に示すように、厚さ１０から３０μｍでＢｇ導体膜１３と、厚さ１０から３０μｍの抵抗体膜１６とを形成した。

（ロ）銅導体ぺ一ストの調製
銅導体ぺ一ストは金属成分である銅（Ｃｕ）粉末と、有機マンガン（Ｍｎ）からなる添加剤と、酸化銅と、硼珪酸鉛系のガラスの酸化物と、ビヒクルとを混合し、混合物を三本ロールミルにて混練して調整した。

このうち、銅粉末は球形で、平均粉径１μｍの銅粉末と２μｍの銅粉末との混合粉である。有機マンガンとしてナフテン酸塩の骨格にマンガンが結合したものを使用した。酸化銅は粉径１から２μｍであり、ガラスの酸化物は平均粉径３μｍで軟化点４３０℃である。酸化銅及びガラスの酸化物は銅とアルミナ基板１０との密着硬度を上げるために混合されている。樹脂及び溶剤を含むビヒクルは銅粉末ペーストの粘度を保つもので、テルピネオール９５％にエチレンセルロース（粘度１００ｃｐ）５重量％を溶かしたものを用いた。

これらの混合比は、重量比で銅粉末８１重量％／有機マンガン１重量％／酸化銅５重量％／ガラスの酸化物５重量％／ビヒクル８重量％である。

（ハ）銅導体膜の形成
次に、図４に示すように、上記銅導体ぺ一スト２０Ａ、２１Ａ及び２２Ａをアルミナ基板１０上にスクリーン印刷し、１２５℃にて１０分間乾燥させた。銅導体膜２０はＢｇ導体膜１３及び抵抗体膜１６を電気的に接続し、銅導体膜２１及び２２は電子部品３８の搭載ランドを形成するものである。従って、銅導体ぺ一スト２０ＡはＢｇ導体部１３及び抵抗体膜１６を覆う範囲に、銅導体ぺ一スト２１Ａ及び２２Ａは電子部品３８の搭載位置に形成する。その後、図５に示すように、銅導体ぺ一スト２０Ａから２２Ａを６５０℃で１０分焼成して、厚さ１０から３０μｍの銅導体膜２０を形成した。

（ニ）オーバコートガラス膜の形成
図６に示すように、抵抗体膜１６の保護及び電子部品３８の搭載位置のはんだダムを形成するため、抵抗体膜１６を覆う範囲にオーバコートガラスペースト３０Ａでスクリーン印刷をし、１２５℃にて１０分間乾燥させた。その後、オーバコートガラスペースト３０Ａを６００℃で６０分間焼成してオーバコートガラス膜３０を形成した。

（ホ）電子部品の搭載
図７に示すように、銅導体膜２１及び２２にはんだぺ一スト（不図示）でスクリーン印刷をし、はんだペースト上に電子部品３８を搭載し、２３５℃のリフロを実施した。その結果、電子部品３８がはんだ３５及び３６ではんだ付けされ、上記図１に示した混成集積回路装置が完成した。

（比較例）
第１比較例として銅粉末にマンガン粉末を１重量％添加した銅導体ぺ一ストを調整し、第２比較例として銅粉末に金属を一切添加しない銅導体ぺ一ストを調整した。これらのペーストを上記第１実施例の銅導体ぺ一ストと同様に基板上にスクリーンで印刷し、焼成した。こうして、マンガン粉末が有機マンガンと同量だけ添加されている第１比較例の混成集積回路装置と、添加金属が全く添加されていない第２比較例の混成集積回路装置とを作成した。

（強度試験）
第１実施例の厚膜回路基板２５の銅導体膜２１及び２２にはんだ３５及び３６で電子部品３８を実装した混成集積回路装置を、冷熱サイクル雰囲気で、はんだ付けの強度試験を行った。冷熱サイクル雰囲気は、−４０℃での３０分の保持と１５０℃での３０分の保持とを一サイクルとし、このサイクルを繰り返した。その後、引張試験にてはんだ３５及び３６による電子部品３８のはんだ付け部分の接着強度を測定した。

第１及び第２比較例の厚膜回路基板の銅導体膜にはんだで電子部品を実装した混成集積回路装置も、同様の条件で強度試験を行った。表１に、１０００サイクル耐久試験後のはんだ付け部分の接着強度を示す。

第１実施例、第１比較例及び第２比較例を比較すると、第１実施例の銅導体膜を含む混成集積回路装置が、第１比較例及び第２比較例の銅導体膜を含む混成集積回路装置よりも強い接着強度を有し、接着強度が安定していることがわかる。

次に、銅粉末への有機マンガンの添加量と、所定時間後のはんだ付け部の接着強度及び合金層（銅導体膜２１，２２とはんだ３５、３６中のすずとの合金）の厚さとの関係を調べる試験を行った。耐久試験では１５０℃×１０００ｈｒ後のはんだ付け部の強度と、銅導体膜２１における合金層の厚さを調べた。その結果を表２に示す。

これから明らかなように、銅粉末への有機マンガンの添加量が０．５から２％重量の範囲にあれば、１５０℃×１０００ｈｒ後における強度は所定の大きさ及び範囲にあり、合金層の厚さも所定の大きさ及び範囲にある。これに対して、銅粉末に有機マンガンを添加しないときは強度は小さく、合金層の厚さが大きいことが分かる。また、添加量が５％を超えるとマンガンとすずとが反応し、かえって強度が落ちることが確認されている。

なお、銅粉末に有機チタンを添加した場合も、有機マンガンを添加した場合とほぼ同様の結果であった。

（効果）
第１実施例による効果は以下の通りである。第１に、厚膜回路基板２５の銅導体膜２０，２１及び２２の構造が緻密になる。よって、はんだ付け時にはんだ３５及び３６内のすずが銅導体膜２１及び２２に拡散し難く、合金の成長が抑制されアルミナ基板１０と銅導体膜２１及び２２の剥離が防止できる。

緻密な構造の銅導体膜２１及び２２が得られたのは、銅導体ぺ一スト２１Ａ及び２２Ａの調整時、銅粉末への添加金属をマンガンとしたことによる。マンガンでは、骨格としてのナフテン酸塩にマンガンが結合している。銅導体ペースト２１Ａ及び２２Ａの焼成時、１００から２００℃でビヒクルの溶剤が消失し、３００から４００℃でビヒクルの樹脂が消失し、最後にマンガンが残る。

その結果、銅粉末の周辺に微細なマンガンが均一に分散し、焼成過程において銅粉末の融点を下げ、焼結し易くする。これにより銅導体膜２１及び２２の構造が緻密になる。従って、例えはんだ３５及び３６内のすずと銅とが反応して合金層が形成されても進展しにくく、銅導体膜２１及び２２とアルミナ基板１０との結合が破られることが防止できる。

これに対して、比較例１のように、銅粉末にマンガン粉末を添加した場合、マンガン粉末は均一に分散できず、緻密な構造ができ難くポーラスな構造になり易いと考えられる。

第２に、配線パターンが銅導体膜２０Ａから２２Ａから成る厚膜回路基板２５でも、酸化ルテニウムから成る抵抗体膜１６の使用が可能となる。銅導体ぺ一スト２０Ａなどにおける銅粉末への有機マンガンの添加により銅の融点が６５０℃程度まで下がり、銅導体ぺ一スト２０Ａから２２Ａの焼成時における、ルテニウムの窒素による還元が防止されるからである。

＜第２実施例＞
図８から図１２に示す第２実施例の混成集積回路装置は、アルミナ基板上に形成する銅導体膜の一部が第１実施例のそれよりも厚く、これとの関係で電子部品をはんだ付けする銅導体膜とアルミナ基板との間にガラス層を敷いている点が第１実施例と異なり、その他の点は第１実施例と同じである。以下、異なる構成を中心に説明する。
（ガラス層、Ｂｇ導体膜、抵抗体膜の形成）
図８に示すように、厚い銅導体膜が形成されるアルミナ基板５０上に予め、Ｂｇ導体ペースト５２Ａ及び抵抗体ペースト５３Ａの他、ガラスペースト５５Ａをスクリーン印刷し、１２５℃にて１０分間乾燥させ、６５０℃で１０分間焼成する。こうして、図９に示すように、厚さO.０１から１μｍのガラス層５５と、厚さ１０から３０μｍのＢｇ導体膜５２と、厚さ１０から３０μｍの抵抗体膜５３とを形成した。

（銅導体膜の形成）
図１０に示すように、上記第１実施例の銅導体ぺ一ストと同じ銅導体ぺ一スト５７Ａ、５８Ａ及び６１Ａをスクリーン印刷し、１２５℃にて１０分間乾燥させ、６５０℃で１０分間焼成した。その結果、図１１に示すように、Ｂｇ導体膜５２及び抵抗体膜５３を覆う銅導体膜５７及び５８の他、ガラス膜５５を覆う大電流配線用の厚さ５０から１００μｍの銅導体膜６１が形成された。

（オーバコートガラス膜の形成）
オーバコートガラスペーストをスクリーン印刷をし、１２５℃にて１０分間乾燥させ、６００℃で６０分間焼成して、図１２に示すように、銅導体膜５７、５８及び６１を覆うオーバーコートガラス膜６３を形成した。こうして、第２実施例の厚膜回路基板６０が作製された。銅導体膜６１上にはんだにより電子部品（不図示）がはんだ付けされている。

（比較例）
第３比較例として、アルミナ基板５０と銅導体膜６１との間にガラス層５５を敷かないで厚膜回路基板を作製した。

（試験）
アルミナ基板５０と銅導体膜６１との間にガラス層５５を敷いた第２実施例の厚膜回路基板６０、及びガラス層を敷かない第３比較例の厚膜回路基板において、６５０℃で６０分間焼成を行い、アルミナ基板からの銅導体膜の浮き量を調べた。

その結果、比較例３の厚膜回路基板ではアルミナ基板からの銅導体膜の浮き量が１５０から２００μｍであるのに対して、第２実施例の厚膜回路基板ではアルミナ基板５０からの銅導体膜６１の浮き量が５０μｍ以下と良好であることが分かった。これは、銅導体膜６１の焼成時の焼き縮みに伴って発生するアルミナ基板６０と銅導体膜との間の密着力を、ガラス層５５が向上させることにより、剥離の進展が抑制されるためと考えられる。

このように、第２実施例によれば、上記第１実施の効果に加えて、ガラス層５５を形成したことにより、アルミナ基板５０と銅導体膜６１との間の結合強度が向上する効果が得られる。

＜第３実施例＞
図１３から図１７に示す第３実施例では、アルミナ基板７０上にはじめに銀（Ａｇ）導体膜を形成し、その上に銅導体膜を形成している点が、第１実施例とは異なる。以下、異なる点を中心に説明する。

図１３に示すように、アルミナ基板７０上に、Ｂｇ導体ペースト７１Ａ及び抵抗体ペースト７２Ａの他に、第１導体膜としての銀導体ぺ一スト７４Ａをスクリーン印刷し、１２５℃にて１０分間乾燥させ、８５０℃で１０分間焼成した。これにより、図１４に示すように、膜厚が１０から３０μｍのＢｇ導体膜７１と、膜厚が１０から３０μｍの抵抗体膜７２と、膜厚が１０から３０μｍの銀導体膜７４とが形成された。

（銅導体膜の形成）
次に、図１５に示すように、Ｂｇ導体膜７１、抵抗体膜７２及び銀導体膜７４上に、上記第１実施例の銅導体ぺ一ストと同じ銅導体ぺ一スト７６Ａ、７７Ａ及び７９Ａをスクリーン印刷し、１２５℃にて１０分間乾燥させ、６５０℃で６０分間焼成した。こうして、図１６に示すように、銅導体膜７６及び７７の他、銀導体膜７４上に積層された第２導体膜としての銅導体膜７９を形成した。銅導体膜７９の膜厚は１０から２０μｍが一般的であるが、大電流を流すラインでは膜厚を５０から２００μｍにする。

（オーバコートガラス膜の形成）
図１７に示すように、銅導体膜７６、７７及び７９にわたるようにオーバコートガラスペーストでスクリーン印刷をし、１２５℃にて１０分間乾燥させ、６００℃で６０分間焼成した。こうして銅導体膜７６、７７及び７９がオーバコートガラス膜８１で覆われ、第３実施例の厚膜回路基板８０が作製された。銅導体膜７９上にはんだにより電子部品（不図示）がはんだ付けされている。

第３実施例では、アルミナ基板７０上の電子部品の搭載部分が銀導体膜７４と銅導体膜７９とを二層構造になり、膜厚が従来の１０から３０μｍに比べて、３０から８０μｍと厚くなっている。第４比較例として、基板と銅導体膜との間に銀導体膜を介在しない混成集積回路装置を作製した。

（効果）
第３実施例によれば、第１実施例の効果に加えて、アルミナ基板７０上の電子部品の搭載部分の配線抵抗値が低くなり、大電流容量を増やすことが可能となる効果が得られる。銀導体膜が介在されていない比較例４ではそのような効果は得られない。

＜第４実施例＞
図１８から図２１に示す第４実施例では、アルミナ基板１００に複数の貫通孔（スルーホール）１０１、１０２及び１０３が形成されている。図２１から分かるように、厚膜回路基板１２０のアルミナ基板１００の上面では左端にＢｇ導体膜１０５が形成され、貫通孔１０１の周縁に銀導体膜１０７が形成され、貫通孔１０２の周縁に銀導体膜１０８が形成されている。右寄りの貫通孔１０３の回りに銀導体膜１０９が形成され、基板の右端部に銀導体膜１１３が形成されている。結局、アルミナ基板１００の上面のＢｇ導体膜１０５に接続された電子部品（不図示）と、下面の抵抗体膜１２１と銅導体膜１１５にはんだによりはんだ付けされた電子部品（不図示）とが、銀導体膜及び銅導体膜を介して接続されている。

これらの銀導体膜１０７と，銀導体膜１０８と、銀導体膜１０９及び１１１を覆うようにそれぞれ銅導体膜１１３，１１４及び１１５が形成されている。そして、銅導体膜１１３，１１４及び１１５がガラスコート膜１１７、１１８及び１１９で覆われている。アルミナ基板１００の下面では左端寄りに形成された抵抗体膜１２１を覆うように貫通孔１０１，１０２及び１０３に銅導体膜１２３，１２４及び１２５が形成され、銅導体膜１２３から１２５がガラスコート膜１２７で覆われている。
アルミナ基板１００の上面に銀導体膜１０７、１０８、１０９及び１１１を形成し、その上に銅導体膜１１３、１１４及び１１５を形成する方法、及び下面に銅導体膜を１２３、１２４及び１２５を形成する方法は、基本的に第３実施例と同じであるので、詳しい説明は省略する。こうして、第４実施例の厚膜回路基板１２０が作製されている。

（効果）
第４実施例によれば、アルミナ基板１００がスルーホール１０１から１０３を持ち、基板の上面にＢｇ導体膜１０５が形成され、下面に抵抗体膜１２１が形成されている場合でも、第３実施例の効果と同様の効果が得られる。加えて、銅導体膜１１３等が銀導体膜１０７等を介してアルミナ基板１００に形成されているので、高密度でしかも大電流に対向できる厚膜回路基板を提供できる。

第１実施例の混成集積回路装置を示す正面断面図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（抵抗体ペースト等の形成時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（抵抗体膜の焼結時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（銅導体ペースト等の形成時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（銅導体膜の焼結時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（ガラスコート膜の焼結時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（電子部品の実装時）を示す断面説明図である。 第２実施例の混成集積回路装置の作製工程（抵抗体ペースト等の形成時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（抵抗体膜の焼結時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（銅導体ペースト等の形成時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（銅導体膜の焼結時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（ガラスコート膜の焼結時）を示す断面説明図である。 第３実施例の混成集積回路装置の作製工程（抵抗体ペースト等の形成時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（抵抗体膜の焼結時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（銅導体ペースト等の形成時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（銅導体膜の焼結時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（ガラスコート膜の焼結時）を示す断面説明図である。 第４実施例の混成集積回路装置の基板を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（抵抗体膜、銀導体膜等の焼結時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（銅導体膜の焼結時）を示す断面説明図である。 上記混成集積回路装置の作製工程（ガラスコート膜の焼結時）を示す断面説明図である。

符号の説明

１０：基板 １３：ボンディング導体膜
１６：抵抗体膜 ２０，２１，２２：銅導体膜
３０：ガラスコート膜 ２５：厚膜回路基板
３５，３６：はんだ ３８：電子部品

Claims (12)

1. 絶縁性の基板と、前記基板上に形成され銅粉末に、有機チタン、有機マンガン、有機ゲルマニウム、有機銀より選ばれる有機金属、硼珪酸鉛系のガラスの酸化物を添加した銅導体ペーストを６００から７００℃の焼成温度で焼成して成る銅導体膜とを含む厚膜回路基板と、
   前記銅導体膜上にはんだによりはんだ付けされた電子部品と、
   から成ることを特徴とする混成集積回路装置。
2. 前記ガラスの酸化物は、軟化点が４３０℃以下である請求項１記載の混成集積回路装置。
3. 前記有機マンガンは、前記銅導体ペーストの重量を１００％としたときに、０．５〜２％で含まれる請求項１記載の混成集積回路装置。
4. 前記有機マンガンは、前記銅導体ペーストの重量を１００％としたときに、０．７〜２％で含まれる請求項１記載の混成集積回路装置。
5. 前記銅粉末は、平均粒径が１μｍの粉末と、平均粒径が２μｍの粉末の混合粉末である請求項１記載の混成集積回路装置。
6. 前記銅導体膜の膜厚は５０から２００μｍである請求項１に記載の混成集積回路装置。
7. 前記銅導体膜は、前記基板上に形成された抵抗体膜及びボンディング導体膜を覆うように形成されている請求項１に記載の混成集積回路装置。
8. 前記抵抗体膜は酸化ルテニウム（Ｒｕ_２Ｏ）よりなる抵抗体膜である請求項７に記載の混成集積回路装置。
9. 前記基板と前記銅導体ペーストとの間にガラス層が介在されている請求項１に記載の混成集積回路装置。
10. 前記基板と前記銅導体膜との間に銀導体膜が形成されている請求項１に記載の混成集積回路装置。
11. 前記銀導体膜は、前記銅導体ぺ一ストの焼成前に前記基板と前記銅導体ペーストとの間に介在させた銀導体ペーストを焼成したものである請求項１０に記載の混成集積回路装置。
12. 前記銀導体ペーストの焼成温度は８００から９００℃である請求項１１に記載の混成集積回路装置。

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