JP2008263054A - チップ抵抗器 - Google Patents

Abstract

【課題】 耐硫化特性に優れたチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】 基板１と、この基板１の上面の両端部に設けられた上面電極２と、基板１の上面において上面電極２と上面電極２との間に設けられた抵抗体５と、この抵抗体５を覆うように設けられた保護膜６とを備えたチップ抵抗器Ａであって、上面電極２と抵抗体５との間には、この上面電極２の一部を覆いながら抵抗体５の端部と重なるように抵抗体よりも抵抗値が小さい材質からなるバリア層４が設けられている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、チップ抵抗器に関する。

従来のチップ抵抗器としては、下記の特許文献１に記載されたものがある。このチップ抵抗器は、基板の両端部に上面電極を設け、この上面電極に接しながら基板の側面まで回り込むように側面電極を設けたものである。上面電極と上面電極との間には、抵抗体が設けられており、この抵抗体から上面電極まで覆うように保護膜が設けられている。保護膜の端部は、側面電極の端部に接しており、側面電極の表面には、メッキが施されている。上面電極や側面電極は、たとえば銀を主成分として形成されている。

このような従来のチップ抵抗器には、次のような問題がある。保護膜の端部と側面電極の端部とが接する部分は、メッキ不良が生じやすく、この部分を介して上面電極が雰囲気に晒されやすい。雰囲気中にたとえば硫化水素などといった硫化物が多く含まれる場合、銀を主成分とする上面電極が硫化作用によって劣化しやすくなり、チップ抵抗器の信頼性を損ねるおそれがあった。

特開２０００−１５６３０３号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、耐硫化特性に優れたチップ抵抗器を提供することをその課題とする。

本発明によって提供されるチップ抵抗器は、基板と、この基板の上面の両端部に設けられた上面電極と、上記基板の上面において上記上面電極と上面電極との間に設けられた抵抗体と、この抵抗体を覆うように設けられた保護膜と、を備えたチップ抵抗器であって、上記上面電極と上記抵抗体との間には、この上面電極の一部あるいは全体を覆いながら抵抗体の端部と重なるように上記抵抗体よりも抵抗値が小さい材質からなるバリア層が設けられていることを特徴としている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記保護膜は、上記上面電極の一部まで覆うように設けられており、上記バリア層は、上記保護膜よりも上記上面電極を幅広く覆うように設けられている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記上面電極は、銀を主成分として形成されており、上記バリア層は、酸化ルテニウムを主成分として形成されている。

このような構成によれば、上面電極がバリア層によって保護されるので、メッキ不良などによっても硫化水素などを多く含む雰囲気に上面電極が晒されることなく、耐硫化特性に優れたチップ抵抗器を実現することができる。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

図１および図２は、本発明に係るチップ抵抗器の一実施形態を示し、図３〜１１は、その製造方法を示している。本実施形態のチップ抵抗器Ａは、基板１、上面電極２、裏面電極３、バリア層４、抵抗体５、保護膜６、側面電極７、およびメッキ層８を有して構成されている。

基板１は、絶縁性を有するもの、たとえばアルミナ、サファイア、シリコンからなる。

上面電極２および裏面電極３は、抵抗値が比較的低くなるよう、たとえば銀を主成分として形成されている。上面電極２は、基板１の上面の両端部に設けられており、裏面電極３は、上面電極２とは反対側となる基板１の下面の両端部に設けられている。

バリア層４は、たとえば酸化ルテニウムを主成分として銀やパラジウムを含有する導電材料からなる。バリア層４は、上面電極２の上面一部を覆いながら抵抗体５の下面へと回り込むように設けられている。このようなバリア層４は、含有物質の割合を調整することにより、抵抗体５のＴＣＲ（熱変化による抵抗値の変化量：抵抗温度係数）とは異符号のＴＣＲをもち、また、バリア層４は、抵抗体５の抵抗値よりも低い抵抗値をもつようになっている。

抵抗体５は、抵抗値が比較的高くなるよう、たとえば酸化ルテニウムを主成分として形成されている。抵抗体５は、基板１の上面において両側の上面電極２の間を占めつつバリア層４の端部と重なるように設けられている。このような抵抗体５は、上面電極２と直接的に接することなく、バリア層４を介して上面電極２と導通接続されている。

保護膜６は、たとえば絶縁性の樹脂からなる。保護膜６は、抵抗体５の表面全体を覆うとともに、上面電極２の一部やバリア層４の一部を覆うように設けられている。具体的に、保護膜６は、上面電極２を覆う部分がバリア層４よりも幅狭くなるように形成されている。

側面電極７は、たとえば銀を主成分として形成されている。側面電極７は、基板１の両端部において上面電極２や裏面電極３に接しながら基板１の側面まで回り込むように設けられている。

メッキ層８は、側面電極７のはんだ付け性を高めるためにニッケルやはんだによるメッキが施された層である。メッキ層８は、保護膜６の端部からバリア層４や上面電極２の表面を通り、側面電極７や裏面電極３の表面全体を覆うように形成されている。

このようなチップ抵抗器Ａの製造方法は、次のようになっている。

まず、図３に示すように、原板１１を用意する。この原板１１は、最終的に基板１となるものであり、基板１に相当する複数の領域１１Ａが縦横の切断線Ｃ１，Ｃ２によって区切られたものである。

次に、図４に示すように、原板１１の上面においては、縦の切断線Ｃ１に沿う箇所（基板１の両端部に相当する箇所）に、銀を主成分としたペースト状の導電性部材１２をスクリーン印刷によって塗布する。これと同様に、原板１１の下面についても、銀を主成分とした導電性部材をスクリーン印刷によって塗布する（図示略）。その後、導電性部材１２は、焼成によって固化される。このような導電性部材１２は、最終的に上面電極２や裏面電極３になるものである。

次に、図５に示すように、原板１１の上面においては、切断線Ｃ１の両側において導電性部材１２の一部を覆うようにバリア層４を形成する。このようなバリア層４も、上面電極２などと同様にスクリーン印刷による塗布や焼成によって形成される。

次に、図６に示すように、原板１１の上面においては、導電性部材１２と導電性部材１２との間を埋めつつバリア層４の一部と重なるように抵抗体５を形成する。このような抵抗体５も、上面電極２などと同様にスクリーン印刷による塗布や焼成によって形成される。このとき、抵抗体５は、バリア層４の一部として上面電極２からはみ出た部分のみと重なるように形成される。

次に、図７に示すように、原板１１の上面においては、複数の抵抗体５（同図に図示せず）をまとめて覆うように保護膜６を形成する。このような保護膜６も、スクリーン印刷による塗布や焼成によって形成される。このとき、保護膜６は、上面電極２に相当する導電性部材１２とバリア層４とが重なった部分まで覆うように形成される。

次に、図８および図９に示すように、原板１１においては、縦の切断線Ｃ１に沿ってダイシング加工によるスリット１１Ｂを形成する。このスリット１１Ｂは、導電性部材１２の一部を残し、バリア層４を削り取らない程度の幅とされる。これにより、図９によく示すように、バリア層４は、上面電極２の一部に重なった形態となる。なお、スリットの幅は、バリア層の一部を削り取る程度としてもよい。そうした場合、バリア層は、上面電極の全体に重なった形態となる。

次に、図１０に示すように、原板１１においては、スリット１１Ｂ付近を除く部分にマスク（図示略）を施し、その後、無電解メッキ処理を行ってからそのマスクを剥離する。これにより、スリット１１Ｂの内壁から上下周辺部分には、側面電極７が形成される。

最終的に原板１１は、縦横の切断線Ｃ１，Ｃ２に沿ってダイシング加工される。これにより、メッキ層８が未だ形成されていない状態のチップ抵抗器Ａが個々に分割される。その後、たとえばバレルメッキ処理を行うことにより、図１に示すように、ニッケルやはんだによるメッキが施されたメッキ層８を有するチップ抵抗器Ａが得られる。

すなわち、チップ抵抗器Ａの上面電極２と抵抗体５との間には、これらを導通接続させるためのバリア層４が介在し、バリア層４は、上面電極２を幅広く覆った形態となる。

このようなチップ抵抗器Ａにおいては、側面電極７の端部が保護膜６から離れており、メッキ層８の端部は、バリア層４の上面まで達している。バリア層４は、抵抗体５よりも抵抗値が低く調整されているため、メッキ不良がそれほど生じることなくメッキ層８が保護膜６の端部まで確実に形成されている。

たとえ、保護膜６の端部付近にメッキ不良が生じたとしても、上面電極２の大部分がバリア層４によって保護されているため、上面電極２が雰囲気に晒されることはない。そのため、硫化水素などといった硫化物が多く含まれる雰囲気内でチップ抵抗器Ａが使用されても、上面電極２が硫化作用によって劣化するおそれはない。

また、バリア層４は、抵抗体５のＴＣＲとは異符号のＴＣＲをもつように調整されているため、チップ抵抗器Ａ全体としてのＴＣＲを相殺によってできる限り０に近付けることができる。

したがって、本実施形態のチップ抵抗器Ａによれば、耐硫化特性に優れ、かつＴＣＲをできる限り小さくした信頼性の高いものとすることができる。

なお、本発明に係るチップ抵抗器は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るチップ抵抗器の各部の具体的な材質などは、種々に設計変更自在である。

本発明に係るチップ抵抗器の一実施形態を示す断面図である。 図１に示すチップ抵抗器の要部断面図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するための斜視図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するための斜視図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するための斜視図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するための斜視図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するための斜視図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するための斜視図である。 図８のIX−IX線に沿う断面図である。 図１に示すチップ抵抗器の製造方法を説明するための断面図である。

符号の説明

Ａ チップ抵抗器
１ 基板
２ 上面電極
４ バリア層
５ 抵抗体
６ 保護膜
７ 側面電極

Claims (3)

1. 基板と、この基板の上面の両端部に設けられた上面電極と、上記基板の上面において上記上面電極と上面電極との間に設けられた抵抗体と、この抵抗体を覆うように設けられた保護膜と、を備えたチップ抵抗器であって、
   上記上面電極と上記抵抗体との間には、この上面電極の一部あるいは全体を覆いながら抵抗体の端部と重なるように上記抵抗体よりも抵抗値が小さい材質からなるバリア層が設けられていることを特徴とする、チップ抵抗器。
2. 上記保護膜は、上記上面電極の一部まで覆うように設けられており、上記バリア層は、上記保護膜よりも上記上面電極を幅広く覆うように設けられている、請求項１に記載のチップ抵抗器。
3. 上記上面電極は、銀を主成分として形成されており、上記バリア層は、酸化ルテニウムを主成分として形成されている、請求項１または２に記載のチップ抵抗器。

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